JPS5874041A - ポリイミド系樹脂用エツチング液 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ポリイミド系樹脂用エツチング液に関する。

近年、絶縁特性、耐熱性等に優れたポリイミド系樹脂の
半導体部品、と９わけ半導体集積回路における配線基板
絶縁膜や、モノリシックＬ８Ｉの保！Ｉ膜、多層配線絶
縁膜等への利用が増加している。この中で配ｆｍｍ板上
及びモノリシックＬａＩ上の多層配線の層間絶縁膜とし
てポリイミド系樹脂膜を用いる場合には集積度の向上の
上から微細なエツチング加工が要求される。

従来よｐ、ポリイミド系樹脂膜のエツチング方法として
、ポリイミド系樹脂膜の前駆物質であるポリアミド酸を
２００℃以上の温度でベークし、イミド化率が９０−以
上の状態でエツチングを行なう方法と、１３０℃前後の
温度でベークし、５〜１０１程度イミド化した状態でエ
ツチングを行なう方法が行なわれている。

ポリイミド系樹脂膜のエツチング法の１つとして、その
前駆物質であるポリアミド酸の膜を形成し九段階でポジ
タイプのホトレジストを用い、このホトレジストの現偉
と同時に、この現儂液そのもので、ポリアミド酸の膜を
エツチングする方法が知られている。この方法は０例え
ば特公Ｊ１１４７−１２６０９号に述゛べられている。

こ“Ｏ方法では、まずＮ−メチル−２−ビｔｓ　ＩＪト
ン、ジメチルアセトアミド等を溶媒とするポリアミドａ
ｌ溶液を基体に塗布し九のち８２℃で３分の乾燥を行な
ってポリアミド酸の膜を形成する。次でポジタイプのホ
トレジストとして１例えば５ｈｉｐｌｅｙ社のＡ２１３
００を塗布し、８２℃で１５分乾燥し、ホトマスクを密
着させて露光を行なう。ＡＺ１３００のｇＬ像液はアル
カリ性で、かつポリアミド酸をも溶解する能力があるの
でＡＺ１３００の＃４儂液に浸漬すると人２１３００の
露光部分が溶解すると同時にポリアミド酸も溶解する。

そしてアセトンに浸漬することによってＡＺ１３００の
みを溶解するといった手順で行なわれる。

この方法ではボリア真ド酸を高々８２℃で。

しかも３分しかベー〉していない丸め沸点が２０２℃で
あるＮ−メチル−２−ピロリドンや沸点が１６７℃であ
るジメチルアセトアミドなどの沸点の高め溶媒は完全に
は蒸発していない状態にある。また、エツチング形状も
不安定で再現性も悪い丸め実用的に加工し得る寸法は数
十μｍ以上である。

また、ポリイミド系樹脂膜をエツチングする方法として
第４級水酸化アンモニウムの濃縮水溶液あるｈは非水溶
媒中に第４級水酸化アンモニウムのｌ１１＃ｌ水溶液を
混合し大濤液による方法も知られている。第４級水酸化
アンモニウムとして水酸化テトラメチルアンモニウム、
水酸化ナト２エチルアンモニウム、水酸化ブチルアンモ
ニウム等が挙げられ、また非水溶媒としてジメチをスル
ホキシド、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ピリジ
ン等が挙げられる。上記の２種類の方法によるエツチン
グではポリアミド酸又はポリイミドイソ、、インドロキ
ナゾリンジオン（ｐｏ　ｌｙ　ｉｍ　ｉｄｅ　１ｓ（ｉ
ｎｄｒｏｑｕ　ｉｎａｇｏ　Ｉ　１ｎｅｄ　１ｏｎｅ。

