JPS587914B2 - 沸騰冷却用放熱体の表面処理方法 - Google Patents
沸騰冷却用放熱体の表面処理方法Info
- Publication number
- JPS587914B2 JPS587914B2 JP51111489A JP11148976A JPS587914B2 JP S587914 B2 JPS587914 B2 JP S587914B2 JP 51111489 A JP51111489 A JP 51111489A JP 11148976 A JP11148976 A JP 11148976A JP S587914 B2 JPS587914 B2 JP S587914B2
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- Japan
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- heat
- boiling
- heat sink
- heat dissipation
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- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、冷媒の沸騰時の気化潜熱により冷却される
放熱体の表面処理方法に関するものである。
放熱体の表面処理方法に関するものである。
第1図はこのような放熱体を装着した沸騰冷却形半導体
装置の断面図で、1は平形半導体素子、2はこの半導体
素子1に受熱面が圧接された(圧接機構は図示を省略す
る)銅などの良熱伝導材からなる放熱体で、この例では
フィンが形成され冷媒に接する広い放熱面21を有する
。
装置の断面図で、1は平形半導体素子、2はこの半導体
素子1に受熱面が圧接された(圧接機構は図示を省略す
る)銅などの良熱伝導材からなる放熱体で、この例では
フィンが形成され冷媒に接する広い放熱面21を有する
。
4は密閉容器、5は密閉容器4の外表面に設けられた冷
起用フィンである。
起用フィンである。
このように構成された沸騰冷却形半導体装置では、半導
体素子1の発生熱は放熱体2を介して冷媒3の沸騰気化
潜熱として奪われ、半導体素子1は冷却される。
体素子1の発生熱は放熱体2を介して冷媒3の沸騰気化
潜熱として奪われ、半導体素子1は冷却される。
沸騰により気化した冷媒3は密閉容器4の上部空間に上
昇し、冷却フイン5によって冷却された容器4の内壁面
で凝縮、液化し、放熱して再び容器4の下部に戻る循環
を繰返す。
昇し、冷却フイン5によって冷却された容器4の内壁面
で凝縮、液化し、放熱して再び容器4の下部に戻る循環
を繰返す。
容器4内におけるこの冷媒3の沸騰気化、凝縮液化の繰
り返し作用により、半導体素子1の発生熱は外部に放散
される。
り返し作用により、半導体素子1の発生熱は外部に放散
される。
従来から放熱体2にフィンを設けたり、更にはフィンの
表面にギザギザを形成したりすることにより放熱面21
の増大を図ることが行なわれている。
表面にギザギザを形成したりすることにより放熱面21
の増大を図ることが行なわれている。
しかし単に放熱面積を増すだけでは放熱体2の沸騰表面
熱伝達率を効果的に増すことはできず、熱負荷に応じて
大形の放熱体2を必要とした。
熱伝達率を効果的に増すことはできず、熱負荷に応じて
大形の放熱体2を必要とした。
一方、沸騰冷却用放熱体2の放熱面21を、微細な多孔
質に構成することにより、放熱面21における気泡の発
生が促進され、放熱体2の沸騰表面熱伝達率を著しく増
大させうることが現象的に知られている。
質に構成することにより、放熱面21における気泡の発
生が促進され、放熱体2の沸騰表面熱伝達率を著しく増
大させうることが現象的に知られている。
しかし放熱面21を実効ある微細多孔質面に加工する経
済的な手段がなく、その実現が望まれていた。
済的な手段がなく、その実現が望まれていた。
この発明は、このような現況に鑑みてなされたもので、
加工技術が確立されているサンドブラスト法または液体
ホーニング法により粗い研磨剤を用いてまづ放熱面21
を粗面化し、ついでこの粗面化した放熱面を、それより
更に細かい10〜400メッシュの研磨材を用いて微細
多孔質面に削蝕することにより簡単、安価で、しかも良
好な沸騰伝熱特性が得られることを見いだしこの発明を
完成したものである。
加工技術が確立されているサンドブラスト法または液体
ホーニング法により粗い研磨剤を用いてまづ放熱面21
を粗面化し、ついでこの粗面化した放熱面を、それより
更に細かい10〜400メッシュの研磨材を用いて微細
多孔質面に削蝕することにより簡単、安価で、しかも良
好な沸騰伝熱特性が得られることを見いだしこの発明を
完成したものである。
第2図はこの発明にかかる表面処理を施した放熱体2の
