JPS60154521A - 炭化珪素被膜作製方法 - Google Patents
炭化珪素被膜作製方法Info
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は炭化珪素非単結晶半導体の作製方法に関する。
本発明は特に電気伝導度に優れ、その被膜形成に必要な
電気エネルギまたは光エネルギを少なくしてＳ ｉ −
Ｃ結合を有する炭素の含有量の多い炭化珪素被膜の作製
方法に関する。
電気エネルギまたは光エネルギを少なくしてＳ ｉ −
Ｃ結合を有する炭素の含有量の多い炭化珪素被膜の作製
方法に関する。
本発明は、半導体装置特に光電変換装置（ＰＶＣという
）におけるその光照射面側の透光性導電膜（以下ＣＴＦ
という）に密接してＰ型の炭化珪素半導体（ＳｉｘＣ１
−）＜ ０ ＜ ｘ ＜ １ ）を形成したものである
。
）におけるその光照射面側の透光性導電膜（以下ＣＴＦ
という）に密接してＰ型の炭化珪素半導体（ＳｉｘＣ１
−）＜ ０ ＜ ｘ ＜ １ ）を形成したものである
。
本発明はかかるＰ型炭化珪素半導体をＳｉＨ４，（ＣＩ
Ｉ３） ｎｎ ＝ １〜３または５ｉｎ（ＣＨ３） ａ
ｌ１６−１ｎ ＝ １〜５で示されるメチルシラン（以
下単にメチルシランまたは門という）とシラン（Ｓｉｍ
ｌｌ□４＠叶ｍ＝１〜３）とジボランとよりなる混合反
応性気体を水素または不活性気体のキャリアガスを用い
ることなく反応系に導入して作製した方法に関する。
Ｉ３） ｎｎ ＝ １〜３または５ｉｎ（ＣＨ３） ａ
ｌ１６−１ｎ ＝ １〜５で示されるメチルシラン（以
下単にメチルシランまたは門という）とシラン（Ｓｉｍ
ｌｌ□４＠叶ｍ＝１〜３）とジボランとよりなる混合反
応性気体を水素または不活性気体のキャリアガスを用い
ることなく反応系に導入して作製した方法に関する。
本発明は、透光性絶縁基板上に、酸化インジュームを主
成分とする凹凸表面を有する第１の透光性導電１１１ｉ
（以下単にＣＴＦという）と、この上面に酸化ススを
主成分とする第２のＣＴＦとの多層の透光性導電膜を設
け、この上にｌＸｌ０”）〜４ｘ１ｏ＝（Ωｃ ｍ ）
”の電気伝導度を有し、かつ光学的エネルギバンド中が
２．０５ｅＶ好ましくは２．１ｅＶ以上を有するＰ復炭
化珪素（ＳｉｘＣ１−×０ ＜ ｘ ＜ １ ）を形成
せしめ、この炭化珪素を用いてＰＩＮ接合を少なくとも
１つ有する非単結晶半導体を設けたＰＹＣに応用せんと
したものである。
成分とする凹凸表面を有する第１の透光性導電１１１ｉ
（以下単にＣＴＦという）と、この上面に酸化ススを
主成分とする第２のＣＴＦとの多層の透光性導電膜を設
け、この上にｌＸｌ０”）〜４ｘ１ｏ＝（Ωｃ ｍ ）
”の電気伝導度を有し、かつ光学的エネルギバンド中が
２．０５ｅＶ好ましくは２．１ｅＶ以上を有するＰ復炭
化珪素（ＳｉｘＣ１−×０ ＜ ｘ ＜ １ ）を形成
せしめ、この炭化珪素を用いてＰＩＮ接合を少なくとも
１つ有する非単結晶半導体を設けたＰＹＣに応用せんと
したものである。
本発明は、５ｉ１１４−、Ｌ＜Ｃｌ５） ｎ ｎ ＝
１〜３、またはＳｉ、（Ｃｌｋ） ｎｌｌ＜４ ｎ ＝
１〜５で示されるメチルシランをＣＴＦに接触するＰ
型半導体を構成する５ｉｘＣ１−×下口ＭＳという）と
シラン（ＳｉＪｌ、、＋ｚ ｍ ＝ １〜３ ）で希釈
したジボランとの混合気体とを用いている。
１〜３、またはＳｉ、（Ｃｌｋ） ｎｌｌ＜４ ｎ ＝
１〜５で示されるメチルシランをＣＴＦに接触するＰ
型半導体を構成する５ｉｘＣ１−×下口ＭＳという）と
シラン（ＳｉＪｌ、、＋ｚ ｍ ＝ １〜３ ）で希釈
したジボランとの混合気体とを用いている。
このＤＭＳ （ＣＨｉ ５ｌｌｌ−ＣＨＪ ）は分子量
６０、沸点−１９，６℃であり、その分子を構成する状
態において５ｉ−Ｃ結合を有し、かつ多量にクラスタを
構成する可能性がないという他の特長を有する。
６０、沸点−１９，６℃であり、その分子を構成する状
態において５ｉ−Ｃ結合を有し、かつ多量にクラスタを
構成する可能性がないという他の特長を有する。
さらにこのＤＭＳはその分子としてＳ ｉ−Ｉ＋結合を
有し、そのためＢ −Ｈ結合を有するジボランと反応し
てＰ型半導体として有効な５ｉ−Ｂ結合を５ｉ−Ｃに隣
接した結合手に構成することができる。このことはＴＭ
Ｓ即ち（Ｓｉ （ＣＩｌＪ）４ ）が５ｔ−Ｃ結合を有
しながらも、５ｉ−Ｈ結合を有していないため、Ｂと結
合することができず、価電子制御ができないことを考え
ると、きわめて大きな特長である。即ち、本発明におい
ては、使用材料としてＳ ｉ−Ｈ結合、５ｉ−Ｃ結合を
ともに有する反応性気体を用いている。即ち一般式は５
ｉ１１４−．１（ＣＩＩ７） ｉ ｎ ＝ １〜３また
はＳｌ ｚ（Ｃ１ｌ）） ｎ１ｋ−、Ｌ、 ｎ ＝ １
〜５で示されるが、その代表例はＩＩ、Ｓｉ （ＣＬ）
、ＨＬＳｉ （Ｃ１１，）、 、ＩＩ Ｓｔ （Ｃ１
１，）、である。
有し、そのためＢ −Ｈ結合を有するジボランと反応し
てＰ型半導体として有効な５ｉ−Ｂ結合を５ｉ−Ｃに隣
接した結合手に構成することができる。このことはＴＭ
Ｓ即ち（Ｓｉ （ＣＩｌＪ）４ ）が５ｔ−Ｃ結合を有
しながらも、５ｉ−Ｈ結合を有していないため、Ｂと結
合することができず、価電子制御ができないことを考え
ると、きわめて大きな特長である。即ち、本発明におい
ては、使用材料としてＳ ｉ−Ｈ結合、５ｉ−Ｃ結合を
ともに有する反応性気体を用いている。即ち一般式は５
ｉ１１４−．１（ＣＩＩ７） ｉ ｎ ＝ １〜３また
はＳｌ ｚ（Ｃ１ｌ）） ｎ１ｋ−、Ｌ、 ｎ ＝ １
〜５で示されるが、その代表例はＩＩ、Ｓｉ （ＣＬ）
、ＨＬＳｉ （Ｃ１１，）、 、ＩＩ Ｓｔ （Ｃ１
１，）、である。
さらにこのＤＮＳを例にとってみると、分子量が大きく
、かつメタン（Ｃ１１）のごとく対称型の分子構造を有
していないため、Ｃ１１のごとき強い電気エネルギを加