以下ＰＩＱとする。’ＰＩＱは日立化成工業株式会社の
商標）のプレポリマの膜を２００”Ｃの温度でベータし
、イミド化した状態でもエツチングすることは可能であ
るが、エツチング時にイミド化した膜が膨潤する。第１
図はポリアミド酸もしくはＰＩＱのプレポリマＯｊＩを
２００℃の温度でベークしイミド化し九状能でホトレジ
スト逃場を行ないエツチング液に浸漬した時のポリイミ
ド系樹脂膜の膜厚変化を調べた結果を示したものである
。曲線ａはエツチング液として水酸化テトラメチルアン
モニウム１０重量−水溶液を約３０重量−に濃縮し九溶
液を用いた場合を示す。ま九曲線すはエツチング液とし
てスルホ２ン中に上記と同じ水酸化ナト２メチルアンモ
ニウムの約３０重量優水溶液を５０容量−の割合で混合
した＃液を用いた場合を示す。

水酸化テトラメチルアンモ二りムの濃縮水溶液をエツチ
ング液とじ九場合は９曲線ａに示すようにポリイミド系
樹脂膜はエツチング液の浸透によ如膨濶し、膜厚増加は
約２０−になる。スルホランに水酸化テトラメチルアン
モニクムの濃縮溶液を混合し九溶液をエツチング液とし
九場合、−線すに示すように曲纏鳳よ）さらに膨潤が大
金くなシ膜厚増加は約ａＯＳにも適する。

このＩＩＩＩＩＩＬ九部分の断面形部分観察すると、第
２図（ａ）のような形状である。すなわち基体１の上に
形成したポリイミド系樹脂膜２をホトレジストをマスク
してエツチングしたのち、ホトレジストを除去して断面
を研磨して観察し九ものである。膨潤によって生じたパ
ターン周辺部での盛）上がり部分３が明瞭に認められる
。この盛シ上がりは９例えば多層配線を行なう場合。

第２層の配線導体の形成に障害となるばかりでなく耐熱
性が低下するなど以後の工程での安定性、信頼性を低下
させるという欠点を有する。

一方ポリアミド酸又はＰＩＱのプレポリマを２００℃以
下の温度９例えば１３０〜１５０℃の温度でベークした
状態でエツチングするとエツチング速度が大きすぎ、１
０〜２０秒でエツチング終了してしまうので、エツチン
グ時間の管理が難しく、エツチングの精度・再現性も悪
い。

またポリイミド系樹脂膜のエツチング方法としてエチレ
ンジアミン、ジエチレントリアはン。

トリエチルテトラミン等を用いる方法も知られている。

しかし、上記のいずれをもエツチング液として用いても
ポリアミド酸又はＰＩＱのプレポリマｔ１８０℃以上の
温度で硬化したポリイミド系樹脂膜をエツチングすると
エツチング液に浸漬後、ポリイミド系樹脂膜は膨潤する
のみでエツチングされず、１８０℃未満の温度。

例えば１００〜１３０℃で硬化し九ボリイイド系樹脂膜
をエツチングすると、エツチング形状が悪く再現性も悪
く、シかも上記のエツチング液は毒性が強い。

また、ポリイミド系樹脂膜のエツチング方法としてとド
ラジンあるいは、ヒドラジンとエチレンジアミン、ジエ
チレントリアはン等のボリアオン化合物との混合滓液を
用いる方法がある。

このエツチング液をＦｆ！１ヤ九場合、ポリアミド酸又
はＰＩＱのプレポリマを２００℃以上の温度でベークし
、イミド化し良状態でもエツチングすることは可能であ
るが、サイドエッチが太きく、スルーホール設計値と実
際のエッチ後の開口部の寸法に差が生じ中す−ため数＃
ｍΩのエツチング安定性が悪い。２００℃未満のａｌｌ
ｔＬでベータし、イミド化した状履でエツチングすると
。

上記のエツチング液のエツチング能力が非常に大きく、
エツチング時間が短いため、適正なエツチング時間の幅
が極端に狭く、エツチングの管埋が−しい。又、エツチ
ングの再現性、安定性が悪い丸め実用的に加工し得る寸
法は数十μｍ以上である。を九とドラジンは魂４輪１１
艷１１蝙峰参参毒性が強い。

