JPS5877599A - 透明導電膜のエッチング方法 - Google Patents
透明導電膜のエッチング方法Info
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- JPS5877599A JPS5877599A JP17409581A JP17409581A JPS5877599A JP S5877599 A JPS5877599 A JP S5877599A JP 17409581 A JP17409581 A JP 17409581A JP 17409581 A JP17409581 A JP 17409581A JP S5877599 A JPS5877599 A JP S5877599A
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Landscapes
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- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明導電膜のエツチング方法に関するものであ
り、特にＯｒ ２” ／ Ｏｒ ３＋レドツクス糸を用
いた透明導電膜のエツチング方法において、Ｏｒ”＋ｅ
→Ｃｒ２＋のカソード反応を効率化するための電解方法
に関するものである。
り、特にＯｒ ２” ／ Ｏｒ ３＋レドツクス糸を用
いた透明導電膜のエツチング方法において、Ｏｒ”＋ｅ
→Ｃｒ２＋のカソード反応を効率化するための電解方法
に関するものである。
透明導電膜は液晶表示パネルなどディスプレイ等に広く
用いられているがその大部分が何らかのパターニングが
施されて使われている。このパターニングの精度、歩留
りが、これらを用いた製品の仕様、コストを大きく左右
するといっても過言ではない。
用いられているがその大部分が何らかのパターニングが
施されて使われている。このパターニングの精度、歩留
りが、これらを用いた製品の仕様、コストを大きく左右
するといっても過言ではない。
通常用いられる透明導電膜には酸化インジウム系と酸化
スズ系がある。前者は高価であり又電気化学的安定性が
後者に劣る。又後者は安価であるがパターニングがむず
かしいといった欠点を有している。後者のパターニング
は古典的なＺｎ粉末ＨＣｔ法が用いられてきているが反
応スピードの制御がむずかしく、又物理的、機械的接触
によりレジストがはがれてしまうといった問題が生じ近
年のファインパターニングには対応できなくなっている
。一方Ｏｒ”１０ｒ３＋レドツクス系を用いた浸漬エツ
チング方法がＵ Ｓ Ｐａｔ ４００９０６１に述べら
れているが、この方法はエツチング液の劣化がはげしく
全く工業的でない。そこで本発明者は先にＣｒ２＋１０
ｒ３＋レドツクス系をＴ（Ｌ解隔膜２ ＋ で分離し電解下Ｏｒ ＋θ→Ｏｒ なる反応を行
なわしめる方法を検討したが、この’＋ｑｌ ｆ１ｉ’
（、ｃ−ａ水素過電圧の大きな電極を用いても当然のこ
とながら水素の発生を伴ない、還元効率が悪く、該効率
はｐｂ電極を用いても２０〜３０％程度、カーボン電極
を用いても１０〜２０％程度であった。このような低効
率はエツチングスピードを向上さｔ！゛ることかできな
いばかりか、エツチング液の電気分解による減少を早め
液の補充をひんばんに必要とする、電力がむだ等の欠点
を有している。又エツチングスピードが増せばエツチン
グ液の温度を下げることができ、液の補充が少なくてす
む、鉱酸、とりわけハロゲン化水素酸の蒸発による作業
環境の改善がはかれるといった効果も期待できる。
スズ系がある。前者は高価であり又電気化学的安定性が
後者に劣る。又後者は安価であるがパターニングがむず
かしいといった欠点を有している。後者のパターニング
は古典的なＺｎ粉末ＨＣｔ法が用いられてきているが反
応スピードの制御がむずかしく、又物理的、機械的接触
によりレジストがはがれてしまうといった問題が生じ近
年のファインパターニングには対応できなくなっている
。一方Ｏｒ”１０ｒ３＋レドツクス系を用いた浸漬エツ
