JPS5880645A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents
電子写真用光導電部材Info
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- JPS5880645A JPS5880645A JP56179434A JP17943481A JPS5880645A JP S5880645 A JPS5880645 A JP S5880645A JP 56179434 A JP56179434 A JP 56179434A JP 17943481 A JP17943481 A JP 17943481A JP S5880645 A JPS5880645 A JP S5880645A
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- Japan
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- layer
- atoms
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- photoconductive
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。
可視光線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の嫌な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する０固体操像装置、
或いは像形成分野における電子写真用像形成部材や原稿
読取装置における光導電層を形成する光導電材料として
は、高感度で、ＳＮ比〔光電流（ニジ）／暗電流（エリ
）が高く、照射する電磁波のスペク）ｋ特性にマツチン
グした吸収スペクトに特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体
に対して無公害である事、更には固体撮像装置において
は、残像を所定時間内に容易に鵡理することが出来る事
等の特性が要求される。殊に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組込まれる電子写真用像形
成部材の場合には、上記の使用時における無公害性は重
要な点である・ この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
Ｔ峰ル７アスシリコＶ（以後１−８１と表配す）があり
、例えば、ｌ１ｋｌｉ会−ＩＩ ２１４６９６７号盆報
、岡菖２Ｂ５５７１８号公報には電子写真層像形成部材
として、独四公開ＩＥ ２９５５４１１号会報には充電
変換読取装置への応用が記載されている。
波に感受性のある光導電部材に関する０固体操像装置、
或いは像形成分野における電子写真用像形成部材や原稿
読取装置における光導電層を形成する光導電材料として
は、高感度で、ＳＮ比〔光電流（ニジ）／暗電流（エリ
）が高く、照射する電磁波のスペク）ｋ特性にマツチン
グした吸収スペクトに特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体
に対して無公害である事、更には固体撮像装置において
は、残像を所定時間内に容易に鵡理することが出来る事
等の特性が要求される。殊に、事務機としてオフィスで
使用される電子写真装置内に組込まれる電子写真用像形
成部材の場合には、上記の使用時における無公害性は重
要な点である・ この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
Ｔ峰ル７アスシリコＶ（以後１−８１と表配す）があり
、例えば、ｌ１ｋｌｉ会−ＩＩ ２１４６９６７号盆報
、岡菖２Ｂ５５７１８号公報には電子写真層像形成部材
として、独四公開ＩＥ ２９５５４１１号会報には充電
変換読取装置への応用が記載されている。
面乍ら、従来の１−８１で構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性の
点更には経時的安定性の点において、結合的な特性向上
を計る必要があるという更に改良される可き点が存する
のが実情である。
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性の
点更には経時的安定性の点において、結合的な特性向上
を計る必要があるという更に改良される可き点が存する
のが実情である。
例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来において
はその使用時において残雪電位が残る場合が度々観測さ
れ、この様な種の光導電部材は繰返し長時間使用し絖け
ると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生
ずる所謂ゴース）現象を発する様になる等の不部会な点
が少なくなかった０ 又は例えば、本発明者等の多くの実験によれば、電子写
真用像形成部材の光導電層を構成する材料としてのａ−
８ｔは、従来（Ｄ Ｓ＠、 Ｇａ＠ ＺｍＯ或イＬｔＰ
ＶＧｍやＴＮＦ等の光導電材に較べて、数多（の利点を
有するが、従来の太陽電池用として使用するための特性
が付与されたａ−８１から成る単層構成の光導電層を有
する電子写真用像形成部材の上記光導電層に静電像形成
のための帯電地理を施しても暗減衰（ｄａｒｋ １１・
◎ａｙ）が著しく速（、通常の電子写真法が仲仲適用さ
れ難い事、及び多渥雰ｌＩ気中においては、上記傾向が
着しく、場合によっては現像時間まで帯電々荷を殆んど
保持し得ない事がある等、解決され得る可き点が存在し
ている事が判明している。
感度、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来において
はその使用時において残雪電位が残る場合が度々観測さ
れ、この様な種の光導電部材は繰返し長時間使用し絖け
ると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生
ずる所謂ゴース）現象を発する様になる等の不部会な点
が少なくなかった０ 又は例えば、本発明者等の多くの実験によれば、電子写
真用像形成部材の光導電層を構成する材料としてのａ−
８ｔは、従来（Ｄ Ｓ＠、 Ｇａ＠ ＺｍＯ或イＬｔＰ
ＶＧｍやＴＮＦ等の光導電材に較べて、数多（の利点を
有するが、従来の太陽電池用として使用するための特性
が付与されたａ−８１から成る単層構成の光導電層を有
する電子写真用像形成部材の上記光導電層に静電像形成
のための帯電地理を施しても暗減衰（ｄａｒｋ １１・
◎ａｙ）が著しく速（、通常の電子写真法が仲仲適用さ
れ難い事、及び多渥雰ｌＩ気中においては、上記傾向が
着しく、場合によっては現像時間まで帯電々荷を殆んど
保持し得ない事がある等、解決され得る可き点が存在し
ている事が判明している。
更に、ａ−８ｉ材料は、その電気的、光導電的特性の改
良を計るために、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等
のハーゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子噂が或いはその他の特性改良のために他の原
子が各々構成原子として含有されるが、これ等の構成原
子の含有の仕方如何によっては、層形成した際の機械的
特性に問題が生ずる場合がある。
良を計るために、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等
のハーゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子噂が或いはその他の特性改良のために他の原
子が各々構成原子として含有されるが、これ等の構成原
子の含有の仕方如何によっては、層形成した際の機械的
特性に問題が生ずる場合がある。
即ち、例えば、電子写真用像形成部材の場合には、通常
はアルＲ１ラム等の金属材料で出来た６・筒状の支持体
上に１−８ｉ層が形成されるが、程度問題は層の作成条
件にも依存するけれどもその歪特性の大きさ故に、層に
亀列が生じたり、支持体上から浮いたり、或いは層全体
が剥離して仕舞う等の不都合さが生ずる場合が少なくな
い◇又、−色に通常のａ −Ｓｉ重層体は、γルｌｘウ
ム等の金属材料で出来た支持体には、密着性の点でそれ
程良い特性を示すものではなく、従って長期的な繰返し
使用特性に問題があり、又支持体とと １−８ｉ層＾の良好な電気的接触の形成が経時的変化も
含めて仲々出来ないという問題もある◇従って、ａ−８
ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方で光導電部材