部分的拡大断面図であり、放熱面21に、サンドブラス
ト法または液体ホーニング法により、まづ粗い凹凸面を
形成し、ついでこの粗い凹凸面の上に、更に微細な凹凸
面を形成する表面加工手順を示す説明図を兼ねている。
部分的拡大断面図であり、放熱面21に、サンドブラス
ト法または液体ホーニング法により、まづ粗い凹凸面を
形成し、ついでこの粗い凹凸面の上に、更に微細な凹凸
面を形成する表面加工手順を示す説明図を兼ねている。
図中放熱体2の右側部分の表面の破線で示す表面加工し
ない前の放熱面21に粗い凹凸面21aを形成した状態
を図中右側部分に、粗い凹凸面21aの上に更に微細な
凹凸面21bを形成した状態を図中左側部分に示す。
ない前の放熱面21に粗い凹凸面21aを形成した状態
を図中右側部分に、粗い凹凸面21aの上に更に微細な
凹凸面21bを形成した状態を図中左側部分に示す。
上記の粗い凹凸面21aはサンドブラスト法または液体
ホーニング法による削蝕加工法において使用する研磨剤
の粒度を粗いものを適用することによって、短時間で容
易に形成させることができる。
ホーニング法による削蝕加工法において使用する研磨剤
の粒度を粗いものを適用することによって、短時間で容
易に形成させることができる。
また微細な凹凸面21bは、同じ方法で、研磨剤の粒度
を細かくすることにより容易に形成させることができる
。
を細かくすることにより容易に形成させることができる
。
サンドブラスト加工または液体ホーニング加工の代表的
な方法は、第2図に示すように、ノズル11の先端から
適当な粒度をもつ例えば砂などの研磨剤12、もしくは
この研磨剤12と水などの液体13との混合物を、圧縮
空気などを用いて高速度で被加工面に吹付けるもので、
単に研磨剤の粒度を変えるだけで被加工面に形成される
凹凸の粗さを所望のものとすることができる利点がある
。
な方法は、第2図に示すように、ノズル11の先端から
適当な粒度をもつ例えば砂などの研磨剤12、もしくは
この研磨剤12と水などの液体13との混合物を、圧縮
空気などを用いて高速度で被加工面に吹付けるもので、
単に研磨剤の粒度を変えるだけで被加工面に形成される
凹凸の粗さを所望のものとすることができる利点がある
。
更に放熱面21上に形成された粗い凹凸面21aは、同
様の方法で吹付けられる細かい研磨剤に対して死角を生
じることがないため、全面にわたって微細な凹凸面21
bが形成されるという利点を有するものである。
様の方法で吹付けられる細かい研磨剤に対して死角を生
じることがないため、全面にわたって微細な凹凸面21
bが形成されるという利点を有するものである。
上記のような凹凸面21a,21bを有する放熱体2を
用いた第1図の装置における半導体素子1の冷却は次の
ようになされる。
用いた第1図の装置における半導体素子1の冷却は次の
ようになされる。
すなわち半導体素子1が通電により発熱するとその両面
に圧接された放熱体2の温度が上昇し、放熱面21に直
接に接触する冷媒3は沸騰を開始する。
に圧接された放熱体2の温度が上昇し、放熱面21に直
接に接触する冷媒3は沸騰を開始する。
この際、半導体素子1の発熱は放熱体2を介して冷媒3
の沸騰気化潜熱として奪われ、半導体素子1は冷却され
る。
の沸騰気化潜熱として奪われ、半導体素子1は冷却され
る。
沸騰により気化した冷媒3は密閉容器4の上部空間に上
昇し、冷却フイン5によって冷却された容器4の内壁面
で凝縮、液化し、放熱して再び容器4の下部に戻る循環
を繰り返す、容器4内におけるこの冷媒3の沸騰気化、
凝縮液化の繰り返し作用により、半導体素子1の発生熱
は外部に放散される。
昇し、冷却フイン5によって冷却された容器4の内壁面
で凝縮、液化し、放熱して再び容器4の下部に戻る循環
を繰り返す、容器4内におけるこの冷媒3の沸騰気化、
凝縮液化の繰り返し作用により、半導体素子1の発生熱
は外部に放散される。
この場合上記のような表面処理を施こした放熱面21は
、粗い凹凸面21aのみあるいは微細な凹凸面21bの
みが形成された放熱面もしくは上記加工をまったく施さ
ない放熱面に比べて著しくすぐれた沸騰伝熱効果をもた
らすことが実験的に確かめられた。
、粗い凹凸面21aのみあるいは微細な凹凸面21bの
みが形成された放熱面もしくは上記加工をまったく施さ
ない放熱面に比べて著しくすぐれた沸騰伝熱効果をもた
らすことが実験的に確かめられた。
第3図は沸騰熱伝達特性を比較するための特性図である
。
。
第3図において、特性曲線イはこの発明に係る放熱体の
沸騰表面熱伝達特性を示し、特性曲線口は何ら表面加工
を施さない放熱体2の沸騰表面熱伝達特性を示すもので
、縦軸は熱流束q1横軸は過熱度△Tを示す。
沸騰表面熱伝達特性を示し、特性曲線口は何ら表面加工
を施さない放熱体2の沸騰表面熱伝達特性を示すもので
、縦軸は熱流束q1横軸は過熱度△Tを示す。
この特性図から明らかなように、この発明に係る表面加
