JPS587863A - 光トリガサイリスタ - Google Patents
光トリガサイリスタInfo
- Publication number
- JPS587863A JPS587863A JP56106019A JP10601981A JPS587863A JP S587863 A JPS587863 A JP S587863A JP 56106019 A JP56106019 A JP 56106019A JP 10601981 A JP10601981 A JP 10601981A JP S587863 A JPS587863 A JP S587863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- junction
- optical trigger
- light
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/26—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having three or more potential barriers, e.g. photothyristors
- H10F30/263—Photothyristors
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光トリガサイリスタの受光部の構成の改良
に関するものである。
に関するものである。
第１図は従来の光トリガサイリスクの一例の要部の断面
図である。第１図において、（１）、 （２） 、 （
３１は順次隣接するように形成されたＰ形エミッタ（Ｐ
ｚ）層、Ｎ形ペース（ＮＢ）層、Ｐ形ベース（ＦＢ ３
層、（４）はＰＢ層（８３の表面部に次記の受光部を囲
むように選択的に形成されたＮ形エミッタ（ム）層、（
５）はＰＢ層（３３のＮ、層（４１間の表面露出部であ
りこの光トリガサイリスタのゲート部として働く受光部
、（６）はＰＢ層（１１の表面に接着した陽極電極、（
７）はＮΣ盾（４１の表面に接着した陰極電極、Ｊｌ、
Ｊ、およびＪｌはそれぞれＮ、層（４１−ＦＢ層＋３１
間、ＰＢ層（３１−ＮＢ層（２）間およびＮＢ層［２）
−ＰＢ層（１）間に形成されたＰＮ接合である。
図である。第１図において、（１）、 （２） 、 （
３１は順次隣接するように形成されたＰ形エミッタ（Ｐ
ｚ）層、Ｎ形ペース（ＮＢ）層、Ｐ形ベース（ＦＢ ３
層、（４）はＰＢ層（８３の表面部に次記の受光部を囲
むように選択的に形成されたＮ形エミッタ（ム）層、（
５）はＰＢ層（３３のＮ、層（４１間の表面露出部であ
りこの光トリガサイリスタのゲート部として働く受光部
、（６）はＰＢ層（１１の表面に接着した陽極電極、（
７）はＮΣ盾（４１の表面に接着した陰極電極、Ｊｌ、
Ｊ、およびＪｌはそれぞれＮ、層（４１−ＦＢ層＋３１
間、ＰＢ層（３１−ＮＢ層（２）間およびＮＢ層［２）
−ＰＢ層（１）間に形成されたＰＮ接合である。
上記の光トリガサイリスクにおいて、受光部（ｒｌ）に
光を照射することにより導通状態になる。照射された光
は、受光部（５）から半導体基体中に入射し吸収されて
、次式に表わされるように減衰してゆく。
光を照射することにより導通状態になる。照射された光
は、受光部（５）から半導体基体中に入射し吸収されて
、次式に表わされるように減衰してゆく。
Ｐ（ｘ）−ｐｉｅ−”
ＣＩ）Ｐ工：入射光パワー α ：ａ収係数 Ｘ ：入射面からの距離 玖ｘ）：距離Ｘにおける光パワー 半導体基体中で吸収された光の一部は、電子・内で発生
した電子・正孔対の数があるレベルを越えれば、光トリ
ガサイリスタはター７オ／する。
ＣＩ）Ｐ工：入射光パワー α ：ａ収係数 Ｘ ：入射面からの距離 玖ｘ）：距離Ｘにおける光パワー 半導体基体中で吸収された光の一部は、電子・内で発生
した電子・正孔対の数があるレベルを越えれば、光トリ
ガサイリスタはター７オ／する。
従つ−（、〔Ｉ）式かられかるように、入射面か゛らＰ
Ｈ接合Ｊ１１の回りの空乏層のＦＢ層＋３Ｊ ｍの端面
までの距離が小さいほど、空乏層中に′多くの光が入射
する。
Ｈ接合Ｊ１１の回りの空乏層のＦＢ層＋３Ｊ ｍの端面
までの距離が小さいほど、空乏層中に′多くの光が入射
する。
従来の光トリガサイリスクは、光トリガ感度が低いとい
う欠点があった。それは、受光部（５）の光の入射面が
ら空乏層の上記の端面までの間の半導体基体中で光が吸
収されるため、空乏層に入射する光が減少するからであ
る。
う欠点があった。それは、受光部（５）の光の入射面が
ら空乏層の上記の端面までの間の半導体基体中で光が吸
収されるため、空乏層に入射する光が減少するからであ
る。
この発明は、上記の点に嫌みなされたものであり、受光