を設計する際に、上記した様な所望の電気的、光学的及
び光導電的特性が得１−８１に就で電子写真用ＩＩＩ彫
成部材や固体撮像装置、読取装置等に使用される光導電
部材としての適用性とその応用性という観点から総括的
に鋭意研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体とし
、水素原子（Ｈ）又はハロゲ８原子（Ｘ）のいずれか一
方を少なくとも含有するアモルファス材料、所謂水ｗｔ
化アモルファスシリコン、ハロゲン化ア篭ルファスシリ
コン、或いはハロゲン含有水素化γ％に７アスシ９コン
〔以後これ等の総称的表記としてａ−ａｔ（Ｈ，Ｘ）を
使用する〕から構成される光導電層を有する光導電部材
の層構造を特定化するＩＩＫ設計されて作成された光導
を部材は実用上奢しく優れた特性を示すばかりでなく、
従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌
駕していること、殊に電子写真用の光導電部材として著
しく優れた特性を有していることを見出した点に基づい
ている。
はアルＲ１ラム等の金属材料で出来た６・筒状の支持体
上に１−８ｉ層が形成されるが、程度問題は層の作成条
件にも依存するけれどもその歪特性の大きさ故に、層に
亀列が生じたり、支持体上から浮いたり、或いは層全体
が剥離して仕舞う等の不都合さが生ずる場合が少なくな
い◇又、−色に通常のａ −Ｓｉ重層体は、γルｌｘウ
ム等の金属材料で出来た支持体には、密着性の点でそれ
程良い特性を示すものではなく、従って長期的な繰返し
使用特性に問題があり、又支持体とと １−８ｉ層＾の良好な電気的接触の形成が経時的変化も
含めて仲々出来ないという問題もある◇従って、ａ−８
ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方で光導電部材
を設計する際に、上記した様な所望の電気的、光学的及
び光導電的特性が得１−８１に就で電子写真用ＩＩＩ彫
成部材や固体撮像装置、読取装置等に使用される光導電
部材としての適用性とその応用性という観点から総括的
に鋭意研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体とし
、水素原子（Ｈ）又はハロゲ８原子（Ｘ）のいずれか一
方を少なくとも含有するアモルファス材料、所謂水ｗｔ
化アモルファスシリコン、ハロゲン化ア篭ルファスシリ
コン、或いはハロゲン含有水素化γ％に７アスシ９コン
〔以後これ等の総称的表記としてａ−ａｔ（Ｈ，Ｘ）を
使用する〕から構成される光導電層を有する光導電部材
の層構造を特定化するＩＩＫ設計されて作成された光導
を部材は実用上奢しく優れた特性を示すばかりでなく、
従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌
駕していること、殊に電子写真用の光導電部材として著
しく優れた特性を有していることを見出した点に基づい
ている。
本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制御を受けない全環境型であり
、耐光疲労に著しく長く、繰返し使用に際しても劣化現
象を起さず耐久性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観
測されない光導電部材を提供することを主たる目的とす
る。
いて、殆んど使用環境に制御を受けない全環境型であり
、耐光疲労に著しく長く、繰返し使用に際しても劣化現
象を起さず耐久性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観
測されない光導電部材を提供することを主たる目的とす
る。
本発明の他の目的は、電子写真用の１ｍ形成部材として
適用させた場合、静電像形成のための醤電旭理の際の電
荷保持能が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に
適用され得る優れた電子写真特性を有する光導電部材を
提供することであるＯ本発明の］！に他の目的は１濃度
が高く、ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、
高品質画像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電
部材を提供することである０ 本発明の更にもう１つの目的は１高光感度性。
適用させた場合、静電像形成のための醤電旭理の際の電
荷保持能が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に
適用され得る優れた電子写真特性を有する光導電部材を
提供することであるＯ本発明の］！に他の目的は１濃度
が高く、ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、
高品質画像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電
部材を提供することである０ 本発明の更にもう１つの目的は１高光感度性。
高密着性及び支持体との関に良好な電気的接触性を有す
る光導電部材を提供することでもある。
る光導電部材を提供することでもある。
本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子を母体とし、構成原子として水素原子（Ｈ）又
はノ・ロゲン原子＜Ｘ＞のいずれか一方を少なくとも含
有する非晶質材料（ａ−８１（Ｈ，り）で構成された、
光導電性を有する非晶質層とを有する光導電部材におい
て、前記非晶質層が構成原子として酸素原子を含有する
第一の層領域と、構成原子として周期律表第■族に属す
る原子を含有する第二の層領域とを有し、前記第一の層
領域は、前記非晶質層の表面下に内在している事を特徴
とする。
コン原子を母体とし、構成原子として水素原子（Ｈ）又
はノ・ロゲン原子＜Ｘ＞のいずれか一方を少なくとも含
有する非晶質材料（ａ−８１（Ｈ，り）で構成された、
光導電性を有する非晶質層とを有する光導電部材におい
て、前記非晶質層が構成原子として酸素原子を含有する
第一の層領域と、構成原子として周期律表第■族に属す
る原子を含有する第二の層領域とを有し、前記第一の層
領域は、前記非晶質層の表面下に内在している事を特徴
とする。
上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諾問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特
性を示す〇 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
帯電処理の際の電荷保持能に長（１画像形成への残留電
位の影響が全くなく、その電気的特性が安定しており高
感度で、高ＳＮ比を有する度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且り解像度の高い、高品質の可視画像を得る
事が出来る０以下、図面に従って、本発明の光導電ＩＩ
ＮＫ就で詳細に説明する。
光導電部材は、前記した諾問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特
性を示す〇 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
帯電処理の際の電荷保持能に長（１画像形成への残留電
位の影響が全くなく、その電気的特性が安定しており高
感度で、高ＳＮ比を有する度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且り解像度の高い、高品質の可視画像を得る
事が出来る０以下、図面に従って、本発明の光導電ＩＩ
ＮＫ就で詳細に説明する。
第１図は、本発明の第１の実施履様例の大導電部材の層
構成をＩＩ！明する為に模式的に示した模式的構成図で
ある。
構成をＩＩ！明する為に模式的に示した模式的構成図で
ある。
第１図に示す光導電部材ＩＱＱ紘、覚導％部材用トシテ
ノ支持体１０１ ）上に、 ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ） カラ
成る光導電性を有する非晶質層１０２とを有し、該非晶
質層１０２は、構成原子として酸素原子を含有する第１
の層領域１０３と構成原子として第鳳族原子を含有する
第２の層領域１０４とを有する様に構成され九層構造を
有する。第１図に示す例において紘、第二の層領域１０
４は非晶質層の全領域を占め第一の層領域が第二の領域
の一部を構成する層構造を有し、第一の層領域紘非晶質
層１０２０表面下に内在している。