チング方法がＵ Ｓ Ｐａｔ ４００９０６１に述べら
れているが、この方法はエツチング液の劣化がはげしく
全く工業的でない。そこで本発明者は先にＣｒ２＋１０
ｒ３＋レドツクス系をＴ（Ｌ解隔膜２ ＋ で分離し電解下Ｏｒ ＋θ→Ｏｒ なる反応を行
なわしめる方法を検討したが、この’＋ｑｌ ｆ１ｉ’
（、ｃ−ａ水素過電圧の大きな電極を用いても当然のこ
とながら水素の発生を伴ない、還元効率が悪く、該効率
はｐｂ電極を用いても２０〜３０％程度、カーボン電極
を用いても１０〜２０％程度であった。このような低効
率はエツチングスピードを向上さｔ！゛ることかできな
いばかりか、エツチング液の電気分解による減少を早め
液の補充をひんばんに必要とする、電力がむだ等の欠点
を有している。又エツチングスピードが増せばエツチン
グ液の温度を下げることができ、液の補充が少なくてす
む、鉱酸、とりわけハロゲン化水素酸の蒸発による作業
環境の改善がはかれるといった効果も期待できる。
本発明者はＣｒ３＋−Ｉ−ｅ→Ｏｒ２＋の効率良い還元
を検討してきたがパルス電源を用いることにより、従来
と同じ平均電流密度でも２倍以上の効率化がはかれるこ
とを発見し、本発明を生むに至った。
を検討してきたがパルス電源を用いることにより、従来
と同じ平均電流密度でも２倍以上の効率化がはかれるこ
とを発見し、本発明を生むに至った。
以下図面を用いて本発明を説明する。
第１図は本発明の基本的エツチング槽の断面図である。
１はカソードコンパートメントでありエツチング槽であ
る。０．１ｆ／／を以上のＣｒ２＋。ｏｒ３＋イオンを
含み、通常鉱酸に溶解して用いる。用いられる鉱酸とし
ては塩酸、フッ酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸等のハロ
ゲン化水素酸、硫酸、リン酸、硝酸等であり、特に塩酸
、臭化水素酸をベースに他の鉱酸を混合して用いる。こ
れらの鉱酸濃度はエツチングスピードに影響を与え、濃
度とスピードには直線的関係がみられる。通常０．１
Ｎ〜２ＯＮ程度が用いられ、さらに望ましくは１Ｎ〜１
２Ｎである。２はアノードコンパートメントであり通常
は−ｒ２＋／Ｃｒ３＋のレドックス系を含まぜないで、
鉱酸から成る。５はセパレーターであり、素焼、テフロ
ン、ポリエステル等の隔膜、又は賜イオン、陰イオン交
換膜を用いる。６は陰極であり、なるべく水素過電圧の
大きな電極を用いるのが適当であり、Ｐｂ、カーボン、
Ｎｉ、ＦθｌＳｎｇＨｇ９Ｈｇアマルガム、ステンレス
板。
る。０．１ｆ／／を以上のＣｒ２＋。ｏｒ３＋イオンを
含み、通常鉱酸に溶解して用いる。用いられる鉱酸とし
ては塩酸、フッ酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸等のハロ
ゲン化水素酸、硫酸、リン酸、硝酸等であり、特に塩酸
、臭化水素酸をベースに他の鉱酸を混合して用いる。こ
れらの鉱酸濃度はエツチングスピードに影響を与え、濃
度とスピードには直線的関係がみられる。通常０．１
Ｎ〜２ＯＮ程度が用いられ、さらに望ましくは１Ｎ〜１
２Ｎである。２はアノードコンパートメントであり通常
は−ｒ２＋／Ｃｒ３＋のレドックス系を含まぜないで、
鉱酸から成る。５はセパレーターであり、素焼、テフロ
ン、ポリエステル等の隔膜、又は賜イオン、陰イオン交
換膜を用いる。６は陰極であり、なるべく水素過電圧の
大きな電極を用いるのが適当であり、Ｐｂ、カーボン、
Ｎｉ、ＦθｌＳｎｇＨｇ９Ｈｇアマルガム、ステンレス
板。
チタン板等が用いられる。ただ本発明のパルス電源を用
いるときは一時的に電源オフになるのでこのときに鉱酸
に溶解するものでは不適当であり、カーボン電極が本発
明実施例では用いられる。４はアノード電極であり、陽
分極下手溶性の電極が用いられる。６はパルス電源であ
る。第２図はパルス電源の波形を一般化したものである
んは波形の高さであり電圧又は定電流パルスの場合は電
流値を示す。αはオン時間、ｂはオフ時間を示す。
いるときは一時的に電源オフになるのでこのときに鉱酸
に溶解するものでは不適当であり、カーボン電極が本発