本発明の目的は、かかる従来のエツチング液−ルが安定
に確実に形成出来るエツチング液を提供することに娶る
。

本発明は、水酸化テトラメチルアンモニウムのアルコー
ル溶液からなるポリイミド系樹脂用エツチング液に関す
る。

本発明を適用し得るポリイミド系樹脂について説明する
。

′−一般 式示される繰シ返し単位（ここでＲ１は芳香環を有する
４価の基であシ、−は芳香環を有する２価の基である）
を有するポリイミド樹脂が用いられる。これは、芳香族
ジアミンと芳香族酸二無水物とから合成される重合物で
あシ１例えばＰｙｒ＠−ＭＬ（デュポン社１ｆｔ）、）
レニース（東し社製）を用いて製作される。さらに詳し
くは米ｌｉｌ特許１１＆１７＠６３４号明細書に述ぺら
れている。

一般式 ％式％（） （式中Ａｒ１　、　Ａｒｌ　、　Ａｒｃ及びＡｒ４は芳
香族残基を示しＹはＳＯ，ｔ＋はＣＯを示す）で示され
るＰＩＱも用いられる。

これは一般式 （式中Ａｒは芳香族残基を示しＹは８０．を九はＣＯを
示す。また１個のアミノ基とＹ−Ｎｌ丸基とは互いにオ
ルト位置に位置する）で示されるジアミノアミド化合物
とジアミン及びテトラカルボン酸二無水物とを反応させ
てポリアミド蓋中間体を生成させ、しかる後、該中間体
を脱水・閉漂させることによυ製造することができる。

例えば一般式 ３価基）を有する高耐熱性重合体である。

＾ ＰＩＱについては、さらに詳しくは特公昭４８−２８５
６号公報に述べられている。を九本発＠になるエツチン
グ液は、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド膜等の
イミド基を有するボリイミ、ド系樹脂膜のエツチングに
も適用できる。

本発明になるエツチング液は、ポリアミド酸又はＰＩＱ
のプレポリマを１３０〜２００℃の温度でベークし、イ
ミド化率が５〜９０−のポリイミド系樹脂膜に用いるこ
とが好ましい。

イミド化率と紘、完！蚕にイミド化した状態のポリイミ
ド系樹脂膜のイミド基（例えば１７７５（１’ｊｌｌ”
、あるいは１３７５ａＩ−”）の吸収強度を基準ＫＬ、
前駆物質であるポリアミド酸あるいはＰＩＱのプレポリ
マそのもののイミド基の吸収強度を前述の基準イミド基
吸収強度で割シ対数をとった値を初期値０とし、各熱処
理し九時のポリイミド系樹脂膜のイミド基吸収強度を基
準イミド基吸収で割９対数をとつ九値を、その熱処理温
度でのポリイミド系樹脂膜のインド化率とする。

ポリイミド系樹脂膜に対するエツチング能力。

エツチング液の溶解性の点から水酸化ナト２メチルアン
モニウムのアルコール溶液の濃度は５乃至３５重量−が
好ましい。

水酸化テトラメチルアンモニウムのアルコール溶液とし
ては、メタノール溶液、エタノール溶液等が挙げられる
。

エツチングは１例えば１３０〜２００℃で熱処理したポ
リイミ：１□１□′）°系樹脂表面に通常のホトリング
ラフイーエｉと同様な方法で開口部をもつ九レジスト層
をパターン形成し１次いでエツチング液中に浸漬するか
、或はエツチング液をシャワー状にして吹きつけて石門
われる。レジスト層の開口部のポリイミド系樹脂をエツ
チング後レジスト層は除去される。

本発明の代表的なエツチング液である水酸化テトラメチ
ルアンモニウムの２０重量−メタノール溶液を用いてエ
ツチングし九場合のポリイミド系樹脂膜の膜厚変化を調
ぺ九結果を第１図の曲線Ｃに示す。この時のエツチング
条件はポリアミド酸もしくはＰＩＱのプレポリマの膜を
１５０℃の温度でベークし、イミド化し良状態でホトレ
ジスト処理を行ない２５℃のエツチング液に浸漬し丸も
のである。−線Ｃでは２曲線ミド系樹脂膜の膜厚増加（
膨潤）は無い。事実。