ノ支持体１０１ ）上に、 ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ） カラ
成る光導電性を有する非晶質層１０２とを有し、該非晶
質層１０２は、構成原子として酸素原子を含有する第１
の層領域１０３と構成原子として第鳳族原子を含有する
第２の層領域１０４とを有する様に構成され九層構造を
有する。第１図に示す例において紘、第二の層領域１０
４は非晶質層の全領域を占め第一の層領域が第二の領域
の一部を構成する層構造を有し、第一の層領域紘非晶質
層１０２０表面下に内在している。
非晶質層１０２の上層部１０５には、耐多湿性。
耐フリナイオン性に影響を与える要因とされる酸素原子
は含まれておらず、酸素原子は第一０層領域１０５＋の
みに含有されている。
は含まれておらず、酸素原子は第一０層領域１０５＋の
みに含有されている。
第一の層領域１０５は酸素原子の含有によって重点的に
高暗抵抗化と密着性の向上が計られ、第二の層領域１０
４の上層部１０５には、酸素原子を含有させずに高感度
化が重点的に計られている。
高暗抵抗化と密着性の向上が計られ、第二の層領域１０
４の上層部１０５には、酸素原子を含有させずに高感度
化が重点的に計られている。
第一の層領域１０３中に含有される酸素原子の量紘、形
成される光導電部材に要求される特性に応じて所望に従
って適宜法められるが、通常の場合、０．０１ ＝ ２
０ ａｔｏｍｌｃ ％好ましくは、０．０２−１０ａｔ
ｏｍｉｏ ％ 最適にｆｉ、 ０．０３−５ ａｔｏｍ
ｉｃ １Ｇとされるのが望ましいものである０ 第二の層領域１０４中に含有される■族原子の量につい
ても、酸素原子の量の場合と同様に所望に従って適宜決
定されるものであって通常の場合１＝ １００ ａｔｏ
ｍｉｃ ｐｐｗｓ好ましくは２〜５０ ａｔｏｍｔａｐ
ｐｍＩ最適には５−２０ ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ トｆ
５レルｌ）カ望ましいものである。
成される光導電部材に要求される特性に応じて所望に従
って適宜法められるが、通常の場合、０．０１ ＝ ２
０ ａｔｏｍｌｃ ％好ましくは、０．０２−１０ａｔ
ｏｍｉｏ ％ 最適にｆｉ、 ０．０３−５ ａｔｏｍ
ｉｃ １Ｇとされるのが望ましいものである０ 第二の層領域１０４中に含有される■族原子の量につい
ても、酸素原子の量の場合と同様に所望に従って適宜決
定されるものであって通常の場合１＝ １００ ａｔｏ
ｍｉｃ ｐｐｗｓ好ましくは２〜５０ ａｔｏｍｔａｐ
ｐｍＩ最適には５−２０ ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ トｆ
５レルｌ）カ望ましいものである。
第一の層領域１０５と上層部１０５との層厚は、本発明
の目的を効果的に達成させる為の重要な因子の１つで６
るので形成される光導電部材に所望の特性が充分与えら
れる様に、光導電部材の設計の際に充分なる注意が払わ
れる必要がある。
の目的を効果的に達成させる為の重要な因子の１つで６
るので形成される光導電部材に所望の特性が充分与えら
れる様に、光導電部材の設計の際に充分なる注意が払わ
れる必要がある。
本発明において、第一の層領域１０６の層厚祉、非晶質
層１０２自体の層厚と密接な関係がある。
層１０２自体の層厚と密接な関係がある。
第一の層領域１０６０層厚は、通常の場合６〜１００μ
、好ましくは５〜５０声、最適には７〜５０戸とされる
のが望ましい。
、好ましくは５〜５０声、最適には７〜５０戸とされる
のが望ましい。
又、上層５１０５の層厚は、通常の場合、０．０２〜１
０μ、好ましくは０．０６〜５μ、最適には０．０５〜
２μとされるのが望ましい。
０μ、好ましくは０．０６〜５μ、最適には０．０５〜
２μとされるのが望ましい。
本発明の光導電部材においては、第１図に示す様Ｋ、上
層部１０５にも構成原子として璽族原子が含有され、非
晶質層１０２の全体が第二の層領域１０４とされる他に
、上層部１０５ＫＦｉ、Ｉ族原子を含有させずに第一の
層領域と第二の層領域とな同一層領域とすることも出来
る。
層部１０５にも構成原子として璽族原子が含有され、非
晶質層１０２の全体が第二の層領域１０４とされる他に
、上層部１０５ＫＦｉ、Ｉ族原子を含有させずに第一の
層領域と第二の層領域とな同一層領域とすることも出来
る。
この様な上層部１０５に厘族原子を含有させない実施態
様例の光導電部材においては、殊ｋ、多湿雰囲気中での
繰返し使用に顕著な特性を示し、該雰囲気中での長期間
の使用に充分なる耐久性を示更に本発＠８Ｋ＞いて杜、
支持体１０１と第一の層領域１０５との間にＡｊ、Ｏ，
等の金属酸化物から成る所謂電気的に障壁的な作用をす
る中間層を設けても良いものである。
様例の光導電部材においては、殊ｋ、多湿雰囲気中での
繰返し使用に顕著な特性を示し、該雰囲気中での長期間
の使用に充分なる耐久性を示更に本発＠８Ｋ＞いて杜、
支持体１０１と第一の層領域１０５との間にＡｊ、Ｏ，
等の金属酸化物から成る所謂電気的に障壁的な作用をす
る中間層を設けても良いものである。
本発明において、第二の層領域に含有される周期律表第
１族に属する原子として使用され得るのはＢ 、 Ａｊ
、 Ｇａ、 Ｉｎ、 ＴＩ が挙げられ、殊にＢ、Ｇａ
が好ましいものとして使用され得る。
１族に属する原子として使用され得るのはＢ 、 Ａｊ
、 Ｇａ、 Ｉｎ、 ＴＩ が挙げられ、殊にＢ、Ｇａ
が好ましいものとして使用され得る。
支持体としては、導電性ても電気絶縁性であっても棗い
。導電性支持体としては、例え［、Ｎ１Ｇｒ。
。導電性支持体としては、例え［、Ｎ１Ｇｒ。
ステンレｙ、 、 Ａｊ、 Ｏｒ、 Ｍｏ、 Ａｕ、
Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉ。
Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉ。
Ｐｔ、Ｐａ 等の金属又紘これ等の合金が挙げられる。
電気＃！ｌ緑性支持体としては、ポリエステル、ポリエ
チレン、ポリカーぽネート、セル賛−ズアセテート、ポ
リエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビシリデン、ポ
リスチレン、ボリア處ド等の合成樹脂のフィルム叉はシ
ー）、＃ｆｆス、セラミック、紙等が通常使用される。
チレン、ポリカーぽネート、セル賛−ズアセテート、ポ
リエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビシリデン、ポ
リスチレン、ボリア處ド等の合成樹脂のフィルム叉はシ
ー）、＃ｆｆス、セラミック、紙等が通常使用される。
これ等の電気絶縁性支持体は、好適Ｋａ少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電＃＆理され九表面側
に他の層が設けられるのが望ましい。
一方の表面を導電処理され、該導電＃＆理され九表面側
に他の層が設けられるのが望ましい。
例えば、ガラスであれｄ、その表面Ｋ、旧Ｏｒ。
Ａｊ、 Ｏｒ、 Ｍｏ、ムｕ、 Ｉｒ、 Ｎ’ｂ、 Ｔ
ａ、 Ｖ、 Ｔｉ、 Ｐｔ、 ｐａ。
ａ、 Ｖ、 Ｔｉ、 Ｐｔ、 ｐａ。
Ｉｎ１Ｏ１，５ｎＯ１，ＩＴＯ（Ｉｎ１Ｏ１＋ Ｓｎｕ
ｇ ）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付
与され、或いはポリエステルフィル五等の合成樹脂フィ
ルムであれば、ＮｉＣｒ、 ｋｌ、 Ａｇ、 ＰＩ）、
Ｚ！ｌ、 Ｎｉ、 Ａｕ、 Ｏｒ。
ｇ ）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付
与され、或いはポリエステルフィル五等の合成樹脂フィ
ルムであれば、ＮｉＣｒ、 ｋｌ、 Ａｇ、 ＰＩ）、
Ｚ！ｌ、 Ｎｉ、 Ａｕ、 Ｏｒ。
Ｍｏ、 Ｉｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉ、 Ｐｔ
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設ゆ、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性が付与される。
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設ゆ、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、その表面に導電性が付与される。
支持体の形状としては、円筒状、べにト状、板状等任意
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１図の光導電部材１００奪電子写真用像形
成部材として使用するのであれば連続高速複写の場合に
