JPS628782B2 - - Google Patents
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- JPS628782B2 JPS628782B2 JP56002245A JP224581A JPS628782B2 JP S628782 B2 JPS628782 B2 JP S628782B2 JP 56002245 A JP56002245 A JP 56002245A JP 224581 A JP224581 A JP 224581A JP S628782 B2 JPS628782 B2 JP S628782B2
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可射光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野に於ける電子
写真用像形成部材や原稿読取装置等に於ける光導
電層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ｉp）／暗電流（Id）〕が高く、
照射する電磁波のスペクトル特性にマツチングし
た吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が
速く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時に於
いて人体に対して無公害であること、更には固体
撮像装置に於いては、残像を所定時間内に容易に
処理することが出来ること等の特性が要求され
る。殊に、事務機としてオフイスで使用される電
子写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材
の場合には、上記の使用時に於ける無公害性は重
要な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、特開昭55−39404号公報には光電変換
読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性及び耐湿性
等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の点
に於いて、更に改良される可き点が存し、広範囲
に於ける応用を含めた実用的な固体撮像装置や読
取装置、電子写真用像形成部材等には、生産性、
量産性をも加味して仲々有効に使用し得ないのが
実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、その使用時に於いて残留電位が残る場合が
度々観測され、この様な種の光導電部材は繰返し
長時間使用し続けると、繰返し使用による疲労の
蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴースト現象を
発する様になる等の不都合な点が少なくなかつ
た。 更には例えば、本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ−Siは、従来のSe、CdS、ZnO或
いはPVCzやTNF等のOPC（有機光導電部材）に
較べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電
池用として使用する為の特性が付与されたａ−Si
から成る単層構成の光導電層を有する電子写真用
像形成部材の上記光導電層に静電像形成の為の帯
電処理を施しても暗減衰（dark decay）が著し
く速く、通常の電子写真法が仲々適用され難い
事、及び多湿雰囲気中に於いては、上記傾向が著
しく、場合によつては現像時間まで帯電々荷を全
く保持し得ない事がある等、解決され得る可き点
が存在している事が伴明している。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な所望の電気的、光学的及び光導電的特性が得
られる様に工夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルフアス材
料、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン
化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水
素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的
表記としてａ−Si（Ｈ、Ｘ）を使用する〕から構
成される光導電層の層構造を特定化し、且つ該光
導電層上に特定の障壁層を設けた層構成に設計さ
れて作製された光導電部材は実用的に充分使用し
得るばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみ
ても殆んどの点に於いて凌駕していること、殊に
電子写真用の光導電部材として著しく優れた特性
を有していることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し
使用に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全
く又は殆んど観測されない光導電部材を提供する
ことを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分ある、優れた電
子写真特性を有する光導電部材を提供することで
ある。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の光導電部材は支持体と光導電層と、こ
れらの上に、即ち表面側に設けられ、帯電電荷が
表面より前記光導電層中へ注入されるのを防止す
る機能を有する表面障壁層とから成る。さらに、
前記光導電層がシリコンを母体とし、水素原子又
はハロゲン原子又は水素原子及びハロゲン原子を
含有するアモルフアス材料で構成されており、又
前記表面障壁層がボロンを母体とし、水素原子及
びハロゲン原子（Ｘ）を含有するアモルフアス材
料で構成されているものである。それ等の界面領
域に於いて障壁もしくは空之層が形成され、前記
障壁層は電子の前記光導電層中への注入を阻止し
得、一方電磁波照射によつて生じたキヤリヤの通
過を可能とするものである。 本発明による前記障壁層は、電子の前記光導電
性層中への注入を阻止し得るが、正孔の前記光導
電層中への注入は阻止し得ないことが判明した。
従つて本発明の光導電部材は、特定の極性を有す
るものであり、該部材表面を帯電処理する場合に
は、負極性の帯電のみが好適に用いられる。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し
得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性
及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像
形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高SN比を有する
ものであつて、耐光疲労、繰返し使用性に著しく
長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、
且つ解像度の高い、高品質の可視画像を得ること
が出来る。 更に又、電子写真用像形成部材に適用させる場
合、高暗抵抗のａ−Si（Ｈ、Ｘ）は光感度が低
く、逆に光感度の高いａ−Si（Ｈ、Ｘ）は暗抵抗
が108Ωcmと前後と低く、いずれの場合にも、従
来の層構成の光導電層のままでは電子写真用の像
形成部材には適用されなかつたのに対して、本発
明の場合には、その特定化された層構造から比較
的低抵抗（５×109Ωcm以上）のａ−Si（Ｈ、
Ｘ）でも電子写真用の光導電層を構成する材料と
なることができるので、抵抗は比較的低いが高感
度であるａ−Si（Ｈ、Ｘ）も充分使用し得、ａ−
Si（Ｈ、Ｘ）の特性面からの制約が軽減され得
る。 帯電時の電位の暗減衰防止のために、さらに支
持体上に下部障壁層を設け、支持体、下部障壁
層、光導電層、表面障壁層の順に積層された構成
をとることも可能である。この場合、下部障壁層
は、帯電時、支持体の側から光導電層側へのフリ
ーキヤリヤの流入を効果的に阻止し且つ電磁波照
射時に於いては、光導電層中で発生したフオトキ
ヤリヤの支持体側への流出を許容するよう機能す
るものであり、Al2O3等の金属酸化物、炭素或い
は窒素を含有するアモルフアスシリコン材料が好
適に用いられる。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図、本発明の光導電部材の基本的な構成例
を説明する為に模式的に示した模式的構成図であ
る。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、光導電層１０
２、該光導電層１０２上に直接接触した状態に設
けられている表面障壁層１０３とで構成される層
構造を有する。 支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性
であつても良い。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、
Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の
合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、
NiCr、Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Pt、Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋
SnO2）等から成る薄膜を設けることによつて導電
性が付与され、或いはポリエステルフイルム等の
合成樹脂フイルムであれば、NiCr、Al、Ag、
Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Pt等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパツタリング等でその表面に設け、又は
前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面に導電性が付与される。支持体の形状として
は、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし
得、所望によつて、その形状は決定されるが、例
えば、第１図の光導電部材１００は電子写真用像
形成部材として使用するのであれば連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部
材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部
材として可撓性が要求される場合には、支持体と
しての機能が充分発揮される範囲内であれば可能
な限り薄くされる。而乍ら、この様な場合支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、
通常は、10μ以上とされる。 表面障壁層１０３は、その表面に帯電処理が施
された際、表面電荷が光導電層１０２中に注入さ
れるのを阻止する機能が荷せられている。 表面障壁層１０３は、ボロン原子と水素原子及
びハロゲン原子を含むアモルフアス材料（ａ−
Bx（HyX1-y）1-x但し０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）
で構成され、その表面に帯電処理が施された際表
面電荷が光導電層１０２中に注入されるのを阻止
する機能が荷せられている。 ａ−Bx（HyX1-y）1-xで構成される表面障壁層
１０３の形成は、好適には、以下に述べるグロー
放電法によつて行うことができる。即ち、原料ガ
スとしてB2H6及びBF3（又はBCl3）を用い、必要
に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、
支持体１０１の設置してある真空堆積用の堆積室
に導入し、導入させたガスをグロー放電を生起さ
せることでガスプラズマ化して前記光導電層１０
２上に前記の非晶質材料を堆積させれば良い。 又、必要に応じて、上記表面障壁層１０３中
に、族原子（例えばBe）、族原子（例えば
Si、Ｃ）等をドープすることも可能である。 光導電層１０２の表面にａ−Bx（HyX1-y）1-x
から成る表面障壁層１０３を形成する際、層形成
中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性
を左右する重量な因子であつて、本発明に於いて
は、目的とする特性を有するａ−Bx（HyX1-y）1-
ｘが所望通りに作成され得る様に層作成時の支持
体温度が厳密に制御される。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
表面障壁層１０３を形成する際の支持体温度とし
ては、通常の場合、20〜350℃好適には150℃〜
300℃とされるのが望ましいものである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−Bx（HyX1-y）1-xが生産性良く効果的に
作成されるための放電パワー条件としては、通常
2W〜100Wで、好適には10W〜50Wである。 本発明の光導電部材に於ける表面障壁層１０３
に含有される水素原子及びハロゲン原子の量は、
所望の特性が得られる表面障壁層が形成される重
要な因子である。 本発明に於ける表面障壁層１０３に含有される
水素原子とハロゲン原子の量の和は、通常は１〜
50atomic％、好適には５〜40atomic％とされる
のが望ましいものである。即ち先のａ−Bx
（HyX1-y）1-xのｘの表示で行えば、ｘが通常は
0.99〜0.5、好適には0.95〜0.6である。又、ｙの
値としては、通常0.98〜0.2、好適には0.9〜0.4と
される。 本発明に於ける表面障壁層１０３の層厚の数値
範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の重
要な因子の１つである。 表面障壁層１０３の層厚が充分過ぎる程に薄い
と、表面からの光導電層１０２への表面電荷の注
入を阻止する働きが充分果し得なくなり、又、充
分過ぎる程以上に厚いと、再び注入阻止能力の低
下を招いたり、又フオトキヤリヤが障壁層中を通
過し表面電荷と再結合する確率が極めて小さくな
るという弊害を生ずる、従つて、いずれの場合に
も、本発明の目的を効果的に達成され得なくな
る。 本発明の目的を効果的に達成する為の表面障壁
層１０３の層厚としては、通常の場合、30Å〜１
μ好適には、50〜5000Å、最適には50〜1000Åと
されるのが望ましい。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
為に、支持体１０１上に形成される光導電層１０
２は下記に示す半導体特性を有するａ−Si（Ｈ、
Ｘ）で構成される。 ｐ型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……アクセプターのみ
を含むもの。或いは、ドナーとアクセプターと
の両方を含み、アクセプターの濃度（Na）が
高いもの。 p-形ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……のタイプに於
いてアクセプターの濃度（Na）が低い所謂ｐ
型不純物をライトリードープしたもの。 ｎ型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……ドナーのみを含む
もの。或いはドナーとアクセプターの両方を含
み、ドナー濃度（Nd）が高いもの。 n-型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……のタイプに於い
てドナーの濃度（Nd）が低い、所謂ノンドー
プのものか又はｎ型不純物をライトリードープ
したもの。 ｉ型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……NaNdＯのも
の又は、NaNdのもの。 本発明に於いて、光導電層１０２中に含有され
るハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフツ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフツ
素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明に於いて、ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成され