えることなしにＣ，ＳｉのラジカルをＣ−１１、Ｓ ｊ
−Ｈ結合からＨを遊離させて容易に作ることができる。
、かつメタン（Ｃ１１）のごとく対称型の分子構造を有
していないため、Ｃ１１のごとき強い電気エネルギを加
えることなしにＣ，ＳｉのラジカルをＣ−１１、Ｓ ｊ
−Ｈ結合からＨを遊離させて容易に作ることができる。
加えてＳ ｉ−Ｃ結合を最初から有しており、またｃ−
Ｃ結合を有していないため、低い高周波出力にて反応生
成物中にＣを５ｉ−Ｃとして多量に注入できるという他
の特長大有する。
Ｃ結合を有していないため、低い高周波出力にて反応生
成物中にＣを５ｉ−Ｃとして多量に注入できるという他
の特長大有する。
このため、この５ｉｘＣ１，ｘ（０＜ ｘ＜ １）の主
側に設けられるＣＴＦに被膜形成時に損傷（スパッタ）
を与えることがなく、さらにそのＣＴＦの成分の酸素が
半導体中に混入することも防ぐことができ、光照射効果
による特性劣化を除去し、高信頼性化が可能となった。
側に設けられるＣＴＦに被膜形成時に損傷（スパッタ）
を与えることがなく、さらにそのＣＴＦの成分の酸素が
半導体中に混入することも防ぐことができ、光照射効果
による特性劣化を除去し、高信頼性化が可能となった。
第１図は本発明人の出願による特許願「プラズマ気相反
応装置」特願昭５７−１６３７２９．１６３７２８ （
昭和５７年９月２０日出願）および５７−１６７２８０
．１６７２８１（昭和５７年９月２７日出願）に記され
た装置を用いて５ｉｘＣ＋−ｘ （０＜ｘ＜１）を作っ
た特性を示す。
応装置」特願昭５７−１６３７２９．１６３７２８ （
昭和５７年９月２０日出願）および５７−１６７２８０
．１６７２８１（昭和５７年９月２７日出願）に記され
た装置を用いて５ｉｘＣ＋−ｘ （０＜ｘ＜１）を作っ
た特性を示す。
即ち１０ｃｎ’の基板を４枚その間隔を６ｃ＋＊として
林立し、電極間距％Ｉｔ１５ｃｍ、電極面積１５ｃｍ
の放電空間に筒状にグロー放電の陽光柱を閉じ込めて作
った。さらに反応性気体を上方より下方に層流で流し、
電極を上下に配設させた。
林立し、電極間距％Ｉｔ１５ｃｍ、電極面積１５ｃｍ
の放電空間に筒状にグロー放電の陽光柱を閉じ込めて作
った。さらに反応性気体を上方より下方に層流で流し、
電極を上下に配設させた。
第゛１図において、曲線１，２は従来公知のＣ１％、を
用いた場合のＣの混入量を示したものである。すると温
度２１０℃、高周波出力（１３，５６Ｍｌ１ｚ＞がＱ、
ｌ ｔｏｒｒ（電極径は１５０ ｍｍφ）において、
出力聞ではメタンの量を増加しても腋中に５ｉ−Ｃ結合
を有していないことがわかる。さらにこの出力を２５Ｗ
とすると曲線２を有するが、ＣＩ−の一部がＳ ｉ−Ｃ
結合を有するのみである。
用いた場合のＣの混入量を示したものである。すると温
度２１０℃、高周波出力（１３，５６Ｍｌ１ｚ＞がＱ、
ｌ ｔｏｒｒ（電極径は１５０ ｍｍφ）において、
出力聞ではメタンの量を増加しても腋中に５ｉ−Ｃ結合
を有していないことがわかる。さらにこの出力を２５Ｗ
とすると曲線２を有するが、ＣＩ−の一部がＳ ｉ−Ｃ
結合を有するのみである。
しかし他方本発明に、よっては曲線３に示されるごとく
わずか５Ｗ（その他の条件は曲線１．２と同じするる）
においても５ｔ−Ｃを十分得ることができ、被膜中の炭
素濃度を太き（できる。ひいては光学的エネルギバンド
中も大きくすることが期待できる。これはＤＳＭ自体が
最初から５ｉ−Ｃ結合を構成しているためである。
わずか５Ｗ（その他の条件は曲線１．２と同じするる）
においても５ｔ−Ｃを十分得ることができ、被膜中の炭
素濃度を太き（できる。ひいては光学的エネルギバンド
中も大きくすることが期待できる。これはＤＳＭ自体が
最初から５ｉ−Ｃ結合を構成しているためである。
さらにその出力もわずか５Ｗにて広いＥｇを有する５ｉ
ｘＣ＋−ｘ （０＜ｘ＜ １）を得ることができた。そ
の結果、ＣＴＦが針状を有していてもその放電電界が集
中しやすい先端部（端部ともいう）をスパッタによって
損傷を与えることがなく、きわめて有効なものであった
。逆にいうならば、ＣＴＦ上のＳｉｘＣ１−ｘ （０＜
ｘ＜ １）中にＣＴＰを構成する酸素の混入が少なくな
り、またＣＴＦ自体がスパッタにより失透することがな
かった。
ｘＣ＋−ｘ （０＜ｘ＜ １）を得ることができた。そ
の結果、ＣＴＦが針状を有していてもその放電電界が集
中しやすい先端部（端部ともいう）をスパッタによって
損傷を与えることがなく、きわめて有効なものであった
。逆にいうならば、ＣＴＦ上のＳｉｘＣ１−ｘ （０＜
ｘ＜ １）中にＣＴＰを構成する酸素の混入が少なくな
り、またＣＴＦ自体がスパッタにより失透することがな
かった。
第２図は、ＤＮＳと０．３５％にシラン（Ｓｔ量１４）
にＢ、 ＩＩ。
にＢ、 ＩＩ。
が０．３５％の濃度（Ｓｘｌｌ＋ ９９．８５％、 Ｂ
、ｌ１ｇ ０．３５％）の混合シランとをｌａｙのｙと
し、また、その他の条件は第１図曲線３と同様とし、ｙ
を横軸として光学的エネルギバンド（Ｅｇ＞＜ ６ ）
と電気伝導度（σｐ （４）、σｄ （５） ）を調べ
たものである。
、ｌ１ｇ ０．３５％）の混合シランとをｌａｙのｙと
し、また、その他の条件は第１図曲線３と同様とし、ｙ
を横軸として光学的エネルギバンド（Ｅｇ＞＜ ６ ）
と電気伝導度（σｐ （４）、σｄ （５） ）を調べ
たものである。
電気伝導度はプレナ型の平行電極（電極間隔１ｍ１ｌｌ
、 Ｉｌｌ ５ ｖｌｌ）とし、光はＡＭＩ （１００
＋Ｗ ／ ｃｊ）を照射して測定した。
、 Ｉｌｌ ５ ｖｌｌ）とし、光はＡＭＩ （１００
＋Ｗ ／ ｃｊ）を照射して測定した。
第２図では同時にＣｌｌ、： ５ｉｌｌ、−１： ｌの
時、さらにＢＬＨ，（２０００ＰＰＭ水素希釈）でＢＬ
Ｈ＜ ／ ５ｉｌｌｓ ＝０．５％とした時の特性（そ
の他の条件は第１図曲線２と同じとした）を同時にＥ、
