JPS5878475A - 薄膜太陽電池 - Google Patents
薄膜太陽電池Info
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- JPS5878475A JPS5878475A JP56177685A JP17768581A JPS5878475A JP S5878475 A JPS5878475 A JP S5878475A JP 56177685 A JP56177685 A JP 56177685A JP 17768581 A JP17768581 A JP 17768581A JP S5878475 A JPS5878475 A JP S5878475A
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- amorphous silicon
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- film solar
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- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1698—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the metallic or insulating substrates being flexible
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/315—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属箔上に形成した可撓性、耐熱性に富むポリ
イミド等の樹脂薄膜上に形成されたアモルファスシリコ
ン系の薄膜太陽電池に関するものである。
イミド等の樹脂薄膜上に形成されたアモルファスシリコ
ン系の薄膜太陽電池に関するものである。
可撓性、耐熱性に富むポリイミド等の樹脂薄膜を素板と
して使用した太陽電池は特開昭５４−１４９４８９に記
載されている。しかるに樹脂薄膜のみを素板として使用
した場合は、デポジションによって素板がカールし、又
デポジション中の変形によシ素板が均一に加熱されない
という欠点があった。本１発明者はこれらを解決するた
め鋭意研究努力した結果本発明に到ったものである。
して使用した太陽電池は特開昭５４−１４９４８９に記
載されている。しかるに樹脂薄膜のみを素板として使用
した場合は、デポジションによって素板がカールし、又
デポジション中の変形によシ素板が均一に加熱されない
という欠点があった。本１発明者はこれらを解決するた
め鋭意研究努力した結果本発明に到ったものである。
本発明を、その実施例を示す図面に従って説明すると以
下の通りである。
下の通りである。
第１図は本発明に係る薄膜太陽電池（以下、本発明電池
という）の−ｆｉ］を示す斜視図であって、この実施例
は、金属箔ｌａ上に可撓性で耐熱性を有するがリイミド
系の樹脂薄膜１ｂをコーティングした素板１の樹脂薄膜
ｌｂ側の表面にアモルファスシリコンとオーミック接触
ヲスル金属薄膜２、例えばアルミニウム、モリブデン、
ステンレス鋼を約５ＯＯ；〜１μｍの厚さに蒸着又はス
パッタして基板１０を作成し、次にプラズマグロー放電
法又はスパッタ蒸着法によりアモルファスシリコン系光
起電力素子層３を層厚０５−２μｍ程度に形成し、次に
該素子層３に対する電位障壁となり光は大部分が透過す
る光透過性電極層４、例えばＩＴＯ，５ｎ（４、又はＩ
ＴＯと８ｎＣ％の、複合層を５００−３００ＯＡ’程度
の厚さに蒸着形成し、この光透過性電極層４上にアルミ
ニウムやパラジウムからなる櫛形電極５を形成し、最後
に反射防止膜６として酸化ジルコニウム膜等を形成した
ものである。金属箔１ａは例えばアルミニウム、銅。
という）の−ｆｉ］を示す斜視図であって、この実施例
は、金属箔ｌａ上に可撓性で耐熱性を有するがリイミド
系の樹脂薄膜１ｂをコーティングした素板１の樹脂薄膜