る光導電層１０２を形成するには例えばグロー放
電法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテ
イング法等の放電現象を利用する真空堆積法によ
つて成される。例えば、グロー放電法によつて、
ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成される光導電層を形成す
るには、Siを生成し得るSi生成原料ガスと共に、
水素原子導入用の又は／及びハロゲン原子導入用
の原料ガスを内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されある所定の支持体表面上にａ
−Si（Ｈ、Ｘ）からなる層を形成させれば良い。
又、スパツターリング法で形成する場合には、例
えばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガスを
ベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで形成され
たターゲツトをスパツターリングする際、水素原
子又は／及びハロゲン原子導入用のガスをスパツ
ターリング用の堆積室に導入してやれば良い。 本発明に於いて使用されるSi生成原料ガスとし
ては、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のガス状態
の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有
効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作
成作業の際の扱い易さ、Si生成効率の良さ等の点
でSiH4、Si2H6が好ましいものとして挙げられ
る。 本発明に於いて使用されるハロゲン原子導入用
原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合
物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化
物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロ
ゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲンを含む硅素化合物も有効なものとして本発
明に於いては挙げることが出来る。 本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、
BrF5、BrF3、IF7、IF5、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲンを含む硅素化合物、所謂、ハロゲンで
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例
えばSiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハロゲン化
硅素が好ましいものとして挙げることが出来る。 この様なハロゲンを含む硅素化合物を採用して
グロー放電法によつて本発明の特徴的な光導電部
材を形成する場合には、Siを生成し得る原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定
の支持体上にａ−Si：Ｘから成る光導電層を形成
する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む光
導電層１０２を製造する場合、基本的には、Si生
成用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガスと
Ar、H2、He等のガスとを所定の混合比とガス流
量になる様にして光導電層を形成する堆積室内に
導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによつて、所定の支
持体上に光導電層１０２を形成し得るものである
が、水素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更
に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合
して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。反応スパツタリング法或いはイオンプレーテ
イング法に依つてａ−Si（Ｈ、Ｘ）から成る光導
電層を形成するには、例えばスパツターリング法
の場合にはSiから成るターゲツトを使用して、こ
れを所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリン
グし、イオンプレーテイング法の場合には、多結
晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として蒸
着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加
熱法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）等
によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプ
ラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来
る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、前記したシラン
類等のガスをスパツタリング用の堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良
い。 本発明に於いては、ハロゲン導入用の原料ガス
として上記されたハロゲン化合物或いはハロゲン
を含む硅素化合物が有効なものとして使用される
ものであるが、その他に、HF、HCl、HBr、HI
等のハロゲン化水素、SiH2F2、SiH2Cl2、
SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3等のハロゲン置換水素
化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、
水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物も
有効な光導電層形成用の出発物質として挙げる事
が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、光導
電層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好
適なハロゲン導入用の原料として使用される。 水素原子を光導電層中に構造的に導入するに
は、上記の他にH2、或いはSiH4、Si2H6、
Si3H8、Si4H10等の水素化硅素のガスをａ−Siを
生成する為のシリコン化合物と堆積室中に共存さ
せて放電を生起させる事でも行う事が出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe、Ar等の不活性ガ
スも含めて推積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、基板上にａ−Si（Ｈ、Ｘ）から成る
光導電層が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H6、
PH3、CPF3等のガスを導入してやることも出来
る。 本発明に於いて、形成される光導電部材の光導
電層中に含有させるＨ又はＸの量又は（Ｈ＋Ｘ）
の量は通常の場合１〜40atomic％、好適には５
〜30atomic％とされるのが望ましい。 層中に含有されるＨ又は／及びＸの量を制御す
るには、例えば堆積支持体温度又は／及びＨを含
有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内
へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良
い。 光導電層をｎ型又はｐ型或いはｉ型とするに
は、グロー放電法や反応スパツターリング法等に
よる層形成の際に、ｎ型不純物又はｐ型不純物、
或いは両不純物を形成させる層中にその量を制御
し乍らドーピングしてやる事によつて成される。 光導電層中にドーピングされる不純物として
は、光導電層をｉ型又はｐ型にするには、周期律
表第族Ａの元素、例えば、Ｂ、Al、Ga、In、
Tl等が好適なものとして挙げられる。 ｎ型にする場合には、周期律表第Ｖ族Ａの元
素、例えば、Ｎ、Ｐ、As、Sb、Bi等が好適なも
のとして挙げられる。これ等の不純物は、層中に
含有される量がppmオーダーであるので、光導
電層を構成する主物質程その公害性に注意を払う
必要はないが出来る限り公害性のないものを使用
するものが好ましい。この様な観点からすれば、
形成される層の電気的・光学的特性を加味して、
例えば、Ｂ、Ga、Ｐ、Sb等が最適である。この
他に、例えば、熱拡散やインプランテーシヨンに
よつてLi等がインターステイシアルにドーピング
されることでｎ型に制御することも可能である。
光導電層中にドーピングされる不純物の量は、所
望される電気的・光学的特性に応じて適宜決定さ
れるが、n-型、ｉ型、p-型とするにはノンドー
プのものから、周期律表第族Ａの不純物を５×
10-3atomic％までドーピングしてやれば良く、ｐ
型とするには、周期律表第族Ａの不純物を５×
10-3〜３×10-2atomic％ドーピングしてやれば良
い。ｎ型とするには周期律表第族Ａの不純物を
５×10-3atomic％以下の量範囲でドーピングして
やることが望ましいものである。光導電層の層厚
は、光導電層中でフオトキヤリアが効率良く発生
され、所定の方向に効率良く輪送される様に所望
に従つて適宜決められ、通常は３〜100μ、好適
には５〜50μとされる。 本発明に於いては、表面障壁層１０３を設ける
ことによつて光導電層１０２は、比較的低抵抗で
あつても使用され得るものであるが、一層良好な
結果を得る為には、形成される光導電層１０２の
暗抵抗が好適には５×109Ωcm以上、最適には
1010Ωcm以上となる様に光導電層１０２が形成さ
れるのが望ましいものである。 殊に、この暗抵抗値の数値条件は、作製された
光導電部材を電子写真用像形成部材や、低照度領
域で使用される高感度の読取装置や撮像装置、或
いは光電変換装置として使用する場合には重要な
要素である。 本発明に於ける光導電部材の光導電層１０２の
層厚としては、読取装置、撮像装置或いは電子写
真用像形成部材等の適用するものの目的に適合さ
せて所望に従つて適宜決定される。 本発明に於いては、光導電層１０２の層厚とし
ては、光導電層１０２の機能及び障壁層の機能が
各々有効に活されて本発明の目的が効果的に達成
される様に表面障壁層１０３との層厚関係に於い
て適宜所望に従つて決められるものであり、通常
の場合、表面障壁層１０３の層厚に対して数百〜
数千倍以上の層厚とされるのが好ましいものであ
る。 次に第２図は、本発明の光導電部材の別の構成
例を説明する為に模式的に示した模式的構成図で
ある。 第２図に示す光導電部材２００は、光導電部材
用としての支持体２０１の上に、下部障壁層２０
４、該障壁層２０４に直接接触した状態に設けら
れている光導電層２０２、及び表面障壁層２０３
とで構成されている。 従つて、本構成は、第１図に於いて述べた層構
成に、下部障壁層２０４が付加されたものであ
る。 下部障壁層２０４は、支持体２０１の側から光
導電層２０２側方向からフリーキヤリアの流入を
効果的に阻止し且つ電磁波照射時に於いて電磁波
の照射によつて光導電層２０２中に生じ、支持体
２０１の側に向つて移動するフオトキヤリアの光
導電層２０２の側から支持体２０１の側への通過
を容易に許す機能を有するものである。 下部障壁層２０４は、シリコンを母体とし、炭
素原子、窒素原子及び酸素原子の中から選択され
る原子の少なくとも一種と、必要に応じて水素原
子又はハロゲン原子の少なくともいずれか一方と
を含む非晶質材料＜これ等を総称してａ−〔Six
（Ｃ、Ｎ、Ｏ）1-x〕y（Ｈ、Ｘ）1-yと表記する（但
し、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）＞或いは、電気絶
縁性の金属酸化物で構成される。 本発明に於いて、ハロゲン原子（Ｘ）として好
適なのはＦ、Cl、Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが
望ましいものである。 上記下部障壁層２０４を構成する非晶質材料と
して本発明に於いて有効に使用されるものとして
具体的には、例えば炭素系の非晶質材料としてａ
−SiaC1-a、ａ−（SibC1-b）cＨ1-c、ａ−
（SidC1-d）eＸ1-e、ａ−（SifC1-f）g（Ｈ＋Ｘ）1-g、
窒素系の非晶質材料としてａ−SihN1-h、ａ−
（SiiN1-i）jＨ1-j、ａ−（SikN1-k）lＸ1-l、ａ−
（SimN1-n）o（Ｈ＋Ｘ）1-o、酸素系の非晶質材料と
してａ−SioO1-p、ａ−（SipO1-p）qＨ1-q、ａ−
（SirO1-r）sＸ1-s、ａ−（SitO1-t）u（Ｈ＋Ｘ）1-u
等、更には、上記の非晶質材料に於いて、Ｃ、
Ｎ、Ｏの中の少なくも２種の原子を構成原子とし
て含む非晶質材料を挙げることが出来る（但し０
＜ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、
ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ＜
１）。 これ等の非晶質材料は層構成の最適化設計に依
る下部障壁層２０４に要求される特性及び該障壁
層２０４上に積重される光導電層２０２及び表面
障壁層２０３との連続的作成の容易さ等によつて
適宜最適なものが選択される。殊に特性面からす
れば、炭素系、窒素系の非晶質材料を選択するの
がより好ましいものである。 下部障壁層２０４を上記の非晶質材料で構成す
る場合の層形成法としてはグロー放電法、スパツ
ターリング法、イオンインプランテーシヨン法、
イオンプレーテイング法、エレクトロンビーム法
等によつて成される。これ等の製造法は、製造条
件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製さ
れる光導電部材に所望される特性等の要因によつ
て適宜選択されて採用されるが、所望する特性を
有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御
が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素原
子、窒素原子、酸素原子、或いは、必要に応じて
水素原子やハロゲン原子を作製する下部障壁層２
０４中に導入するが容易に行える等の利点からグ
ロー放電法或いはスパツターリング法が好適に採
用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して下部
障壁層２０４を形成しても良い。 グロー放電法によつて下部障壁層２０４を形成
するには、前記非晶質材料形成用の原料ガスを、
必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合し
て、支持体２０１の設置してある真空堆積用の堆
積室に導入し、導入させたガスをグロー放電を生
起させることでガスプラズマ化して前記支持体２
０１上に前記の非晶質材料を堆積させれば良い。 本発明に於いて、炭素系の非晶質材料で構成さ
れる下部障壁層２０４を形成する為の原料ガスと
して有効に使用されるのは、SiとＨとを構成原子
とするSiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のシラン
（Silane）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構
成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水
素、炭素数１〜５のエチレン系炭化水素、炭素数
２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、、エチレン
（C2H4）、プロピレン（C3H6）、ブテン−１
（C4H8）、ブテン−２（C4H8）、イソブチレン
（C4H8）、ペンテン（C5H10）、アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン（C2H2）、メチルアセ