（１６入σρ （１４）、σｄ（１５）に示す。
時、さらにＢＬＨ，（２０００ＰＰＭ水素希釈）でＢＬ
Ｈ＜ ／ ５ｉｌｌｓ ＝０．５％とした時の特性（そ
の他の条件は第１図曲線２と同じとした）を同時にＥ、
（１６入σρ （１４）、σｄ（１５）に示す。
これより明らかに、メタンを用いて得られたＥｇ（１６
）と同じＥ、を得るにはｙ＝１０であり、本発明方法の
メチルシランを用いた時σｐ （１４’）は４×１Ｏ−
５（０ｃｍ）−’とメタンのσ （１４）の８ Ｘ １
０−’ （ｏｃｍ）−’の５０倍を得た。σｄ （１５
’）は１．５ Ｘ１Ｏ−Ｇ（（＞ｃ＋ｗ）−’とメタン
のσｄ’（１５）のＩ Ｘ １０−’ （Ｏｃａｂ）−
’の１５倍を得た。
）と同じＥ、を得るにはｙ＝１０であり、本発明方法の
メチルシランを用いた時σｐ （１４’）は４×１Ｏ−
５（０ｃｍ）−’とメタンのσ （１４）の８ Ｘ １
０−’ （ｏｃｍ）−’の５０倍を得た。σｄ （１５
’）は１．５ Ｘ１Ｏ−Ｇ（（＞ｃ＋ｗ）−’とメタン
のσｄ’（１５）のＩ Ｘ １０−’ （Ｏｃａｂ）−
’の１５倍を得た。
他方、メタンのσｐ （１４）と同じσｐｔｌ−ＤＭＳ
を用いて得るにはｙ＝７となり、この時のＥｇ （１６
つは２．１５ｅＶとメタンの２．ＯｅＶに比べて０．１
５ｅＶも太きい値を得ることができた。
を用いて得るにはｙ＝７となり、この時のＥｇ （１６
つは２．１５ｅＶとメタンの２．ＯｅＶに比べて０．１
５ｅＶも太きい値を得ることができた。
加えて、この第２図では高周波出力が５Ｗであり、メタ
ンを用いた時の２５Ｗの１１５の高周波出力で済むこと
が判明した。
ンを用いた時の２５Ｗの１１５の高周波出力で済むこと
が判明した。
本発明のＤＭＳの効果をさらに調べるために、ＩＴＯ（
１０００人）上に５ｎ（ｌｚを２００人形成したＣＴＦ
を用い、このＣＴＦ上に炭化珪素被膜を作製し、その深
さ分布をオージェ分光法を用いて調べた。
１０００人）上に５ｎ（ｌｚを２００人形成したＣＴＦ
を用い、このＣＴＦ上に炭化珪素被膜を作製し、その深
さ分布をオージェ分光法を用いて調べた。
第３図（Ａ）はＤＭＳ ： Ｂｕｌ＋（／ ５ｉｌｌゆ
＝ｔ：１ｏとし高周波出力が５Ｗ、０．１ ｔｏｒｒで
４００Ａの厚さにｃｉｐ上に形成した。
＝ｔ：１ｏとし高周波出力が５Ｗ、０．１ ｔｏｒｒで
４００Ａの厚さにｃｉｐ上に形成した。
これらの特性より調べると、表面（左端のＹ軸）９よｃ
ｏ、ユ。□、３．。□ヵ３、□７エあゎ、い また。さ
らにエツチング時間が１２分でスズ（１０）が酸素（９
）とともに観察され、同時にその量も増加している。ま
たエツチング時間が１８分にてインジューム（１１）が
観察された。即ｊ）ＩＴＯ上に酸化スズが積層されてい
る。またこのＣＴＦ上にｃ（８）と５ｉ（７）との比よ
りなる５ｉｘＣ欧（ここではｓｉ：Ｃ＝９２：６即ちｘ
＝０．９４）が積層されていることがわかる。
ｏ、ユ。□、３．。□ヵ３、□７エあゎ、い また。さ
らにエツチング時間が１２分でスズ（１０）が酸素（９
）とともに観察され、同時にその量も増加している。ま
たエツチング時間が１８分にてインジューム（１１）が
観察された。即ｊ）ＩＴＯ上に酸化スズが積層されてい
る。またこのＣＴＦ上にｃ（８）と５ｉ（７）との比よ
りなる５ｉｘＣ欧（ここではｓｉ：Ｃ＝９２：６即ちｘ
＝０．９４）が積層されていることがわかる。
そしてそれぞれの構成物の混合もないことが判明した。
しかし第３図（Ｂ）に示ずごと＜ 、Ｃ１ｌ＋ ： ５
１１１４１＝ｘ：ｉとして、２５Ｗの高周波出力、反応
圧力０．１ｔｏｒｒで形成すると、ＣＴＦと５ｉｘＣ１
−）＜ （Ｓｉ （７＞、Ｃ（８）の混合領域）の界面
において酸素（９）が多量に５ｉｘＣＩ−ｘ内にスパッ
タされ、放出（混入）（領域（１２） ）されているこ
とがわがる。加えてＣＴＦ上にスズ（１０）、インジュ
ーム（１１）がともにエツチング時間２５分で現れ、こ
の界面でスズとインジュームとが完全に混合してしまっ
たことが判断された。
１１１４１＝ｘ：ｉとして、２５Ｗの高周波出力、反応
圧力０．１ｔｏｒｒで形成すると、ＣＴＦと５ｉｘＣ１
−）＜ （Ｓｉ （７＞、Ｃ（８）の混合領域）の界面
において酸素（９）が多量に５ｉｘＣＩ−ｘ内にスパッ
タされ、放出（混入）（領域（１２） ）されているこ
とがわがる。加えてＣＴＦ上にスズ（１０）、インジュ
ーム（１１）がともにエツチング時間２５分で現れ、こ
の界面でスズとインジュームとが完全に混合してしまっ
たことが判断された。
即ち、本発明のメチルシランを用いることにより、高周
波放電電力を小さくすることができ、また小さいにもか
かわらすＣを多量に混入できるため、−Ｂｇを大きくす
ることができるという大きな特長を有する。 ′ その結果、ＣＴＦのスズとインジェームの界面を第３図
（Ｂ）のごと（に混合層として作ることなく、さらにＣ
ＴＦの酸素も２００人の薄い厚さの酸化 −スズ上の５
ｉｘＣ＋−ｘに混入することを防ぐことができるという
大きな事実が判明した。
波放電電力を小さくすることができ、また小さいにもか
かわらすＣを多量に混入できるため、−Ｂｇを大きくす
ることができるという大きな特長を有する。 ′ その結果、ＣＴＦのスズとインジェームの界面を第３図
（Ｂ）のごと（に混合層として作ることなく、さらにＣ
ＴＦの酸素も２００人の薄い厚さの酸化 −スズ上の５
ｉｘＣ＋−ｘに混入することを防ぐことができるという
大きな事実が判明した。
本発明方法をさらに発展させ、光電変換装置を第４図に
示す構造で作製することを以下に試みた。
示す構造で作製することを以下に試みた。
即ち、ＩＴＯを５００〜３０００人、好ましくは１５０
０〜２０００人の平均厚さ、例えば１６００人の平均厚
さく凹凸高低差５００〜７００人、ピッチ１０００〜３
０００人）に形成し、さらにその上に、ＳｎＯ＊を平均
膜厚１００〜１０００人好ましくは４００〜５５０人例