は、無端ベル）状又扛円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さ社、所望通りのｊｔ、４．電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求
される場合には、支持体としての機能が光分発揮される
範囲内であれに可能ｔｋ限り薄くされる。面乍ら、この
様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の
点から、通常社、１０声以上とされる。
の形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１図の光導電部材１００奪電子写真用像形
成部材として使用するのであれば連続高速複写の場合に
は、無端ベル）状又扛円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さ社、所望通りのｊｔ、４．電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求
される場合には、支持体としての機能が光分発揮される
範囲内であれに可能ｔｋ限り薄くされる。面乍ら、この
様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の
点から、通常社、１０声以上とされる。
本発明において、必Ｉ！に応じて非晶質層中に含有され
るハロゲン原子（Ｘ）としては、真体的には７ツ巣、塩
素、臭素、１１り素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好
適なものとして挙げることが出来るＯ 本発明において、ａ−８ｉ （Ｈ，Ｘ）で構成される非
晶質層を形成するには例えばグー−放電法、スパッタリ
ング法、或いはイオンプレーティンダ法等の放電現象を
有用する真空堆積法によって成される。例えば、グロー
放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶
質層を形成するには、基本的に社シリコン原子（Ｓｌ）
を供給し得るＳｉ供給用の原料ダスと共に、水素原子（
Ｈ）導入用の又は／及び・・四ゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、
該堆積室内にグロー放、電を生起させ、予め所定位置に
設置されである所定の支持体表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング
法で形成する場合に社、例えＲＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガ
スＸ線これ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中
で８１で構成され九ターゲットをスパッタリングする際
、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
のガスをスパッタリング用のでは、ＳｉＨ４，５１４Ｈ
＠、 ５ｔ３Ｈ畠、 ５ｔ４Ｈ１（１等のガス状線の又
はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に１層作成作業の扱い易さ
、Ｓ１供給効率の良ｉ５勢の点でＳｉＨ４，８ｔｌＨ・
が好ましいものとして挙げられるＰ本発明において使用
されるハロゲン原子導入用の原料オスとして有効なのは
、多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えけハロゲン原
子、ハロゲン原子、ハロゲン化合物、バーダンで置換さ
れ九シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロ
ゲン化合物が好ましく挙げられる。
るハロゲン原子（Ｘ）としては、真体的には７ツ巣、塩
素、臭素、１１り素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好
適なものとして挙げることが出来るＯ 本発明において、ａ−８ｉ （Ｈ，Ｘ）で構成される非
晶質層を形成するには例えばグー−放電法、スパッタリ
ング法、或いはイオンプレーティンダ法等の放電現象を
有用する真空堆積法によって成される。例えば、グロー
放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶
質層を形成するには、基本的に社シリコン原子（Ｓｌ）
を供給し得るＳｉ供給用の原料ダスと共に、水素原子（
Ｈ）導入用の又は／及び・・四ゲン原子（Ｘ）導入用の
原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、
該堆積室内にグロー放、電を生起させ、予め所定位置に
設置されである所定の支持体表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリング
法で形成する場合に社、例えＲＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガ
スＸ線これ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中
で８１で構成され九ターゲットをスパッタリングする際
、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
のガスをスパッタリング用のでは、ＳｉＨ４，５１４Ｈ
＠、 ５ｔ３Ｈ畠、 ５ｔ４Ｈ１（１等のガス状線の又
はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用さ
れるものとして挙げられ、殊に１層作成作業の扱い易さ
、Ｓ１供給効率の良ｉ５勢の点でＳｉＨ４，８ｔｌＨ・
が好ましいものとして挙げられるＰ本発明において使用
されるハロゲン原子導入用の原料オスとして有効なのは
、多くのハロゲン化合物が挙げられ、例えけハロゲン原
子、ハロゲン原子、ハロゲン化合物、バーダンで置換さ
れ九シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロ
ゲン化合物が好ましく挙げられる。
又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを明におい
ては挙げることが出来る。
ては挙げることが出来る。
本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、冒つ素のへｇゲ
ンガス、ＢｒＦ、 Ｃ／Ｆ、 ＣＩＦＴ、 ＢｒＦ５゜
ＢｒＦ３． ＩＦｓ、ＩＦ７． ＩＧＩ、 ＸＢｒ 等
のハ０グン間化合置換されたシラン誘導体としては、具
体的には例えＩｄ ８１Ｆ４．５ｉｌＦ＠ 、 ５１０
１４． ＳｉＢｒ４ ％ （Ｆ） 八ｗ ケ：／ 化グ
ー−放電法によって本発明の特像的な党導電部社を形成
する場合には、Ｓｌを供給し得る原料ガスとしての水素
化硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にａ−８
ｔ：Ｘから成る寒導電層を形成する事が出来る。
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、冒つ素のへｇゲ
ンガス、ＢｒＦ、 Ｃ／Ｆ、 ＣＩＦＴ、 ＢｒＦ５゜
ＢｒＦ３． ＩＦｓ、ＩＦ７． ＩＧＩ、 ＸＢｒ 等
のハ０グン間化合置換されたシラン誘導体としては、具
体的には例えＩｄ ８１Ｆ４．５ｉｌＦ＠ 、 ５１０
１４． ＳｉＢｒ４ ％ （Ｆ） 八ｗ ケ：／ 化グ
ー−放電法によって本発明の特像的な党導電部社を形成
する場合には、Ｓｌを供給し得る原料ガスとしての水素
化硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にａ−８
ｔ：Ｘから成る寒導電層を形成する事が出来る。
ダ讐−放電法に従って、ハロゲン原子を含む非晶質層を
製造する場合、基本的には、Ｓ１供給用の原料ガスであ
るハリゲン化硅素ガスとムｒ、８ｇ、Ｈ・等のガス等を
所定の混合比とガス流量になる様にして非晶質層を形成
する堆積室に導入し、ダＵ−放電を生起してこれ等のガ
スのグツズ！雰囲気を形成することによって、所定の支
持体上に非晶質層を形成し得るものであるが、水ｌＡ原
子の導入を計る為にこれ等のガスに更に水素原子を含む
硅素化合物のガスも所定量混合して層形成しても簀い。
製造する場合、基本的には、Ｓ１供給用の原料ガスであ
るハリゲン化硅素ガスとムｒ、８ｇ、Ｈ・等のガス等を
所定の混合比とガス流量になる様にして非晶質層を形成
する堆積室に導入し、ダＵ−放電を生起してこれ等のガ
スのグツズ！雰囲気を形成することによって、所定の支
持体上に非晶質層を形成し得るものであるが、水ｌＡ原