チレン（C3H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられ
る。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等のケイ化アルキル
を挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、
Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論H2も有効なも
のとして使用される。 下部障壁層２０４をハロゲン原子を含む炭素系
の非晶質材料で構成する為の層形成用の原料ガス
の中でハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、
例えばハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン
間化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化
硅素、水素化硅素等を挙げる事が出来る。 具体的にはハロゲン単体としては、フツ素、塩
素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水
素としては、FH、HI、HCl、HBr、ハロゲン間
化合物としては、BrF、ClF、ClF3、ClF5、
BrF5、BrF3、IF7、IF5、ICl、IBr、ハロゲン化
硅素としては、SiF4、Si2F6、SiCl4、SiCl3Br、
SiCl2Br2、SiClBr3、SiCl3I、SiBr4、ハロゲン置
換水素化硅素としては、SiH2F2、SiH2Cl2、
SiHCl3、SiH3Cl、SiH3Br、SiH2Br2、SiHBr3、水
素化硅素としては、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10
等のシラン（Silane）類、等々を挙げることが出
来る。 これ等の他に、CCl4、CHF3、CH2F2、
CH3F、CH3Cl、CH3Br、CH3I、C2H5Cl等のハロ
ゲン置換パラフイン系炭化水素、SF4、SF6等の
フツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等
のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3、SiCl2
（CH3）2、SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アル
キル等のシランの誘導体も有効なものとして挙げ
ることが出来る。 これ等の障壁層形成物質は、形成される障壁層
中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
び必要に応じて又はハロゲン原子及び水素原子と
が含有される様に、障壁層形成の際に所望に従つ
て選択されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の障壁層
が形成され得るSi（CH3）4とハロゲン原子を含有
させるものとしてのSiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2、或
いはSiH3Cl等を所定の混合比でガス状態で障壁
層形成用の装置系内に導入してグロー放電を生起
させることによつてａ−（SifC1-f）g（Ｘ＋Ｈ）1-g
から成る障壁層を形成することが出来る。 本発明に於いて、窒素系の非晶質材料で下部障
壁層２０４を構成するのにグロー放電法を採用す
る場合には、先に挙げた障壁層形成用の物質の中
から所望に応じたものを選択し、それに加えて次
の窒素原子導入用の原料ガスを使用すれば良い。
即ち、下部障壁層２０４形成用の窒素原子導入用
の原料ガスに成り得るものとして有効に使用され
る出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば窒素（N2）、アンモニ
ア（NH3）、ヒドラジン（H2NNH2）、アジ化水素
（HN3）、アジ化アンモニウム（NH4N3）等のガス
状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物
等の窒素化合物を挙げることが出来る。この他
に、窒素原子の導入に加えて、ハロゲン原子の導
入も行えるという点から、三弗化窒素（F3N）、
四弗化窒素（F4N2）等のハロゲン化窒素化合物を
挙げることが出来る。 酸素系の非晶質材料で下部障壁層２０４を構成
するのにグロー放電法によつて層形成を行う場合
に於ける、下部障壁層２０４形成用の原料ガスと
なる出発物質としては、前記した障壁層形成用の
出発物質の中から所望に従つて選択されたものに
酸素原子導入用の出発物質が加えられる。その様
な酸素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も酸素原子を構成原子とするガス状の物質又はガ
ス化し得る物質をガス化したものの中の大概のも
のが使用され得る。 例えば、Siを構成原子とする原料ガスと、Ｏを
構成原子とする原料ガスと、必要に応じてＨ又は
及びＸを構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子と
する原料ガスと、Ｏ及びＨを構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、
或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、Si、Ｏ
及びＨの３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＯを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 酸素原子導入用の出発物質としては具体的に
は、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、一酸化炭
素（CO）、二酸化炭素（CO2）、一酸化窒素
（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸化窒素
（N2O）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸化窒素
（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三酸化窒素
（NO3）、SiとＯとＨとを構成原子とする、例えば
ジシロキサンH3SiOSiH3、トリシロキサン
H3SiOSiH2OSiH3等の低級シロキサン等を挙げる
ことが出来る。 上記した様に、グロー放電法によつて下部障壁
層２０４を形成する場合には、障壁層形成用の出
発物質を上記した物質の中より種々選択して使用
することにより、所望特性を有する所望構成材料
で構成された下部障壁層２０４を形成することが
出来る。下部障壁層２０４をグロー放電法で形成
する場合の出発物質の組合せで良好なものとして
具体的には、例えばSi（CH3）4、SiCl2（CH3）2等
の単独ガス又はSiH4−N2O系、SiH4−O2（−
Ar）系、SiH4−NO2系、SiH4−O2−N2系、SiCl4
−CO2−H2系、SiCl4−NO−H2系、SiH4−NH3
系、SiCl4−NH4系、SiH4−N2系、SiH4−NH3−
NO系、Si（CH3）4−SiH4系、SiCl2（CH3）2−
SiH4系等の混合ガスを挙げることが出来る。 スパツターリング法によつて炭素系の非晶質材
料で構成される下部障壁層２０４を形成するに
は、単結晶又は多結晶のSiウエーハー又はＣウエ
ーハー又はSiとＣが混合されて含有されているウ
エーハーをターゲツトとして、これ等を種々のガ
ス雰囲気中でスパツターリングすることによつて
行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
するのであれば、炭素原子と水素原子(H)又はハロ
ゲン原子（Ｘ）を導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子(H)又は
ハロゲン原子（Ｘ）を含有するガス雰囲気中でス
パツターリングすることによつて成される。 炭素原子又は水素原子或いはハロゲン原子導入
用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例
で示した原料ガスが、スパツターリング法の場合
にも有効なガスとして使用され得る。 スパツターリング法によつて窒素系の非晶質材
料で構成される下部障壁層２０４を形成するに
は、単結晶又は多結晶のSiウエーハー又はSi3N4
ウエーハー又はSiとSi3N4が混合されて含有され
ているウエーハーをターゲツトとして、これ等を
種々のガス雰囲気中でスパツターリングすること
によつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガス、例え
ばH2とN2、又はNH3を、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパツター用の堆積室中に導入し、
これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Siウ
エーハーをスパツタリングすれば良い。 又、別には、SiとSi3N4とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi3N4の混合して形成した一枚
のターゲツトを使用することによつて、スパツタ
ー用ガスとしての稀洌ガス雰囲気中で又は少なく
とも水素原子及び／又はハロゲン原子を含有する
ガス雰囲気中でスパツターリングすることによつ
て成される。 窒素原子導入用の原料ガスと成り得るものとし
ては、先述したグロー放電の例で示した障壁層形
成用の出発物質の中の水素原子導入用の原料ガス
が、スパツターリングの場合にも有効なガスとし
て使用され得る。 スパツターリング法によつて酸素系の非晶質材
料で構成される下部障壁層２０４を形成するに
は、単結晶又は多結晶のSiウエーハー又はSiO2ウ
エーハー又はSiとSiO2が混合されて含有されてい
るウエーハー或いはSiO2ウエーハーをターゲツ
トとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツ
ターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツトと
して、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲツト
を使用することによつて、スパツター用のガスと
しての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素
原子又は／及びハロゲン原子を構成要素として含
有するガス雰囲気中でスパツターリングすること
によつて成される。酸素原子導入用の原料ガスと
しては、先述したグロー放電の例で示した原料ガ
スの中の酸素原子導入用の原料ガスが、スパツタ
ーリングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。 本発明に於いて、下部障壁層２０４をグロー放
電法又はスパツターリング法で形成する際に使用
される稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例えば
He、Ne、Ar等が好適なものとして挙げることが
出来る。 本発明に於ける下部障壁層２０４は、その要求
される特性が所望通りに与えられる様に注意深く
形成される。 即ち、Siと、Ｃ、Ｎ、Ｏの中少なくとも１つ及
び必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原子とする
物質はその作成条件によつて構造的には結晶から
アモルフアスまでの形態を取り、電気物性的には
導電性から半導電性、絶縁性までの間の性質を、
又光導電的性質から非光導電的性質までの間の性
質を、各々示すので、本発明に於いては、非光導
電性の非晶質材料が形成される様に、その作成条
件の選択が厳密に成される。 本発明の下部障壁層２０４を構成する非晶質材
料は障壁層２０４の機能が、支持体２０１側から
光導電層２０２側へのフリーキヤリアの注入を阻
止し、且つ光導電層２０２中で発生したフオトキ
ヤリアが移動して支持体２０１側に通過するのを
容易に許すことを果すものであることから、電気
絶縁性的挙動を示すものとして形成される。 又、光導電層２０２中で発生したフオトキヤリ
アが下部障壁層２０４中を通過する際、その通過
がスムーズに成される程度に通過するキヤリアに
対する易動度（mobility）の値を有するものとし
て下部障壁層２０４が形成される。 上記の様な特性を有する前記の非晶質材料から
成る下部障壁層２０４が形成される為の層作成条
件の中の重要な要素として、層作成時の支持体温
度を挙げる事が出来る。 即ち、支持体２０１の表面に前記非晶質材料か
ら成る下部障壁層２０４を形成する際、層形成中
の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を
左右する重要な因子であつて、本発明に於いて
は、目的とする特性を有する前記非晶質材料が所
望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度
が厳密に制御される。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
下部障壁層２０４を形成する際の支持体温度とし
ては下部障壁層２０４の形成法に併せて適宜最適
範囲が選択されて、下部障壁層２０４の形成が実
行されるが、水素原子又はハロゲン原子を含む系
の場合には通常の場合、100℃〜300℃、好適に
は、150℃〜250℃とされ、水素原子又はハロゲン
原子を含まない系の場合には通常、20〜200℃、
好適には20〜150℃とされるのが望ましいもので
ある。下部障壁層２０４の形成には、同一系内で
下部障壁層２０４から光導電層２０２、更に表面
障壁層２０３まで連続的に形成する事が出来る、
各層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚
の制御が他の方法に比べて比較的容易である事等
の為に、グロー放電法やスパツターリング法の採
用が有利であるが、これ等の層形成法で下部障壁
層２０４を形成する場合には、前記の支持体温度
と同様に層成形の際の放電パワー、ガス圧が、作
成される下部障壁層２０４の特性を左右する重要
な因子として挙げることが出来る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
する下部障壁層２０４が生産性よく効果的に作成
される為の放電パワー条件としては、通常１〜
300W、好適には２〜150Wである。又、堆積室内
のガス圧は通常３×10-3〜5Torr、好適には８×
10-3〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける下部障壁層２０４
に含有される炭素原子、窒素原子、酸素原子及び
水素原子、ハロゲン原子の量は、下部障壁層２０
４の作製条件と同様、本発明の目的を達成する所
望の特性が得られる障壁層が形成される重要な因
子である。 下部障壁層２０４をａ−SiaC1-aで構成する場
合には炭素原子の含有量は、シリコン原子に対し
て通常は60〜90atomic％、好適には65〜
80atomic％、最適には70〜75atomic％、ａの表
示では0.1〜0.4、好適には0.2〜0.35、最適には
0.25〜0.3とされ、ａ−（SibC1-b）cＨ1-cで構成す
る場合には、炭素原子の含有量は、通常30〜
90atomic％、好適には40〜90atomic％、最適に
は50〜80atomic％、水素原子の含有量として
は、通常１〜40atomic％、好適には２〜
35atomic％、最適には５〜30atomic％、ｂ、ｃ
の表示で示せば、ｂが通常は0.1〜0.5、好適には
0.1〜0.35、最適には0.15〜0.3、ｃが通常は0.60
〜0.99、好適には0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95
とされ、ａ−（SidC1-d）eX1-e又は、ａ−
（SifC1-f）g（Ｈ＋Ｘ）1-gで構成する場合には、炭
素原子の含有量は通常は40〜90atomic％、好適
には50〜90atomic％、最適には60〜80atomic
％、ハロゲン原子又はハロゲン原子と水素原子と
を併せた含有量は通常は１〜20atomic％、好適