ｌｂ側の表面にアモルファスシリコンとオーミック接触
ヲスル金属薄膜２、例えばアルミニウム、モリブデン、
ステンレス鋼を約５ＯＯ；〜１μｍの厚さに蒸着又はス
パッタして基板１０を作成し、次にプラズマグロー放電
法又はスパッタ蒸着法によりアモルファスシリコン系光
起電力素子層３を層厚０５−２μｍ程度に形成し、次に
該素子層３に対する電位障壁となり光は大部分が透過す
る光透過性電極層４、例えばＩＴＯ，５ｎ（４、又はＩ
ＴＯと８ｎＣ％の、複合層を５００−３００ＯＡ’程度
の厚さに蒸着形成し、この光透過性電極層４上にアルミ
ニウムやパラジウムからなる櫛形電極５を形成し、最後
に反射防止膜６として酸化ジルコニウム膜等を形成した
ものである。金属箔１ａは例えばアルミニウム、銅。
鉄、ニッケル、ステンレス鋼等の金属でアリ、厚みは５
μｍ〜２ｍｍ ＋望ましくは５０μｍ〜１ｍｍのものが
良い。可撓性で耐熱性を有する樹脂薄膜１ｂとしては上
記の外にポリアミドイミド系等のものも使用できる。又
、金属薄膜２としては上記）外ニアンチモン、クロム、
ニクロムのような適当力電気伝導度を有する金属を用い
ることができる。
μｍ〜２ｍｍ ＋望ましくは５０μｍ〜１ｍｍのものが
良い。可撓性で耐熱性を有する樹脂薄膜１ｂとしては上
記の外にポリアミドイミド系等のものも使用できる。又
、金属薄膜２としては上記）外ニアンチモン、クロム、
ニクロムのような適当力電気伝導度を有する金属を用い
ることができる。
第２図はアモルファスシリコン薄膜、オヨヒ該薄膜を主
体とするアモルファスシリコン系光起電力素子層をプラ
ズマグロー放電法又はスノ（ツタ蒸着法により形成する
真空装置の概略図である。図中８と９は電極で、１０は
基板であり、１１は所定の気体を真空容器７内に送り込
むバルブである。アモルファスシリコン系光起電力素子
層３の形成は、予め前記基板１０をその金属薄膜２側が
上になるようにして電極９上に載置したうえで、プラズ
マグロー放電法による場合は真空容器７内の真空度を一
度１〜ｌ０ＸＩＯＴｏｒｒまで減圧した後にバルブ１１
から８ｉＨ４等のガスを送シ込み減圧度を１０”５ Ｔ
ｏ ｒ ｒ程度に軽減して保持し、電極８と電極９との
間に直流電圧又は１〜数＋ＭＨｚの高周波電圧を印加し
て真空容器７内をプラズマ状態にする。このよう表状態
で数十分間保持すると基板−１０上に、膜厚が０．５〜
１μで、１０−７秒以上のキャリア寿命 １０１７７♂
以下の局在準位密度、および１ｃ）−”ａｄ’／ｖ・秒
以上のキャリア易動度を持つアモルファスシリコン薄膜
を主体とするアモルファスシリコン系光起電力素子層３
を形成することができる。
体とするアモルファスシリコン系光起電力素子層をプラ
ズマグロー放電法又はスノ（ツタ蒸着法により形成する
真空装置の概略図である。図中８と９は電極で、１０は
基板であり、１１は所定の気体を真空容器７内に送り込
むバルブである。アモルファスシリコン系光起電力素子
層３の形成は、予め前記基板１０をその金属薄膜２側が
上になるようにして電極９上に載置したうえで、プラズ
マグロー放電法による場合は真空容器７内の真空度を一
度１〜ｌ０ＸＩＯＴｏｒｒまで減圧した後にバルブ１１
から８ｉＨ４等のガスを送シ込み減圧度を１０”５ Ｔ
ｏ ｒ ｒ程度に軽減して保持し、電極８と電極９との
間に直流電圧又は１〜数＋ＭＨｚの高周波電圧を印加し
て真空容器７内をプラズマ状態にする。このよう表状態
で数十分間保持すると基板−１０上に、膜厚が０．５〜
１μで、１０−７秒以上のキャリア寿命 １０１７７♂
以下の局在準位密度、および１ｃ）−”ａｄ’／ｖ・秒
以上のキャリア易動度を持つアモルファスシリコン薄膜
を主体とするアモルファスシリコン系光起電力素子層３
を形成することができる。
スパッター蒸着法による場合も、同様に一度１〜１０刈
０”’Ｔｏｒｒまで減圧した後に、バルブ１１からアル
ゴン等の不活性ガスと水素等との混合気体を真空容器７
内に送り込み減圧度を５×１０−８〜１Ｏ−１Ｔｏｒｒ
程度に軽減して保持し、次にターゲットを有する電極８
と前記基板１０を載置した電極９との間に直流電圧又は
