JPS587829A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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- JPS587829A JPS587829A JP56105468A JP10546881A JPS587829A JP S587829 A JPS587829 A JP S587829A JP 56105468 A JP56105468 A JP 56105468A JP 10546881 A JP10546881 A JP 10546881A JP S587829 A JPS587829 A JP S587829A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etched
- polycrystalline
- dry etching
- etching method
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/26—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials
- H10P50/264—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means
- H10P50/266—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only
- H10P50/267—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas
- H10P50/268—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H10P50/264—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means
- H10P50/266—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only
- H10P50/267—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、隼績晶シリコン、あるいは、ゲート材料であ
る多結晶シリコン、Ｍｏ等の高融点金属及びそのシリサ
イド層の酸化シリコン（８１０２）に対する選択エツチ
ングに関するものである。
る多結晶シリコン、Ｍｏ等の高融点金属及びそのシリサ
イド層の酸化シリコン（８１０２）に対する選択エツチ
ングに関するものである。
近年集積回路は微細化の一途をえどり，最近では最小寸
法が１〜２μｍの超ＬＳＩも試作されるに至っている．
この微細加工には、通常平行平板型電極を有する反応容
器に、反応性のガスを導入し被エツチング材料載置の電
極（陰極）に高周波電力（例えば１ ３．５ ６ ＭＨ
ｚ ）を印加することによりグロー放電を発生させ．［
子とイオンの易ａｉのａにより生じる陰極（高周波電力
印加の電極）面上の負電位により、前記グロー放電中の
正イオンを加速して被エツチング物に衝突させ，物理／
化学的な反応を利用し九反応性イオンエッチング法（Ｒ
ｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ ＥｔｃｈｉｎｇｒＲＩＢ ）
が用いられテイル。
法が１〜２μｍの超ＬＳＩも試作されるに至っている．
この微細加工には、通常平行平板型電極を有する反応容
器に、反応性のガスを導入し被エツチング材料載置の電
極（陰極）に高周波電力（例えば１ ３．５ ６ ＭＨ
ｚ ）を印加することによりグロー放電を発生させ．［
子とイオンの易ａｉのａにより生じる陰極（高周波電力
印加の電極）面上の負電位により、前記グロー放電中の
正イオンを加速して被エツチング物に衝突させ，物理／
化学的な反応を利用し九反応性イオンエッチング法（Ｒ
ｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ ＥｔｃｈｉｎｇｒＲＩＢ ）