には１〜18atomic％、最適には２〜15atomic％
とされ、ハロゲン原子と水素原子の両者が含有さ
れる場合の水素原子の含有量は、通常は
19atomic％、好適には13atomic％とされ、ｄ、
ｅ、ｆ、ｇの表示では、ｄ、ｆが通常は0.1〜
0.47、好適には0.1〜0.35、最適には0.15〜0.3、
ｅ、ｇが通常は0.8〜0.99、好適には0.85〜0.99、
最適には0.85〜0.98とされる。 下部障壁層２０４を窒素系の非晶質材料で構成
する場合、先ずａ−SihN1-hの場合には、窒素原
子の含有量はシリコン原子に対して通常は43〜
60atomic％、好適には43〜50atomic％、ｈの表
示では通常は0.43、0.60、好適には0.43〜0.50と
される。 ａ−（SiiN1-j）jＨ1-jで構成する場合には、窒素
原子の含有量としては、通常は25〜55atomic
％、好適には35〜55atomic％、水素原子の含有
量としては、通常２〜35atomic％、好適には５
〜30atomic％とされ、ｉ、ｊで表示すれば、ｉ
としては通常0.43〜0.6、好適には0.43〜0.5、ｊ
としては通常0.65〜0.98、好適には0.7〜0.95とさ
れ、ａ−（SikN1-k）lX1-l又はａ−（SinN1-n）o（Ｈ
＋Ｘ）1-oで構成する場合には窒素原子の含有量
は、通常30〜60atomic％、好適には40〜
60atomic％、ハロゲン原子又は、ハロゲン原子
と水素原子とを併せた含有量は、通常１〜
20atomic％、好適には２〜15atomic％とされ、
ハロゲン原子と水素原子の両者が含有される場合
の水素原子の含有量は通常は19atomic％以下、
好適には13atomic％以下とされ、ｋ、ｌ、ｍ、
ｎの表示では、ｋ、ｌが通常は0.43〜0.60、好適
には0.43〜0.49、ｍ、ｎが通常は0.8〜0.99、好適
には0.85〜0.98とされる。 下部障壁層２０４を酸素系の非晶質材料で構成
する場合には、先ず、ａ−SipO1-pでは、酸素原
子の含有量は、シリコン原子に対して60〜
67atomic％、好適には63〜67atomic％とされ、
ｏの表示では、通常0.33〜0.40、好適には0.33〜
0.37とされる。 ａ−（SipO1-p）qＨ1-qの場合には、酸素原子の
含有量は通常39〜66atomic％、好適には42〜
64atomic％、水素原子の含有量としては、通常
は２〜35atomic％、、好適には５〜30atomic％、
ｐ、ｑの表示では、ｐとして通常0.33〜0.40、好
適には0.33〜0.37、ｑとして通常0.65〜0.98、好
適には0.70〜0.95である。 ａ−（SirO1-r）sＸ1-s、又はａ−（SitO1-t）u（Ｈ
＋Ｘ）1-uで構成する場合には、酸素原子の含有量
は、通常48〜66atomic％、好適には51〜
66atomic％、ハロゲン原子又はハロパン原子と
水素原子とを併せた含有量は、通常は１〜
20atomic％、好適には２〜15atomic％、とさ
れ、ハロゲン原子と水素原子の両者が含有される
場合には、水素原子の含有量は通常19atomic％
以下、好適には13atomic％以下とされ、ｒ、
ｓ、ｔ、ｕの表示では、ｒ、ｓは通常は0.33〜
0.40、好適には0.33〜0.37、ｔ、ｕとしては通常
0.80〜0.99、好適には0.85〜0.98とされる。 本発明に於いて、下部障壁層２０４を構成する
電気絶縁性の金属酸化物としては、TiO2、
Ce2O3、ZrO2、HfO2、GeO2、GaO、BeO、
P2O5、Y2O3、Cr2O3、Al2O3、MgO、MgO・
Al2O3、SiO2・MgO等が好ましいものとして挙げ
ることが出来る。これ等は２種以上を併用して下
部障壁層２０４を形成しても良いものである。 電気絶縁性の金属酸化物で構成される下部障壁
層２０４の形成は、真空蒸着法、CVD
（chemical vapour deposition）法、グロー放電
分解法、スパツターリング法、イオンインプラン
テーシヨン法、イオンプレーテイング法、エレク
トロンビーム法等によつて成される。これ等の製
造法は、製造条件、設備資本下の負荷程度、製造
規模、作製させる光導電部材に所望される特性等
の要因によつて適宜選択されて採用される。 例えば、スパツターリング法によつて下部障壁
層２０４を形成するには、障壁層形成用の出発物
質のウエーハーをターゲツトとしてHe、Ne、Ar
等のスパツター用のガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて行えば良い。 エレクトロンビーム法を用いる場合には下部障
壁層形成用の出発物質を蒸着ボート内に入れてエ
レクトロンビームを照射して蒸着すればよいが、
支持体２０１側から光導電層２０２中へのキヤリ
アの流入を阻止し、且つ光導電層２０２中で発生
したフオトキヤリアが移動して支持体２０１側に
通過するのを容易に許すことを果たすものである
ことから、電気絶縁性的挙動を示すものとして形
成される。 本発明に於ける下部障壁層２０４の層厚の数値
範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の重
要な因子の１つである。 下部障壁層２０４の層厚が充分過ぎる程に薄い
と、支持体２０１の側からの光導電層２０２側方
向へのフリーキヤリアの流入を阻止する働きが充
分果し得なくなり、又、充分過ぎる程以上に厚い
と、光導電層２０２中に於いて生ずるフオトキヤ
リアの支持体２０１の側への通過する確率が極め
て小さくなり、従つて、いずれの場合にも、本発
明の目的を効果的に達成され得なくなる。 上記の点に鑑みて本発明の目的を効果的に達成
する為の下部障壁層２０４の層厚としては、通常
の場合、30〜1000Å、好適には、50〜600Åであ
る。 実施例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第３図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて第１図に示す層構造の光導電部材を作成
した。 表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン（基板）３０２を堆積室３０１内の所定位置に
ある固定部材３０３に堅固に固定した。ターゲツ
ト３０５，３０６は多結晶高純度シリコン
（99.999％）を高純度グラフアイト（99.999％）
上に設置したものである。シヤツター３０８は閉
じている。基板３０２は、固定部材３０３内の加
熱ヒーター３０４によつて±0.5℃の精度で加熱
される。温度は、熱電対（アルメルークロメル）
によつて基板裏面を直接測定されるようになされ
た。次いで系内の全バルブが閉じられていること
を確認してからメインバルブ３３１を全開して一
旦５×10-7torr程度まで真空にされ（このとき系
の全バルブは閉じられている）、補助バルブ３２
９および流出バルブ３２４，３２５，３２６，３
２７，３２８が開かれフローメーター３３７，３
３８，３３９，３４０，３４１内が十分に脱気さ
れた後、流出パルブ３２４，３２５，３２６，３
２７，３２８が閉じられた。ここでヒーター３０
４はONされ基板温度は250℃に設定される。 次にH2で10vol％に稀釈されたSiH4ガス（純度
99.999％）ボンベ３０９のバルブ３１４、H2で
100vppmに稀釈されたB2H6ガスボンベ３１０の
バルブ３１５を開け、出口圧ゲージ３３２，３３
３の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３１９，
３２０を徐々に開けてフローメーター３３７，３
３８内へSiH4ガスB2H6ガスを流入させた。引続
いて、流出バルブ３２４，３２５を徐々に開け、
次いで補助バルブ３２９を徐々に開けた。このと
きSiH4／H2ガス流量とB2H6／H2ガス流量比が
100：１になるように流入バルブ３１９，３２０
を調整した。次にピラニーゲージ３４２の読みを
注視しながら補助バルブ３２９の開口を調整し、
室３０１内が１×10-2torrになるまで補助バルブ
３２９を開けた。室３０１内圧が安定してから、
メインバルブ３３１を徐々に閉じ、ピラニーゲー
ジ３４２の指示が0.5torrになるまで開口を絞つ
た。ガス流入が安定し内圧が安定するのを確認し
シヤツター３０８は閉じたまま高周波電源３４３
のスイツチをON状態にして、電極３０３，３０
８間に13.56MHzの高周波電力を投入し室３０１
内にグロー放電を発生させ、10Wの入力電力とし
た。グロー放電を約10時間持続させて層厚約15μ
の光導電層を形成した。 その後、高周波電源３４３をOFF状態にし、
放電を一旦中止させ、バルブ３１４，３１５及び
３１９，３２０、さらに３２４，３２５を閉じて
バルブ３３１を全開とした。室３０１内が十分真
空脱気された後バルブ３２９を一旦閉じる。 次に、Arによつて5vol％に稀釈されたBF3ガス
ボンベ３１１のバルブ３１６及びArによつて
5vol％に稀釈されたB2H6ガスボンベ３１３のバ
ルブ３１８を徐々に開け、出口圧ゲージ３３４及
び３３６の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３
２１，３２３を徐々に開けてフローメーター３３
９，３４１内へBF3／Arガス及びB2H6／Arガス
を流入させた。引続いて流出バルブ３２６，３２
８を徐々に開け、次いで補助バルブ３２９を徐々
に開けた。このとき、EF3／Arガス流量と、
B2H6／Arガス流量比が１：１になるように流入
バルブ３２１，３２３を調整した。 次に補助バルブ３２９の開口を調整して室３０
１内を１×10-2torrに保つた。室３０１の内圧が
安定してからメインバルブ３３１を徐々に閉じ、
ピラニーゲージ３４２の指示が0.2torrになるま
で開口を絞つた。ガス流入が安定し、内圧が安定
するのを確認し高周波電源３４３のスイツチを
ON状態にして電極３０３，３０８間に高周波電
力を投入し、入力電力25Wで室３０１内にグロー
放電を発生させた。この様にしてグロー放電を約
５分間接続させることによつて表面障壁層を形成
した。このようにして形成された表面障壁層の厚
さは約400Åである。 最後に加熱ヒーター３０４をOFF状態にし、
高周波電源３４３もOFF状態とし、流出バルブ
３２６及び流入バルブ３２１を閉じ、メインバル
ブ３３１を全開にして、室３０１内を10-5torr以
下にした後、メインバルブ３３１を閉じ、基板温
度が50℃になるのを待つてから室３０１内をリー
クバルブ３３０によつて大気圧として基板を取り
出した。 こうして得られた光導電部材を、実験用の帯電
露光装置に設置した。6KVでコロナ帯電を行
い、画像露光を行つた。光源はハロゲンランプを
用い、光量は約１ 1ux・secであつた。 その後直ちに、荷電圧の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を光導電部材表面にカスケード
することによつて、光導電部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。光導電部材上のトナー画像を、
5.0KVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な画像が得
られた。又、画像形成を繰り返し行つた場合にも
１回目と２回目、もしくはそれ以降とを比較した
場合、画質に何ら変化は生じなかつた。さらに上
記プロセスを５万回繰り返し行つても画像特性の
低下は見られなかつた。 一方、帯電極性を逆にして、即ち、6KVでコ
ロナ帯電を行い、画像露光を行つた後、荷電性
の現像剤でカスケード現象を行つたが、良好な画
像は得られなかつた。 実施例 ２ 実施例１に於いて用いたと全く同じ装置を用
い、同様の手続をもつてモリブデン基板３０２を
固定した。 次いで系内の全バルブが閉じられていることを
確認してからメインバルブ３３１を全開して一旦
５×10-7torr程度まで真空にされ（このとき系の
全バルブは閉じられている）、補助バルブ３２９
および流出バルブ３２４，３２５，３２６，３２
７，３２８が開かれフローメーター３３７，３３
８，３３９，３４０，３４１内が十分に脱気され
た後、流出バルブ３２４，３２５，３２６，３２
７，３２８、が閉じられた。 次にアルゴン（純度99.999％）ガスボンベ３１
２のバルブ３１７を開け、出口圧力計３３５の読
みが１Kg／cm2になる様に調整された後、流入バル
ブ３２２が開けられ、アルゴンガスを堆積室３０
１内に流入させた。ピラニーゲージ３４２の指示
が５×10-4torrになるまで、流出バルブ３２７が
徐々に開けられ、この状態で流量が安定してか
ら、メインバルブ３３１が徐々に閉じられ、室内
圧が１×10-2torrになるまで開口が絞られた。次
いでシヤツター３０８を開として、フローメータ
ー３４０が安定するのを確認してから、高周波電
源３４３をON状態にし、ターゲツト３０５，３
０６および固定部材３０３間に13.56MHz、100W
の交流電力が入力された。この条件で安定した放
電を続ける様にマツチングを取りながら層を形成
した。この様にして１分間放電を続けて100Å厚
の下部障壁層を形成した。その後高周波電源３４
３をOFF状態にし、放電を一旦中止させた。引
き続いて流出バルブ３２２を閉じ、メインバルブ
３３１を全開して堆積室３０１内のガスを抜き、
５×10-5torrまで真空にした。その後ヒーター３
０４の入力をONとし、基板温度を検知しながら
入力電圧を変化させ、250℃の一定値になるまで
安定させた。 さらに、補助バルブ３２９、次いで流出バルブ
３２７及び流入バルブ３２２を全開し、フローメ
ーター３４０内も十分脱気真空状態にされた。 引き続いて、実施例１と全く同じ方法で、光導
電層及び表面障壁層を形成した。このようにして
作成した光導電部材を実施例１と全く同じ実験用
の帯電露光装置に設置し、全く同じ方法で画像形
成・現像・転写を行つたところ、解像力に優れ、
階調再現性のよい鮮明な実施例１よりさらに高濃
度の画像が得られた。又、繰り返し特性も良好で
あつた。さらに実施例１と同様にして帯電極性を
逆にして画像形成を試みたが、良好な画像は得ら
れなかつた。 実施例 ３ 表面障壁層の厚さを変えること以外は、実施例
１と全く同様な方法で光導電部材を形成した。こ
の光導電部材を実施例１と同様な方法で極性帯
電による画像形成を行つたところ、第１表に示す
如き結果を得た。
線、可射光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野に於ける電子
写真用像形成部材や原稿読取装置等に於ける光導
電層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ｉp）／暗電流（Id）〕が高く、
照射する電磁波のスペクトル特性にマツチングし
た吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が
速く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時に於
いて人体に対して無公害であること、更には固体
撮像装置に於いては、残像を所定時間内に容易に
処理することが出来ること等の特性が要求され
る。殊に、事務機としてオフイスで使用される電
子写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材
の場合には、上記の使用時に於ける無公害性は重
要な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、特開昭55−39404号公報には光電変換
読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性及び耐湿性
等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の点
に於いて、更に改良される可き点が存し、広範囲
に於ける応用を含めた実用的な固体撮像装置や読
取装置、電子写真用像形成部材等には、生産性、
量産性をも加味して仲々有効に使用し得ないのが
実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、その使用時に於いて残留電位が残る場合が
度々観測され、この様な種の光導電部材は繰返し
長時間使用し続けると、繰返し使用による疲労の
蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴースト現象を
発する様になる等の不都合な点が少なくなかつ
た。 更には例えば、本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ−Siは、従来のSe、CdS、ZnO或