１−＋数ＭＨ２の高周波電圧を印加して真空容器内をプ
ラズマ状態にする。
０”’Ｔｏｒｒまで減圧した後に、バルブ１１からアル
ゴン等の不活性ガスと水素等との混合気体を真空容器７
内に送り込み減圧度を５×１０−８〜１Ｏ−１Ｔｏｒｒ
程度に軽減して保持し、次にターゲットを有する電極８
と前記基板１０を載置した電極９との間に直流電圧又は
１−＋数ＭＨ２の高周波電圧を印加して真空容器内をプ
ラズマ状態にする。
この際の印加電圧は約１〜３ＫＶ 、電流は１０ト３０
０献、電力は１００−３００Ｗで十分である。このよう
な状態で約６０分間保持すると、基板１０上に膜厚がＩ
Ｎ２μｍで、１０−’秒以上のキャリア寿命、１０１ン
ｄ以下の局在準位密度および１ｃ）−”−ｄ、Ｉｖ・秒
以上のキャリア易動度をもつアモルファスシリコン薄膜
を主体とするアモルファスシリコン系光起電力素子層３
を形成することができる。また第１図においてオーミッ
ク接触用金属薄膜２や、光透過性電極層４は、抵抗加熱
法、電子ビーム蒸着法、又はスパッタ法等で形成するこ
とができる。
０献、電力は１００−３００Ｗで十分である。このよう
な状態で約６０分間保持すると、基板１０上に膜厚がＩ
Ｎ２μｍで、１０−’秒以上のキャリア寿命、１０１ン
ｄ以下の局在準位密度および１ｃ）−”−ｄ、Ｉｖ・秒
以上のキャリア易動度をもつアモルファスシリコン薄膜
を主体とするアモルファスシリコン系光起電力素子層３
を形成することができる。また第１図においてオーミッ
ク接触用金属薄膜２や、光透過性電極層４は、抵抗加熱
法、電子ビーム蒸着法、又はスパッタ法等で形成するこ
とができる。
第１図のアモルファスシリコン系光起電力素子層３は、
次の如き３層構造を有するものであることが望ま、しい
。すなわち第１の層がアモルファスシリコン内にポロン
を１０１７Ｉ以上でドープしたｐ型層であり、第２の層
が真性アモルファスシリコンの層で□あり、第３の層が
アモルファスシリコン内にリンを１０１′／／以上でド
ープしたｎ型層の３層から成るものである。なお、上記
ｐ又はｒ＋３層のうち少なくとも光照射する側に光学的
バンドギャップが約１．８５ｅＶ以上であシかつ２０℃
における電気伝導度が約１０４（Ω、ｃＩＩＩ）−”以
上であり、かつｐ−１−ｎ接合した場合の拡散電位Ｖｄ
が約１．１ｖｏｌｔｓ以上である１１１７−、□型又は
ｎ型アモルファス半導体のドープ薄膜を用いれば短絡電
流と開放電圧を大幅に改善できる。また上記ｐ又はｎ型
アモルファス半導体は、一般式ａ−８ｉ （□−ｘ）Ｃ
（ｘ）Ｉａ−８ｉ（１ｙ）Ｎｙ、ａ−８ｉ（１−ｘ、）
ＯｘＮｙ等で例示すしるアモルファスシリコンカーバイ
ト、アこれらはシリコンの水素又はフッ素化合物と炭素
又はチッ素の水素又はフッ素化合物をグロー放電分解し
て得られる。
次の如き３層構造を有するものであることが望ま、しい
。すなわち第１の層がアモルファスシリコン内にポロン
を１０１７Ｉ以上でドープしたｐ型層であり、第２の層
が真性アモルファスシリコンの層で□あり、第３の層が
アモルファスシリコン内にリンを１０１′／／以上でド
ープしたｎ型層の３層から成るものである。なお、上記
ｐ又はｒ＋３層のうち少なくとも光照射する側に光学的
バンドギャップが約１．８５ｅＶ以上であシかつ２０℃
における電気伝導度が約１０４（Ω、ｃＩＩＩ）−”以
上であり、かつｐ−１−ｎ接合した場合の拡散電位Ｖｄ
が約１．１ｖｏｌｔｓ以上である１１１７−、□型又は
ｎ型アモルファス半導体のドープ薄膜を用いれば短絡電
流と開放電圧を大幅に改善できる。また上記ｐ又はｎ型
アモルファス半導体は、一般式ａ−８ｉ （□−ｘ）Ｃ
（ｘ）Ｉａ−８ｉ（１ｙ）Ｎｙ、ａ−８ｉ（１−ｘ、）
ＯｘＮｙ等で例示すしるアモルファスシリコンカーバイ
ト、アこれらはシリコンの水素又はフッ素化合物と炭素
又はチッ素の水素又はフッ素化合物をグロー放電分解し
て得られる。
前記光起電力素子層３を太陽電池として使用する場合に
は、光透過性のある白金電極やＩＴＯ電極４の側から光
を照射し、前記白金電極やＩＴＯ電極４を透過した光が
光起電力素子層３内に電子と正孔の対を発生させ、これ
ら電子、正孔が空乏層領域に到達するようにして外部に