水酸化テトラメチルアンモニクムの２０重量−メタノー
ル１液によってエツチングしたポリイミド系樹脂膜の断
面を観察すると第２図（ｂｌに示すように、はぼ直線的
な傾斜をもつ丸形状でエツチングされておシ、かつ水酸
化ナト２メチルアンモニウム水溶液の濃縮溶液単独のエ
ツチング液でみられる膨潤領域は全く認められない。

このような形状は第２層の配線導体の形成にとってまこ
とに好ましく１例えば導体の段差での断線という事故は
全く発生しないといってよい。

次に本発明になるエツチング液をエツチングの安定性の
点から述べる。第３図（１１はエツチング時間とエツチ
ングされたスルーホール仕上シ寸法の関係を、第３図（
ｂ）はスルーホール寸法の設計値に対するエツチングさ
れたスルーホール仕上り寸法を示す。ここでスルーホー
ル仕上゛シ寸法は樹脂膜の開口寸法をさすものである。

第４図に示される直線ｃ、ｄ、ｅのエツチング液組成と
イミド化するときの温度、エツチング温度は次のとおシ
である。

イミドイヒ温度り５０℃、エツチング温度４ｏ℃ｄ　ヒ
ドラジンヒトラード８〇−水溶液イミドイヒ温度り００
℃、エツチング温度２５℃Ｃ水酸化テトラメチルアンモ
ニウム１０重量−水溶液イミド化温度１５０℃、エツチ
ング温度４０℃ポリイミド系樹脂膜をヒドラジンでエツ
チングする場合、ホトレジスト膜が薄いと龜は、ヒドラ
ジンがホトレジスト膜の下までまわシ込んでエツチング
するためサイドエッチが大きくなってしまい、ｔたエツ
チングされたスルーホール寸法の拡が多速度も速い、シ
九がって大きいスルーホールと小さいスルーホールが両
方存在する部分等をエツチングする場合、大きいスルー
ホールホト大きく、速くスルーホールエッチされる丸め
、第４図（ｂ）に示すようにスルーホール設計値と実際
のエッチ後の仕上シ寸法に差が生じ、エツチングの安定
性が愚い。

まえ、水酸化ナト２メチルアンモニウムの：： １０重量−水溶液単独で／ｄ、、ｓ″２２テ２グ能力１
５０℃で処理し、イしド化し九ポリイミド系樹脂膜に対
して第４図（ａ）Ｋ示すようにスルーホールの拡が多速
度は大きいが、第４図（ｂ）に示すようにスルーホール
設計値と実際のスルーホール仕上シ寸法に大きな差が生
じておシ、エツチングの安定性悪く、微細加工は困難で
ある。

これに対し本発明の一実施例になるエツチング液である
水酸化テトラメチルアンモニウムのメタノール溶液では
第４図（ａｌに示すようにスルーホールの拡がり速度が
大きいのにもかかわらず第４図［ｂ）に示すようにスル
ーホール寸法設計値とスルーホール仕上如寸法の関係が
極めて良い。このことは大きなスルーホールと小さいス
ルーホールが混在していても設計値どおシの均一なスル
ーホール形成が可′能であることを示し。

しかも３μｍ０の微細なスルーホールもエツチング可能
である。スルーホールの拡が多速度が大きいことから、
エツチング時間が短くてすむことから、量産性にも−れ
ている。

又、微細加工にと＝、１．、、Ｆ重要なエツチングファ
クタ（ＦＩＣ）について、エツチング液ｃ、Ｌｅについ
て調べると、各々１．３〜１．４，１．０〜１．２゜０
．８５〜１．０となる。エツチングファクタは第４図に
示すようにエツチングする被膜の厚さｄと傾斜部の幅Ｗ
に対して で表わされる。したがってエツチング７アクタが大きい
程傾斜部の傾きは基板に対して自直に近くなり、その後
の２層配線形成時の配線幅の設計値が小さくてすむので
、微細加工がよシ容蟲に可能となる。この点で４他のエ
ツチング液と比較して、水酸化テトラメチルアンモニウ
ムのメタノール溶液は優れている。