いはPVCzやTNF等のOPC（有機光導電部材）に
較べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電
池用として使用する為の特性が付与されたａ−Si
から成る単層構成の光導電層を有する電子写真用
像形成部材の上記光導電層に静電像形成の為の帯
電処理を施しても暗減衰（dark decay）が著し
く速く、通常の電子写真法が仲々適用され難い
事、及び多湿雰囲気中に於いては、上記傾向が著
しく、場合によつては現像時間まで帯電々荷を全
く保持し得ない事がある等、解決され得る可き点
が存在している事が伴明している。 従つて、ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で光導電部材を設計する際に、上記した
様な所望の電気的、光学的及び光導電的特性が得
られる様に工夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルフアス材
料、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン
化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水
素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的
表記としてａ−Si（Ｈ、Ｘ）を使用する〕から構
成される光導電層の層構造を特定化し、且つ該光
導電層上に特定の障壁層を設けた層構成に設計さ
れて作製された光導電部材は実用的に充分使用し
得るばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみ
ても殆んどの点に於いて凌駕していること、殊に
電子写真用の光導電部材として著しく優れた特性
を有していることを見出した点に基づいている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し
使用に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全
く又は殆んど観測されない光導電部材を提供する
ことを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分ある、優れた電
子写真特性を有する光導電部材を提供することで
ある。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の光導電部材は支持体と光導電層と、こ
れらの上に、即ち表面側に設けられ、帯電電荷が
表面より前記光導電層中へ注入されるのを防止す
る機能を有する表面障壁層とから成る。さらに、
前記光導電層がシリコンを母体とし、水素原子又
はハロゲン原子又は水素原子及びハロゲン原子を
含有するアモルフアス材料で構成されており、又
前記表面障壁層がボロンを母体とし、水素原子及
びハロゲン原子（Ｘ）を含有するアモルフアス材
料で構成されているものである。それ等の界面領
域に於いて障壁もしくは空之層が形成され、前記
障壁層は電子の前記光導電層中への注入を阻止し
得、一方電磁波照射によつて生じたキヤリヤの通
過を可能とするものである。 本発明による前記障壁層は、電子の前記光導電
性層中への注入を阻止し得るが、正孔の前記光導
電層中への注入は阻止し得ないことが判明した。
従つて本発明の光導電部材は、特定の極性を有す
るものであり、該部材表面を帯電処理する場合に
は、負極性の帯電のみが好適に用いられる。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し
得、極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性
及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像
形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高SN比を有する
ものであつて、耐光疲労、繰返し使用性に著しく
長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、
且つ解像度の高い、高品質の可視画像を得ること
が出来る。 更に又、電子写真用像形成部材に適用させる場
合、高暗抵抗のａ−Si（Ｈ、Ｘ）は光感度が低
く、逆に光感度の高いａ−Si（Ｈ、Ｘ）は暗抵抗
が108Ωcmと前後と低く、いずれの場合にも、従
来の層構成の光導電層のままでは電子写真用の像
形成部材には適用されなかつたのに対して、本発
明の場合には、その特定化された層構造から比較
的低抵抗（５×109Ωcm以上）のａ−Si（Ｈ、
Ｘ）でも電子写真用の光導電層を構成する材料と
なることができるので、抵抗は比較的低いが高感
度であるａ−Si（Ｈ、Ｘ）も充分使用し得、ａ−
Si（Ｈ、Ｘ）の特性面からの制約が軽減され得
る。 帯電時の電位の暗減衰防止のために、さらに支
持体上に下部障壁層を設け、支持体、下部障壁
層、光導電層、表面障壁層の順に積層された構成
をとることも可能である。この場合、下部障壁層
は、帯電時、支持体の側から光導電層側へのフリ
ーキヤリヤの流入を効果的に阻止し且つ電磁波照
射時に於いては、光導電層中で発生したフオトキ
ヤリヤの支持体側への流出を許容するよう機能す
るものであり、Al2O3等の金属酸化物、炭素或い
は窒素を含有するアモルフアスシリコン材料が好
適に用いられる。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図、本発明の光導電部材の基本的な構成例
を説明する為に模式的に示した模式的構成図であ
る。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、光導電層１０
２、該光導電層１０２上に直接接触した状態に設
けられている表面障壁層１０３とで構成される層
構造を有する。 支持体１０１としては、導電性でも電気絶縁性
であつても良い。導電性支持体としては、例え
ば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、
Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の
合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、
NiCr、Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Pt、Pd、In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋
SnO2）等から成る薄膜を設けることによつて導電
性が付与され、或いはポリエステルフイルム等の
合成樹脂フイルムであれば、NiCr、Al、Ag、
Pb、Zn、Ni、Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、
Ti、Pt等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スパツタリング等でその表面に設け、又は
前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面に導電性が付与される。支持体の形状として
は、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし
得、所望によつて、その形状は決定されるが、例
えば、第１図の光導電部材１００は電子写真用像
形成部材として使用するのであれば連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部
材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部
材として可撓性が要求される場合には、支持体と
しての機能が充分発揮される範囲内であれば可能
な限り薄くされる。而乍ら、この様な場合支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、
通常は、10μ以上とされる。 表面障壁層１０３は、その表面に帯電処理が施
された際、表面電荷が光導電層１０２中に注入さ
れるのを阻止する機能が荷せられている。 表面障壁層１０３は、ボロン原子と水素原子及
びハロゲン原子を含むアモルフアス材料（ａ−
Bx（HyX1-y）1-x但し０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）
で構成され、その表面に帯電処理が施された際表
面電荷が光導電層１０２中に注入されるのを阻止
する機能が荷せられている。 ａ−Bx（HyX1-y）1-xで構成される表面障壁層
１０３の形成は、好適には、以下に述べるグロー
放電法によつて行うことができる。即ち、原料ガ
スとしてB2H6及びBF3（又はBCl3）を用い、必要
に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、
支持体１０１の設置してある真空堆積用の堆積室
に導入し、導入させたガスをグロー放電を生起さ
せることでガスプラズマ化して前記光導電層１０
２上に前記の非晶質材料を堆積させれば良い。 又、必要に応じて、上記表面障壁層１０３中
に、族原子（例えばBe）、族原子（例えば
Si、Ｃ）等をドープすることも可能である。 光導電層１０２の表面にａ−Bx（HyX1-y）1-x
から成る表面障壁層１０３を形成する際、層形成
中の支持体温度は、形成される層の構造及び特性
を左右する重量な因子であつて、本発明に於いて
は、目的とする特性を有するａ−Bx（HyX1-y）1-
ｘが所望通りに作成され得る様に層作成時の支持
体温度が厳密に制御される。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
表面障壁層１０３を形成する際の支持体温度とし
ては、通常の場合、20〜350℃好適には150℃〜
300℃とされるのが望ましいものである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−Bx（HyX1-y）1-xが生産性良く効果的に
作成されるための放電パワー条件としては、通常
2W〜100Wで、好適には10W〜50Wである。 本発明の光導電部材に於ける表面障壁層１０３
に含有される水素原子及びハロゲン原子の量は、
所望の特性が得られる表面障壁層が形成される重
要な因子である。 本発明に於ける表面障壁層１０３に含有される
水素原子とハロゲン原子の量の和は、通常は１〜
50atomic％、好適には５〜40atomic％とされる
のが望ましいものである。即ち先のａ−Bx
（HyX1-y）1-xのｘの表示で行えば、ｘが通常は
0.99〜0.5、好適には0.95〜0.6である。又、ｙの
値としては、通常0.98〜0.2、好適には0.9〜0.4と
される。 本発明に於ける表面障壁層１０３の層厚の数値
範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の重
要な因子の１つである。 表面障壁層１０３の層厚が充分過ぎる程に薄い
と、表面からの光導電層１０２への表面電荷の注
入を阻止する働きが充分果し得なくなり、又、充
分過ぎる程以上に厚いと、再び注入阻止能力の低
下を招いたり、又フオトキヤリヤが障壁層中を通
過し表面電荷と再結合する確率が極めて小さくな
るという弊害を生ずる、従つて、いずれの場合に
も、本発明の目的を効果的に達成され得なくな
る。 本発明の目的を効果的に達成する為の表面障壁
層１０３の層厚としては、通常の場合、30Å〜１
μ好適には、50〜5000Å、最適には50〜1000Åと
されるのが望ましい。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成する
為に、支持体１０１上に形成される光導電層１０
２は下記に示す半導体特性を有するａ−Si（Ｈ、
Ｘ）で構成される。 ｐ型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……アクセプターのみ
を含むもの。或いは、ドナーとアクセプターと
の両方を含み、アクセプターの濃度（Na）が
高いもの。 p-形ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……のタイプに於
いてアクセプターの濃度（Na）が低い所謂ｐ
型不純物をライトリードープしたもの。 ｎ型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……ドナーのみを含む
もの。或いはドナーとアクセプターの両方を含
み、ドナー濃度（Nd）が高いもの。 n-型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……のタイプに於い
てドナーの濃度（Nd）が低い、所謂ノンドー
プのものか又はｎ型不純物をライトリードープ
したもの。 ｉ型ａ−Si（Ｈ、Ｘ）……NaNdＯのも
の又は、NaNdのもの。 本発明に於いて、光導電層１０２中に含有され
るハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフツ
素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフツ
素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明に於いて、ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成され
る光導電層１０２を形成するには例えばグロー放
電法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテ
イング法等の放電現象を利用する真空堆積法によ
つて成される。例えば、グロー放電法によつて、
ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成される光導電層を形成す
るには、Siを生成し得るSi生成原料ガスと共に、
水素原子導入用の又は／及びハロゲン原子導入用
の原料ガスを内部が減圧にし得る堆積室内に導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されある所定の支持体表面上にａ
−Si（Ｈ、Ｘ）からなる層を形成させれば良い。
又、スパツターリング法で形成する場合には、例
えばAr、He等の不活性ガス又はこれ等のガスを
ベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで形成され
たターゲツトをスパツターリングする際、水素原
子又は／及びハロゲン原子導入用のガスをスパツ
ターリング用の堆積室に導入してやれば良い。 本発明に於いて使用されるSi生成原料ガスとし
ては、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のガス状態
の又はガス化し得る水素化硅素（シラン類）が有
効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作
成作業の際の扱い易さ、Si生成効率の良さ等の点
でSiH4、Si2H6が好ましいものとして挙げられ
る。 本発明に於いて使用されるハロゲン原子導入用
原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合
物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン化
物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換されたシ
ラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハロ
ゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲンを含む硅素化合物も有効なものとして本発
明に於いては挙げることが出来る。 本発明に於いて好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF3、
BrF5、BrF3、IF7、IF5、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲンを含む硅素化合物、所謂、ハロゲンで
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例
えばSiF4、Si2F6、SiCl4、SiBr4等のハロゲン化
硅素が好ましいものとして挙げることが出来る。 この様なハロゲンを含む硅素化合物を採用して