子の導入を計る為にこれ等のガスに更に水素原子を含む
硅素化合物のガスも所定量混合して層形成しても簀い。
又、各オスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。
合して使用しても差支えないものである。
反応スパッタリング法或いはイオンプレーティ・シダ法
に依ってａ−３ｉ （Ｈ，りから成る非晶質層を形成す
るには、例えばスパッタリング法の場合にはＳｌから成
るターゲットを使用して、これを所定のガスグツズ！雰
囲気中でスパッタリングし、イオンブレーティング法の
場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源
として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗
加熱法、或いはエレク）Ｗンビーム法（ＫＢ法）等によ
って加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のボスプラズマ雰囲
気中を通過させる事で行う事が出来る。
に依ってａ−３ｉ （Ｈ，りから成る非晶質層を形成す
るには、例えばスパッタリング法の場合にはＳｌから成
るターゲットを使用して、これを所定のガスグツズ！雰
囲気中でスパッタリングし、イオンブレーティング法の
場合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源
として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗
加熱法、或いはエレク）Ｗンビーム法（ＫＢ法）等によ
って加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のボスプラズマ雰囲
気中を通過させる事で行う事が出来る。
この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るＫは、前記のＩ・ログン化合物又社前記のハロゲン原
子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該オス
のグツズ！雰囲気を形成してやれば良いものである。
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るＫは、前記のＩ・ログン化合物又社前記のハロゲン原
子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該オス
のグツズ！雰囲気を形成してやれば良いものである。
又、水素原子を導入する場合には、水Ｓ原子導入用の原
料ガス、例えけ、Ｈ２、或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆１１１ｉｉ中に導入して骸ガ
スのグツズ！雰囲気を形成してやれば良い。
料ガス、例えけ、Ｈ２、或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆１１１ｉｉ中に導入して骸ガ
スのグツズ！雰囲気を形成してやれば良い。
本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガ乙とし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものテするが、そ
の他に、ＨＦ、 ＨＯＩ、 ＨＢｒ、 ＨＩ等ノ２．０
ケ＞北本ＩＡ、ＳｉＨｌＦｇ、 ＳｔＨ，Ｉｌ、 Ｅ３
１Ｈ２Ｃ１２゜８１ＨＣ１ｓ、 ５ｉＨ１Ｂｒｌ、 ５
ｉＨＢｒ１等のハＥｌゲン置換水素化硅素、等々のガス
状態の或いはガス化し得る、水素原子を構成要素゛の１
つとするノ・ログン化物も有効な非晶質層形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものテするが、そ
の他に、ＨＦ、 ＨＯＩ、 ＨＢｒ、 ＨＩ等ノ２．０
ケ＞北本ＩＡ、ＳｉＨｌＦｇ、 ＳｔＨ，Ｉｌ、 Ｅ３
１Ｈ２Ｃ１２゜８１ＨＣ１ｓ、 ５ｉＨ１Ｂｒｌ、 ５
ｉＨＢｒ１等のハＥｌゲン置換水素化硅素、等々のガス
状態の或いはガス化し得る、水素原子を構成要素゛の１
つとするノ・ログン化物も有効な非晶質層形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。
これ等の水素原子を含むハＵゲン化物は、非晶質層形成
の際に層中にハ田ゲン原子の導入と同時に電気的或い社
党電的特性の制御に極めて有効な水嵩原子も導入される
ので、不発ｆ１４においてれ好適な＾胃ゲン導入用の原
料として使用される０水累原子を非晶質層中に構造的に
導入するＫは、上記の他にＨ，、或いは５１Ｈ４ｗ Ｓ
ｌ ｘ）Ｉｓ ｔ ８１１Ｈ虐＋ ５１４ＨＩＩ等の水
素化硅素のガスをＢｉｔ供給する為のシリコン化合物と
堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行う事が
出来る。
の際に層中にハ田ゲン原子の導入と同時に電気的或い社
党電的特性の制御に極めて有効な水嵩原子も導入される
ので、不発ｆ１４においてれ好適な＾胃ゲン導入用の原
料として使用される０水累原子を非晶質層中に構造的に
導入するＫは、上記の他にＨ，、或いは５１Ｈ４ｗ Ｓ
ｌ ｘ）Ｉｓ ｔ ８１１Ｈ虐＋ ５１４ＨＩＩ等の水
素化硅素のガスをＢｉｔ供給する為のシリコン化合物と
堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行う事が
出来る。
例えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓ１ターゲ
ツトを使用し、ハリゲン原子導入用のガス及びＨ，ガス
を必！！に応じてｌ（＠、Ａｒ等の不活性ガスも含めて
堆積室内に導入してグツズ！雰囲気を形成し、前記Ｓ１
ターゲツトをスパッタリンｒする事によって、基板上Ｋ
ａ−８１（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質層が形成される。
ツトを使用し、ハリゲン原子導入用のガス及びＨ，ガス
を必！！に応じてｌ（＠、Ａｒ等の不活性ガスも含めて
堆積室内に導入してグツズ！雰囲気を形成し、前記Ｓ１
ターゲツトをスパッタリンｒする事によって、基板上Ｋ
ａ−８１（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質層が形成される。
更には、不純物のドーピングも・兼ねてＢ、Ｈ・等のガ
スを導入してやることも出来る。
スを導入してやることも出来る。
本発明において、形成される光導電部材の非晶質層中に
含有される水素原子（Ｈｕｆｆ）量又拡ハ田ゲン原子（
Ｘ）の量又は水素原子と７％０ゲン原子の量の和り通常
の場合１〜４０ ａｔｏｍｉｃ ％ 、好適Ｋａ５〜５
Ｑ ａｔｏｍ１６ ％とされるのが望ましい。
含有される水素原子（Ｈｕｆｆ）量又拡ハ田ゲン原子（
Ｘ）の量又は水素原子と７％０ゲン原子の量の和り通常
の場合１〜４０ ａｔｏｍｉｃ ％ 、好適Ｋａ５〜５
Ｑ ａｔｏｍ１６ ％とされるのが望ましい。
光導電層中に含有される水素原子（Ｈ）又妹／及び、ハ
リグン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば堆積支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハｐゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれに良い。
リグン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば堆積支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハｐゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれに良い。
非晶質層中Ｋｌ族原子及び酸素原子を導入して、第一の
層領域及び第二の層領域を形成するには、グロー放電法
や反応スパッタリング流勢による層形成の際に、璽族原
子導入用の出発物質又紘酸素原子導入用の出発物質、或
いは両出発物質を鉤記した非晶質層形成用の出発物質と
共に使用して層形成される層中にその量を制御し乍ら含
有してやる事によって成される。
層領域及び第二の層領域を形成するには、グロー放電法
や反応スパッタリング流勢による層形成の際に、璽族原
子導入用の出発物質又紘酸素原子導入用の出発物質、或
いは両出発物質を鉤記した非晶質層形成用の出発物質と
共に使用して層形成される層中にその量を制御し乍ら含
有してやる事によって成される。
形成用の原料ガスとなる出発物質としては、前記した非
晶質層形成用の出発物質の中から所望に従って選択され