ポリイミド系樹脂膜に対する水酸化ナト２メチルアンモ
ニウムのアルコール溶液ニよるエツチング効果は上記で
述べた水酸化ナト２メチルアンモニウムのアルコール溶
液の濃度以外にボリア建ド酸、ＰＩＱのプレポリマ等を
イミド化するときの温度、エツチング液の温度等によっ
て異なる。まずイきド化するときの温度についていえば
エツチング速度、スルーホールのエツチング安定性等か
ら１３０〜２００℃で行なうのが好ましい。またエツチ
ング液の温度はエツチング速度及びエツチング液の安定
性から２５〜３０℃が好ましい。

エツチングのマスクとして用いることのできるホトレジ
ストは環化ゴム系のネガタイプが好ましく例えばコダッ
ク社製のＫＭＥＲ，ＫＴＦＲ。

東京応化工業社製のＯＭＲなどが用いられる。

エツチングを終了したのちホトレジストは、九とえばイ
ンダスト・す・ケミカルラボラトリイ（Ｉｎｄｕｓｔ　
−Ｒｉ　−ｃｈｅｍ−Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　）社製の
除去剤Ｊ−ｌｏｏ等によって除去することができる。Ｊ
−１００を用いる場合、２００℃以下の温度でベークし
たポリイミド系樹脂膜は完全にイミド化していない丸め
、Ｊ−１００にポリイミド系樹脂膜がわずかにおかされ
ることがある。そのため、ポリイミド系樹脂膜のエツチ
ングが終了したのち、ホトレジストを除去する前にポリ
イミド系樹脂膜を２００〜２２０℃の温度でベークする
必要がある。ホトレジストを除去し、この後さらに第２
層の配線導体の形成工程に入る前に、少なくとも２５０
℃以上の温度でポリイミド系樹脂膜を再ベークし、完全
にイミド化することが好ましい。なお、この再ベークの
際９本発明になるエツチング液を用いて形成したスルー
ホールパターンは形状がダしたり変形し−Ｉｔシする現
像はほとんどないのに対して。

ポジ形ホトレジストの現儂液あるいは水酸化テトラメチ
ルアンモニウム水溶液、の濃縮溶液、ヒドラジンでエツ
チングして形成し九スルーホールパターンは形状がダレ
九シ著しく変形し九りするという欠点がある。これは、
上記のエツチング液が浸透した膨潤領域が熱的にも不安
定である丸めである。

次に実施例により本発明を具体的Ｋｍ明する。

実施例１ ポリアミド酸およびＰＩＱのプレポリマの溶液としてそ
れぞれ次のも・のを準備し九。

ル　Ｐｙｒｅ　−ＭＬ　、　ＲＣ−５０５７デュポン（
Ｄｕｐｏｎｔ）社製 Ｂ、　　）レニース　東し社製 Ｃ，ＰＩＱのプレポリマ　日立化成社製ＰＩＱのプレポ
リマは次のようにして得たものを用いた。

温度針、攪拌機および塩化カルシウム管を備え九１００
ｃｃの三つロフラスコに、４．４’−ジアミノジフェニ
ルエーテル−３−カルボンアミド２．４３）、４４’−
ジアミノジフェニルエーテルλＯｆおよびＮ−メチル−
２−ピロリドン６０ｃｏを入れ。

よく攪拌しておく。これにビ°ロメリット酸二無水物４
．３６　Ｐを徐々に加える。添加終了後５時間攪拌９反
応を続けてＰＩＱのプレポリ１を樽形（イミド化率的ａ
ＯＳ　）。Ａ、Ｂ、ＣにそれぞれＮ−メチル−２−ピロ
リドンを加えて粘度を１．０００ｃｐｓに調整した。以
上のように粘度を調整したＡ。