が用いられテイル。
第１図は、実際にエツチングに用いられる平行平板電極
間 略図を示すものである。同図において、ガス導入口（５
）よシ導入され九エッチングガスは，整合回路（９）を
介して印加されるＩＩｉｌ！ｉＪ１ＩｔＩＬ電力ｄ場に
より放電、解離され、プラズマを形成する。そして、上
記した様に、陰極（１）上には負の直流電圧が発生し、
プラズマ中の正イオンはこの電界により加速されて被エ
ツチング物（３）に衝突し、エツチングを行うものであ
る。一方、陰極ｔｌ）の対向電極（２）は、反応容器（
４）と１体化して陽極を形成し、この陽極上の電位は、
プラズマから見て高々２０〜３Ｑｅｖ程度の降下電圧し
か発生せず、イオン衝撃の効果は、陰極（１）上に比較
してかなシ小さいと考えられる。以上説明し九様に、Ｉ
ＩＬＩＦｌにおいてはプラズマ中の正イオン衝撃による
１方性を積極的に利用しているためにアンダカットなく
、垂直なエツチング壁をもった微細加工が達成されるこ
とに表る。しかしながら塩素（（Ｊｚ）を含むガスによ
る高濃度不純物添加の多結晶８ｊ等のエツチングでは次
の様な問題が生じる。すなわと、第２図（ａ）はレジス
トＩをマスクにして、Ｐ−ドープ多結品別を、例えばＣ
ＢｒＦｖ／Ｃｊ２１スによシエッチングし死時のエツチ
ング形状を示したものであり、 ８１０２αｌと多結
晶８ｉＱｌの界面において、ａ４で示し九様なえぐれが
発生し、さらにオーバエツチングを行うとエツチング壁
は逆テーパ状０にエツチングが進行することが知られて
いる。ＩＢＭのＭｏｇａｂ等によれば、ＣＦ４／Ｃ１２
等の混合ガスによる多結晶ＳＬのエツチングにおいて、
主エツチング橿は、表面に吸着し、イオン衝撃によりエ
ネルギを与えられ九Ｃｌ原子でわると信われており、か
つ、このＣ４とＰ 、 Ａｓ等の不純物を高濃度に添加
した多結晶Ｓ＋の反応性は極めて大きく、従って、下地
５Ｉ０２までエツチングが進行した後、表面に帯伍する
Ｃ１は、表面拡散により多結晶Ｓ！エッヂに遼し、この
部分を選択的にエツチングしていくために、同図（ａ）
−０４に示した様なエグレが発生するものと考えられて
いる。
間 略図を示すものである。同図において、ガス導入口（５
）よシ導入され九エッチングガスは，整合回路（９）を
介して印加されるＩＩｉｌ！ｉＪ１ＩｔＩＬ電力ｄ場に
より放電、解離され、プラズマを形成する。そして、上
記した様に、陰極（１）上には負の直流電圧が発生し、
プラズマ中の正イオンはこの電界により加速されて被エ
ツチング物（３）に衝突し、エツチングを行うものであ
る。一方、陰極ｔｌ）の対向電極（２）は、反応容器（
４）と１体化して陽極を形成し、この陽極上の電位は、
プラズマから見て高々２０〜３Ｑｅｖ程度の降下電圧し
か発生せず、イオン衝撃の効果は、陰極（１）上に比較
してかなシ小さいと考えられる。以上説明し九様に、Ｉ
ＩＬＩＦｌにおいてはプラズマ中の正イオン衝撃による
１方性を積極的に利用しているためにアンダカットなく
、垂直なエツチング壁をもった微細加工が達成されるこ
とに表る。しかしながら塩素（（Ｊｚ）を含むガスによ
る高濃度不純物添加の多結晶８ｊ等のエツチングでは次
の様な問題が生じる。すなわと、第２図（ａ）はレジス
トＩをマスクにして、Ｐ−ドープ多結品別を、例えばＣ
ＢｒＦｖ／Ｃｊ２１スによシエッチングし死時のエツチ
ング形状を示したものであり、 ８１０２αｌと多結
晶８ｉＱｌの界面において、ａ４で示し九様なえぐれが
発生し、さらにオーバエツチングを行うとエツチング壁
は逆テーパ状０にエツチングが進行することが知られて
いる。ＩＢＭのＭｏｇａｂ等によれば、ＣＦ４／Ｃ１２
等の混合ガスによる多結晶ＳＬのエツチングにおいて、
主エツチング橿は、表面に吸着し、イオン衝撃によりエ
ネルギを与えられ九Ｃｌ原子でわると信われており、か
つ、このＣ４とＰ 、 Ａｓ等の不純物を高濃度に添加
した多結晶Ｓ＋の反応性は極めて大きく、従って、下地
５Ｉ０２までエツチングが進行した後、表面に帯伍する
Ｃ１は、表面拡散により多結晶Ｓ！エッヂに遼し、この
部分を選択的にエツチングしていくために、同図（ａ）
−０４に示した様なエグレが発生するものと考えられて
