JPS5880975A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
- Publication number
- JPS5880975A JPS5880975A JP56179465A JP17946581A JPS5880975A JP S5880975 A JPS5880975 A JP S5880975A JP 56179465 A JP56179465 A JP 56179465A JP 17946581 A JP17946581 A JP 17946581A JP S5880975 A JPS5880975 A JP S5880975A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imaging device
- photoconductive film
- charge
- electrode
- image pickup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
- H10F39/194—Photoconductor image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主に撮像管ターゲットあるいは光導電膜を積
層した固体撮像装置（以下積層型固体撮像装置と呼ぶ）
等の撮像装置に関するもので、光導電膜で生成する電荷
量が、走査回路で充電可能な電荷量をうわまわる場合生
ずる残像や、やきつけ、及びプルーミング現象をなくす
ことを目的とする。
層した固体撮像装置（以下積層型固体撮像装置と呼ぶ）
等の撮像装置に関するもので、光導電膜で生成する電荷
量が、走査回路で充電可能な電荷量をうわまわる場合生
ずる残像や、やきつけ、及びプルーミング現象をなくす
ことを目的とする。
家庭用ビデオテープレコーダ（ｖｒＲ）ｏ普及に伴なめ
、ビデオテープレコーダ用カメラも、ここ数年加速度的
に普及しつつあるが、家庭用カメラまたは工業用カメラ
としては、より小型化が望まれ、撮像管、固体撮像装置
のいずれも、％インチから凭インチの光学系の適用でき
るものの開発が急がれている。特に固体撮像装置の場合
には小型化に伴ない単体では感度不足が懸念されること
から、受光面積を広くするための光導電膜を受光部とし
、それと走査回路基板と組み合わせた構成のものが注目
されている。
、ビデオテープレコーダ用カメラも、ここ数年加速度的
に普及しつつあるが、家庭用カメラまたは工業用カメラ
としては、より小型化が望まれ、撮像管、固体撮像装置
のいずれも、％インチから凭インチの光学系の適用でき
るものの開発が急がれている。特に固体撮像装置の場合
には小型化に伴ない単体では感度不足が懸念されること
から、受光面積を広くするための光導電膜を受光部とし
、それと走査回路基板と組み合わせた構成のものが注目
されている。
撮像管においては撮像管を小型化した状態で小型化する
前の解像度を維持しようとした場合、電子ビームをより
絞る必要があるが電子ビームをより絞ると消費電流が大
きくなり、その分ビーム電流を減少して低消費電力化を
図るしかない。このとき光導電膜容量とやきつけ消滅電
圧（Ｋｎｅｅ電圧）の積で決まる必要な充電電荷を確保
することは困難であり、充電されない電荷は残像現象を
引き起こすことになる。
前の解像度を維持しようとした場合、電子ビームをより
絞る必要があるが電子ビームをより絞ると消費電流が大
きくなり、その分ビーム電流を減少して低消費電力化を
図るしかない。このとき光導電膜容量とやきつけ消滅電
圧（Ｋｎｅｅ電圧）の積で決まる必要な充電電荷を確保
することは困難であり、充電されない電荷は残像現象を
引き起こすことになる。
光導電膜積層型固体撮像装置の場合、走査回路基板とし
ては、ＭＯ８スイッチをマトリクス状に配置したＸ−Ｙ
アドレス型と、Ｃ０Ｄ（’ＢＢＤ等を用いた電荷転送型
のものが現在主流であるが、Ｘ−Ｙアドレス型の場合に
は、ランダムノイズの低減が課題であり、ＢＢＤは転送
効率が本質的に良化しないことがらＣＣＤを用いたもの
が最も期待されている。ｃａｎの場合、転送効率の良い
ところから、埋め込みチャンネルＣ０Ｄ（ｌｕ下ＢＣＯ
Ｄという）が用いられるが、ＢＯＯＤの１セルあたりの
最大取扱い電荷量は少なく、光導電体で発生する最大電
荷量の数分の一程度である。従って、光導電膜積層型固
体撮像装置の場合、残像現象を引き起こすばかりでなく