えば５００人の平均厚さに積層した。
０〜２０００人の平均厚さ、例えば１６００人の平均厚
さく凹凸高低差５００〜７００人、ピッチ１０００〜３
０００人）に形成し、さらにその上に、ＳｎＯ＊を平均
膜厚１００〜１０００人好ましくは４００〜５５０人例
えば５００人の平均厚さに積層した。
さらにこの上面に、第１図、第２図に示す方法により非
単結晶半導体を用いて、５ｊｘＣ＋−ｘ （０＜ ｘ〈
１）の半導体層をこの針状の表面を覆って密接して作製
した。さらに１．Ｎ ｉを作りＰＩＮ接合を少なくとも
１つ有する半導体（１５）を形成した。
単結晶半導体を用いて、５ｊｘＣ＋−ｘ （０＜ ｘ〈
１）の半導体層をこの針状の表面を覆って密接して作製
した。さらに１．Ｎ ｉを作りＰＩＮ接合を少なくとも
１つ有する半導体（１５）を形成した。
即ちＰＣＶＤ法によりＰ型５ｉｘＣ＋−ｘ （ｘ ＝０
．８８約１００人、平面とすると約２００人）（７）＝
Ｉ型Ｓｉ半導体（約７０００人＞＜８＞−Ｎ型微結晶Ｓ
ｉ半導体（約３００人）（９）をそれぞれを独立した反
応炉を用いたマルチチャンバ方式にて作製した。
．８８約１００人、平面とすると約２００人）（７）＝
Ｉ型Ｓｉ半導体（約７０００人＞＜８＞−Ｎ型微結晶Ｓ
ｉ半導体（約３００人）（９）をそれぞれを独立した反
応炉を用いたマルチチャンバ方式にて作製した。
この時、このＣＴＦよりの混入を防ぐことができるため
、さらに反応炉内で外部よりのリーク、反応性気体の純
化により半導体中の酸素濃度を１層に関してはＩ Ｘ
１０’ ｃｍ−３以下好ましくは５Ｘ１０１８０Ｉ１１
−３以下とさせることができた。このＩ型半導体層の結
晶学的構造がいわゆるアモルファス構造を有せしめるの
ではなく、セミアモルファス半導体、即ち一部に結晶性
または秩序性を含有せしめた方がホールおよび電子の移
動が速く、電気的特性向上を図ることができた。
、さらに反応炉内で外部よりのリーク、反応性気体の純
化により半導体中の酸素濃度を１層に関してはＩ Ｘ
１０’ ｃｍ−３以下好ましくは５Ｘ１０１８０Ｉ１１
−３以下とさせることができた。このＩ型半導体層の結
晶学的構造がいわゆるアモルファス構造を有せしめるの
ではなく、セミアモルファス半導体、即ち一部に結晶性
または秩序性を含有せしめた方がホールおよび電子の移
動が速く、電気的特性向上を図ることができた。
さらにＰ型５ｉｘＣｌ−ｘ （０＜ｘ＜１）半導体にお
いては、ＣＴＦからの混入量を減じ半導体中の酸素濃度
を５ ＸＩＯ’ ｃｍ−ヨ以下にすることがより電気伝
導度を向上させるのに好ましかった。
いては、ＣＴＦからの混入量を減じ半導体中の酸素濃度
を５ ＸＩＯ’ ｃｍ−ヨ以下にすることがより電気伝
導度を向上させるのに好ましかった。
さらにこの上面に裏面電極（１３）を形成した。
即ち、１００〜２５０℃例えば１５０℃にて平均膜厚約
１０５０人とした平坦な表面を有するＩＴＯ’ （１１
）を電子ビーム法で形成し、反射性電極（１２）を銀ま
たはアルミニュームにて５００〜３０００人、例えば２
０００人の厚さに真空蒸着法により形成した。
１０５０人とした平坦な表面を有するＩＴＯ’ （１１
）を電子ビーム法で形成し、反射性電極（１２）を銀ま
たはアルミニュームにて５００〜３０００人、例えば２
０００人の厚さに真空蒸着法により形成した。
するとそのＡＭＩ （１００ｍＷ ／ａａＸ１０−）に
おいて３１ＩＩＩＩＸ３．５ｎ＋ｎ＋ （１，０５ｃｄ
）の面積において１０．５０％を得ることができた。
おいて３１ＩＩＩＩＸ３．５ｎ＋ｎ＋ （１，０５ｃｄ
）の面積において１０．５０％を得ることができた。
即ち、本発明のメチルシランを用いて作られたＰ型半導
体層は、すでに記したごと＜ ５ｉｘＣ＋−ｘ （０＜
、ｘ＜１＞例えば！ ＝０．８〜０．９を有しており、
Ｓｉよりも大きいＥｇを有しながらも、その電気伝導度
が３ Ｘ １０−’ （ＱＣｌｌ）’以上すなわちｌＸ
１０４〜３ｘ１０−’（０ｃｍ）”を有し、シランとメ
タンとを用いた炭化珪素の作製方法に比べて大きいＥｇ
で大きい電気伝導度を有せしめることができた。
体層は、すでに記したごと＜ ５ｉｘＣ＋−ｘ （０＜
、ｘ＜１＞例えば！ ＝０．８〜０．９を有しており、
Ｓｉよりも大きいＥｇを有しながらも、その電気伝導度
が３ Ｘ １０−’ （ＱＣｌｌ）’以上すなわちｌＸ
１０４〜３ｘ１０−’（０ｃｍ）”を有し、シランとメ
タンとを用いた炭化珪素の作製方法に比べて大きいＥｇ
で大きい電気伝導度を有せしめることができた。
以下に本発明をさらに補足するため、その実施例を示す
。
。
実施例１
第４図は本発明の半導体装置の縦断面図を示す。
図面ではＡＲ処理がなされた白板ガラス（厚さは１．１
ｍｍ ＞（１）上にＩＴＯを４００℃の温度にて平均厚
さ１５００人に電子ビーム蒸着方法にて形成した。さら
にこのＩＴＯを焼成した後、上面に酸化スズを２００℃
の温度にて平均厚さ５００人にてプラズマ気相法により
形成した。
ｍｍ ＞（１）上にＩＴＯを４００℃の温度にて平均厚
さ１５００人に電子ビーム蒸着方法にて形成した。さら
にこのＩＴＯを焼成した後、上面に酸化スズを２００℃
の温度にて平均厚さ５００人にてプラズマ気相法により
形成した。
この２層構造のＣＴＦのシート抵抗は３５Ω／口であっ
た・ この後、このマルチチャンバ方式のＰＣＶＤ法により、
Ｐ型半導体のＳｉｘＣ１−ｘ （０＜ ｘ ＜ １ ）
を形成するため、ジボランが添加されたシラン１４ｃｃ
／分、０Ｍ５２ｃｃ／分（ＤＭＳ ： ５ｉ）ｋ−１：
７ 、 Ｂ、Ｉｂ ／５ｉｌ１４−（ｊ、３５％）の
反応性気体を水素等のキャリアガスを用いることなしに
反応炉内に導入した。反応炉内では基板温度２１０℃、
反応圧力Ｑ、ｌ ｔｏｒｒ、高周波１３．５６Ｍ１１２
．５Ｗとして、約２００人の厚さに基体上に形成した。
た・ この後、このマルチチャンバ方式のＰＣＶＤ法により、