いる。
（Ｃ、Ｊ 、 Ｍｏｇａｂ他、Ｊ、Ｖａｃ、８ｃｉ、Ｔ
ｅｈｎｏｌ 、１７Ｌ３）、 ７２１（１９８０））ま
た、同図（ｂ）に示した様に、レジストＩと多結晶ｓｔ
＜１邊の間に熱酸化ＰＡａηが挿入されている場合に
は、多結晶８ｉＱ３と前記熱酸化膜αηの界面にもエグ
レａ槌が生じる。これは、多結晶８ｉを酸化した時、Ｐ
のａ度分布がパイ、ルアツブ現 □象により、バル
ブ内に比較して界面付近が高濃度になっているために、
エグレが入りゃすいものと考えられる。
ｅｈｎｏｌ 、１７Ｌ３）、 ７２１（１９８０））ま
た、同図（ｂ）に示した様に、レジストＩと多結晶ｓｔ
＜１邊の間に熱酸化ＰＡａηが挿入されている場合に
は、多結晶８ｉＱ３と前記熱酸化膜αηの界面にもエグ
レａ槌が生じる。これは、多結晶８ｉを酸化した時、Ｐ
のａ度分布がパイ、ルアツブ現 □象により、バル
ブ内に比較して界面付近が高濃度になっているために、
エグレが入りゃすいものと考えられる。
以上説明し九二グレは、動作圧力を下げることにより改
善されるが、１方、圧力の低下とともに、前記陰極面上
の直流電圧も大きくなるため、 ８１０２のエツチング
速度も大きくなり、従りて、多結晶Ｓｔ／８ｉ０２比の
低下をまねき、事実上使用できないツカ現状テアル。？
−（Ｄ 様Ｋ ＣＨＦ５ ＋Ｃ１２、ＣＦ４ ＋Ｃ１２
では特真なえぐれが生じ、えぐれを改善しようとして圧
力を下げると選択比が低下するという問題があった。
善されるが、１方、圧力の低下とともに、前記陰極面上
の直流電圧も大きくなるため、 ８１０２のエツチング
速度も大きくなり、従りて、多結晶Ｓｔ／８ｉ０２比の
低下をまねき、事実上使用できないツカ現状テアル。？
−（Ｄ 様Ｋ ＣＨＦ５ ＋Ｃ１２、ＣＦ４ ＋Ｃ１２
では特真なえぐれが生じ、えぐれを改善しようとして圧
力を下げると選択比が低下するという問題があった。
一方、 ＳＰａ ＋ ＣＩ＋ Ａｒ等の不活性ガスを用
いて多結晶Ｓｉのエツチングを行なう方法が最近提案さ
れた（特開昭５５−１１９１７７）、このガスの組み合
わせによシ、高い選択比（＞４０）が得られるが、多結
晶８ｉのエツチング速度は著しく遅く、実用には向かな
い。又、前記４１Ａなえぐれについても何ら言及されて
いない。
いて多結晶Ｓｉのエツチングを行なう方法が最近提案さ
れた（特開昭５５−１１９１７７）、このガスの組み合
わせによシ、高い選択比（＞４０）が得られるが、多結
晶８ｉのエツチング速度は著しく遅く、実用には向かな
い。又、前記４１Ａなえぐれについても何ら言及されて
いない。
本発明は高速かつ選択性良く、シかもエグレが発生しな
いドライエツチング方法を提供するものであり、陰極表
面を炭素板又は炭化水素系の有機膜で覆い六沸化イオウ
（８Ｆｓ）と塩素（Ｃ／２）の混合ガスのみからガスプ
ラズマを発生させる事によって上記目的が４成される事
を見い出したものである。
いドライエツチング方法を提供するものであり、陰極表
面を炭素板又は炭化水素系の有機膜で覆い六沸化イオウ
（８Ｆｓ）と塩素（Ｃ／２）の混合ガスのみからガスプ
ラズマを発生させる事によって上記目的が４成される事
を見い出したものである。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。第３
図、第４図は夫々ＳＦ６のみを用いた時のＳＦ４力、及
び圧力に対する単結晶シリコン（ａ）、Ｐ−ドーフ多結
晶シリコン（ｂ） ｓ ５１０２ （Ｃ）のエツチン
グ速度及び多結晶シリコン／ＳｉＯ２比（ｄ）を示すも
のである。ＳＦ６単体の場合、ＳＦ４力の増加とともに
、各材料のエツチング速度は次第に増加するが選択比と
しては逆に小さくなっていく。第３図は０．０５Ｔｏｒ
ｒの条件であり、シリコンのエツチング速度５０００Ｘ
／ｍｉｎで選択比は１０以下である。また、圧力の増加
に対して、多結１別、単結晶８１のエツチング速度はＱ
、Ｑ ５ ’ｒｏｒ ｒ付近で最大値となり、その後一
旦低下した後、急速に上昇しはじめる。こ急上昇の領域
はいわゆるプラズマ二ッ、チング領穢と考えられる。一
方、５ｉ０２のエツチング速度は、圧力の上昇とともに
小さくなシ従って、選択比は圧力の上昇とともに急速に