Ｂ、Ｃをそれぞｈ表面を熱酸化し九半導体装置用シリコ
ンウェーレ１上に滴下しホトレジスト回転塗布機（スピ
ンナ’−ＩＨ−ＤＳ型、ミカサ株式会社製）を用いて毎
分へ〇′”００〜４．０００回転の回転速度で塗布した
。

これを１５０℃で６０分乾燥させ、ついでこの樹脂膜上
にホトレジストを回転塗布しえ、ホトレジストは東京応
化工業のＯＭＢ−８３の３９　ｃｐｓ溶液を用い九。毎
分４０００の回転速度で塗布し。

ホトレジストの膜厚は１．０μｍであつ九。

ホトレジストを９０℃で２０分乾燥させたのちホトマス
クを密着させて紫外線を露光し１次いでＯＭＲＩ＠現儂
液（東京応化工業）に浸漬して、未露光のホトレジスト
を溶解した。さらに感光して樹脂膜上に残り所定のパタ
ーンを形成したホトレジスト膜を１４０℃で２０分硬化
し、ボストベーク処理を行なつ九。

ポリイミド系樹脂膜の膜厚は各々 Ａ、２６μｍ Ｂ、２５μｍ ｃ、’ｈｓμｍ であつ九。しかるのち水酸化テトラメチルアンモニラ１
３０重量嚢メタノール溶液にエツチング液度３０℃で５
０秒浸漬し喪。

上記のエツチング条件でエツチングを行なった場合の開
口寸法、パターンの寸法精度について下記の結果を得た
。

すなわちＡ、Ｂ、Ｃのいずれについても厚さ１５〜１６
４ｍの樹脂膜において１０／Ａｍ’、７４ｍ’の開口に
対してへ３〜０．４μｍの誤差の寸法精度で、　５４ｍ
’、　４　ｐｒｎｏ、　３４ｍ°の開口に対し０．２〜
０．３μｎｌｏ娯差の寸法精度でエツチング可能であっ
た。なお開口寸法はマスク寸法に対するポリイミド系樹
脂膜の底面の寸法である。パターンの形状は、Ａ、Ｂ、
Ｃともに３μｍ０の開口部に丸味がほとんどなく良好な
形状で６つ九。

またエツチングファクタについて測定したところＡ、Ｂ
、Ｃともに１．３０〜１．４０の範囲にＴｏＣ。

パターン端部の傾斜は５２〜５５°であつ九。このよう
に３μｍ’のスルーホールが良好な形状にエツチング可
能であり、かつテーパー角が５２〜ｓ５＠で得られるこ
とは微細加工性にとって極めて嵐い特性を有するといえ
る。

比較例１ 実施例１で使用したのと同じポリイミド系樹脂ｊｌＡ、
Ｂ、Ｃを水酸化テトラメチルアンモニウム１０重量嚢水
溶液でエツチングし九場合、同一時昧を帯びておシ、オ
ーバーエッチ状１１になっている。尚、関口しているス
ルーホールのエツチング７アクタはＡ、Ｂ、Ｃともにα
８５〜１．０の範囲であつ九。

比較例２ 実施例１で使用したのと同じボリイきド系樹脂＼ １［Ａ、Ｂ、Ｃをエチレン２アミン単独のエツチング液
でエツチングし九場合、同一時間では７４ｍ’以下は開
口されず、開口し九１０μｍ’のスルーホール４丸味を
帯びてエツチングされてしまう。

実施例２ 実施例１と同じ溶液Ａ、ＢおよびＣをそれぞれ１、００
０　ｃｐｓの粘度にして亀ｏｏｏ　〜４ｏｏｏ　ｒｐｍ
で所定の基板上に回転塗布し、１６０℃で６０分。

加熱硬化処理を施しイミド化した。樹脂膜の膜厚は２６
〜２７μｍであつ九。次で実施例１と同様にしてパター
ン寸法１０４ｍ’〜３μｍ’のホトレジストパターンを
形成したのち水酸化テトラメチルアンモニウム２５重量
−メタノール溶液を有するエツチング液にエツチング温
度２８℃で８０秒あるいはエツチング温度２５℃で１０
０秒浸漬し大。

