JPS5880784U - 電力変換装置の保護装置 - Google Patents
電力変換装置の保護装置Info
- Publication number
- JPS5880784U JPS5880784U JP17534381U JP17534381U JPS5880784U JP S5880784 U JPS5880784 U JP S5880784U JP 17534381 U JP17534381 U JP 17534381U JP 17534381 U JP17534381 U JP 17534381U JP S5880784 U JPS5880784 U JP S5880784U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- series
- extinguishing
- protection device
- semiconductor elements
- self
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図はゲートターンオフサイリスタを用いたインバー
タ回路図、第２図は第１図回路における転流失敗時の保
護回路、第３図は第２図回路の動作波形図、第４図は従
来の静電誘導型サイリスタの回路図及び動作図、第５図
は本考案の一実施例の回路図、第６図は第５図回路の動
作波形図、第７図は本考案の他の実施例の回路図、第８
図は第７図回路の動作波形図である。 Ｐｔ・・・パンタグラフ、ＨＢ・・・高速度遮断器、ｈ
・・・フィルタリアクトル、Ｃ・・・フィルタコンデン
サ、ＡＬ、、 ＡＬ２・・・アノードリアクトル、ＤＬ
１〜ＤＬ２−・・ダイオード、ＤＦ１〜ＤＦ２・・・ダ
イオード、ＧＴＯ□〜ＧＴＯ２・・・ゲートターンオフ
サイリスタ、Ｉ−Ｍ・・・誘導電動機、ＳＣＲ・・・サ
イリスタ、Ｃ−ｆ−Ｄ・・・転流失敗検出装置、ＳＩ・
・・静電誘導型サイリスタ、Ｓ・・・スイッチ、ＲＬ・
・・負荷抵抗、Ｖ−Ｄ・・・電圧検出器、Ｃ８・・・コ
ンデンサ、Ｒ８・・・抵抗。
タ回路図、第２図は第１図回路における転流失敗時の保
護回路、第３図は第２図回路の動作波形図、第４図は従
来の静電誘導型サイリスタの回路図及び動作図、第５図
は本考案の一実施例の回路図、第６図は第５図回路の動
作波形図、第７図は本考案の他の実施例の回路図、第８
図は第７図回路の動作波形図である。 Ｐｔ・・・パンタグラフ、ＨＢ・・・高速度遮断器、ｈ
・・・フィルタリアクトル、Ｃ・・・フィルタコンデン
サ、ＡＬ、、 ＡＬ２・・・アノードリアクトル、ＤＬ
１〜ＤＬ２−・・ダイオード、ＤＦ１〜ＤＦ２・・・ダ
イオード、ＧＴＯ□〜ＧＴＯ２・・・ゲートターンオフ
サイリスタ、Ｉ−Ｍ・・・誘導電動機、ＳＣＲ・・・サ
イリスタ、Ｃ−ｆ−Ｄ・・・転流失敗検出装置、ＳＩ・
・・静電誘導型サイリスタ、Ｓ・・・スイッチ、ＲＬ・
・・負荷抵抗、Ｖ−Ｄ・・・電圧検出器、Ｃ８・・・コ
ンデンサ、Ｒ８・・・抵抗。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ リアクトルとコンデンサからなるフィルタ回路を備
える電源、リアクトルと複数個の直列接続された半導体
素子との直列体、この直列体の複数組が前記電源に並列
接続され、且つ、前記複数個の直列接続された半導体素
子の任意の接続点から負荷に接続されるように構成され
る電力変換装置において、前記電源と並列に抵抗が並列
接続されたコンデンサと自己消弧型半導体素子の直列体
を接続し、前記自己消弧型半導体素子は前記複数個の直
列接続された半導体素子が共に導通状態になったことで
点弧され、前記複数個の直列接続された半導体素子のい
ずれかが非導通になったことで消弧される手段をＰえた
ことを特徴とする電力変換装置の保護装置。 ２ 実用新案登録請求の範囲第１項記載の自己消弧型半
導体素子は静電誘導型サイリスクとし、該静電誘導型サ
イリスタを前記複数個の直列接続された半導体素子間の
電圧を検出してオンオ゛ フする制御する手段を設けた
ことを特徴とする電力変換装置の保護装置。 ３ 実用新案登録請求の範囲第１項記載の自己消弧型半
導体素子はゲートターンオフサイリスタとし、該ゲート
ターンオフサイリスタを前記複数個の直列接続された半
導体素子間に並列に接続されたコンデンサの充電電流で
オンオフ制御する手段を設けたことを特徴とする電力変
換装置の保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17534381U JPS5880784U (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 電力変換装置の保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17534381U JPS5880784U (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 電力変換装置の保護装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880784U true JPS5880784U (ja) | 1983-06-01 |
Family
ID=29967670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17534381U Pending JPS5880784U (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 電力変換装置の保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880784U (ja) |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP17534381U patent/JPS5880784U/ja active Pending
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