大きくなる。しかしながら、ｓＦ’６単体の場合には、
いずれの領域においテモオーパエッチングに対して必ず
アンダーカットが生じ実際には使用できないこ石が判明
した。
図、第４図は夫々ＳＦ６のみを用いた時のＳＦ４力、及
び圧力に対する単結晶シリコン（ａ）、Ｐ−ドーフ多結
晶シリコン（ｂ） ｓ ５１０２ （Ｃ）のエツチン
グ速度及び多結晶シリコン／ＳｉＯ２比（ｄ）を示すも
のである。ＳＦ６単体の場合、ＳＦ４力の増加とともに
、各材料のエツチング速度は次第に増加するが選択比と
しては逆に小さくなっていく。第３図は０．０５Ｔｏｒ
ｒの条件であり、シリコンのエツチング速度５０００Ｘ
／ｍｉｎで選択比は１０以下である。また、圧力の増加
に対して、多結１別、単結晶８１のエツチング速度はＱ
、Ｑ ５ ’ｒｏｒ ｒ付近で最大値となり、その後一
旦低下した後、急速に上昇しはじめる。こ急上昇の領域
はいわゆるプラズマ二ッ、チング領穢と考えられる。一
方、５ｉ０２のエツチング速度は、圧力の上昇とともに
小さくなシ従って、選択比は圧力の上昇とともに急速に
大きくなる。しかしながら、ｓＦ’６単体の場合には、
いずれの領域においテモオーパエッチングに対して必ず
アンダーカットが生じ実際には使用できないこ石が判明
した。
これに対して、第５図は、ＳＦ６０．０２Ｔｏｒｒに固
定したままｓ ”１２を添加し、エツチング室内の圧力
を０．０５ Ｔｏｒｒ ｙＣ１４整した時のエツチング
特性を示したものである。ＦＬＦＩＥ力は２００Ｗであ
る。第３図、第４図と同様、陰極（１）は炭素（Ｃ）の
薄板（１）で覆っである。これは炭化水素系の有機膜、
例えばポリエステルでも良い。第５図でｓ ｃ１２添加
に対して、Ｓｉ及び引０２のエツチング速度（ａ） （
Ｃ）は次第に減少し続けるのに対して、多結晶Ｓ１のエ
ツチング速Ｗ （ｂ）はＣ１ｈ添加に対して完全に飽和
するという結果が得られた。また、同図よシ明らかな様
に多結ＩＩ＆ｓｔのエツチング速度はｓ ”１２添加に
もかかわらず約３５００１７ｍ１ ｎという直が得られ
。
定したままｓ ”１２を添加し、エツチング室内の圧力
を０．０５ Ｔｏｒｒ ｙＣ１４整した時のエツチング
特性を示したものである。ＦＬＦＩＥ力は２００Ｗであ
る。第３図、第４図と同様、陰極（１）は炭素（Ｃ）の
薄板（１）で覆っである。これは炭化水素系の有機膜、
例えばポリエステルでも良い。第５図でｓ ｃ１２添加
に対して、Ｓｉ及び引０２のエツチング速度（ａ） （
Ｃ）は次第に減少し続けるのに対して、多結晶Ｓ１のエ
ツチング速Ｗ （ｂ）はＣ１ｈ添加に対して完全に飽和
するという結果が得られた。また、同図よシ明らかな様
に多結ＩＩ＆ｓｔのエツチング速度はｓ ”１２添加に
もかかわらず約３５００１７ｍ１ ｎという直が得られ
。
５１０２の選択比は、例えば、圧力比（Ｃ１ｚの分圧／
８Ｆ、の分圧）が２．０の点で４０倍以上という非常
に高い値が得られた。また、圧力比０．２５ 、０．５
。
８Ｆ、の分圧）が２．０の点で４０倍以上という非常
に高い値が得られた。また、圧力比０．２５ 、０．５
。
１．０ 、２．０の各々の点でのＳＭＭ−察結果（第６
図ａは８Ｆ６ノミ、ｂ ハＣ１ｚ／８Ｆｓ Ｏ，２５、
Ｃハ０．５ 以上）から第５図において多結晶Ｓｉのエ
ツチング速度が飽和する領域、すなわち、 Ｃｊ２／Ｓ
Ｐ６圧力比≧０．５では、オーバエツチングに対して、
マスク下のアンダカットは全く入らず、かつ、前記エグ
レも全く発生しないことが解った。
図ａは８Ｆ６ノミ、ｂ ハＣ１ｚ／８Ｆｓ Ｏ，２５、
Ｃハ０．５ 以上）から第５図において多結晶Ｓｉのエ
ツチング速度が飽和する領域、すなわち、 Ｃｊ２／Ｓ
Ｐ６圧力比≧０．５では、オーバエツチングに対して、
マスク下のアンダカットは全く入らず、かつ、前記エグ
レも全く発生しないことが解った。
なお、圧力比０．２５の時に得られる形状は、マスクの
下にはアンダカットは入らず、逆テーパ状にエツチング
される。以上説明した様に、本発明によれば８Ｐ６ ＋
Ｃ１２のみ、すなわち、不活性ガス等の添加なしにエ
ツチングすることにより８ｉ０２との充分高い選択比が
得られ、かつ、多結晶８７のエツチング速度を肯い値に