２つのエツチング条件の場合とも同様な結果を示しＡ、
Ｂ、Ｃのいずれについてもパターンの寸法精度は実施例
１とほとんど有意差のない範囲で開口が形成された。

実施例３ ・：、、 実施例１と同じ一液人、ＢおよびＣをそれぞれ１、。

各々Ｌｏｏｏｃｐ易の粘度にして＆０００〜４００゜ｒ
ｐｍで所定の基板上に回転塗布し、１５０℃−６０分の
加熱硬化処理を施しイミド化した。樹脂膜Ｏ膜厚は２７
〜２９μｍであった。次いで実施例１と同様にしてパタ
ーン寸法１０μｍ０〜３　ｓｍ。

のホトレジストパターンを形成し九のち水酸化テトラメ
チルアンモニウム３０重量−エタノール溶液を有するエ
ツチング液にエツチング温度３０℃で８０秒浸漬し友。

パターン寸法はＡ、Ｂ、ＣともｌＱμｍ’、７４ｍ’。

５μｍ０．４μｍＯＫついてはα３μｍ以内の誤差の精
度であつ九が３μｍ０では開口物の寸法は２５　ａｍ。

であった。

本発明になるエツチング液によれば、ポリイミド系樹脂
のエツチングに際して、従来のポリアンド酸又はＰＩＱ
のプレポリマの段階でのポジタイプのホトレジストの現
俸液でエツチングする場合又はイミド化し九段階での従
来の第４級水酸化アンモニウム溶液、非水溶媒中に第４
級水酸化アンモニウム溶液を混合し九潜液若しくはヒド
ラジンでエツチングする場合に比べて、エツチング速度
が天動く、又、エツチング時に膨潤することなく極めて
正確に微細な加工が可能となる。

又、ポリイミド系樹脂のエツチングに要する時間が５０
〜１００秒と従来の他のエツチング液による場合と比較
して短いため、量産性に優れているのが特長である。そ
の丸め、エツチング方法をバッチ処理からスプレーエッ
チによる１枚毎の処理も可能で、この場合エツチングの
自動処理化することによシ、量産性に優れ、エツチング
精度良く、カつ安全性の高いエツチングを行なうことが
出来ろ。

【図面の簡単な説明】

第１図はエツチング液のエツチング特性を示す図、第２
図はエツチングされ九ボリイξド系樹脂膜の断面図、第
３図（ａ）はスルーホール寸法の拡がシ速度、メχ爾（
ｂ）はスルーホールの設計値と実際のスルーホール開口
部寸法の関係を示す図及び第４図はエツチングファクタ
を説明する図である。 符号の説明 １・・・基体　　　　　　２・・・ポリイミド系樹脂膜
３・・・盛シ上がシ部分 ｌｂ　　１　　日 ０／２３４５６７　　　δ　９ １フチン７゛鴫ゴ旬　（）Ｆ８ノ１イ直）第　２　図 （ｄ）　　　　　　　　　　　＜ｂン 寛　３　口 （ｄン 工・ｒチシグー■司（、相２↑逅〕 （ｂ） スルーホール７を汰級計値（μｍン ’ｆ）　　４　　Ｕｉ ηＴ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、水酸化テトラメチルアンモニウムのアルコール溶液
   からなるポリイミド系樹脂用エツチング液。 ２　水酸化テトラメチルアンモニウムのアルコール溶液
   中の水酸化テトフメチルアンモエウムの濃度が５乃至３
   ５重量−である特許請求の範囲第１項記載のポリイミド
   系樹脂用エツチング液。 ＆　ポリイミド系樹脂が、イミド化率が５乃至９０−の
   ポリイミド系樹脂である特許請求の範囲第１項又祉第２
   項記載のボリイきド系樹脂用エツチング液。