たものに酸素原子導入用の出発物質が加えられる。その
様な酸素原子導入用の出発物質としては、少なくとも酸
素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る
物質をガス化したものの中の大概のものが使用され得る
。
晶質層形成用の出発物質の中から所望に従って選択され
たものに酸素原子導入用の出発物質が加えられる。その
様な酸素原子導入用の出発物質としては、少なくとも酸
素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る
物質をガス化したものの中の大概のものが使用され得る
。
例えばシリコン原子（Ｓｔ＞を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に４６じて水嵩原子（Ｈ／）又は及びノ・ロゲン原子（
Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ
）を構成原子とする原料ガスとを１これも又所望の混合
比で混合するか、或いは、シリコン原子（８ｉ）を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子（出）、酸素原子
（０）及び水素原子但）の３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することが出来る。
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に４６じて水嵩原子（Ｈ／）又は及びノ・ロゲン原子（
Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合
して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ
）を構成原子とする原料ガスとを１これも又所望の混合
比で混合するか、或いは、シリコン原子（８ｉ）を構成
原子とする原料ガスと、シリコン原子（出）、酸素原子
（０）及び水素原子但）の３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することが出来る。
又、別には、シリコン原子（８１）と水素原子の）とを
構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子と
する原料ガースを混合して使用しても曳い。
構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子と
する原料ガースを混合して使用しても曳い。
具体的には、例えば酸素（０＊）、オゾン（Ｏａ）。
−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ，） 、−二酸
化窒素（Ｎ、Ｏ）、三二酸化窒素（九〇、）、 ＠二酸
化窒素（Ｎ＊０ａ）−三二酸化窒素（Ｎ、０．）、三酸
化窒素（ＮＯ，）、シリコン原子（’８ｉ）と酸素原子
（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、
ジシロキすンｌ（，８１０８ｉＨ＠ 、 ）リシロキ
サンＨ，８ｉ０８ｉＨρ８ｉＨ，等Ｏ低級シロキサン等
を挙げることが出来る。
化窒素（Ｎ、Ｏ）、三二酸化窒素（九〇、）、 ＠二酸
化窒素（Ｎ＊０ａ）−三二酸化窒素（Ｎ、０．）、三酸
化窒素（ＮＯ，）、シリコン原子（’８ｉ）と酸素原子
（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、
ジシロキすンｌ（，８１０８ｉＨ＠ 、 ）リシロキ
サンＨ，８ｉ０８ｉＨρ８ｉＨ，等Ｏ低級シロキサン等
を挙げることが出来る。
スパッターリング法によって酸素原子を含有する第一の
層領域を形成するには、単結晶又は多結晶の８１ウエー
ノ・−又は８ｉ０．クエーハー、又はＳｌと出Ｏ３が混
合されて含有されているクエーハーをターゲットとして
、これ等を種々のｌス雰囲気中でスパッターリングする
ととくよって行えば良い。
層領域を形成するには、単結晶又は多結晶の８１ウエー
ノ・−又は８ｉ０．クエーハー、又はＳｌと出Ｏ３が混
合されて含有されているクエーハーをターゲットとして
、これ等を種々のｌス雰囲気中でスパッターリングする
ととくよって行えば良い。
例えば、Ｓｉクエーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｔウェーハーを
スパッターリングすれば曳い。
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｔウェーハーを
スパッターリングすれば曳い。
又、別には、ＳｉとＳｔへとは別々のターゲットとして
、又は出と８ｉ０．の混合した一枚のターゲットを使用
することによって、スパッター用のガスとしての稀釈ガ
スの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子α）を構成原子として含有するガス雰囲
気中でスパッターリングするととＫよって成される。酸
素原子導入用の原料ガスとしては、先述し九グロー放電
の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガス
が、スパッターリングの場合にも有効なガスとして使用
され得る。
、又は出と８ｉ０．の混合した一枚のターゲットを使用
することによって、スパッター用のガスとしての稀釈ガ
スの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子α）を構成原子として含有するガス雰囲
気中でスパッターリングするととＫよって成される。酸
素原子導入用の原料ガスとしては、先述し九グロー放電
の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガス
が、スパッターリングの場合にも有効なガスとして使用
され得る。
本廃明に於て、非晶質層をグロー放電法又はスパッター
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所謂稀ガス、例えばＨｅ、Ｎｅ。
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所謂稀ガス、例えばＨｅ、Ｎｅ。
后等が好適なものとして挙げるととが出来る。
非１質層を構成する第二の層領域を形成するＫは、前述
した非晶質層の形成の際に前記した非晶質層形成用とな
る原料ガスと共に、■族原子導入用となるガス状態の又
はガス化し得る出発物質をガス状態で非晶質層形成の為
の真空堆積室中に導入してやれば曳いものである。
した非晶質層の形成の際に前記した非晶質層形成用とな
る原料ガスと共に、■族原子導入用となるガス状態の又
はガス化し得る出発物質をガス状態で非晶質層形成の為
の真空堆積室中に導入してやれば曳いものである。
第二０層領域に導入される■族原子の含有量は、堆積室
中に流入される璽族原子導入用の出発物質のガス流量、
ガス流量比、放電パワー等を制御するととＫよって任意
に制御され得る。
中に流入される璽族原子導入用の出発物質のガス流量、
ガス流量比、放電パワー等を制御するととＫよって任意
に制御され得る。
、第厘族原子導入用の出発物質として、本発明に於いて
有効に使用されるのは、硼素原子導入用としては、Ｂａ
Ｈ４，ＢａＨ１゜−ＢＪＩ＠ −ＢｓＨｔｒ −Ｂａに
。。
有効に使用されるのは、硼素原子導入用としては、Ｂａ
Ｈ４，ＢａＨ１゜−ＢＪＩ＠ −ＢｓＨｔｒ −Ｂａに
。。
Ｌ）Ｉｔｓ Ｉ Ｂａ）’１１４ 等の水嵩化硼素、
ＢＰ、 、 ＢＯＩ！、 、 ＢＢｒ。
ＢＰ、 、 ＢＯＩ！、 、 ＢＢｒ。
勢のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ａｊ０４
ｅ Ｇａ１ｌｓ ｊ Ｉｎｋ／、 、ｅ Ｔ１０４等
も挙げることが導電部材の製造方法にりいて説明する。
ｅ Ｇａ１ｌｓ ｊ Ｉｎｋ／、 、ｅ Ｔ１０４等
も挙げることが導電部材の製造方法にりいて説明する。
第２図にグロー放電分解法による光導電部材の製造装置
を示す。
を示す。
図中の２０２ 、２０３ 、２０４ 、２０５ 、２０
６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するため
の原料ガスが書封されており、その１例として、たとえ
ば、２０２はｉで稀釈された５ｔｔｔ４ガス（純度９９
９９９％、以下８ｋＡセと略す。）ボンベ、２０３は陽
で稀釈され九ＢｍＨｓガス（純［９９，９９９に。
６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するため
の原料ガスが書封されており、その１例として、たとえ