グロー放電法によつて本発明の特徴的な光導電部
材を形成する場合には、Siを生成し得る原料ガス
としての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定
の支持体上にａ−Si：Ｘから成る光導電層を形成
する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む光
導電層１０２を製造する場合、基本的には、Si生
成用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガスと
Ar、H2、He等のガスとを所定の混合比とガス流
量になる様にして光導電層を形成する堆積室内に
導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによつて、所定の支
持体上に光導電層１０２を形成し得るものである
が、水素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更
に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合
して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。反応スパツタリング法或いはイオンプレーテ
イング法に依つてａ−Si（Ｈ、Ｘ）から成る光導
電層を形成するには、例えばスパツターリング法
の場合にはSiから成るターゲツトを使用して、こ
れを所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリン
グし、イオンプレーテイング法の場合には、多結
晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として蒸
着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗加
熱法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）等
によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプ
ラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来
る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、前記したシラン
類等のガスをスパツタリング用の堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれば良
い。 本発明に於いては、ハロゲン導入用の原料ガス
として上記されたハロゲン化合物或いはハロゲン
を含む硅素化合物が有効なものとして使用される
ものであるが、その他に、HF、HCl、HBr、HI
等のハロゲン化水素、SiH2F2、SiH2Cl2、
SiHCl3、SiH2Br2、SiHBr3等のハロゲン置換水素
化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、
水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物も
有効な光導電層形成用の出発物質として挙げる事
が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、光導
電層形成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時
に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好
適なハロゲン導入用の原料として使用される。 水素原子を光導電層中に構造的に導入するに
は、上記の他にH2、或いはSiH4、Si2H6、
Si3H8、Si4H10等の水素化硅素のガスをａ−Siを
生成する為のシリコン化合物と堆積室中に共存さ
せて放電を生起させる事でも行う事が出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe、Ar等の不活性ガ
スも含めて推積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、基板上にａ−Si（Ｈ、Ｘ）から成る
光導電層が形成される。 更には、不純物のドーピングも兼ねてB2H6、
PH3、CPF3等のガスを導入してやることも出来
る。 本発明に於いて、形成される光導電部材の光導
電層中に含有させるＨ又はＸの量又は（Ｈ＋Ｘ）
の量は通常の場合１〜40atomic％、好適には５
〜30atomic％とされるのが望ましい。 層中に含有されるＨ又は／及びＸの量を制御す
るには、例えば堆積支持体温度又は／及びＨを含
有させる為に使用される出発物質の堆積装置系内
へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良
い。 光導電層をｎ型又はｐ型或いはｉ型とするに
は、グロー放電法や反応スパツターリング法等に
よる層形成の際に、ｎ型不純物又はｐ型不純物、
或いは両不純物を形成させる層中にその量を制御
し乍らドーピングしてやる事によつて成される。 光導電層中にドーピングされる不純物として
は、光導電層をｉ型又はｐ型にするには、周期律
表第族Ａの元素、例えば、Ｂ、Al、Ga、In、
Tl等が好適なものとして挙げられる。 ｎ型にする場合には、周期律表第Ｖ族Ａの元
素、例えば、Ｎ、Ｐ、As、Sb、Bi等が好適なも
のとして挙げられる。これ等の不純物は、層中に
含有される量がppmオーダーであるので、光導
電層を構成する主物質程その公害性に注意を払う
必要はないが出来る限り公害性のないものを使用
するものが好ましい。この様な観点からすれば、
形成される層の電気的・光学的特性を加味して、
例えば、Ｂ、Ga、Ｐ、Sb等が最適である。この
他に、例えば、熱拡散やインプランテーシヨンに
よつてLi等がインターステイシアルにドーピング
されることでｎ型に制御することも可能である。
光導電層中にドーピングされる不純物の量は、所
望される電気的・光学的特性に応じて適宜決定さ
れるが、n-型、ｉ型、p-型とするにはノンドー
プのものから、周期律表第族Ａの不純物を５×
10-3atomic％までドーピングしてやれば良く、ｐ
型とするには、周期律表第族Ａの不純物を５×
10-3〜３×10-2atomic％ドーピングしてやれば良
い。ｎ型とするには周期律表第族Ａの不純物を
５×10-3atomic％以下の量範囲でドーピングして
やることが望ましいものである。光導電層の層厚
は、光導電層中でフオトキヤリアが効率良く発生
され、所定の方向に効率良く輪送される様に所望
に従つて適宜決められ、通常は３〜100μ、好適
には５〜50μとされる。 本発明に於いては、表面障壁層１０３を設ける
ことによつて光導電層１０２は、比較的低抵抗で
あつても使用され得るものであるが、一層良好な
結果を得る為には、形成される光導電層１０２の
暗抵抗が好適には５×109Ωcm以上、最適には
1010Ωcm以上となる様に光導電層１０２が形成さ
れるのが望ましいものである。 殊に、この暗抵抗値の数値条件は、作製された
光導電部材を電子写真用像形成部材や、低照度領
域で使用される高感度の読取装置や撮像装置、或
いは光電変換装置として使用する場合には重要な
要素である。 本発明に於ける光導電部材の光導電層１０２の
層厚としては、読取装置、撮像装置或いは電子写
真用像形成部材等の適用するものの目的に適合さ
せて所望に従つて適宜決定される。 本発明に於いては、光導電層１０２の層厚とし
ては、光導電層１０２の機能及び障壁層の機能が
各々有効に活されて本発明の目的が効果的に達成
される様に表面障壁層１０３との層厚関係に於い
て適宜所望に従つて決められるものであり、通常
の場合、表面障壁層１０３の層厚に対して数百〜
数千倍以上の層厚とされるのが好ましいものであ
る。 次に第２図は、本発明の光導電部材の別の構成
例を説明する為に模式的に示した模式的構成図で
ある。 第２図に示す光導電部材２００は、光導電部材
用としての支持体２０１の上に、下部障壁層２０
４、該障壁層２０４に直接接触した状態に設けら
れている光導電層２０２、及び表面障壁層２０３
とで構成されている。 従つて、本構成は、第１図に於いて述べた層構
成に、下部障壁層２０４が付加されたものであ
る。 下部障壁層２０４は、支持体２０１の側から光
導電層２０２側方向からフリーキヤリアの流入を
効果的に阻止し且つ電磁波照射時に於いて電磁波
の照射によつて光導電層２０２中に生じ、支持体
２０１の側に向つて移動するフオトキヤリアの光
導電層２０２の側から支持体２０１の側への通過
を容易に許す機能を有するものである。 下部障壁層２０４は、シリコンを母体とし、炭
素原子、窒素原子及び酸素原子の中から選択され
る原子の少なくとも一種と、必要に応じて水素原
子又はハロゲン原子の少なくともいずれか一方と
を含む非晶質材料＜これ等を総称してａ−〔Six
（Ｃ、Ｎ、Ｏ）1-x〕y（Ｈ、Ｘ）1-yと表記する（但
し、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）＞或いは、電気絶
縁性の金属酸化物で構成される。 本発明に於いて、ハロゲン原子（Ｘ）として好
適なのはＦ、Cl、Br、Ｉであり、殊にＦ、Clが
望ましいものである。 上記下部障壁層２０４を構成する非晶質材料と
して本発明に於いて有効に使用されるものとして
具体的には、例えば炭素系の非晶質材料としてａ
−SiaC1-a、ａ−（SibC1-b）cＨ1-c、ａ−
（SidC1-d）eＸ1-e、ａ−（SifC1-f）g（Ｈ＋Ｘ）1-g、
窒素系の非晶質材料としてａ−SihN1-h、ａ−
（SiiN1-i）jＨ1-j、ａ−（SikN1-k）lＸ1-l、ａ−
（SimN1-n）o（Ｈ＋Ｘ）1-o、酸素系の非晶質材料と
してａ−SioO1-p、ａ−（SipO1-p）qＨ1-q、ａ−
（SirO1-r）sＸ1-s、ａ−（SitO1-t）u（Ｈ＋Ｘ）1-u
等、更には、上記の非晶質材料に於いて、Ｃ、
Ｎ、Ｏの中の少なくも２種の原子を構成原子とし
て含む非晶質材料を挙げることが出来る（但し０
＜ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、
ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ＜
１）。 これ等の非晶質材料は層構成の最適化設計に依
る下部障壁層２０４に要求される特性及び該障壁
層２０４上に積重される光導電層２０２及び表面
障壁層２０３との連続的作成の容易さ等によつて
適宜最適なものが選択される。殊に特性面からす
れば、炭素系、窒素系の非晶質材料を選択するの
がより好ましいものである。 下部障壁層２０４を上記の非晶質材料で構成す
る場合の層形成法としてはグロー放電法、スパツ
ターリング法、イオンインプランテーシヨン法、
イオンプレーテイング法、エレクトロンビーム法
等によつて成される。これ等の製造法は、製造条
件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製さ
れる光導電部材に所望される特性等の要因によつ
て適宜選択されて採用されるが、所望する特性を
有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御
が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素原
子、窒素原子、酸素原子、或いは、必要に応じて
水素原子やハロゲン原子を作製する下部障壁層２
０４中に導入するが容易に行える等の利点からグ
ロー放電法或いはスパツターリング法が好適に採
用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して下部
障壁層２０４を形成しても良い。 グロー放電法によつて下部障壁層２０４を形成
するには、前記非晶質材料形成用の原料ガスを、
必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混合し
て、支持体２０１の設置してある真空堆積用の堆
積室に導入し、導入させたガスをグロー放電を生
起させることでガスプラズマ化して前記支持体２
０１上に前記の非晶質材料を堆積させれば良い。 本発明に於いて、炭素系の非晶質材料で構成さ
れる下部障壁層２０４を形成する為の原料ガスと
して有効に使用されるのは、SiとＨとを構成原子
とするSiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のシラン
（Silane）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構
成原子とする、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水
素、炭素数１〜５のエチレン系炭化水素、炭素数
２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、、エチレン
（C2H4）、プロピレン（C3H6）、ブテン−１
（C4H8）、ブテン−２（C4H8）、イソブチレン
（C4H8）、ペンテン（C5H10）、アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン（C2H2）、メチルアセ
チレン（C3H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられ
る。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等のケイ化アルキル
を挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、
Ｈ導入用の原料ガスとしては勿論H2も有効なも
のとして使用される。 下部障壁層２０４をハロゲン原子を含む炭素系
の非晶質材料で構成する為の層形成用の原料ガス
の中でハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、
例えばハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン
間化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化
硅素、水素化硅素等を挙げる事が出来る。 具体的にはハロゲン単体としては、フツ素、塩
素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水
素としては、FH、HI、HCl、HBr、ハロゲン間
化合物としては、BrF、ClF、ClF3、ClF5、
BrF5、BrF3、IF7、IF5、ICl、IBr、ハロゲン化
硅素としては、SiF4、Si2F6、SiCl4、SiCl3Br、
SiCl2Br2、SiClBr3、SiCl3I、SiBr4、ハロゲン置
換水素化硅素としては、SiH2F2、SiH2Cl2、
SiHCl3、SiH3Cl、SiH3Br、SiH2Br2、SiHBr3、水
素化硅素としては、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10
等のシラン（Silane）類、等々を挙げることが出
来る。 これ等の他に、CCl4、CHF3、CH2F2、
CH3F、CH3Cl、CH3Br、CH3I、C2H5Cl等のハロ
ゲン置換パラフイン系炭化水素、SF4、SF6等の
フツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4、Si（C2H5）4等
のケイ化アルキルやSiCl（CH3）3、SiCl2
（CH3）2、SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アル
キル等のシランの誘導体も有効なものとして挙げ
ることが出来る。 これ等の障壁層形成物質は、形成される障壁層
中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
び必要に応じて又はハロゲン原子及び水素原子と
が含有される様に、障壁層形成の際に所望に従つ
て選択されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の障壁層
が形成され得るSi（CH3）4とハロゲン原子を含有
させるものとしてのSiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2、或
いはSiH3Cl等を所定の混合比でガス状態で障壁
層形成用の装置系内に導入してグロー放電を生起
させることによつてａ−（SifC1-f）g（Ｘ＋Ｈ）1-g