部に凹部を形成し、この凹部の底面とｐＢ層とＮＢ層と
が形成するＰＭ接合との間の距離を団〜６０μｍにする
ことによって、９のＰＮ接合に達する光パワーを増加さ
せて光トリガ感度を同上させた光トリガサイリスクを提
供することを目的としたものである。
部に凹部を形成し、この凹部の底面とｐＢ層とＮＢ層と
が形成するＰＭ接合との間の距離を団〜６０μｍにする
ことによって、９のＰＮ接合に達する光パワーを増加さ
せて光トリガ感度を同上させた光トリガサイリスクを提
供することを目的としたものである。
以下、実施例に基づいてこの発明を説明する。
第２図はこの発明による光トリガサイリスタの一実施例
の要部の断面図である。第２図において、第１図と同一
符号は第１図にて示したものと同様のものを表わしてい
る。（財）は受光部（５）に形成された凹部である。
の要部の断面図である。第２図において、第１図と同一
符号は第１図にて示したものと同様のものを表わしてい
る。（財）は受光部（５）に形成された凹部である。
凹部−を形成することによって、その底面である受光面
からＰＮ接合Ｊ２の回りの空乏層のＰｉ層（３）側の端
面まで距離が小さくなるから、入射光の上記の端面に達
するまでの減衰を減少させることができる。従って、〔
１３式の上では、凹部（６）の深さは深いほどよいわけ
であるが、実際には、凹部（２）の深さを深くし過ぎる
と、この光トリガサイリスクに高電圧を印加した時、Ｐ
Ｎ接合Ｊ２の回りの空乏層のＰｉ層（３）側の端面が凹
部（２）の底面に露出して、そこで放電などを起こして
、耐圧の低下を引き起こす。そこで、最適の深さを見出
す必要が生じた。
からＰＮ接合Ｊ２の回りの空乏層のＰｉ層（３）側の端
面まで距離が小さくなるから、入射光の上記の端面に達
するまでの減衰を減少させることができる。従って、〔
１３式の上では、凹部（６）の深さは深いほどよいわけ
であるが、実際には、凹部（２）の深さを深くし過ぎる
と、この光トリガサイリスクに高電圧を印加した時、Ｐ
Ｎ接合Ｊ２の回りの空乏層のＰｉ層（３）側の端面が凹
部（２）の底面に露出して、そこで放電などを起こして
、耐圧の低下を引き起こす。そこで、最適の深さを見出
す必要が生じた。
第３図は光トリガサイリスクへの印加電圧ＶＤとＦＢ層
（３）の不純物濃度分布より計算亭れたＰＮ接合Ｊ２か
らＦＢ層（３）側の空乏層の端面までの距離Ｘｐとの関
係を示すグラフである。第３図かられかるように、光ト
リガサイリスタに６０００７の電圧を印加したときは、
へは５７μｍＩｉ度となる。す、なゎち、空乏層はＰＩ
―合ＪｍからＰｉ層（９）側へ５７μｍ程度魁びている
わけである。従って、受光部（５）の凹部（２）の底面
は、ＰＭ接合Ｊ禦から、Ｐｉ・層（３）側の空乏層の端
面と同程度かそれ以上にＰＮ接合Ｊ漏から離れていなけ
ればいけない。この条件とＣＩ）式からの条件とを合わ
せ、かつ、光トリガサイリスクの個々の間のバラツキを
も考慮して、受光部（５）の凹部−の底面をＰｌｉ接合
接合跡２５５〜６０μｍの位置に持ってく、るのが最適
である。
（３）の不純物濃度分布より計算亭れたＰＮ接合Ｊ２か
らＦＢ層（３）側の空乏層の端面までの距離Ｘｐとの関
係を示すグラフである。第３図かられかるように、光ト
リガサイリスタに６０００７の電圧を印加したときは、
へは５７μｍＩｉ度となる。す、なゎち、空乏層はＰＩ
―合ＪｍからＰｉ層（９）側へ５７μｍ程度魁びている
わけである。従って、受光部（５）の凹部（２）の底面
は、ＰＭ接合Ｊ禦から、Ｐｉ・層（３）側の空乏層の端
面と同程度かそれ以上にＰＮ接合Ｊ漏から離れていなけ
ればいけない。この条件とＣＩ）式からの条件とを合わ
せ、かつ、光トリガサイリスクの個々の間のバラツキを
も考慮して、受光部（５）の凹部−の底面をＰｌｉ接合
接合跡２５５〜６０μｍの位置に持ってく、るのが最適
である。
以上説明したように、この発明の光トリガサイソ１スタ
においては、光の受光部に凹部を形成し、この凹部の位
置を二つのベース層が形成するＰＮ接合から受光部側へ
５５〜６０μｍの位置にしたので、耐圧を低下させるこ
とがない範囲内で、できるだけ光トリガ感度を増大させ
ることができる。
においては、光の受光部に凹部を形成し、この凹部の位
置を二つのベース層が形成するＰＮ接合から受光部側へ
５５〜６０μｍの位置にしたので、耐圧を低下させるこ
とがない範囲内で、できるだけ光トリガ感度を増大させ
ることができる。
第１図は従来の光トリガサイリスクの一例の断面図、第
２図はこの発明の一実施例の断面図、第３図は印加電圧
とＰＭ接合Ｊ２からｈ層側への空乏層の蔦びとの関係を
示すグラフである。 図において、（１１はＰ形エミッタ層（第１の導電形の
エミツタ層） 、（２）は［形ペース層（第２の導電形