Ｐ型半導体のＳｉｘＣ１−ｘ （０＜ ｘ ＜ １ ）
を形成するため、ジボランが添加されたシラン１４ｃｃ
／分、０Ｍ５２ｃｃ／分（ＤＭＳ ： ５ｉ）ｋ−１：
７ 、 Ｂ、Ｉｂ ／５ｉｌ１４−（ｊ、３５％）の
反応性気体を水素等のキャリアガスを用いることなしに
反応炉内に導入した。反応炉内では基板温度２１０℃、
反応圧力Ｑ、ｌ ｔｏｒｒ、高周波１３．５６Ｍ１１２
．５Ｗとして、約２００人の厚さに基体上に形成した。
このＳｉｘＣ１−ｘはｘ＝０．８になり、光学的エネル
ギバンド巾は２．１５ｅＶを有し、ａ’ｄ ＝ ６ ｘ
ｌＯ−８（ｏｃ＋ｗ）′Ｉσｐｈ＝ＩＸ１０−・（ΩＣ
ｌ１１）″を有していた。
ギバンド巾は２．１５ｅＶを有し、ａ’ｄ ＝ ６ ｘ
ｌＯ−８（ｏｃ＋ｗ）′Ｉσｐｈ＝ＩＸ１０−・（ΩＣ
ｌ１１）″を有していた。
この時電気エネルギの電界は基板に平行方向とし、反応
生成物によりＣＴＦ等の被形成面がスパッタされないよ
うにした。
生成物によりＣＴＦ等の被形成面がスパッタされないよ
うにした。
さらにこのＰ型半導体層を形成した後、隣の反応炉に基
板を移設し、１００％シランを２０ｃｃ ／分にて２１
０℃、Ｑ、１ｔｏｒｒ Ｔ：：半導体層を形成した。
板を移設し、１００％シランを２０ｃｃ ／分にて２１
０℃、Ｑ、１ｔｏｒｒ Ｔ：：半導体層を形成した。
この時、この中にホウ素をＩ Ｘ １０” ｃ＋ｗ−９
よりグレーティングして添加しくオートドープを含む入
ホール移動度を向上させた。またこのＳｉ半導体中は酸
素が５×１０１８ＣＩ１１１以下であり、３ Ｘ １０
１８ｃｍ−３をＳＩＭＳのデータは示していた゛。
よりグレーティングして添加しくオートドープを含む入
ホール移動度を向上させた。またこのＳｉ半導体中は酸
素が５×１０１８ＣＩ１１１以下であり、３ Ｘ １０
１８ｃｍ−３をＳＩＭＳのデータは示していた゛。
かくしてＩ型半導体層を約０．７μの厚さに形成した。
又Ｎ型非単結晶半導体層はＳ ｉ Ｈ４／ Ｈ２＝ ５
Ｃ；Ｃ分／１００ｃｃ分として基板は２１０℃、高周波
（１３，５６ＭＩＩＺ）出力１０Ｗとして作製した。σ
＝１〜３０（Ωｃ＋ｗ）”を有していた。また結晶は９
３人の大きさを有していることがレーザラマン分光分析
の結果においてシーラーの式より導出できた。
Ｃ；Ｃ分／１００ｃｃ分として基板は２１０℃、高周波
（１３，５６ＭＩＩＺ）出力１０Ｗとして作製した。σ
＝１〜３０（Ωｃ＋ｗ）”を有していた。また結晶は９
３人の大きさを有していることがレーザラマン分光分析
の結果においてシーラーの式より導出できた。
さらに、この上面にＳｉｘＣ１−ｘ ｘ ＝０．９ Ｊ
ＤＭＳ ：ｐＨ） ／５ｉｌｌ。＝ １ ＋ ６ 、
ＰＨＪ／ ５ｉｌｌ＋ ＝ １％ニテ５０人の厚さに形
成させた。さらにこの上面に第２の電極をＩＴＯ１０５
０人、銀２０００ Ａを電子ビーム蒸着法により作製し
た。
ＤＭＳ ：ｐＨ） ／５ｉｌｌ。＝ １ ＋ ６ 、
ＰＨＪ／ ５ｉｌｌ＋ ＝ １％ニテ５０人の厚さに形
成させた。さらにこの上面に第２の電極をＩＴＯ１０５
０人、銀２０００ Ａを電子ビーム蒸着法により作製し
た。
かくして得られたｐｖｃの最烏変換効率特性を従来例と
比較すると以下の如くである。
比較すると以下の如くである。
従来例 本発明
開放電圧Ｖｏｃ （Ｖ） ０．８１ ０．８３短絡電流
１ｓｃ （ｍＡ／ｃｍ） １４．３ １８．５曲線因子
（％） ５７ ６８ 変換効率 （％） ６．２ １０．５ 上記データは面積３ｍｉ Ｘ３．５ ｍ＋ｎ （１，０
５０ＴＡ）においてＡＭ １ （１００ｍＷ 、／ ｃ
＋ａ）を照射した室温での測定結果である。
１ｓｃ （ｍＡ／ｃｍ） １４．３ １８．５曲線因子
（％） ５７ ６８ 変換効率 （％） ６．２ １０．５ 上記データは面積３ｍｉ Ｘ３．５ ｍ＋ｎ （１，０
５０ＴＡ）においてＡＭ １ （１００ｍＷ 、／ ｃ
＋ａ）を照射した室温での測定結果である。
このことより本発明は従来方法に比べて３．９％も高く
、さらにその効率が１０％の大台を太き（越えたという
きわめて工業上有効なものであった。
、さらにその効率が１０％の大台を太き（越えたという
きわめて工業上有効なものであった。
以上の結果より本発明は従来に比べて光電変換効率の特
性を３０％近くも大きく向上させることができ、多量生
産も可能であるという大きな特長を有していた。
性を３０％近くも大きく向上させることができ、多量生
産も可能であるという大きな特長を有していた。
本発明がメチルシランＤＭＳを主として示した。
しかし、すでに示したごとく、モノメチルシラン（ＩＩ
Ｓｓ （Ｃ１ｌｙ ）Ｊ）とシランとを用いても同様
である。また炭化珪素被膜の作製方法としてＰＣＶＩＩ
法を主として示した。しかしエキシマレーデを用い、光
ＣＶＤ法によりＭＳ （メチルシラン）とジシラン（Ｓ
ｉｔＨｒ）の反応をＢよＩｌｒ中で行うことは同様に有
効である。
Ｓｓ （Ｃ１ｌｙ ）Ｊ）とシランとを用いても同様
である。また炭化珪素被膜の作製方法としてＰＣＶＩＩ
法を主として示した。しかしエキシマレーデを用い、光
ＣＶＤ法によりＭＳ （メチルシラン）とジシラン（Ｓ
ｉｔＨｒ）の反応をＢよＩｌｒ中で行うことは同様に有
効である。
第１図は本発明のメチルシランを用いた方法と従来のメ
タンを用いた方法の特性を示す。 第２図は本発明のメチルシランを用いた場合のカケゎ、
２７．□７．７）’１１３４いイ、工。、□、。 １す
。 第３図は本発明のメチルシランを用いた方法および従来
のメタンを用いた方法で得られた成分の深さ分布をそれ
ぞれ（Ａ ＞、（Ｂ ）に示す。 第４図は本発明が応用された光電変換装置の縦断面図を
示す。 特許出願人 第１（至）
タンを用いた方法の特性を示す。 第２図は本発明のメチルシランを用いた場合のカケゎ、
２７．□７．７）’１１３４いイ、工。、□、。 １す
。 第３図は本発明のメチルシランを用いた方法および従来