、動作条件によっては過剰な電荷が、転送段にオーバー
フローし、ブルーミング現象を生じることもある。撮像
管の場合も同様であるが、光導電膜積層型固体撮像装置
で、光導電膜で発生する電荷は、リセット電圧（撮像管
の場合はターゲット電圧）を下げれば減少するが、この
時光導電膜に充分透電圧が印加されず焼きっけが発生子
るのは言うまでもない。
ては、ＭＯ８スイッチをマトリクス状に配置したＸ−Ｙ
アドレス型と、Ｃ０Ｄ（’ＢＢＤ等を用いた電荷転送型
のものが現在主流であるが、Ｘ−Ｙアドレス型の場合に
は、ランダムノイズの低減が課題であり、ＢＢＤは転送
効率が本質的に良化しないことがらＣＣＤを用いたもの
が最も期待されている。ｃａｎの場合、転送効率の良い
ところから、埋め込みチャンネルＣ０Ｄ（ｌｕ下ＢＣＯ
Ｄという）が用いられるが、ＢＯＯＤの１セルあたりの
最大取扱い電荷量は少なく、光導電体で発生する最大電
荷量の数分の一程度である。従って、光導電膜積層型固
体撮像装置の場合、残像現象を引き起こすばかりでなく
、動作条件によっては過剰な電荷が、転送段にオーバー
フローし、ブルーミング現象を生じることもある。撮像
管の場合も同様であるが、光導電膜積層型固体撮像装置
で、光導電膜で発生する電荷は、リセット電圧（撮像管
の場合はターゲット電圧）を下げれば減少するが、この
時光導電膜に充分透電圧が印加されず焼きっけが発生子
るのは言うまでもない。
Ｘ−Ｙアドレス型の場合、前述したランダムノイズ低減
のためには、垂直転送ライン容量を減少させる必！があ
るが、この時は電荷転送型や撮像管と同様な現象が生ず
る。また、強い入射光のある場合、垂直転送ライン容量
以上の電荷が生ずるが、この時、−回で読み込めない電
荷は残像やブルーミングを引き起こす。
のためには、垂直転送ライン容量を減少させる必！があ
るが、この時は電荷転送型や撮像管と同様な現象が生ず
る。また、強い入射光のある場合、垂直転送ライン容量
以上の電荷が生ずるが、この時、−回で読み込めない電
荷は残像やブルーミングを引き起こす。
本発明は撮像管ターゲットあるいは光導電膜を積層した
固体撮像装置の光導電膜の一部に電極を形成し、前記電
極に適切な電圧を印加することにより前記光導電膜に過
剰な電荷が発生することを防止するものである。本発明
の撮像装置は光導１に膜で発生した信号電荷が走査回路
の光電′市゛荷を上回る時に発生する残像、やきつけお
よびブルーミングを防止できるものである。
固体撮像装置の光導電膜の一部に電極を形成し、前記電
極に適切な電圧を印加することにより前記光導電膜に過
剰な電荷が発生することを防止するものである。本発明
の撮像装置は光導１に膜で発生した信号電荷が走査回路
の光電′市゛荷を上回る時に発生する残像、やきつけお
よびブルーミングを防止できるものである。
以下図面に従って本発明の実施例における撮像装置、特
にその過剰電荷制限機構を説明する。なお、本発明は撮
像管と光導電膜積１−型固体撮像装置に適用可能である
が、ここでは走査回路がＣＯＤである光導電膜積層型固
体撮像装置を説明に用いる。第１図は光導電膜積層型固
体撮像装置の１画素の断面図を示す。
にその過剰電荷制限機構を説明する。なお、本発明は撮
像管と光導電膜積１−型固体撮像装置に適用可能である
が、ここでは走査回路がＣＯＤである光導電膜積層型固
体撮像装置を説明に用いる。第１図は光導電膜積層型固
体撮像装置の１画素の断面図を示す。
同図においてｐ型半導体基板１０にＣＯＤ形成のための
ｎ−ウェル１１とダイオード１２が形成されている。１
３はチャネルストップのだめの９１層であり、１４は選
択酸化領域（ＬＯＧＯ８）である。ＣＯＤの転送ゲート
１６およびダイオード１２よりＣＣＤｎウェル１１に′
に術を運ぶだめのゲート１６（以下読み込みゲートとよ
ぶ）は、膜厚６０ｏＯ人のポリＳ（で形成し、ゲート１
６゜１６の下にはゲート酸化膜１７が約１０ｏＯ人の厚
さで形成δれている。ダイオード１２の一部とコンタク
トをとる５Ｉ８Ｊ１’−極１８と、ゲート１６゜１６と
は低融点ガラス１９、たとえばリン濃度７〜１６％のＰ
ＥＧで絶縁さ扛る。第１電極１８は正孔阻止層Ｚｎ８ｅ
２０の電極であり、正孔阻止層２０の上に（Ｚｎｚ
ｃａｌ −）ＣＴｅ ）７ （Ｉｎ、 Ｔｅ３）＋−ｙ
からなる光導電膜２１および本発明にかかる信号電荷制
御電極２２を形成し、その上に透明電極２３を形成して
いる。なお、信号電荷制御電極２２は本実施例の場合、
