JPS587887A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

Info

Publication number
JPS587887A
JPS587887A JP56105398A JP10539881A JPS587887A JP S587887 A JPS587887 A JP S587887A JP 56105398 A JP56105398 A JP 56105398A JP 10539881 A JP10539881 A JP 10539881A JP S587887 A JPS587887 A JP S587887A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stem
cap
resin
optical semiconductor
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56105398A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Hasegawa
治 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP56105398A priority Critical patent/JPS587887A/ja
Publication of JPS587887A publication Critical patent/JPS587887A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/8506—Containers

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体発光装置、半導体発光装置に関し１．Ｉ
Ｋ詳しくはステムの加熱により中ヤップを封止し九構造
の光半導体装置に関するものである。
従来、ガラス封止の光半導体装置は図ＩＫ示す様にテッ
プｌがマウントされたステム２と、窓を形成しているガ
ラス３が接着され九午ヤップ４とを部分ＡＫて溶接封止
していた。この溶接封止はキャップ４を治具にセットし
、筐たステム２を治具セットし、そして溶接された素子
を治具から取〕はずす（圧力を加えるので治ＡＫ＜い込
んでいる）などの作業の丸め、量産性に乏しいこと、ま
九これらの作業が窒素ボックス中で行われるという作業
性の悪さなどの欠点がＴｏりた〇 本発明は作業工数の低減、量産性の向上１部材の低価格
化を意図したものである。
この目的は、本発ｗＡＫよれば、透明部を有する樹脂製
キャップを、ステムＯ加熱によ〕溶着することによりて
封止したことを特徴とする光半導体装置とすることによ
り達成される〇 以下、図面に示し九実施例を参照して本発明を詳述しよ
う〇 図２乃至［１４はいずれも本発明ＯｇＡ施例になる光半
導体装置の断面図である。
図２において、２はテップ１がマウントされたステムで
あ〕、これ自体は従来と同様である◎５はキャップであ
シ、透明樹脂より成る。本生導体素子Ｏ封止は窒素雰囲
気中でヒータ上にステムをによつて封止される。キャッ
プとステムの関が必ずしも同一面でなくても、曵キップ
を軽く押えることにより、全面溶着することが可能であ
る〇轟樹脂製キャップｌはモールドが可能で同じ形状の
４０が貴意できる。中ヤップはモールド蓋に対応するの
で１頁をも可能である・発光素子、受光素子とも指向特
性を持たす丸めレンズを用いることがｈるが、轟樹脂＊
＊−ヤップはガラスと金属キャップの溶接が不要である
ため、コスト面で太いに８点がある。図３にレンズ付半
導体装置の断面を示す０６はレンズ部である＠キャップ
の樹脂材料としてはメタアクリル、塩化ビニールなどが
用いられるが、必要な波長に対して透明であれはどの様
な材料でもよい。ま大所望の光路のみ透明でそれ以外は
遮光という中ヤップも可能である０１１４に例を示す０
斜線を施した遮光部７は他の樹脂材料を使用しても差し
障えないし、同一材料で不透明不純物をドービ／グ、ｔ
たは混入してもよい０遇一部８Ｆｉレンズ作用もなす。
画先半導体装置ａ従来めものと比して、窒素封入中光学
的特性など変わりはない◎接着剤などの補助材料をも必
要とせず少ない工数で組み立てられる。ヒータ（電熱も
しくは赤外線加熱）ブロックについてもステムを置く場
所な複数個設けるととによシ、連続処理（順送シする）
もしくは一括処理が可能であシ、大量生産に適している
。狗、ステム２の加熱には、誘導加熱を利用してもよい
し、赤外線、レーザーの如き輻射線を利用してもよい。
樹脂の溶着による封止の場合ステム２は１００〜ｂ の影畳はない。この場合レーザーによってステム周囲の
樹脂を溶融すれば、ステムの加熱は抑えられる。−万、
キャップについては同一寸法のものが大量に出来、材料
も廉価であるため、本光半導体装置は従来品に較べて極
めて低コストである０図１は従来の光半導体装置の断圃
図、夢２乃至図４は本発明の各実施例罠なる光半導体装
置の断面図である。
図中、Ｈａｔ光半導体素子チップ、２はステム、５は樹
脂製キャップ、６はレンズ部、７は遮光部、図１ ｒＥＪ３　　　　　。
図２ １ｆｆ１４