明実施例では用いられる。４はアノード電極であり、陽
分極下手溶性の電極が用いられる。６はパルス電源であ
る。第２図はパルス電源の波形を一般化したものである
んは波形の高さであり電圧又は定電流パルスの場合は電
流値を示す。αはオン時間、ｂはオフ時間を示す。
パルス電解の場合ａ：ｂの比すなわぢデユーティ−比、
及びａ、ｂの絶対的時間が問題になるが、αは１０μｓ
ｅｃ””−ｉ ｏ ｏ ｓｅｃ ｃでα：ｂは１：１−
１＝１００であり、さらに望ましくは１００μ就〜１０
ｍ５ｅｃｓデユーティ−比１：２−１：５０である。又
リファレンス電極を用いたボテンシオスタティックな電
解においても同様である。
及びａ、ｂの絶対的時間が問題になるが、αは１０μｓ
ｅｃ””−ｉ ｏ ｏ ｓｅｃ ｃでα：ｂは１：１−
１＝１００であり、さらに望ましくは１００μ就〜１０
ｍ５ｅｃｓデユーティ−比１：２−１：５０である。又
リファレンス電極を用いたボテンシオスタティックな電
解においても同様である。
α＝ １ ｍ５ｅｃ 、 ｂ ＝ ９ ｍ５ｅｃを用い
ｈ＝５０Ａ／ｄｔＡ、カソードコンパートメント１に０
ｒＣＪｔ、 ・６Ｈ２０を１００ｆ／／ｌ、６Ｎ塩酸、
隔膜５に素焼のセパレーター、アノードコンパートメン
ト２に６Ｎ塩酸、各電極３．４にカーボン電極を用い約
５時間電解し定常状態になったときの液温と酸化スズ透
明導電膜のエツチングスピードの関係を第３図に示す。
ｈ＝５０Ａ／ｄｔＡ、カソードコンパートメント１に０
ｒＣＪｔ、 ・６Ｈ２０を１００ｆ／／ｌ、６Ｎ塩酸、
隔膜５に素焼のセパレーター、アノードコンパートメン
ト２に６Ｎ塩酸、各電極３．４にカーボン電極を用い約
５時間電解し定常状態になったときの液温と酸化スズ透
明導電膜のエツチングスピードの関係を第３図に示す。
第３図においてＣは上記条件下のもの、ｄは上記条件下
で電解電源に通常の直流電源を用い５ Ａ ／ ｄｒｌ
で電解を行なった結果である。この結果から明らかなよ
うに平均電流密度が１定でもパルスを使うことにより約
２倍の効率でｏｒ３＋＋θ→Ｏｒ の反応が進むこと
がわがる。これは工業的に考えた場合、前述のいろいろ
の欠点を解消するものである。又単純な直流印加ではＰ
ｔ 、 Ａｕ 。
で電解電源に通常の直流電源を用い５ Ａ ／ ｄｒｌ
で電解を行なった結果である。この結果から明らかなよ
うに平均電流密度が１定でもパルスを使うことにより約
２倍の効率でｏｒ３＋＋θ→Ｏｒ の反応が進むこと
がわがる。これは工業的に考えた場合、前述のいろいろ
の欠点を解消するものである。又単純な直流印加ではＰ
ｔ 、 Ａｕ 。
Ｐｔ−ＲＡ 、 Ｐｔ−Ｒｎ 等の工業的に陽極とし
て用いられている電極は水素過電圧が小さくｃｒ３＋＋
θ→Ｏｒ２＋の還元能力に欠けていたがパルス法を用い
ることによりこれらの電極でも十分に還元効果のあるこ
とがわかった。
て用いられている電極は水素過電圧が小さくｃｒ３＋＋
θ→Ｏｒ２＋の還元能力に欠けていたがパルス法を用い
ることによりこれらの電極でも十分に還元効果のあるこ
とがわかった。
ガラス上、セラミック上等に形成された酸化スズ系透明
導電膜はフォトリソグラフィー等によりマスクされ、本
発明のエツチング方法でバターニングされる。本発明は
１０μピツチ以下に対しても十分に対応できるエツチン
グ方法である。このような透明導電ｔｙは液茜パネル、
’ｌ’ｎｏ、］ηＰＩＤｅ Ｅ Ｌ等に用いられ時計、
電車等に用いられる。
導電膜はフォトリソグラフィー等によりマスクされ、本
発明のエツチング方法でバターニングされる。本発明は
１０μピツチ以下に対しても十分に対応できるエツチン
グ方法である。このような透明導電ｔｙは液茜パネル、
’ｌ’ｎｏ、］ηＰＩＤｅ Ｅ Ｌ等に用いられ時計、
電車等に用いられる。
以上本発明を説明したがパルス電解により効率的にＣｒ
３＋／Ｃｒ２＋ レドックス系が保持され酸化スズ透明
導電膜がエツチングされることは工業的意義大である。
３＋／Ｃｒ２＋ レドックス系が保持され酸化スズ透明
導電膜がエツチングされることは工業的意義大である。