起電力として取出せるように構成する。
は、光透過性のある白金電極やＩＴＯ電極４の側から光
を照射し、前記白金電極やＩＴＯ電極４を透過した光が
光起電力素子層３内に電子と正孔の対を発生させ、これ
ら電子、正孔が空乏層領域に到達するようにして外部に
起電力として取出せるように構成する。
従来のポリイミド系等の樹脂薄膜上に形成さレタ薄膜型
の太陽電池ではアモルファスシリコン系層をデポジシ゛
−：しするとその内部応力により薄膜型の太陽電池全体
がカールし、フラットな太陽電池をえることができず、
又、デポジション中にもカールするため前記樹脂薄膜が
サセ、ブタ−上から浮きあがって、該薄膜表面の温度に
むらが生じ、均質なアモルファス層かえられないという
欠点があり、またこれを改善するためには製造設備が極
めて複雑になるという欠点があった。これに対し本発明
電池の如く金属箔と樹脂薄膜を複合した可撓性のしかも
耐熱性もある基板１０上にアモルファスシリコン系の光
起電力素子層３を形成する場合は、デポジションによる
カー、ルが全く見られず、ガラス板やステンレス板を素
板として用いる場合と同様の製造装置で高品質の薄膜太
陽電池をえることができ池の一部分を拡大した斜視図、
第２図はアモルファスシリコン薄膜および該薄膜を主体
とするアモルファスシリコン系光起電力素子層３を形成
する真空装置の概略図である。
の太陽電池ではアモルファスシリコン系層をデポジシ゛
−：しするとその内部応力により薄膜型の太陽電池全体
がカールし、フラットな太陽電池をえることができず、
又、デポジション中にもカールするため前記樹脂薄膜が
サセ、ブタ−上から浮きあがって、該薄膜表面の温度に
むらが生じ、均質なアモルファス層かえられないという
欠点があり、またこれを改善するためには製造設備が極
めて複雑になるという欠点があった。これに対し本発明
電池の如く金属箔と樹脂薄膜を複合した可撓性のしかも
耐熱性もある基板１０上にアモルファスシリコン系の光
起電力素子層３を形成する場合は、デポジションによる
カー、ルが全く見られず、ガラス板やステンレス板を素
板として用いる場合と同様の製造装置で高品質の薄膜太
陽電池をえることができ池の一部分を拡大した斜視図、
第２図はアモルファスシリコン薄膜および該薄膜を主体
とするアモルファスシリコン系光起電力素子層３を形成
する真空装置の概略図である。
１・・・素板、１ａ・・・金属箔、１ｂ・・・樹脂薄膜
、２・・・アモルファスシリコンとオーミック接触する
金属薄膜、３・・・アモルファスシリコン系光起電力素
子層、４・・・電位障壁をつくる光透過性電極層、５・
・・櫛型電極、６・・・反射防止膜、１０・・・基板。
、２・・・アモルファスシリコンとオーミック接触する
金属薄膜、３・・・アモルファスシリコン系光起電力素
子層、４・・・電位障壁をつくる光透過性電極層、５・
・・櫛型電極、６・・・反射防止膜、１０・・・基板。
特許出願人 鐘渕化学工′ｌＬ株式°令ト出願代理人
弁理士 内田敏彦 第１図 第２ｒＩ！Ｊ 手続補正書（自発） 昭和５６年１′Ｖ＠、日 特許庁長官 殿 １、事件ノ表示 ４１８１１５６−１７７１１１６
９２、発明の名称 薄膜太陽電池 ３、補正をする看 事件との関係 特許出願人 所在地 大阪市北区中之島３丁目２番４号扇 称
（０９４）鐘淵化学工ｌＩ株式会社代表看 代表
取締役 高 １） 敞を代理人 ５、 補正に１す増加する発明の数 零賑 補正の
対象 明細書のｒｌｌ＃ＩＩＦ４求の範−」欄及び７、補正の
内容 ｌ 特許請求の範囲一の補正 明細書の特許請求の範Ｓを、別紙のとおり補正する・ Ｉ 発明の詳細な説明欄の補正 （１）明ｍｖｉ第４頁第１行目の、「表面に」と「アモ
」との関に。
弁理士 内田敏彦 第１図 第２ｒＩ！Ｊ 手続補正書（自発） 昭和５６年１′Ｖ＠、日 特許庁長官 殿 １、事件ノ表示 ４１８１１５６−１７７１１１６
９２、発明の名称 薄膜太陽電池 ３、補正をする看 事件との関係 特許出願人 所在地 大阪市北区中之島３丁目２番４号扇 称
（０９４）鐘淵化学工ｌＩ株式会社代表看 代表
取締役 高 １） 敞を代理人 ５、 補正に１す増加する発明の数 零賑 補正の