保てることができ、さらに、エグレもなく垂直にエツチ
ングされることがら、エツチングのマージンが大巾に広
く取ることができる。以上示した結果の詳細については
、現在充分解明されて鱒ないが、第７図、第８図に示し
た８Ｆ６＋Ｈ２の結果からアンダーカットについては以
下の様な推察が可能と考えられる。第７図は、ＳＦ６に
Ｈ２を添加した場合のエツチング特性であり、Ｈ２の添
加とともに多結晶Ｓｉ、別のエツチング速度（４は次第
に減少し、ついには８１０２のエツチング速度（ｋＩＩ
に等しくなることがわかった。このＨ２の役割は、 ８
Ｆ６から解離し九Ｆｆｉ子の除・去効果にあると考えら
れ（Ｈ＋Ｆ−＋ＨＦ）、多蓋のＨ２を添加した場合には
％ ＳＦＸ＋イオンのみによシエッチングが進行してい
くと考えられる。第８図は、選択エツチングが行なわれ
るＳＦ＠とＨ２の圧力比が０．５の点での■Ｎ観察結果
でＴｏ１７．マスク下のアンダカットを生じながらかつ
、逆テーパ状にエツチングが行われることがわかった。
下にはアンダカットは入らず、逆テーパ状にエツチング
される。以上説明した様に、本発明によれば８Ｐ６ ＋
Ｃ１２のみ、すなわち、不活性ガス等の添加なしにエ
ツチングすることにより８ｉ０２との充分高い選択比が
得られ、かつ、多結晶８７のエツチング速度を肯い値に
保てることができ、さらに、エグレもなく垂直にエツチ
ングされることがら、エツチングのマージンが大巾に広
く取ることができる。以上示した結果の詳細については
、現在充分解明されて鱒ないが、第７図、第８図に示し
た８Ｆ６＋Ｈ２の結果からアンダーカットについては以
下の様な推察が可能と考えられる。第７図は、ＳＦ６に
Ｈ２を添加した場合のエツチング特性であり、Ｈ２の添
加とともに多結晶Ｓｉ、別のエツチング速度（４は次第
に減少し、ついには８１０２のエツチング速度（ｋＩＩ
に等しくなることがわかった。このＨ２の役割は、 ８
Ｆ６から解離し九Ｆｆｉ子の除・去効果にあると考えら
れ（Ｈ＋Ｆ−＋ＨＦ）、多蓋のＨ２を添加した場合には
％ ＳＦＸ＋イオンのみによシエッチングが進行してい
くと考えられる。第８図は、選択エツチングが行なわれ
るＳＦ＠とＨ２の圧力比が０．５の点での■Ｎ観察結果
でＴｏ１７．マスク下のアンダカットを生じながらかつ
、逆テーパ状にエツチングが行われることがわかった。
これに対して５ａｔＥｅ図に示し九様に、 ８Ｆ、とＣ
１ｚの圧力比０．２５の場合には、マスク下のア／ダカ
ットは入らずに逆テーパ状にエツチングが行われており
、これら２つの結果から、 Ｃ１２の多結晶Ｓｔの−へ
の吸着がマスク下のアンダカットを防止していることが
考えられる（第８図のアンダカットはＦ原子によると考
えられる）。
１ｚの圧力比０．２５の場合には、マスク下のア／ダカ
ットは入らずに逆テーパ状にエツチングが行われており
、これら２つの結果から、 Ｃ１２の多結晶Ｓｔの−へ
の吸着がマスク下のアンダカットを防止していることが
考えられる（第８図のアンダカットはＦ原子によると考
えられる）。
以上、不純物がドープされた多結晶７リコンについて述
べたが、単結晶Ｓｉ１高融点金属、及びそのクリサイド
に置き換えても良好にエツチングする事が出来る。
べたが、単結晶Ｓｉ１高融点金属、及びそのクリサイド
に置き換えても良好にエツチングする事が出来る。
プ多多晶Ｓｔをエツチングした時のエグレを説明するた
めの断面図％第３図、第４図は、ＳＦ６単体ガスを用い
た時のＲＦ ＷＩＬ力、圧力に対する多結晶Ｓｉ。 単結晶８ ｉ 、Ｓ ｉ０２のエツチング特性図、第５
図はＳＦ６にＣ１２を添加した時のエツチング特性図、
第６図ｆａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）はＳＦ６とＣ１
ｚの圧力比を変えた時の断面図、第７図は８Ｆ６にＨ２
を添加した時のエツチング特性図％ｆａＢ図は、ＳＦ６
／Ｉ（２で多留晶Ｓｉをエツチングした時の断面図であ
る。図において、（１）・・・陰極、（１）・・・炭素
板、（２）・・・陽極、（３）・・・被エツチング材断
、（４）・・・反応容！、＋５）・・・ガス導入口、（