から成る障壁層を形成することが出来る。 本発明に於いて、窒素系の非晶質材料で下部障
壁層２０４を構成するのにグロー放電法を採用す
る場合には、先に挙げた障壁層形成用の物質の中
から所望に応じたものを選択し、それに加えて次
の窒素原子導入用の原料ガスを使用すれば良い。
即ち、下部障壁層２０４形成用の窒素原子導入用
の原料ガスに成り得るものとして有効に使用され
る出発物質は、Ｎを構成原子とする或いはＮとＨ
とを構成原子とする例えば窒素（N2）、アンモニ
ア（NH3）、ヒドラジン（H2NNH2）、アジ化水素
（HN3）、アジ化アンモニウム（NH4N3）等のガス
状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物
等の窒素化合物を挙げることが出来る。この他
に、窒素原子の導入に加えて、ハロゲン原子の導
入も行えるという点から、三弗化窒素（F3N）、
四弗化窒素（F4N2）等のハロゲン化窒素化合物を
挙げることが出来る。 酸素系の非晶質材料で下部障壁層２０４を構成
するのにグロー放電法によつて層形成を行う場合
に於ける、下部障壁層２０４形成用の原料ガスと
なる出発物質としては、前記した障壁層形成用の
出発物質の中から所望に従つて選択されたものに
酸素原子導入用の出発物質が加えられる。その様
な酸素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も酸素原子を構成原子とするガス状の物質又はガ
ス化し得る物質をガス化したものの中の大概のも
のが使用され得る。 例えば、Siを構成原子とする原料ガスと、Ｏを
構成原子とする原料ガスと、必要に応じてＨ又は
及びＸを構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子と
する原料ガスと、Ｏ及びＨを構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、
或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、Si、Ｏ
及びＨの３つを構成原子とする原料ガスとを混合
して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＯを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 酸素原子導入用の出発物質としては具体的に
は、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、一酸化炭
素（CO）、二酸化炭素（CO2）、一酸化窒素
（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸化窒素
（N2O）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸化窒素
（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三酸化窒素
（NO3）、SiとＯとＨとを構成原子とする、例えば
ジシロキサンH3SiOSiH3、トリシロキサン
H3SiOSiH2OSiH3等の低級シロキサン等を挙げる
ことが出来る。 上記した様に、グロー放電法によつて下部障壁
層２０４を形成する場合には、障壁層形成用の出
発物質を上記した物質の中より種々選択して使用
することにより、所望特性を有する所望構成材料
で構成された下部障壁層２０４を形成することが
出来る。下部障壁層２０４をグロー放電法で形成
する場合の出発物質の組合せで良好なものとして
具体的には、例えばSi（CH3）4、SiCl2（CH3）2等
の単独ガス又はSiH4−N2O系、SiH4−O2（−
Ar）系、SiH4−NO2系、SiH4−O2−N2系、SiCl4
−CO2−H2系、SiCl4−NO−H2系、SiH4−NH3
系、SiCl4−NH4系、SiH4−N2系、SiH4−NH3−
NO系、Si（CH3）4−SiH4系、SiCl2（CH3）2−
SiH4系等の混合ガスを挙げることが出来る。 スパツターリング法によつて炭素系の非晶質材
料で構成される下部障壁層２０４を形成するに
は、単結晶又は多結晶のSiウエーハー又はＣウエ
ーハー又はSiとＣが混合されて含有されているウ
エーハーをターゲツトとして、これ等を種々のガ
ス雰囲気中でスパツターリングすることによつて
行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
するのであれば、炭素原子と水素原子(H)又はハロ
ゲン原子（Ｘ）を導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子(H)又は
ハロゲン原子（Ｘ）を含有するガス雰囲気中でス
パツターリングすることによつて成される。 炭素原子又は水素原子或いはハロゲン原子導入
用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例
で示した原料ガスが、スパツターリング法の場合
にも有効なガスとして使用され得る。 スパツターリング法によつて窒素系の非晶質材
料で構成される下部障壁層２０４を形成するに
は、単結晶又は多結晶のSiウエーハー又はSi3N4
ウエーハー又はSiとSi3N4が混合されて含有され
ているウエーハーをターゲツトとして、これ等を
種々のガス雰囲気中でスパツターリングすること
によつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガス、例え
ばH2とN2、又はNH3を、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパツター用の堆積室中に導入し、
これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Siウ
エーハーをスパツタリングすれば良い。 又、別には、SiとSi3N4とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi3N4の混合して形成した一枚
のターゲツトを使用することによつて、スパツタ
ー用ガスとしての稀洌ガス雰囲気中で又は少なく
とも水素原子及び／又はハロゲン原子を含有する
ガス雰囲気中でスパツターリングすることによつ
て成される。 窒素原子導入用の原料ガスと成り得るものとし
ては、先述したグロー放電の例で示した障壁層形
成用の出発物質の中の水素原子導入用の原料ガス
が、スパツターリングの場合にも有効なガスとし
て使用され得る。 スパツターリング法によつて酸素系の非晶質材
料で構成される下部障壁層２０４を形成するに
は、単結晶又は多結晶のSiウエーハー又はSiO2ウ
エーハー又はSiとSiO2が混合されて含有されてい
るウエーハー或いはSiO2ウエーハーをターゲツ
トとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツ
ターリングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツトと
して、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲツト
を使用することによつて、スパツター用のガスと
しての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素
原子又は／及びハロゲン原子を構成要素として含
有するガス雰囲気中でスパツターリングすること
によつて成される。酸素原子導入用の原料ガスと
しては、先述したグロー放電の例で示した原料ガ
スの中の酸素原子導入用の原料ガスが、スパツタ
ーリングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。 本発明に於いて、下部障壁層２０４をグロー放
電法又はスパツターリング法で形成する際に使用
される稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例えば
He、Ne、Ar等が好適なものとして挙げることが
出来る。 本発明に於ける下部障壁層２０４は、その要求
される特性が所望通りに与えられる様に注意深く
形成される。 即ち、Siと、Ｃ、Ｎ、Ｏの中少なくとも１つ及
び必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原子とする
物質はその作成条件によつて構造的には結晶から
アモルフアスまでの形態を取り、電気物性的には
導電性から半導電性、絶縁性までの間の性質を、
又光導電的性質から非光導電的性質までの間の性
質を、各々示すので、本発明に於いては、非光導
電性の非晶質材料が形成される様に、その作成条
件の選択が厳密に成される。 本発明の下部障壁層２０４を構成する非晶質材
料は障壁層２０４の機能が、支持体２０１側から
光導電層２０２側へのフリーキヤリアの注入を阻
止し、且つ光導電層２０２中で発生したフオトキ
ヤリアが移動して支持体２０１側に通過するのを
容易に許すことを果すものであることから、電気
絶縁性的挙動を示すものとして形成される。 又、光導電層２０２中で発生したフオトキヤリ
アが下部障壁層２０４中を通過する際、その通過
がスムーズに成される程度に通過するキヤリアに
対する易動度（mobility）の値を有するものとし
て下部障壁層２０４が形成される。 上記の様な特性を有する前記の非晶質材料から
成る下部障壁層２０４が形成される為の層作成条
件の中の重要な要素として、層作成時の支持体温
度を挙げる事が出来る。 即ち、支持体２０１の表面に前記非晶質材料か
ら成る下部障壁層２０４を形成する際、層形成中
の支持体温度は、形成される層の構造及び特性を
左右する重要な因子であつて、本発明に於いて
は、目的とする特性を有する前記非晶質材料が所
望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温度
が厳密に制御される。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
下部障壁層２０４を形成する際の支持体温度とし
ては下部障壁層２０４の形成法に併せて適宜最適
範囲が選択されて、下部障壁層２０４の形成が実
行されるが、水素原子又はハロゲン原子を含む系
の場合には通常の場合、100℃〜300℃、好適に
は、150℃〜250℃とされ、水素原子又はハロゲン
原子を含まない系の場合には通常、20〜200℃、
好適には20〜150℃とされるのが望ましいもので
ある。下部障壁層２０４の形成には、同一系内で
下部障壁層２０４から光導電層２０２、更に表面
障壁層２０３まで連続的に形成する事が出来る、
各層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚
の制御が他の方法に比べて比較的容易である事等
の為に、グロー放電法やスパツターリング法の採
用が有利であるが、これ等の層形成法で下部障壁
層２０４を形成する場合には、前記の支持体温度
と同様に層成形の際の放電パワー、ガス圧が、作
成される下部障壁層２０４の特性を左右する重要
な因子として挙げることが出来る。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
する下部障壁層２０４が生産性よく効果的に作成
される為の放電パワー条件としては、通常１〜
300W、好適には２〜150Wである。又、堆積室内
のガス圧は通常３×10-3〜5Torr、好適には８×
10-3〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける下部障壁層２０４
に含有される炭素原子、窒素原子、酸素原子及び
水素原子、ハロゲン原子の量は、下部障壁層２０
４の作製条件と同様、本発明の目的を達成する所
望の特性が得られる障壁層が形成される重要な因
子である。 下部障壁層２０４をａ−SiaC1-aで構成する場
合には炭素原子の含有量は、シリコン原子に対し
て通常は60〜90atomic％、好適には65〜
80atomic％、最適には70〜75atomic％、ａの表
示では0.1〜0.4、好適には0.2〜0.35、最適には
0.25〜0.3とされ、ａ−（SibC1-b）cＨ1-cで構成す
る場合には、炭素原子の含有量は、通常30〜
90atomic％、好適には40〜90atomic％、最適に
は50〜80atomic％、水素原子の含有量として
は、通常１〜40atomic％、好適には２〜
35atomic％、最適には５〜30atomic％、ｂ、ｃ
の表示で示せば、ｂが通常は0.1〜0.5、好適には
0.1〜0.35、最適には0.15〜0.3、ｃが通常は0.60
〜0.99、好適には0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95
とされ、ａ−（SidC1-d）eX1-e又は、ａ−
（SifC1-f）g（Ｈ＋Ｘ）1-gで構成する場合には、炭
素原子の含有量は通常は40〜90atomic％、好適
には50〜90atomic％、最適には60〜80atomic
％、ハロゲン原子又はハロゲン原子と水素原子と
を併せた含有量は通常は１〜20atomic％、好適
には１〜18atomic％、最適には２〜15atomic％
とされ、ハロゲン原子と水素原子の両者が含有さ
れる場合の水素原子の含有量は、通常は
19atomic％、好適には13atomic％とされ、ｄ、
ｅ、ｆ、ｇの表示では、ｄ、ｆが通常は0.1〜
0.47、好適には0.1〜0.35、最適には0.15〜0.3、
ｅ、ｇが通常は0.8〜0.99、好適には0.85〜0.99、
最適には0.85〜0.98とされる。 下部障壁層２０４を窒素系の非晶質材料で構成
する場合、先ずａ−SihN1-hの場合には、窒素原
子の含有量はシリコン原子に対して通常は43〜
60atomic％、好適には43〜50atomic％、ｈの表
示では通常は0.43、0.60、好適には0.43〜0.50と
される。 ａ−（SiiN1-j）jＨ1-jで構成する場合には、窒素
原子の含有量としては、通常は25〜55atomic
％、好適には35〜55atomic％、水素原子の含有
量としては、通常２〜35atomic％、好適には５
〜30atomic％とされ、ｉ、ｊで表示すれば、ｉ
としては通常0.43〜0.6、好適には0.43〜0.5、ｊ
としては通常0.65〜0.98、好適には0.7〜0.95とさ
れ、ａ−（SikN1-k）lX1-l又はａ−（SinN1-n）o（Ｈ
＋Ｘ）1-oで構成する場合には窒素原子の含有量
は、通常30〜60atomic％、好適には40〜
60atomic％、ハロゲン原子又は、ハロゲン原子
と水素原子とを併せた含有量は、通常１〜
20atomic％、好適には２〜15atomic％とされ、
ハロゲン原子と水素原子の両者が含有される場合
の水素原子の含有量は通常は19atomic％以下、
好適には13atomic％以下とされ、ｋ、ｌ、ｍ、
ｎの表示では、ｋ、ｌが通常は0.43〜0.60、好適
には0.43〜0.49、ｍ、ｎが通常は0.8〜0.99、好適
には0.85〜0.98とされる。 下部障壁層２０４を酸素系の非晶質材料で構成
する場合には、先ず、ａ−SipO1-pでは、酸素原
子の含有量は、シリコン原子に対して60〜
67atomic％、好適には63〜67atomic％とされ、
ｏの表示では、通常0.33〜0.40、好適には0.33〜
0.37とされる。 ａ−（SipO1-p）qＨ1-qの場合には、酸素原子の
含有量は通常39〜66atomic％、好適には42〜
64atomic％、水素原子の含有量としては、通常
は２〜35atomic％、、好適には５〜30atomic％、
ｐ、ｑの表示では、ｐとして通常0.33〜0.40、好
適には0.33〜0.37、ｑとして通常0.65〜0.98、好
適には0.70〜0.95である。 ａ−（SirO1-r）sＸ1-s、又はａ−（SitO1-t）u（Ｈ
＋Ｘ）1-uで構成する場合には、酸素原子の含有量
は、通常48〜66atomic％、好適には51〜
66atomic％、ハロゲン原子又はハロパン原子と
水素原子とを併せた含有量は、通常は１〜
20atomic％、好適には２〜15atomic％、とさ
れ、ハロゲン原子と水素原子の両者が含有される
場合には、水素原子の含有量は通常19atomic％
以下、好適には13atomic％以下とされ、ｒ、
ｓ、ｔ、ｕの表示では、ｒ、ｓは通常は0.33〜
0.40、好適には0.33〜0.37、ｔ、ｕとしては通常
0.80〜0.99、好適には0.85〜0.98とされる。 本発明に於いて、下部障壁層２０４を構成する
電気絶縁性の金属酸化物としては、TiO2、
Ce2O3、ZrO2、HfO2、GeO2、GaO、BeO、
P2O5、Y2O3、Cr2O3、Al2O3、MgO、MgO・