Ｍｏをスノ；ツタ蒸着後、エツチングして形成している
。２４は同装置の受光面に照射される入射光である。
ｎ−ウェル１１とダイオード１２が形成されている。１
３はチャネルストップのだめの９１層であり、１４は選
択酸化領域（ＬＯＧＯ８）である。ＣＯＤの転送ゲート
１６およびダイオード１２よりＣＣＤｎウェル１１に′
に術を運ぶだめのゲート１６（以下読み込みゲートとよ
ぶ）は、膜厚６０ｏＯ人のポリＳ（で形成し、ゲート１
６゜１６の下にはゲート酸化膜１７が約１０ｏＯ人の厚
さで形成δれている。ダイオード１２の一部とコンタク
トをとる５Ｉ８Ｊ１’−極１８と、ゲート１６゜１６と
は低融点ガラス１９、たとえばリン濃度７〜１６％のＰ
ＥＧで絶縁さ扛る。第１電極１８は正孔阻止層Ｚｎ８ｅ
２０の電極であり、正孔阻止層２０の上に（Ｚｎｚ
ｃａｌ −）ＣＴｅ ）７ （Ｉｎ、 Ｔｅ３）＋−ｙ
からなる光導電膜２１および本発明にかかる信号電荷制
御電極２２を形成し、その上に透明電極２３を形成して
いる。なお、信号電荷制御電極２２は本実施例の場合、
Ｍｏをスノ；ツタ蒸着後、エツチングして形成している
。２４は同装置の受光面に照射される入射光である。
第２図は、上記構成の固体撮像装置の一画素の等価回略
図であり、第１図のダイオード１２とｎウェル１１と読
み込みゲート１６でＭＯ８ＦＭＴ３１を構成しており、
そのドレインはＣＯＤの転送段となってい不。３２は、
読み込みゲート１６と第１電極１８とで形成さ扛る寄生
容量である。
図であり、第１図のダイオード１２とｎウェル１１と読
み込みゲート１６でＭＯ８ＦＭＴ３１を構成しており、
そのドレインはＣＯＤの転送段となってい不。３２は、
読み込みゲート１６と第１電極１８とで形成さ扛る寄生
容量である。
同等価回路のその他の箇所の番号は、第１図と対応させ
て付しである。
て付しである。
第３図は第１図の構成の絵素が複数個形成さ扛た同固体
撮像装置の受光面の平面図であり、第１電極１８と信号
電荷制御電極２２の位置関係を主に示している。１２＆
、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄはダイオード、１１ａ、１１
ｂはＣ０Ｄｎウエルである。
撮像装置の受光面の平面図であり、第１電極１８と信号
電荷制御電極２２の位置関係を主に示している。１２＆
、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄはダイオード、１１ａ、１１
ｂはＣ０Ｄｎウエルである。
同図に示すように、本実施例の撮１埃装置の場合には、
信号電荷制御電極２２を第１電極１８の逆パターンの格
子状に形成している。
信号電荷制御電極２２を第１電極１８の逆パターンの格
子状に形成している。
第４図は上記構成や固体撮像装置の駆動パルス波形であ
り、以下に同装置の動作を説明する。時間ｔｏ で読み
込みゲート１６．が“オン“するとダイオード１２．光
導電膜２１および蒼生谷量３２は所定の電位に充電さＣ
る。同時に、ダイオード１２（ｉ３図の場合は１２１Ｌ
〜１２ｄ）よりＣ０Ｄ１１ｂ）に信号電荷Ｑｓが運ば
れ、その後１５．７６に８ｒＱ垂直方向に転送される。
り、以下に同装置の動作を説明する。時間ｔｏ で読み
込みゲート１６．が“オン“するとダイオード１２．光
導電膜２１および蒼生谷量３２は所定の電位に充電さＣ
る。同時に、ダイオード１２（ｉ３図の場合は１２１Ｌ
〜１２ｄ）よりＣ０Ｄ１１ｂ）に信号電荷Ｑｓが運ば
れ、その後１５．７６に８ｒＱ垂直方向に転送される。
充電された各容量は暗電流が無視できるなら１フレ一ム
期間（３３，３１１１５ｅｃ）の開光信号に比例した電
荷を放電し、その後再び充電される。
期間（３３，３１１１５ｅｃ）の開光信号に比例した電
荷を放電し、その後再び充電される。
ところで、光導電膜・２１の充電電圧をＴｏ 、容量を
Ｃｏ、ダイオード１２および寄生容量３２の容量をそれ
ぞれＣＪ 、 ｃ、とすると、充電電荷の放電は、光導
電膜で発生したキャリアによるから、信号電荷の最大値
Ｑ：＊ａｘは Ｑ’、ＩＬｘ：ＶＯ＠ （００＋０１’ ＋Ｃｐ ）
＋＋＋・＋＋＋（１１である。（撮像管の場合、ターゲ
ット電圧をｖＴとするとＱ−８＝−・００である。） 前述したように、従来の撮像装置の場合この電荷の最大
値Ｑ’ｍ ＆：ｌＣはＣＣＤ転送段の最大取扱い電荷量
”ｌｌ＆！より数倍大きく、−回の充電では充電しきれ
ないことから、残像現象を生じさせたり、電荷が転送段
でオーバーフローし、プルーミング現象が生じたりする