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 透一部を有する樹脂製キャップを、ステムの加熱により
    溶着するととによって封止したことを特休 黴とする光半導体装置。
JP56105398A 1981-07-06 1981-07-06 光半導体装置 Pending JPS587887A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56105398A JPS587887A (ja) 1981-07-06 1981-07-06 光半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56105398A JPS587887A (ja) 1981-07-06 1981-07-06 光半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS587887A true JPS587887A (ja) 1983-01-17

Family

ID=14406521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56105398A Pending JPS587887A (ja) 1981-07-06 1981-07-06 光半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS587887A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59129476A (ja) * 1983-01-14 1984-07-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光電変換装置
JPS6327064U (ja) * 1986-08-06 1988-02-22
JPS63108651U (ja) * 1986-12-27 1988-07-13
JPS63253676A (ja) * 1987-04-10 1988-10-20 Sony Corp 発光装置
JPS6459972A (en) * 1987-08-31 1989-03-07 Nec Corp Optical semiconductor device
US5436492A (en) * 1992-06-23 1995-07-25 Sony Corporation Charge-coupled device image sensor
JP2002520819A (ja) * 1998-06-30 2002-07-09 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 電磁ビームを検出するための装置
EP0976589A4 (en) * 1997-03-18 2006-11-08 Acol Technologies S A LUMINESCENT DIODE
EP1926154A3 (en) * 2006-11-21 2011-03-30 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59129476A (ja) * 1983-01-14 1984-07-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光電変換装置
JPS6327064U (ja) * 1986-08-06 1988-02-22
JPS63108651U (ja) * 1986-12-27 1988-07-13
JPS63253676A (ja) * 1987-04-10 1988-10-20 Sony Corp 発光装置
JPS6459972A (en) * 1987-08-31 1989-03-07 Nec Corp Optical semiconductor device
US5436492A (en) * 1992-06-23 1995-07-25 Sony Corporation Charge-coupled device image sensor
EP0976589A4 (en) * 1997-03-18 2006-11-08 Acol Technologies S A LUMINESCENT DIODE
JP2002520819A (ja) * 1998-06-30 2002-07-09 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング 電磁ビームを検出するための装置
EP1926154A3 (en) * 2006-11-21 2011-03-30 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device
US8106414B2 (en) 2006-11-21 2012-01-31 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4894707A (en) Semiconductor device having a light transparent window and a method of producing same
JPS587887A (ja) 光半導体装置
US3924246A (en) Ultraviolet-transmitting window
EP0859255A2 (en) Optical coupling structure using gel resin
CN109003971B (zh) 用于光电器件的外壳及其生产方法、以及用于外壳的盖
US20070126915A1 (en) Digital camera module packaging method
US4504427A (en) Solder preform stabilization for lead frames
JPS611068A (ja) 光半導体装置
JPH0582819A (ja) 太陽電池モジユールの製造方法
JPS62174956A (ja) プラスチツク・モ−ルド型半導体装置
JPS59175751A (ja) 樹脂封止形半導体装置
JP2983767B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPS58184219A (ja) 温度ヒユ−ズの製造方法
JPS58207656A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US4731753A (en) Package for semiconductor device
JPH03105950A (ja) 半導体集積回路のパッケージ
JP2501811Y2 (ja) 光半導体装置
JPH0658938B2 (ja) 半導体装置
JPH07254657A (ja) 集積回路パッケージおよびその光透過窓形成方法
JPH05259483A (ja) 光電変換用半導体パッケージ
JP3138260B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JPS63196066A (ja) 半導体装置
JPS5893387A (ja) 反射型光結合半導体装置の製造方法
JPH01238046A (ja) 固体撮像装置
JPH05206522A (ja) 光半導体モジュ−ル