対象 明細書のｒｌｌ＃ＩＩＦ４求の範−」欄及び７、補正の
内容 ｌ 特許請求の範囲一の補正 明細書の特許請求の範Ｓを、別紙のとおり補正する・ Ｉ 発明の詳細な説明欄の補正 （１）明ｍｖｉ第４頁第１行目の、「表面に」と「アモ
」との関に。
「ｐ又はｎｌｌの」
という文言を挿入する。
Ｉｌｌ Ｉｌｌ書＠４頁第２行Ｉ冒験に、「ルファス
シリコン」とあるのを、 「ルファス半導体」 と訂正する。
シリコン」とあるのを、 「ルファス半導体」 と訂正する。
４１１ ＰＵ書寄集頁＄１５行＠に記載の −「ア
ルミニウム」 という文言を削除する。
ルミニウム」 という文言を削除する。
（４）同書第４頁第１６行目に、ｒ４１の金属であり、
〕とあるのを。
〕とあるのを。
Ｆ等のヤング率が８ Ｘ １０ｓＫＩ／ｓ−以上の金属
が↓（、」 と訂正する。
が↓（、」 と訂正する。
圏 同書第４頁第１８行目末尾に、［薄層１ｔ）Ｊとあ
るの管。
るの管。
「薄膜１ｂＪ
七訂正する。
（−１同書ｌｌｌ５ＪＩ第２ ｏｑｉｍｒｃ％ｒｏ、５
〜ＩＪＩＪ トアルのを。
〜ＩＪＩＪ トアルのを。
ｒｏ、ｉ ＮＩＪＩＪ
と訂正す為。
（１）−寄集６頁第３行目の、「持っ」と「アモルファ
ス」との間Ｋ。
ス」との間Ｋ。
「真性」
、という文言を挿入する。
横１Ｍ書第６頁第１７行目に１ 「１〜２μ聰」とある
のを。
のを。
「Ｏ・ｌ〜ｌ＃鵬」
と訂正する。
１ｌｌ） 同書第６頁第１９行目の、「もり」と［ア
モルファスｊとの間に。
モルファスｊとの間に。
「真性」
という文言を挿入する。
８．添附書類
補正後の特許請求の範囲
の全文をε戟した書面（別紙） ｌ過補正後の特
許請求の範囲 の全文を記載した書面 ｌ 金ｍ箔上に可撓性で耐熱性を有する樹脂薄膜を形成
してなり素板の樹脂薄膜側表ＥｉｉＫアモルファスシリ
コンとオー々ツク接触する金属薄膜を形成して基板とな
し、＃基板上Ｋ １０”秒以上のキャリア寿命＊ １０
ｙ／ｍ”以下の局在率位置度、お１び１０”ｃｍ”／Ｖ
・秒以上のキャリア易１１１ｊ［を持り轟丘アモルファ
スシリコン薄膜を主体とする 、アモルファスシリコン
系光起電力素子層と、簡素子層に対する電位障壁を形成
する光透過性電極層とが積層されていることを特徴とす
る薄膜太陽電池。
許請求の範囲 の全文を記載した書面 ｌ 金ｍ箔上に可撓性で耐熱性を有する樹脂薄膜を形成
してなり素板の樹脂薄膜側表ＥｉｉＫアモルファスシリ
コンとオー々ツク接触する金属薄膜を形成して基板とな
し、＃基板上Ｋ １０”秒以上のキャリア寿命＊ １０
ｙ／ｍ”以下の局在率位置度、お１び１０”ｃｍ”／Ｖ
・秒以上のキャリア易１１１ｊ［を持り轟丘アモルファ
スシリコン薄膜を主体とする 、アモルファスシリコン
系光起電力素子層と、簡素子層に対する電位障壁を形成
する光透過性電極層とが積層されていることを特徴とす
る薄膜太陽電池。
！ 前記アモルファスシリコン系光起電力素子層が３層
構造を有し、第１の層がボロン等の崗期律表璽族の元素
を不純物として含むｐ１１アモルファス半導体であり、
第２の層が真性アモルファスシリコンであり、第３の層
がリン等の同期律表Ｖ族の元素を不純物として含むｎＩ
Ｉアモルファス半導体からなる特許請求の範囲１１１項
記載の薄膜太陽電池。
構造を有し、第１の層がボロン等の崗期律表璽族の元素
を不純物として含むｐ１１アモルファス半導体であり、
第２の層が真性アモルファスシリコンであり、第３の層
がリン等の同期律表Ｖ族の元素を不純物として含むｎＩ
Ｉアモルファス半導体からなる特許請求の範囲１１１項
記載の薄膜太陽電池。
３ 前記ｐ又ｒｊｎ！アモルファス半導体のうち、少く
とも光畷射する側のアモルファス半導体社。
とも光畷射する側のアモルファス半導体社。
光学的バンドギャップＫｇ−Ｏｐｔが約１．８５ ｅＶ
以上であり、かつ２０″ＣＫおけゐ電気伝導度が約１０
’（ｆｌ・ａｚ）−”以上であり、かつｐ−１−ｎ４１
合から取る前記光起電力素子層の拡散電位Ｖａが約１．
１Ｙ以上であることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の薄膜太陽電池。