欠点があった。ここでＱ’ｍａｘをＱｍｌＬＸに等しく
しようとすると、光導′Ｉｋ膜に電圧が十分印加されず
、焼きつけ現象を生ずるものであった。
Ｃｏ、ダイオード１２および寄生容量３２の容量をそれ
ぞれＣＪ 、 ｃ、とすると、充電電荷の放電は、光導
電膜で発生したキャリアによるから、信号電荷の最大値
Ｑ：＊ａｘは Ｑ’、ＩＬｘ：ＶＯ＠ （００＋０１’ ＋Ｃｐ ）
＋＋＋・＋＋＋（１１である。（撮像管の場合、ターゲ
ット電圧をｖＴとするとＱ−８＝−・００である。） 前述したように、従来の撮像装置の場合この電荷の最大
値Ｑ’ｍ ＆：ｌＣはＣＣＤ転送段の最大取扱い電荷量
”ｌｌ＆！より数倍大きく、−回の充電では充電しきれ
ないことから、残像現象を生じさせたり、電荷が転送段
でオーバーフローし、プルーミング現象が生じたりする
欠点があった。ここでＱ’ｍａｘをＱｍｌＬＸに等しく
しようとすると、光導′Ｉｋ膜に電圧が十分印加されず
、焼きつけ現象を生ずるものであった。
これに対して、本発明の撮像装置における信号電荷制限
機構は上記従来の欠点を除去するものであり、以下これ
について説明する。第６図（ａ）は、本発明の撮像装置
における光導電膜２１のエネルギーバンド図を示したも
ので、実線９点緋はそノ１それ信号電荷制御電極２２が
ない）＄分とある部分において適当な印加電圧を加えた
ときのエネルギーバンド状態を示している。低照度の場
合、光導電膜２１の横方向抵抗は十分高（（１０”Ω−
ｍ以上）信号電荷制御電極２２のない部分で発生した電
荷は、はとんど第１電極１８に到達するが、高照度下で
は横方向抵抗は減少し、はとんど制御電極２２へ電荷は
移動する。一方つかまらずに、第１′４極１８に到達し
た電荷は、轡１電極１８の電位をおし下げ、第６図（ｂ
）に示すエネルギー状態になった場合は、第１電極１８
の方から制御電極外電荷が移動し、その結果第１電極１
８の電位は、１０、、。
機構は上記従来の欠点を除去するものであり、以下これ
について説明する。第６図（ａ）は、本発明の撮像装置
における光導電膜２１のエネルギーバンド図を示したも
ので、実線９点緋はそノ１それ信号電荷制御電極２２が
ない）＄分とある部分において適当な印加電圧を加えた
ときのエネルギーバンド状態を示している。低照度の場
合、光導電膜２１の横方向抵抗は十分高（（１０”Ω−
ｍ以上）信号電荷制御電極２２のない部分で発生した電
荷は、はとんど第１電極１８に到達するが、高照度下で
は横方向抵抗は減少し、はとんど制御電極２２へ電荷は
移動する。一方つかまらずに、第１′４極１８に到達し
た電荷は、轡１電極１８の電位をおし下げ、第６図（ｂ
）に示すエネルギー状態になった場合は、第１電極１８
の方から制御電極外電荷が移動し、その結果第１電極１
８の電位は、１０、、。
信号電荷制御電極２２と等しくなりそれ以下になり得な
い。従って信号電荷制御電極２２により、信号電荷量を
制限することが可能である。
い。従って信号電荷制御電極２２により、信号電荷量を
制限することが可能である。
本実施例において、Ｚｎ５ｅを正孔阻止層２０として膜
厚３０ｏＯ人、光導電膜２１として（Ｚｎ Ｏｔｌ、
’Ｉ’ｅ）（ＩｎｚＴｅｓ）、−、を膜厚Ｘ
−１７ ７ｅｃ０人に形成した場合、光導電膜のニー電圧（Ｋｎ
６・電圧）は、約６ｖである。この時、信号電荷制御電
極２２に４ｖの電圧を印加すると、第１電極は、４ｖ以
下になり得な−０従って、（１）式より信号電荷制限電
極のない場合に比し、最大信号電荷量Ｑ−８は、晃とな
る。以上のような電荷制限機能はＸ−Ｙアドレス型の場
合のように、垂直転送ライン容量の大きな固体撮像装置
に適用しても効果がちＺｏいず扛の走査デバイスにも共
通であるが、垂直消去帰線期間内の信号の読み込みは、
光導電体を逆バイアスにすることに対応し、そしてもし
強い入射光のある場合信号読み込み期間に発生する電荷
が、垂直転送ライン容量を上まわり、残像あるいはプル
ーミングを生じることに１１ なるが、本発明におけるように信号電荷制御電極におい
て蓄積期間中に所定の電位を印加すると、残像あるいは
ブルーミング現象が非常に軽減さ扛る。また信号読み込
み期間中は、第１電極と、信号電荷制御電極の電位を同
一にするように、信号電荷制御電極にパルスを印加する
と、上記強い入射光のある場合で信号読み込み期間に発
生する電荷が、読み込まれるのを完全に防ぐことができ
る。
厚３０ｏＯ人、光導電膜２１として（Ｚｎ Ｏｔｌ、
’Ｉ’ｅ）（ＩｎｚＴｅｓ）、−、を膜厚Ｘ