のメタンを用いた方法で得られた成分の深さ分布をそれ
ぞれ（Ａ ＞、（Ｂ ）に示す。 第４図は本発明が応用された光電変換装置の縦断面図を
示す。 特許出願人 第１（至）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｓｉｌ＋４．（Ｃ１ｌ、） ｎ ｎ ＝ １〜３ま
たは５ｉｎ（ＣＨ５） ｎＨ（−１ｎ＝ｌ〜５で示され
るメチルシラン、水素化シラン（Ｓｉｍｌ（ｚｙ＋Ｌｍ
＝ １〜３ ）およびジボランの混合反応性気体に電
気エネルギまたは光エネルギを加えて５ｉｘＣ＋−ｘ
（０＜ｘ＜ １）を主成分とするＰ型具化珪素非単結晶
半導体を形成することを特徴とする炭化珪素被膜作製方
法。 ２、特許請求の範囲第１項において、基板上の透光性導
電股上にＣ／５ｉ＝０．０１〜０．５であるとともに、
電気伝導度がｌＸｌ０−’（Ωｃｍ）″以上の水素が混
入したＰ型具化珪素非単結晶半導体を形成することを特
徴とする炭化珪素被膜作製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59009865A JPS60154521A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 炭化珪素被膜作製方法 |
| US06/693,296 US4564533A (en) | 1984-01-23 | 1985-01-22 | Method for depositing silicon carbide non-single crystal semiconductor films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59009865A JPS60154521A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 炭化珪素被膜作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154521A true JPS60154521A (ja) | 1985-08-14 |
Family
ID=11732031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59009865A Pending JPS60154521A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 炭化珪素被膜作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4564533A (ja) |
| JP (1) | JPS60154521A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216514A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| JPS6216513A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体薄膜 |
| JPS63220580A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造の方法 |
| JPS63220579A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| US5206180A (en) * | 1990-08-10 | 1993-04-27 | Fuji Electric Corporate Research And Development Ltd. | Process for producing an amorphous photoelectric transducer |
| JP2012216593A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3429899A1 (de) * | 1983-08-16 | 1985-03-07 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms |
| US4759947A (en) * | 1984-10-08 | 1988-07-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming deposition film using Si compound and active species from carbon and halogen compound |
| US4797527A (en) * | 1985-02-06 | 1989-01-10 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Electrode for electric discharge machining and method for producing the same |
| US4728528A (en) * | 1985-02-18 | 1988-03-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film |
| US4726963A (en) * | 1985-02-19 | 1988-02-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film |
| US4778692A (en) * | 1985-02-20 | 1988-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film |