以上であり、かつ２０″ＣＫおけゐ電気伝導度が約１０
’（ｆｌ・ａｚ）−”以上であり、かつｐ−１−ｎ４１
合から取る前記光起電力素子層の拡散電位Ｖａが約１．
１Ｙ以上であることを特徴とする特許請求の範囲第２項
記載の薄膜太陽電池。
４ 前記ｐ又ｔｔｎｌｉアモルファス半導体が一般式％
式％ で表わされるアモルファス半導体であることを特徴とす
る特許請求の範囲第２項又ｒｊｌ！３項記載の薄膜太陽
電池。
式％ で表わされるアモルファス半導体であることを特徴とす
る特許請求の範囲第２項又ｒｊｌ！３項記載の薄膜太陽
電池。
ｂ 前Ｉｉ！、光透過性電極層を形成する物質がＸＴＯ
。
。
ａｎへ、又轄ＩテＯとｅｎｏｌとの複合層であることを
特徴とする特許請求の範囲第１）Ｊ乃至第４項に記載の
薄膜太陽電池・
特徴とする特許請求の範囲第１）Ｊ乃至第４項に記載の
薄膜太陽電池・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属箔上に可撓性で耐熱性を有する樹脂薄膜を形成
してなる素板の樹脂薄膜側表面にアモルファスシリコン
とオーミック接触する金属薄膜を形成して基板となし、
該基板上に１ｄ秒以上のキャリア寿命、１ｏ／ＣＩ！以
下の局在準位密度、および１ｏ−”ｄ ／ｖ・秒以上の
キャリア易動度を持つアモルファスシリコン薄膜を主体
とするアモルファスシリコン系光起電力素子層と、該素
子層に対する電位障壁を形成する光透過性電極層とが積
層されていることを特徴とする薄膜太陽電池。 ゛ ２ 前記アモルファスシリコン系光起電力素子
層が３層構造を有し、第１の層がボロン等の周期律表■
族の元素を不純物として含むｐ型アモルファス半導体で
あり、第２の層が真性アモルファスシリコンであり、第
３のＮｉｌカ９ン等の周期律表■族の元素を不純物とし
て含むｎ型アモルファス半導体から、なる特許請求の範
囲第１項記載の薄膜太陽電池。 ３ 前記ｐ又はｎ型アモルファス半導体のうち、少くと
も光照射する側のアモルファス半導体は、光学的バンド
ギャップＥｇ、ｏｐｔ が約１．８５ｅＶ以上であり
、かつ２０℃における電気伝導度が約１０ （Ω、備）
以上であり、かつｐ−１−ｎ接合から成る前記光起
電力素子層の拡散電位Ｖｄが約１．１ｖ以上であること
を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の薄膜太陽電池
。 ４ 前記ｐ又はｎ型アモルファス半導体が一般式ａ−８
ｉ（ｘ−ｘ）Ｏｘ＋ａ−８ｉ（ｔ−ｙ）Ｎｙ＋ａ−８ｉ
（ｔ−ｒ７）Ｃ！ｘＮｙで表わされるアモルファス半導
体であることを特徴とする特許請求の範囲第２項又は第
３項記載の薄膜太陽電池。 ５ 前記光透過性電極層を形成する物質がＩＴｏ。 ８ｎＣ）＠ ＋又−１ｉＩＴｏと８ ｎＯ＠との複合層
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第４
項に記載の薄膜太陽電池。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56177685A JPS5878475A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 薄膜太陽電池 |
| EP82110122A EP0078541B1 (en) | 1981-11-04 | 1982-11-03 | Flexible photovoltaic device |
| DE8282110122T DE3280293D1 (de) | 1981-11-04 | 1982-11-03 | Biegsame photovoltaische einrichtung. |
| DE3280455T DE3280455T3 (de) | 1981-11-04 | 1982-11-03 | Biegsame photovoltaische Vorrichtung. |
| EP89111929A EP0341756B2 (en) | 1981-11-04 | 1982-11-03 | Flexible photovoltaic device |