−１７ ７ｅｃ０人に形成した場合、光導電膜のニー電圧（Ｋｎ
６・電圧）は、約６ｖである。この時、信号電荷制御電
極２２に４ｖの電圧を印加すると、第１電極は、４ｖ以
下になり得な−０従って、（１）式より信号電荷制限電
極のない場合に比し、最大信号電荷量Ｑ−８は、晃とな
る。以上のような電荷制限機能はＸ−Ｙアドレス型の場
合のように、垂直転送ライン容量の大きな固体撮像装置
に適用しても効果がちＺｏいず扛の走査デバイスにも共
通であるが、垂直消去帰線期間内の信号の読み込みは、
光導電体を逆バイアスにすることに対応し、そしてもし
強い入射光のある場合信号読み込み期間に発生する電荷
が、垂直転送ライン容量を上まわり、残像あるいはプル
ーミングを生じることに１１ なるが、本発明におけるように信号電荷制御電極におい
て蓄積期間中に所定の電位を印加すると、残像あるいは
ブルーミング現象が非常に軽減さ扛る。また信号読み込
み期間中は、第１電極と、信号電荷制御電極の電位を同
一にするように、信号電荷制御電極にパルスを印加する
と、上記強い入射光のある場合で信号読み込み期間に発
生する電荷が、読み込まれるのを完全に防ぐことができ
る。
このことは、電荷転送型の撮像装置の場合にもあてはま
る。
る。
撮像管の場合には、上述の第１電極のかわりに裏面電位
を考えればよく、上記固体撮像素子の実施例の場合と同
様に信号電荷量の制限力釦工能である。
を考えればよく、上記固体撮像素子の実施例の場合と同
様に信号電荷量の制限力釦工能である。
正孔阻止上の制御電極により、正孔注入や光導電膜のブ
レークダウンの恐扛がある場合には、正孔阻止層中に制
御電極を形成するとよい。また、アモルファス１９ｉ等
、１層のみで正孔阻止層を用いない場合も、ｉＬ−中に
制御′電極を形成すｎば、同様な効果が得られる。さら
に信号制御電極は。
レークダウンの恐扛がある場合には、正孔阻止層中に制
御電極を形成するとよい。また、アモルファス１９ｉ等
、１層のみで正孔阻止層を用いない場合も、ｉＬ−中に
制御′電極を形成すｎば、同様な効果が得られる。さら
に信号制御電極は。
−絵素中の一部分に存在すればよいが、第３因のように
構成し、かつこれを不透光性とするなら、強い入射光の
場合にも第１電極の間隔を通しＳｉ基板中で発生するキ
ャリアが、電荷転送段に入り込み、光入射部分の上下９
本来悟号のない部分に白く尾引きする現象−スメアリン
グ−を抑Ｉ卜することもできる。
構成し、かつこれを不透光性とするなら、強い入射光の
場合にも第１電極の間隔を通しＳｉ基板中で発生するキ
ャリアが、電荷転送段に入り込み、光入射部分の上下９
本来悟号のない部分に白く尾引きする現象−スメアリン
グ−を抑Ｉ卜することもできる。
以上説明したように本発明の撮像装置は光導電膜で発生
する電荷が走査回路の充電可能電荷より大きい場合でも
、残像や焼きつけおよびブルーミング現象を起こすこと
なく撮像可能とせしめるものであり、工業上の利用価値
が高い。
する電荷が走査回路の充電可能電荷より大きい場合でも
、残像や焼きつけおよびブルーミング現象を起こすこと
なく撮像可能とせしめるものであり、工業上の利用価値
が高い。
第１図は本発明の一実施例における撮像装置の要部断面
図、第２図は同撮像装置の等節回略図、第３図は同撮像
装置の受光部の要部平面図、第４図（ＩＬ） 、 （ｂ
）は同撮像装置の駆−動パルスを示す図、第６図（ＩＬ
） 、 （ｂ）は同撮像装置の動作を説明するためのエ
ネルギーバンドの図である。 １ｏ・・・・・・ｐ型半導体基板、１１・・・・・−ｎ
ウェル、化領域、１６・・・・・・転送ゲート、１６・
・・・・・読み込みゲート、１７・・・・・・ゲート酸
化膜、１８・・・・・・第１電極、１９・・・・・・絶
縁体層、２０・・・・・・正孔阻止層、２１・・・・・
・光導電体、２２・・・・・・信号電荷制御電極、２３
・・・・・・透明電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図 第５図 １
図、第２図は同撮像装置の等節回略図、第３図は同撮像
装置の受光部の要部平面図、第４図（ＩＬ） 、 （ｂ
）は同撮像装置の駆−動パルスを示す図、第６図（ＩＬ
） 、 （ｂ）は同撮像装置の動作を説明するためのエ
ネルギーバンドの図である。 １ｏ・・・・・・ｐ型半導体基板、１１・・・・・−ｎ
ウェル、化領域、１６・・・・・・転送ゲート、１６・
・・・・・読み込みゲート、１７・・・・・・ゲート酸