Al2O3、SiO2・MgO等が好ましいものとして挙げ
ることが出来る。これ等は２種以上を併用して下
部障壁層２０４を形成しても良いものである。 電気絶縁性の金属酸化物で構成される下部障壁
層２０４の形成は、真空蒸着法、CVD
（chemical vapour deposition）法、グロー放電
分解法、スパツターリング法、イオンインプラン
テーシヨン法、イオンプレーテイング法、エレク
トロンビーム法等によつて成される。これ等の製
造法は、製造条件、設備資本下の負荷程度、製造
規模、作製させる光導電部材に所望される特性等
の要因によつて適宜選択されて採用される。 例えば、スパツターリング法によつて下部障壁
層２０４を形成するには、障壁層形成用の出発物
質のウエーハーをターゲツトとしてHe、Ne、Ar
等のスパツター用のガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて行えば良い。 エレクトロンビーム法を用いる場合には下部障
壁層形成用の出発物質を蒸着ボート内に入れてエ
レクトロンビームを照射して蒸着すればよいが、
支持体２０１側から光導電層２０２中へのキヤリ
アの流入を阻止し、且つ光導電層２０２中で発生
したフオトキヤリアが移動して支持体２０１側に
通過するのを容易に許すことを果たすものである
ことから、電気絶縁性的挙動を示すものとして形
成される。 本発明に於ける下部障壁層２０４の層厚の数値
範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の重
要な因子の１つである。 下部障壁層２０４の層厚が充分過ぎる程に薄い
と、支持体２０１の側からの光導電層２０２側方
向へのフリーキヤリアの流入を阻止する働きが充
分果し得なくなり、又、充分過ぎる程以上に厚い
と、光導電層２０２中に於いて生ずるフオトキヤ
リアの支持体２０１の側への通過する確率が極め
て小さくなり、従つて、いずれの場合にも、本発
明の目的を効果的に達成され得なくなる。 上記の点に鑑みて本発明の目的を効果的に達成
する為の下部障壁層２０４の層厚としては、通常
の場合、30〜1000Å、好適には、50〜600Åであ
る。 実施例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第３図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて第１図に示す層構造の光導電部材を作成
した。 表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン（基板）３０２を堆積室３０１内の所定位置に
ある固定部材３０３に堅固に固定した。ターゲツ
ト３０５，３０６は多結晶高純度シリコン
（99.999％）を高純度グラフアイト（99.999％）
上に設置したものである。シヤツター３０８は閉
じている。基板３０２は、固定部材３０３内の加
熱ヒーター３０４によつて±0.5℃の精度で加熱
される。温度は、熱電対（アルメルークロメル）
によつて基板裏面を直接測定されるようになされ
た。次いで系内の全バルブが閉じられていること
を確認してからメインバルブ３３１を全開して一
旦５×10-7torr程度まで真空にされ（このとき系
の全バルブは閉じられている）、補助バルブ３２
９および流出バルブ３２４，３２５，３２６，３
２７，３２８が開かれフローメーター３３７，３
３８，３３９，３４０，３４１内が十分に脱気さ
れた後、流出パルブ３２４，３２５，３２６，３
２７，３２８が閉じられた。ここでヒーター３０
４はONされ基板温度は250℃に設定される。 次にH2で10vol％に稀釈されたSiH4ガス（純度
99.999％）ボンベ３０９のバルブ３１４、H2で
100vppmに稀釈されたB2H6ガスボンベ３１０の
バルブ３１５を開け、出口圧ゲージ３３２，３３
３の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３１９，
３２０を徐々に開けてフローメーター３３７，３
３８内へSiH4ガスB2H6ガスを流入させた。引続
いて、流出バルブ３２４，３２５を徐々に開け、
次いで補助バルブ３２９を徐々に開けた。このと
きSiH4／H2ガス流量とB2H6／H2ガス流量比が
100：１になるように流入バルブ３１９，３２０
を調整した。次にピラニーゲージ３４２の読みを
注視しながら補助バルブ３２９の開口を調整し、
室３０１内が１×10-2torrになるまで補助バルブ
３２９を開けた。室３０１内圧が安定してから、
メインバルブ３３１を徐々に閉じ、ピラニーゲー
ジ３４２の指示が0.5torrになるまで開口を絞つ
た。ガス流入が安定し内圧が安定するのを確認し
シヤツター３０８は閉じたまま高周波電源３４３
のスイツチをON状態にして、電極３０３，３０
８間に13.56MHzの高周波電力を投入し室３０１
内にグロー放電を発生させ、10Wの入力電力とし
た。グロー放電を約10時間持続させて層厚約15μ
の光導電層を形成した。 その後、高周波電源３４３をOFF状態にし、
放電を一旦中止させ、バルブ３１４，３１５及び
３１９，３２０、さらに３２４，３２５を閉じて
バルブ３３１を全開とした。室３０１内が十分真
空脱気された後バルブ３２９を一旦閉じる。 次に、Arによつて5vol％に稀釈されたBF3ガス
ボンベ３１１のバルブ３１６及びArによつて
5vol％に稀釈されたB2H6ガスボンベ３１３のバ
ルブ３１８を徐々に開け、出口圧ゲージ３３４及
び３３６の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ３
２１，３２３を徐々に開けてフローメーター３３
９，３４１内へBF3／Arガス及びB2H6／Arガス
を流入させた。引続いて流出バルブ３２６，３２
８を徐々に開け、次いで補助バルブ３２９を徐々
に開けた。このとき、EF3／Arガス流量と、
B2H6／Arガス流量比が１：１になるように流入
バルブ３２１，３２３を調整した。 次に補助バルブ３２９の開口を調整して室３０
１内を１×10-2torrに保つた。室３０１の内圧が
安定してからメインバルブ３３１を徐々に閉じ、
ピラニーゲージ３４２の指示が0.2torrになるま
で開口を絞つた。ガス流入が安定し、内圧が安定
するのを確認し高周波電源３４３のスイツチを
ON状態にして電極３０３，３０８間に高周波電
力を投入し、入力電力25Wで室３０１内にグロー
放電を発生させた。この様にしてグロー放電を約
５分間接続させることによつて表面障壁層を形成
した。このようにして形成された表面障壁層の厚
さは約400Åである。 最後に加熱ヒーター３０４をOFF状態にし、
高周波電源３４３もOFF状態とし、流出バルブ
３２６及び流入バルブ３２１を閉じ、メインバル
ブ３３１を全開にして、室３０１内を10-5torr以
下にした後、メインバルブ３３１を閉じ、基板温
度が50℃になるのを待つてから室３０１内をリー
クバルブ３３０によつて大気圧として基板を取り
出した。 こうして得られた光導電部材を、実験用の帯電
露光装置に設置した。6KVでコロナ帯電を行
い、画像露光を行つた。光源はハロゲンランプを
用い、光量は約１ 1ux・secであつた。 その後直ちに、荷電圧の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を光導電部材表面にカスケード
することによつて、光導電部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。光導電部材上のトナー画像を、
5.0KVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な画像が得
られた。又、画像形成を繰り返し行つた場合にも
１回目と２回目、もしくはそれ以降とを比較した
場合、画質に何ら変化は生じなかつた。さらに上
記プロセスを５万回繰り返し行つても画像特性の
低下は見られなかつた。 一方、帯電極性を逆にして、即ち、6KVでコ
ロナ帯電を行い、画像露光を行つた後、荷電性
の現像剤でカスケード現象を行つたが、良好な画
像は得られなかつた。 実施例 ２ 実施例１に於いて用いたと全く同じ装置を用
い、同様の手続をもつてモリブデン基板３０２を
固定した。 次いで系内の全バルブが閉じられていることを
確認してからメインバルブ３３１を全開して一旦
５×10-7torr程度まで真空にされ（このとき系の
全バルブは閉じられている）、補助バルブ３２９
および流出バルブ３２４，３２５，３２６，３２
７，３２８が開かれフローメーター３３７，３３
８，３３９，３４０，３４１内が十分に脱気され
た後、流出バルブ３２４，３２５，３２６，３２
７，３２８、が閉じられた。 次にアルゴン（純度99.999％）ガスボンベ３１
２のバルブ３１７を開け、出口圧力計３３５の読
みが１Kg／cm2になる様に調整された後、流入バル
ブ３２２が開けられ、アルゴンガスを堆積室３０
１内に流入させた。ピラニーゲージ３４２の指示
が５×10-4torrになるまで、流出バルブ３２７が
徐々に開けられ、この状態で流量が安定してか
ら、メインバルブ３３１が徐々に閉じられ、室内
圧が１×10-2torrになるまで開口が絞られた。次
いでシヤツター３０８を開として、フローメータ
ー３４０が安定するのを確認してから、高周波電
源３４３をON状態にし、ターゲツト３０５，３
０６および固定部材３０３間に13.56MHz、100W
の交流電力が入力された。この条件で安定した放
電を続ける様にマツチングを取りながら層を形成
した。この様にして１分間放電を続けて100Å厚
の下部障壁層を形成した。その後高周波電源３４
３をOFF状態にし、放電を一旦中止させた。引
き続いて流出バルブ３２２を閉じ、メインバルブ
３３１を全開して堆積室３０１内のガスを抜き、
５×10-5torrまで真空にした。その後ヒーター３
０４の入力をONとし、基板温度を検知しながら
入力電圧を変化させ、250℃の一定値になるまで
安定させた。 さらに、補助バルブ３２９、次いで流出バルブ
３２７及び流入バルブ３２２を全開し、フローメ
ーター３４０内も十分脱気真空状態にされた。 引き続いて、実施例１と全く同じ方法で、光導
電層及び表面障壁層を形成した。このようにして
作成した光導電部材を実施例１と全く同じ実験用
の帯電露光装置に設置し、全く同じ方法で画像形
成・現像・転写を行つたところ、解像力に優れ、
階調再現性のよい鮮明な実施例１よりさらに高濃
度の画像が得られた。又、繰り返し特性も良好で
あつた。さらに実施例１と同様にして帯電極性を
逆にして画像形成を試みたが、良好な画像は得ら
れなかつた。 実施例 ３ 表面障壁層の厚さを変えること以外は、実施例
１と全く同様な方法で光導電部材を形成した。こ
の光導電部材を実施例１と同様な方法で極性帯
電による画像形成を行つたところ、第１表に示す
如き結果を得た。
【表】
○優 △良 ×不可
第１図及び第２図は各々本発明の光導電部材の
好適な実施態様例の層構成を説明する為の模式的
説明図、第３図は本発明の光導電部材を作成する
為の装置を説明する為の模式的説明図である。 １００，２００……光導電部材、１０１，２０
１……支持体、１０２，２０２……光導電層、１
０３，２０３……表面障壁層、２０４……下部障
壁層。
好適な実施態様例の層構成を説明する為の模式的
説明図、第３図は本発明の光導電部材を作成する
為の装置を説明する為の模式的説明図である。 １００，２００……光導電部材、１０１，２０
１……支持体、１０２，２０２……光導電層、１
０３，２０３……表面障壁層、２０４……下部障
壁層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体上に、シリコン原子を母体とし水素原
子又はハロゲン原子の少なくともいずれか一方を
含むアモルフアス材料で構成されている光導電層
と、表面より光導電層中にキヤリヤが注入するの
を防止すべく機能する表面障壁層とをこの順に積
層された光導電部材であつて、前記表面障壁層が
ボロン原子を母体とし、かつ水素原子及びハロゲ
ン原子を含有するアモルフアス材料で構成されて
いることを特徴とする光導電部材。 ２ 表面障壁層に含有されている水素原子の量と
ハロゲン原子の量の和が１乃至50atomic％であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の光導電部材。 ３ 表面障壁層の厚みが30Å乃至１μである特許
請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ４ 支持体と光導電層の界面にあつて、支持体よ
り光導電層中へキヤリヤが注入するのを防止すべ
く機能する、下部障壁層をさらに有する特許請求
の範囲第１項乃至第３項に記載の光導電部材。 ５ 下部障壁層が、シリコン原子を母体とし、炭
素原子、窒素原子及び酸素原子の中から選択され
る原子の少なくとも１種とを含む非晶質材料で構
成されている特許請求の範囲第４項に記載の光導
電部材。 ６ 下部障壁層が水素原子又はハロゲン原子のい
ずれか一方を少なくとも含む特許請求の範囲第５
項に記載の光導電部材。 ７ 下部障壁層が、電気絶縁性の金属酸化物で構
成されている特許請求の範囲第４項に記載の光導
電部材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56002245A JPS57116346A (en) | 1981-01-10 | 1981-01-10 | Photoconductive material |
| DE19823200376 DE3200376A1 (de) | 1981-01-09 | 1982-01-08 | Fotoleitfaehiges element |
| US06/631,006 US4525442A (en) | 1981-01-09 | 1984-07-16 | Photoconductive member containing an amorphous boron layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56002245A JPS57116346A (en) | 1981-01-10 | 1981-01-10 | Photoconductive material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57116346A JPS57116346A (en) | 1982-07-20 |
| JPS628782B2 true JPS628782B2 (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=11523961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56002245A Granted JPS57116346A (en) | 1981-01-09 | 1981-01-10 | Photoconductive material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57116346A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02206296A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-16 | Sharp Corp | オートホワイトバランスモジユール |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59138373A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-08 | Canon Inc | フオトセンサ |
| JP2007290019A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Shoda Seisakusho:Kk | 竪型押し込み方式絞り加工機列 |
-
1981
- 1981-01-10 JP JP56002245A patent/JPS57116346A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02206296A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-16 | Sharp Corp | オートホワイトバランスモジユール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57116346A (en) | 1982-07-20 |
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