工処理を施した放熱体は、表面無加工の放熱体と比べ、
同じ熱流束qに対して、より低い過熱度△Tで動作し、
表面無加工の放熱体と比べてすぐれた熱伝達特性をもつ
ことがわかる。
工処理を施した放熱体は、表面無加工の放熱体と比べ、
同じ熱流束qに対して、より低い過熱度△Tで動作し、
表面無加工の放熱体と比べてすぐれた熱伝達特性をもつ
ことがわかる。
以下、その理由を推論的に説明する。
いま表面無加工の放熱体2が特性曲線口上のA点で使用
されていたとすると、このときの熱流束q1、過熱度は
△T1で与えられる。
されていたとすると、このときの熱流束q1、過熱度は
△T1で与えられる。
次にこの放熱体2と同一の形状で放熱面21に粗い凹凸
面21aのみを形成して放熱面21の表面積を拡大した
場合の動作点は曲線口上のB点に移り、熱流束、過熱度
はそれぞれq2,△T2となり、過熱度は先の△T1よ
り小さい△T2となる。
面21aのみを形成して放熱面21の表面積を拡大した
場合の動作点は曲線口上のB点に移り、熱流束、過熱度
はそれぞれq2,△T2となり、過熱度は先の△T1よ
り小さい△T2となる。
また、放熱体2の形状を同一とし、放熱面21に微細な
凹凸面2lbのみを形成した場合放熱体2の動作点は曲
線イ上のC点で与えられ、熱流束、過熱度はそれぞれq
1,△T3となる。
凹凸面2lbのみを形成した場合放熱体2の動作点は曲
線イ上のC点で与えられ、熱流束、過熱度はそれぞれq
1,△T3となる。
次に粗い凹凸面21aと微細な凹凸面21bとを形成さ
せたこの発明に係る放熱体2では、曲線イ上のD点が動
作点として与えら札この場合熱流束はq2、過熱度は△
T4で与えらわ、過熱度△T4は先の△T1,△T2,
△T3などと比べてきわめて低い値をとる。
せたこの発明に係る放熱体2では、曲線イ上のD点が動
作点として与えら札この場合熱流束はq2、過熱度は△
T4で与えらわ、過熱度△T4は先の△T1,△T2,
△T3などと比べてきわめて低い値をとる。
この場合、放熱面21に微細な凹凸面2lbを加工する
際の研磨剤12の粒度を替え、て比較試験を行なった結
果、微細な凹凸面を加工する際の研磨剤12の粒度とし
ては10〜400メッシュ程度の範囲のものを適用した
場合に有効な熱伝達特性をもつことを確認した。
際の研磨剤12の粒度を替え、て比較試験を行なった結
果、微細な凹凸面を加工する際の研磨剤12の粒度とし
ては10〜400メッシュ程度の範囲のものを適用した
場合に有効な熱伝達特性をもつことを確認した。
また、放熱面21に微細な凹凸面2lbを形成する前に
予じめ粗い凹凸面21aを形成させることは、放熱面2
1の実効的放熱面積の拡大を図ることになり、放熱体2
の低熱流束化を来すという効果の外に、上記の全面に微
細な凹凸面2lbが容易となり、気泡発生のための沸騰
核がより多く作られることによる効果が大きいものと考
えられる。
予じめ粗い凹凸面21aを形成させることは、放熱面2
1の実効的放熱面積の拡大を図ることになり、放熱体2
の低熱流束化を来すという効果の外に、上記の全面に微
細な凹凸面2lbが容易となり、気泡発生のための沸騰
核がより多く作られることによる効果が大きいものと考
えられる。
この発明に係る表面処理方法は実施例にあげた半導体装
置の放熱体に適用する場合に限られるものではなく例え
ばレーザ装置など局部より多量の熱を出すものの沸騰冷
却に適用しても好ましい結果をもたらす。
置の放熱体に適用する場合に限られるものではなく例え
ばレーザ装置など局部より多量の熱を出すものの沸騰冷
却に適用しても好ましい結果をもたらす。
この他冷却装置等における蒸発器の伝熱管など上記半導
体装置などに比べ比較的低い熱流束で用いられるものに
適用しても同様の効果が得られることはいうまでもない
。
体装置などに比べ比較的低い熱流束で用いられるものに
適用しても同様の効果が得られることはいうまでもない
。
さらに放熱体の形状も上記実施例のようにブロック状の
ものに限定されるものではなくパイプ状のものなど任意
の形状をもつものに適用できることはいうまでもなく、
その加工方法も簡単で加工時間もごく短かいため、きわ
めて安価にすぐれた特性をもつ放熱体を提供できるとい
う大きな利点を有する。
ものに限定されるものではなくパイプ状のものなど任意
の形状をもつものに適用できることはいうまでもなく、
その加工方法も簡単で加工時間もごく短かいため、きわ
めて安価にすぐれた特性をもつ放熱体を提供できるとい
う大きな利点を有する。
以上詳述したように、この発明は放熱体の冷媒に接触す
る放熱面にまずサンドブラスト法または液体ホーニング
法により比較的粗い凹凸面を形成させ、ついで10〜4
00メッシュの研磨剤を用いて同じ加工法を適用してこ
の上に更に微細な凹凸面を形成させるようにしたもので
、簡単な工程で製作することができるにもかかわらず良
好な沸騰熱伝達特性を有する放熱体とすることができる