化膜、１８・・・・・・第１電極、１９・・・・・・絶
縁体層、２０・・・・・・正孔阻止層、２１・・・・・
・光導電体、２２・・・・・・信号電荷制御電極、２３
・・・・・・透明電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第４図 第５図 １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 光導電膜と、同光導電膜の少なくとも片側表
面に形成された透明電極と、走査回路とを備え、上記光
導電膜の一部領域に電極を有することを特徴とする撮像
装置。 （２）走査回路が電荷転送素子よりなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の撮像装置。 （３）走査回路がＸ−Ｙアビ１１機能を有する半導体回
路素子であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の撮像装置。 （４）走査回路が電子ビームより構成されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の撮像装置。 （６） 電極が非透光性材料よりなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の撮像装置。 （６）光導電膜に設けられた電極に、少なくとも信号電
荷蓄積期間中は前記光導電膜のニー電圧よ請求の範囲第
１項記載の撮像装置。 （７１光導電膜に設けられた電極に、少なくとも信号読
み込み期間中は信号読み込み電位と同じ電位を印加する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の撮像装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56179465A JPS5880975A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56179465A JPS5880975A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880975A true JPS5880975A (ja) | 1983-05-16 |
Family
ID=16066322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56179465A Pending JPS5880975A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | 撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880975A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4688098A (en) * | 1984-12-24 | 1987-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensor with means for removing excess photocharges |
| US4740824A (en) * | 1985-07-18 | 1988-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor |
-
1981
- 1981-11-09 JP JP56179465A patent/JPS5880975A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4688098A (en) * | 1984-12-24 | 1987-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensor with means for removing excess photocharges |
| US4740824A (en) * | 1985-07-18 | 1988-04-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state image sensor |
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