ば、２０２はｉで稀釈された５ｔｔｔ４ガス（純度９９
９９９％、以下８ｋＡセと略す。）ボンベ、２０３は陽
で稀釈され九ＢｍＨｓガス（純［９９，９９９に。
以下Ｂ、Ｈ，／Ｈｅと略す。）、２０４は七で稀釈され
九８ｉβ、ガス（純度９９．９９％、１以下８ｉ、Ｈ，
／１−と略す、）ボンベ、２０５はルで稀釈されたＳげ
、ガス（純９９９．９９９Ｎ、以下５ｔｒ４／ＨＢと略
す、）、２０６はＮＯガスｌンペである。
九８ｉβ、ガス（純度９９．９９％、１以下８ｉ、Ｈ，
／１−と略す、）ボンベ、２０５はルで稀釈されたＳげ
、ガス（純９９９．９９９Ｎ、以下５ｔｒ４／ＨＢと略
す、）、２０６はＮＯガスｌンペである。
これらのガスを反応室２０１ Ｋ流入させるにはガスボ
ンベ２０２〜２０６のパルプ２２２〜囁２２６、リーク
パルプ２３５が閉じられていることを確認し又、流入パ
ルプ２１２〜２１６、流出パルプ２１７〜応富２０１１
ガス配管内を排気する。次に真空針２３６の読みが約５
Ｘ １０−＠穎ｒｒＪｆ−なり九時点で、補助パルプ
２３２〜２３３、流出、パルプ２１γ〜２１２を閉じる
。
ンベ２０２〜２０６のパルプ２２２〜囁２２６、リーク
パルプ２３５が閉じられていることを確認し又、流入パ
ルプ２１２〜２１６、流出パルプ２１７〜応富２０１１
ガス配管内を排気する。次に真空針２３６の読みが約５
Ｘ １０−＠穎ｒｒＪｆ−なり九時点で、補助パルプ
２３２〜２３３、流出、パルプ２１γ〜２１２を閉じる
。
基体シリンダー２３７上に第１領域層を形成する場合０
１例をあげると、ガスボンベ２０２よ）８ ｉ Ｈ，／
Ｈｅガス、ガスポンベ２０３よりＢ、Ｈ，／Ｈｅガス、
ガスボンベ２１１よりＮＯガスヲ、パルプ２２２、 ２
２３． ２？６を開いて出口圧ゲージ２２７゜２２８
、 ２３１の圧を１ ｆｌｆ／ｄＫ調整し、流入パルプ
２１２． ２１３． ２１６を徐々に開けて、マスフロ
コントロー２２０７． ２０８． ２１１Ｐ３に流入さ
せる。
１例をあげると、ガスボンベ２０２よ）８ ｉ Ｈ，／
Ｈｅガス、ガスポンベ２０３よりＢ、Ｈ，／Ｈｅガス、
ガスボンベ２１１よりＮＯガスヲ、パルプ２２２、 ２
２３． ２？６を開いて出口圧ゲージ２２７゜２２８
、 ２３１の圧を１ ｆｌｆ／ｄＫ調整し、流入パルプ
２１２． ２１３． ２１６を徐々に開けて、マスフロ
コントロー２２０７． ２０８． ２１１Ｐ３に流入さ
せる。
引１１続すて流出パルプ２１７ 、 ２１８ 、 ２２
１ 、補助Ａ ＃ フ２３２ 、 ２３３を徐々に開い
て夫々のガスを反応室２０１に流入させる。このときの
５ｒＨ４／Ｈｅガス流量％ Ｂ＠Ｈ＠／Ｈ＠ガス流量、
ＮＯガス流量との夫々の比が所望の値になるように流出
パルプ２１７ 、 ２１８ 、 ２２１を調整し、又、
反応室内の圧力が所望の値に表るように真空計２３６の
読みを見ながらメインパルプ２３４０開口を調整する。
１ 、補助Ａ ＃ フ２３２ 、 ２３３を徐々に開い
て夫々のガスを反応室２０１に流入させる。このときの
５ｒＨ４／Ｈｅガス流量％ Ｂ＠Ｈ＠／Ｈ＠ガス流量、
ＮＯガス流量との夫々の比が所望の値になるように流出
パルプ２１７ 、 ２１８ 、 ２２１を調整し、又、
反応室内の圧力が所望の値に表るように真空計２３６の
読みを見ながらメインパルプ２３４０開口を調整する。
そして基体シリンダー２３７の温度が加熱ヒーター ２
３８ Ｋよ砂５０〜４００℃の温度に設定されているこ
とを確認され死後、電源２４０を所望の電力に設定して
反応室２０１内にグレー放電を生起させ基体シリンダー
上に第１領域層を形成する。
３８ Ｋよ砂５０〜４００℃の温度に設定されているこ
とを確認され死後、電源２４０を所望の電力に設定して
反応室２０１内にグレー放電を生起させ基体シリンダー
上に第１領域層を形成する。
第１領域層にハロゲン原子を含有させる場合Ｋは上記の
ガスに九とえば８４ｍ４／Ｈｅを、更に付に使用し先験
素原子含有ガスを除いて層形成を行う。
ガスに九とえば８４ｍ４／Ｈｅを、更に付に使用し先験
素原子含有ガスを除いて層形成を行う。
夫々の層を形成する際に必要なガス以外の流出パルプは
全て閉じること辻言う゛までもなく、又夫々の層を形成
する際、前層の形成に使用したガスが反応室２０１内、
流出パルプ２１７〜２２１から反応室２０１Ｐ３に至る
配管内に残留することを避ける九めに１流出パルプ２１
７〜２２１を閉じ補助ハル７’ ２３２ 、 ２３３を
開いてメインパルプ２３４を、全開して系内を一旦高真
空に排気する操作を必要に応じて行う。
全て閉じること辻言う゛までもなく、又夫々の層を形成
する際、前層の形成に使用したガスが反応室２０１内、
流出パルプ２１７〜２２１から反応室２０１Ｐ３に至る
配管内に残留することを避ける九めに１流出パルプ２１
７〜２２１を閉じ補助ハル７’ ２３２ 、 ２３３を
開いてメインパルプ２３４を、全開して系内を一旦高真
空に排気する操作を必要に応じて行う。
又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体シリンダー２３７はモータ２３９により一定速度で
回転させる。
基体シリンダー２３７はモータ２３９により一定速度で
回転させる。
以下実施例にりいて説明する。
実施例１
嬉２１１に示しえ製造装置によりＭシリンダー上に、以
下Ｏ条件で層形成を行なつ九。
下Ｏ条件で層形成を行なつ九。
Ｍシリンダー温［＝２５０℃
放電周波数 ： １３．５６ｈ曲
反応室内の前圧：収５ Ｔｏｒｒ
こうして得られたＩＩ形成部材を、帯電露光実験装置に
設置しｅｓ、ｏｈｖ、で０．２ｓｅｃ間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射し九光儂はタングステンランプ光
源を用い、１．５７ｗ、ｓｅｃの光量を透過−のテスト
チャートを通して照射させた０その後直ちに、θ荷電性
Ｏ１に偉剤（トナーとキャリアーを含む）を部材表面を
カスケードすることによって％Ｓ＃表面上に嵐好なトナ
ー画像を得喪ｏｌＨ１上のトナー画像を、＄ＬＯｋＶの
コロナ帯電で転写紙上に転写し大所、解儂力に優れ、階
調再現性Ｏよい鮮明な高換変の画像が得られえ。
設置しｅｓ、ｏｈｖ、で０．２ｓｅｃ間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射し九光儂はタングステンランプ光
源を用い、１．５７ｗ、ｓｅｃの光量を透過−のテスト
チャートを通して照射させた０その後直ちに、θ荷電性
Ｏ１に偉剤（トナーとキャリアーを含む）を部材表面を
カスケードすることによって％Ｓ＃表面上に嵐好なトナ
ー画像を得喪ｏｌＨ１上のトナー画像を、＄ＬＯｋＶの
コロナ帯電で転写紙上に転写し大所、解儂力に優れ、階
調再現性Ｏよい鮮明な高換変の画像が得られえ。
実施例２
第２図に示し九員造装置によりｋｌシリンダー上に以下
の条件で層形成を行なつえ。
の条件で層形成を行なつえ。
１１２表
その偽の条件は実施例１と同様にして行ｉｋ′）え。
こうして得られた―廖威都＃に就て、夷箇例へ
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したと
ころ極めて鮮明ｔｉｉｉ質が得られた。
ころ極めて鮮明ｔｉｉｉ質が得られた。
実施例５
第１領域層を形成する際のＮＯ７’３ｔＨ，の流量比を
４Ｘ１ｆｆ’とした以外は１実施例１と同様の条件で１
Ｉｉ１領域層、上部層を形成して像形成部材を作成し、
この像形成部材に就。て実施例１と同様の条件及び手順
で転写紙上に画像を形成したところ極めて＃嘴な画像が
得られた。
４Ｘ１ｆｆ’とした以外は１実施例１と同様の条件で１
Ｉｉ１領域層、上部層を形成して像形成部材を作成し、
この像形成部材に就。て実施例１と同様の条件及び手順
で転写紙上に画像を形成したところ極めて＃嘴な画像が
得られた。
実施例４
第２１１に示しぇ展進装置によりム４シリンダー上に以
下の条件で層形成を行なった。
下の条件で層形成を行なった。
ａｌｌ
その伽の条件は、実施例１と岡＃１にして行なつ丸。
とうして得られえ１１形威部材に就いて、実施例１と岡
橡Ｏ秦件及び手順て転写紙上に画像を彫威し良とζろ極
めて鮮明な画質が得られ良。
橡Ｏ秦件及び手順て転写紙上に画像を彫威し良とζろ極
めて鮮明な画質が得られ良。
実施例器
実施例１で匈用し一＊８１Ｍ、／Ｉｆ・ガスボンベの代
？） Ｋ ８１ｔ＆／Ｈｅガスぎンべを使用して以下の
条件で、第冨＠に示しえ側進装置によ）ム１シリンダー
王に層形成を行なつえ。
？） Ｋ ８１ｔ＆／Ｈｅガスぎンべを使用して以下の
条件で、第冨＠に示しえ側進装置によ）ム１シリンダー
王に層形成を行なつえ。
第 ４９
その伽Ｏ条件は、＊施例１と同様にして行なった。
ζうして得られた像形成部材に就いて実施例１と同様の
条件及び手順で転写紙上に画像を岸威したとζろ極めて
鮮＊１ｍ質が得られえ。
条件及び手順で転写紙上に画像を岸威したとζろ極めて
鮮＊１ｍ質が得られえ。
実施例６