| US4818563A (en) * | 1985-02-21 | 1989-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film |
| US5244698A (en) * | 1985-02-21 | 1993-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film |
| US4853251A (en) * | 1985-02-22 | 1989-08-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film including carbon as a constituent element |
| US4801468A (en) * | 1985-02-25 | 1989-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film |
| JPH0614554B2 (ja) * | 1985-03-22 | 1994-02-23 | 工業技術院長 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| JP2537175B2 (ja) * | 1985-03-27 | 1996-09-25 | キヤノン株式会社 | 機能性堆積膜の製造装置 |
| US4695331A (en) * | 1985-05-06 | 1987-09-22 | Chronar Corporation | Hetero-augmentation of semiconductor materials |
| US4719123A (en) * | 1985-08-05 | 1988-01-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for fabricating periodically multilayered film |
| JPH0647727B2 (ja) * | 1985-12-24 | 1994-06-22 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| JPH084071B2 (ja) * | 1985-12-28 | 1996-01-17 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| US4690830A (en) * | 1986-02-18 | 1987-09-01 | Solarex Corporation | Activation by dehydrogenation or dehalogenation of deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices |
| EG18056A (en) * | 1986-02-18 | 1991-11-30 | Solarex Corp | Dispositif feedstock materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photo-voltaic devices and other semiconductor devices |
| US4910153A (en) * | 1986-02-18 | 1990-03-20 | Solarex Corporation | Deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices |
| JPS62198169A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 太陽電池 |
| JPS6384075A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| US4981071A (en) * | 1988-11-03 | 1991-01-01 | Leybold Aktiengesellschaft | Machine element with coating |
| US5011706A (en) * | 1989-04-12 | 1991-04-30 | Dow Corning Corporation | Method of forming coatings containing amorphous silicon carbide |
| US6153271A (en) * | 1999-12-30 | 2000-11-28 | General Vacuum, Inc. | Electron beam evaporation of transparent indium tin oxide |
| AU2002349757A1 (en) * | 2001-12-03 | 2003-06-23 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Method for forming thin film, substrate having thin film formed by the method, and photoelectric conversion device using the substrate |
| US20050115492A1 (en) * | 2003-11-28 | 2005-06-02 | Chia-Cheng Liu | Method and apparatus of the chemical metal organic vapor epitaxy for the multi-chamber epitaxy layer deposition |