もので、実用上きわめて有用なものである。
る放熱面にまずサンドブラスト法または液体ホーニング
法により比較的粗い凹凸面を形成させ、ついで10〜4
00メッシュの研磨剤を用いて同じ加工法を適用してこ
の上に更に微細な凹凸面を形成させるようにしたもので
、簡単な工程で製作することができるにもかかわらず良
好な沸騰熱伝達特性を有する放熱体とすることができる
もので、実用上きわめて有用なものである。
第1図はこの発明による放熱体を適用した沸騰冷却半導
体装置の一実施例の構成を示す断面図、第2図はこの発
明による放熱体の加工方法を示す説明図、第3図はこの
発明による表面処理の有無による放熱体の沸騰熱伝達特
性を比較するための特性図である。 図中、1は平形半導体素子、2は放熱体、21は放熱体
2の放熱面、21aは粗い凹凸面、21bは微細な凹凸
面、3は冷媒、4は密閉容器、5は冷却フィンである。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
体装置の一実施例の構成を示す断面図、第2図はこの発
明による放熱体の加工方法を示す説明図、第3図はこの
発明による表面処理の有無による放熱体の沸騰熱伝達特
性を比較するための特性図である。 図中、1は平形半導体素子、2は放熱体、21は放熱体
2の放熱面、21aは粗い凹凸面、21bは微細な凹凸
面、3は冷媒、4は密閉容器、5は冷却フィンである。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一または相当部分を示
す。
Claims (1)
- 1 液状冷媒に接触する放熱面をサンドブラスト法また
は液体ホーニング法により粗い研磨剤を用いて粗面とな
し、ついで上記研磨剤よりも更に細かい10〜400メ
ッシュの研磨剤を用いサンドブラスト法または液体ホー
ニング法により上記粗面に形成された放熱面の表面を多
孔質面に削蝕することを特徴とする沸騰冷却用放熱体の
表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51111489A JPS587914B2 (ja) | 1976-09-16 | 1976-09-16 | 沸騰冷却用放熱体の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51111489A JPS587914B2 (ja) | 1976-09-16 | 1976-09-16 | 沸騰冷却用放熱体の表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5297458A JPS5297458A (en) | 1977-08-16 |
| JPS587914B2 true JPS587914B2 (ja) | 1983-02-12 |
Family
ID=14562554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51111489A Expired JPS587914B2 (ja) | 1976-09-16 | 1976-09-16 | 沸騰冷却用放熱体の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587914B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6354557U (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-12 | ||
| JP2016125762A (ja) * | 2014-12-27 | 2016-07-11 | 国立大学法人徳島大学 | 熱交換器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6312114B1 (ja) * | 2016-06-29 | 2018-04-18 | 三菱電機株式会社 | 車両用回転電機 |
-
1976
- 1976-09-16 JP JP51111489A patent/JPS587914B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6354557U (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-12 | ||
| JP2016125762A (ja) * | 2014-12-27 | 2016-07-11 | 国立大学法人徳島大学 | 熱交換器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5297458A (en) | 1977-08-16 |
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