陽極酸化法によ〕酸化ＩＩ＆履してｓｅｅムＯ厚さして
像形成部材を作成し良。
像形成部材を作成し良。
い
ζうして得られたＩＩ形成部材に就て、実施例ハ
ｌと同様の条件及び手順で転写紙上Ｋ１１Ｌ像形威した
とζろ極めて鮮＠ｔｉｌｉ質が得られた０
とζろ極めて鮮＠ｔｉｌｉ質が得られた０
第１Ｉｉは、本発明の光導電部材０層構成を説明する為
の模式的層構成図、第２図は、実施例に於いて不発ＶＳ
Ｏ党導電部材を作躾する為に使用された装置の模式的説
ＷＲＩｌである。 １００・・・光導電部＄ １０１・・・支持体ｌＯ
２・・・非晶質層 ＸＯＳ・・・第一〇要領１Ｇ４
・・・纂二Ｏ層領 １０５・・・上層部手続補正書（
自発） 昭和５６年１１月２０日 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 昭和５６年１１月９日付で提出した特許願（１４）２、
発明の名称 光導電部材 ３、補正を−［ろ者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都太田区下丸子３−３０−２名称 （１０［
１）キャノン株式会社 代表者 賀 来 Ｒし三部 ４、代 理 人 居所 東ボも１＋Ｉ太田区下丸子ろ−５０−’２キャノ
ン株式会社内（電話７５８−２１１１）５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄及びし図面の簡単な
説明」の欄 ６、補正の内容 下記の表の通りに補正する。 丁続補正書（自発） 昭和５７年９り？８日 特、ｉｔ庁長官若杉和夫 殿 １、・１９件の表示 昭１１５６年 特許願 第 １７９４３４ 号２
、発明の名称 光導電部材 ３、 ｈ旧１：、をする者 小作との関係 特許出願人１ｉＩ’ｌｉ
東京都大１■区下丸子３−３０−２居＋’１１ｍ１
４６１Ｋｍ都大田区下丸’＋ ３ ３０ ２５、補正の
対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 明細書第１０員第１３行乃至第１４行の「−φ・通常の
場合−・・好ましくは・・・」を「−・通常の場合、０
．０１〜５ Ｘ １０ ａｔＯｍｉｃ ｐｐ＋ｎ 。 好ましくは１〜１００ ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ％より好
ましくは・・・」と補正する。
の模式的層構成図、第２図は、実施例に於いて不発ＶＳ
Ｏ党導電部材を作躾する為に使用された装置の模式的説
ＷＲＩｌである。 １００・・・光導電部＄ １０１・・・支持体ｌＯ
２・・・非晶質層 ＸＯＳ・・・第一〇要領１Ｇ４
・・・纂二Ｏ層領 １０５・・・上層部手続補正書（
自発） 昭和５６年１１月２０日 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 昭和５６年１１月９日付で提出した特許願（１４）２、
発明の名称 光導電部材 ３、補正を−［ろ者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都太田区下丸子３−３０−２名称 （１０［
１）キャノン株式会社 代表者 賀 来 Ｒし三部 ４、代 理 人 居所 東ボも１＋Ｉ太田区下丸子ろ−５０−’２キャノ
ン株式会社内（電話７５８−２１１１）５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄及びし図面の簡単な
説明」の欄 ６、補正の内容 下記の表の通りに補正する。 丁続補正書（自発） 昭和５７年９り？８日 特、ｉｔ庁長官若杉和夫 殿 １、・１９件の表示 昭１１５６年 特許願 第 １７９４３４ 号２
、発明の名称 光導電部材 ３、 ｈ旧１：、をする者 小作との関係 特許出願人１ｉＩ’ｌｉ
東京都大１■区下丸子３−３０−２居＋’１１ｍ１
４６１Ｋｍ都大田区下丸’＋ ３ ３０ ２５、補正の
対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 明細書第１０員第１３行乃至第１４行の「−φ・通常の
場合−・・好ましくは・・・」を「−・通常の場合、０
．０１〜５ Ｘ １０ ａｔＯｍｉｃ ｐｐ＋ｎ 。 好ましくは１〜１００ ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍ％より好
ましくは・・・」と補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ０）光導電部材用の支持体と、？！ｓノ原子を母体とし
、構成原子として水素原子文はハロゲン原子のいずれか
一方を少なくとも含有する非晶質材料で構成された光導
電性を盲する非晶質層とを有する光導電部材におし１て
、前記非晶質層が構成原子として酸素原子を含有する箇
−の層領域と、構成原子として周期律表第■族に属する
原子を含有する第二の層領域とを有し、前記第一の層領
域は、前記非晶質層の表面下に内在している事を特徴と
する光導電部材。 （２）第一の層領域と第二の層領域とは、少なくともそ
の一部を共有している畳許請求のａｓｇ−項に記載の光
導電部材・ （５）第一の層領域と第二の層領域とが実質的に同一層
領域である特許請求の範Ｉ！Ｉ菖−項に記載の光導電部
材〇
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56179434A JPS5880645A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 電子写真用光導電部材 |
| US06/437,282 US4536460A (en) | 1981-11-09 | 1982-10-28 | Photoconductive member |
| GB08231137A GB2111704B (en) | 1981-11-09 | 1982-11-01 | Photoconductive member |
| DE19823241351 DE3241351A1 (de) | 1981-11-09 | 1982-11-09 | Fotoleitfaehiges element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56179434A JPS5880645A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 電子写真用光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880645A true JPS5880645A (ja) | 1983-05-14 |
| JPS6310421B2 JPS6310421B2 (ja) | 1988-03-07 |
Family
ID=16065792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56179434A Granted JPS5880645A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 電子写真用光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880645A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56115573A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoconductive element |
| JPS5766439A (en) * | 1980-10-13 | 1982-04-22 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic receptor |
-
1981
- 1981-11-09 JP JP56179434A patent/JPS5880645A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56115573A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photoconductive element |
| JPS5766439A (en) * | 1980-10-13 | 1982-04-22 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic receptor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6310421B2 (ja) | 1988-03-07 |
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