６）・・・水冷パイプ、（７）・・・テフロン、（８）
・・・排気系、（９）・・・マツチング回路、ｉｌ・・
・高周波電源、ａｕｍ＠−・・レジＸ ）、α２１．２
１） ｒ２４１２！９ ＃ 、、、多結晶３ｉ、Ｉ・・
・エツチング後の逆ガーパ部ｓ Ｑ４） ［Ｆ４ｔｔｌ
・・エグレ、ｕ！１９ ｒＢ３ ＠ −８ｊ０２、［ｅ
ｆ２ｍ２１・ｊｌｆｊｆａ＋ ｓｔ 。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第１図 ｉ１三 第２図 （久〕 （ｂ） 第３図 ン 票− Ｖ 日＞〜 ＲＦ電幻（ＩＦ、、） −１４１，− 第６図 ？３ ｍ：）２３ 第７図 月ｎ比（〜偽ｌ） 第８図 〜評
めの断面図％第３図、第４図は、ＳＦ６単体ガスを用い
た時のＲＦ ＷＩＬ力、圧力に対する多結晶Ｓｉ。 単結晶８ ｉ 、Ｓ ｉ０２のエツチング特性図、第５
図はＳＦ６にＣ１２を添加した時のエツチング特性図、
第６図ｆａ） 、 （ｂ） 、 （Ｃ）はＳＦ６とＣ１
ｚの圧力比を変えた時の断面図、第７図は８Ｆ６にＨ２
を添加した時のエツチング特性図％ｆａＢ図は、ＳＦ６
／Ｉ（２で多留晶Ｓｉをエツチングした時の断面図であ
る。図において、（１）・・・陰極、（１）・・・炭素
板、（２）・・・陽極、（３）・・・被エツチング材断
、（４）・・・反応容！、＋５）・・・ガス導入口、（
６）・・・水冷パイプ、（７）・・・テフロン、（８）
・・・排気系、（９）・・・マツチング回路、ｉｌ・・
・高周波電源、ａｕｍ＠−・・レジＸ ）、α２１．２
１） ｒ２４１２！９ ＃ 、、、多結晶３ｉ、Ｉ・・
・エツチング後の逆ガーパ部ｓ Ｑ４） ［Ｆ４ｔｔｌ
・・エグレ、ｕ！１９ ｒＢ３ ＠ −８ｊ０２、［ｅ
ｆ２ｍ２１・ｊｌｆｊｆａ＋ ｓｔ 。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第１図 ｉ１三 第２図 （久〕 （ｂ） 第３図 ン 票− Ｖ 日＞〜 ＲＦ電幻（ＩＦ、、） −１４１，− 第６図 ？３ ｍ：）２３ 第７図 月ｎ比（〜偽ｌ） 第８図 〜評
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１）平行平板電極間に高周波電力印加してガスプラズ
マを発生させ、高周波電源が接続された側の電極に被エ
ツチング物を置いてエツチングするドライエツチング方
法に於いて、被エツチング物が置かれる陰極表面を炭素
板、又は炭化水素系の有機膜で覆い、六弗化イオウ（Ｓ
Ｆ’６）及び塩素（Ｏｈ）の混合ガスから前記ガスプラ
ズマを発生させるようにし九事を特徴とするドライエツ
チング方法。 （２）被エツチング物として単結晶シリコン、不純物が
導入された多結晶シリコン、尚融点金属、又は高融点金
属の７リサイドを用いる事を特徴とする特許 ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56105468A JPS587829A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56105468A JPS587829A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | ドライエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587829A true JPS587829A (ja) | 1983-01-17 |
| JPH031825B2 JPH031825B2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=14408408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56105468A Granted JPS587829A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587829A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415953A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-19 | Hitachi Ltd | Dry etching method |