第１図・・・・・・本発明のエツチング槽のＩＩＪｉ而
図第面図・・・・・・パルス波形の定義 第３図・・・・・・従来及び本発明のエツチング液の液
温とエツチングスピードの関係図 以 上 出願人 株式会社諏ＭＪＪ￥ｌ′ＩＩ舎第２０８ ７３図 １菅−１，ぺ区（’ｃン ５１７−
図第面図・・・・・・パルス波形の定義 第３図・・・・・・従来及び本発明のエツチング液の液
温とエツチングスピードの関係図 以 上 出願人 株式会社諏ＭＪＪ￥ｌ′ＩＩ舎第２０８ ７３図 １菅−１，ぺ区（’ｃン ５１７−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 鉱酸中に形成されたＯｒ２＋／Ｃｒ３＋ レドッ
クス系を電解槽のカソードコンパートメントに含み、セ
パレーターを介してアノードコンパートメントと分離し
、該レドックス糸を電解不保持して成る透明導電膜のエ
ツチング方法において、レドックス系を保持する電解電
源がパルス化されていることを特徴とする透明導電膜の
エツチング方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、パルス電源のデー
−ティー比が１：２以上であることを特徴とする透明導
電膜のエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17409581A JPS6051560B2 (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 透明導電膜のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17409581A JPS6051560B2 (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 透明導電膜のエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5877599A true JPS5877599A (ja) | 1983-05-10 |
| JPS6051560B2 JPS6051560B2 (ja) | 1985-11-14 |
Family
ID=15972560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17409581A Expired JPS6051560B2 (ja) | 1981-10-30 | 1981-10-30 | 透明導電膜のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051560B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0270082A (ja) * | 1987-06-15 | 1990-03-08 | Pacific Fuarukon:Kk | 電解槽中の電極の電気調整装置及び電解槽中の電気調整方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02205876A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-15 | Canon Inc | 画像形成装置 |
-
1981
- 1981-10-30 JP JP17409581A patent/JPS6051560B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0270082A (ja) * | 1987-06-15 | 1990-03-08 | Pacific Fuarukon:Kk | 電解槽中の電極の電気調整装置及び電解槽中の電気調整方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6051560B2 (ja) | 1985-11-14 |
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