のベース層）、（３３はＰ形ペース層（第１の導電形の
ベース層） 、 （４１はＮ形エミッタ層（第２の導電
形のエミツタ層） 、（５）は受光部、掴は凹部、Ｊｌ
ＩはＦＢ層（ＩＩ −ＮＢ層（２）間に形成されたＰＮ
接合（両ペース層が形成するＰＮ接合）である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１図 」 第２図 第３図 ゆ（ｌｉｎｔ）
２図はこの発明の一実施例の断面図、第３図は印加電圧
とＰＭ接合Ｊ２からｈ層側への空乏層の蔦びとの関係を
示すグラフである。 図において、（１１はＰ形エミッタ層（第１の導電形の
エミツタ層） 、（２）は［形ペース層（第２の導電形
のベース層）、（３３はＰ形ペース層（第１の導電形の
ベース層） 、 （４１はＮ形エミッタ層（第２の導電
形のエミツタ層） 、（５）は受光部、掴は凹部、Ｊｌ
ＩはＦＢ層（ＩＩ −ＮＢ層（２）間に形成されたＰＮ
接合（両ペース層が形成するＰＮ接合）である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。 代理人 葛 野 信 −（外１名） 第１図 」 第２図 第３図 ゆ（ｌｉｎｔ）
Claims (1)
- （１１第１の導電形のエミツタ層、第２の＃ｉ導電形ベ
ース層および第１の導電形のベース層が順次隣接するよ
うに形成され上記第１の導電形のべ一入屡の表面部の受
光部を囲むようにこの表面部に第２の導電形のエミツタ
層が選択的に形成され上記受光部に光入射用の凹部を有
するものにおいて、上記凹部の底面が上記両ベース層が
形成するＰＭ接合から上記受光部側へ５５〜６０μｍの
位置にあるようにしたことを特徴とする光トリガサイリ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56106019A JPS587863A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 光トリガサイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56106019A JPS587863A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 光トリガサイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587863A true JPS587863A (ja) | 1983-01-17 |
Family
ID=14422935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56106019A Pending JPS587863A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 光トリガサイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587863A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49130192A (ja) * | 1973-04-13 | 1974-12-13 | ||
| JPS53112682A (en) * | 1977-03-14 | 1978-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | Photo thyristor |
| JPS5440577A (en) * | 1977-09-06 | 1979-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of thyristor |
-
1981
- 1981-07-06 JP JP56106019A patent/JPS587863A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49130192A (ja) * | 1973-04-13 | 1974-12-13 | ||
| JPS53112682A (en) * | 1977-03-14 | 1978-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | Photo thyristor |
| JPS5440577A (en) * | 1977-09-06 | 1979-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of thyristor |
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