| US06/439,627 US4612409A (en) | 1981-11-04 | 1982-11-04 | Flexible photovoltaic device |
| US06/835,717 US4773942A (en) | 1981-11-04 | 1986-03-03 | Flexible photovoltaic device |
| US07/202,608 US4875943A (en) | 1981-11-04 | 1988-06-06 | Flexible photovoltaic device |
| US07/652,492 US5127964A (en) | 1981-11-04 | 1991-02-08 | Flexible photovoltaic device |
| US08/192,304 US5419781A (en) | 1981-11-04 | 1994-02-04 | Flexible photovoltaic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56177685A JPS5878475A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 薄膜太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5878475A true JPS5878475A (ja) | 1983-05-12 |
| JPH0463551B2 JPH0463551B2 (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=16035308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56177685A Granted JPS5878475A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5878475A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62101080A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
| CN110176509A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-08-27 | 陈建义 | 一种柔性太阳能电池用新型不锈钢基板 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5936435A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 架空ケーブル監視装置 |
-
1981
- 1981-11-04 JP JP56177685A patent/JPS5878475A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5936435A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 架空ケーブル監視装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62101080A (ja) * | 1985-10-28 | 1987-05-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
| CN110176509A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-08-27 | 陈建义 | 一种柔性太阳能电池用新型不锈钢基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0463551B2 (ja) | 1992-10-12 |
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