| US4981816A (en) * | 1988-10-27 | 1991-01-01 | General Electric Company | MO/TI Contact to silicon |
| US5180466A (en) * | 1984-12-29 | 1993-01-19 | Fujitsu Limited | Process for dry etching a silicon nitride layer |
| WO2004030068A1 (de) * | 2002-09-23 | 2004-04-08 | Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Institut Für Innovative Mikroelektronik | Verfahren zur herstellung eines elektronischen bauelements mit einer praseodymoxid-schicht |
| JP4865915B1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-02-01 | 泉 菅谷 | 糸通し機能付き携帯可能な拡大レンズ |
| US9130444B2 (en) | 2007-01-18 | 2015-09-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Rotary drive with straight primary part segments |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437580A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Nec Corp | Dry etching method and target film used for it |
| JPS55119177A (en) * | 1979-02-21 | 1980-09-12 | Ibm | Silicon etching method |
-
1981
- 1981-07-08 JP JP56105468A patent/JPS587829A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5437580A (en) * | 1977-08-30 | 1979-03-20 | Nec Corp | Dry etching method and target film used for it |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE10244862B4 (de) * | 2002-09-23 | 2006-09-14 | IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit einer Praseodymoxid-Schicht |
| US9130444B2 (en) | 2007-01-18 | 2015-09-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Rotary drive with straight primary part segments |
| JP4865915B1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-02-01 | 泉 菅谷 | 糸通し機能付き携帯可能な拡大レンズ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH031825B2 (ja) | 1991-01-11 |
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