| US8372489B2 (en) * | 2007-09-28 | 2013-02-12 | Tel Epion Inc. | Method for directional deposition using a gas cluster ion beam |
| US7794798B2 (en) * | 2007-09-29 | 2010-09-14 | Tel Epion Inc. | Method for depositing films using gas cluster ion beam processing |
| US20090233004A1 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-17 | Tel Epion Inc. | Method and system for depositing silicon carbide film using a gas cluster ion beam |
| US8202435B2 (en) * | 2008-08-01 | 2012-06-19 | Tel Epion Inc. | Method for selectively etching areas of a substrate using a gas cluster ion beam |
| JP4764469B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2011-09-07 | 三菱重工業株式会社 | 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法 |
| US8048788B2 (en) * | 2009-10-08 | 2011-11-01 | Tel Epion Inc. | Method for treating non-planar structures using gas cluster ion beam processing |
| US20110084214A1 (en) * | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Tel Epion Inc. | Gas cluster ion beam processing method for preparing an isolation layer in non-planar gate structures |
| US8237136B2 (en) * | 2009-10-08 | 2012-08-07 | Tel Epion Inc. | Method and system for tilting a substrate during gas cluster ion beam processing |
| US8753985B2 (en) * | 2012-01-17 | 2014-06-17 | Applied Materials, Inc. | Molecular layer deposition of silicon carbide |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115557A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
| JPS5892217A (ja) * | 1981-11-28 | 1983-06-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
-
1984
- 1984-01-23 JP JP59009865A patent/JPS60154521A/ja active Pending
-
1985
- 1985-01-22 US US06/693,296 patent/US4564533A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115557A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
| JPS5892217A (ja) * | 1981-11-28 | 1983-06-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216514A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| JPS6216513A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体薄膜 |
| JPS63220580A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造の方法 |
| JPS63220579A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| US5206180A (en) * | 1990-08-10 | 1993-04-27 | Fuji Electric Corporate Research And Development Ltd. | Process for producing an amorphous photoelectric transducer |
| JP2012216593A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 光起電力装置およびその製造方法、光起電力モジュール |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4564533A (en) | 1986-01-14 |
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