JPS5881962A - メツキ体 - Google Patents
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチッ化チタン（以下ＴｉＮと略する）上に無電
解ニッケルメッキをすることＫよって、 ＴｉＮ上に金
色仕上げきしての金メッキが施されたメッキ体ＫＩＳｆ
ｌする。
解ニッケルメッキをすることＫよって、 ＴｉＮ上に金
色仕上げきしての金メッキが施されたメッキ体ＫＩＳｆ
ｌする。
従来、金色を出す唯一のものとして金が使＃４きれて鯉
た。ｈころが、金の価格は高くその代替物が求められ、
ＴｉＮ被膜が金と同じような色調を持つものとして注目
を集めていた。
た。ｈころが、金の価格は高くその代替物が求められ、
ＴｉＮ被膜が金と同じような色調を持つものとして注目
を集めていた。
とこ＾が、イオンプレーティーフグ法によるＴｉＮ被膜
は、金メツキ被膜に比較して ■合一部が劣る ａ）−ｔ ｍ性のバうツキが出やすい等の間幽かあった
。
は、金メツキ被膜に比較して ■合一部が劣る ａ）−ｔ ｍ性のバうツキが出やすい等の間幽かあった
。
そのため、ｌｔ＋ｒじ金色であっても、ＴｉＮ被膜を付
けたものは高級品に使用することが不可能であった。そ
こで、ｉ’ｉＮ被嘆上に金メツキ被膜を従来の金メッキ
ｗｉ＠より薄く付けることで同様の色調を出し、かつ金
メツキ被膜を薄くすることによるコヌトダウンの要求が
新らたに生第１た。
けたものは高級品に使用することが不可能であった。そ
こで、ｉ’ｉＮ被嘆上に金メツキ被膜を従来の金メッキ
ｗｉ＠より薄く付けることで同様の色調を出し、かつ金
メツキ被膜を薄くすることによるコヌトダウンの要求が
新らたに生第１た。
そこで、ＴｉＮへの直接金メッキが考えられたがメッキ
被膜の密着性が悪く賽用化で群なかった。
被膜の密着性が悪く賽用化で群なかった。
また、ＴｉＮ上へ地神の金顧を無電解メッキした後金メ
ッキを行った場合もメッキ被膜の密着性が悪く。布を用
いて表面をζするだｔＦでメッキ被膜が剥離するきいう
状態でありた。
ッキを行った場合もメッキ被膜の密着性が悪く。布を用
いて表面をζするだｔＦでメッキ被膜が剥離するきいう
状態でありた。
本発明は、上！ｌ［（間賄点を無１１解ニツケルメツキ
後の焼成により解決した、ＴＩＮ」−＼金メッキ被膜を
形成した無１Ｆ鮒メッキ体に１４＋’ Ｌ −Ｃいる。
後の焼成により解決した、ＴＩＮ」−＼金メッキ被膜を
形成した無１Ｆ鮒メッキ体に１４＋’ Ｌ −Ｃいる。
本発明によれば、従来表面什ヒげとして９川されてきた
金メッキの膜厚を薄くすることかで一１大巾なコストダ
ウンが可能となった。また、表面仕上げとしての金メツ
キ被膜が磨耗しても下地が金色であるため表面の外観を
損わない、そのために必要なことはＴｉＮ上のニッケル
メッキ被Ｉｎできるだ行薄くすることである。
金メッキの膜厚を薄くすることかで一１大巾なコストダ
ウンが可能となった。また、表面仕上げとしての金メツ
キ被膜が磨耗しても下地が金色であるため表面の外観を
損わない、そのために必要なことはＴｉＮ上のニッケル
メッキ被Ｉｎできるだ行薄くすることである。
次にこの無電解メッキ体の製造方法の概略を述べる。
イオンブレーティング法により適当な金属上ＫＴｉＮの
薄膜を形成する。こｈをメッキ基板とする。
薄膜を形成する。こｈをメッキ基板とする。
次に通常の無電解メッキの前処理をこの基板Ｋ１す前処
理工ＩＩ祉次の通りである。
理工ＩＩ祉次の通りである。
１ ） Ｓｎ Ｃ１Ｎ溶液浸漬（センシタイジング）
２）水洗 ５１ Ｐ６０１ｓ溶液あるいはＡｇ Ｎ Ｏａ溶溶液
への浸漬（アクティベーティング） ４） 水洗 である、センシタイジングは基板上に８ｎ”＋イオンを
吸着させる目的であり、アクティベーティングは ８
ｎ” ＋ Ｐｄ”＋→Ｓ’ｎ” ＋ Ｐ♂の反応を
甲いて基板上に無電解メッキの触媒核を形成する目的で
ある。
２）水洗 ５１ Ｐ６０１ｓ溶液あるいはＡｇ Ｎ Ｏａ溶溶液
への浸漬（アクティベーティング） ４） 水洗 である、センシタイジングは基板上に８ｎ”＋イオンを
吸着させる目的であり、アクティベーティングは ８
ｎ” ＋ Ｐｄ”＋→Ｓ’ｎ” ＋ Ｐ♂の反応を
甲いて基板上に無電解メッキの触媒核を形成する目的で
ある。
また、Ｓ ｎ”＊ Ｐｄ”＋を使用する無電解前処理
方法の他に１日ｎ２＋とＰｄ！＋が共存する了クチベー
ターと称される活性液を使甲してもよいのはもちろんで
ある。
方法の他に１日ｎ２＋とＰｄ！＋が共存する了クチベー
ターと称される活性液を使甲してもよいのはもちろんで
ある。
こうして仲られた基板を無電解ニッケルメッキ浴に浸漬
することＫよってＴｉＮ上にニッケルメッキ被膜が形成
される。このメッキ被膜は１ｓａ Ｘから１μまでの厚
さか適当であり、望ましくは５０Ａから２０００λが良
い。これは、 ５Ｏ！以下のニッケルメッキ＠膜は均一
でなく、１μ以上になると密着性が悪くな秒始めるから
である。
することＫよってＴｉＮ上にニッケルメッキ被膜が形成
される。このメッキ被膜は１ｓａ Ｘから１μまでの厚
さか適当であり、望ましくは５０Ａから２０００λが良
い。これは、 ５Ｏ！以下のニッケルメッキ＠膜は均一
でなく、１μ以上になると密着性が悪くな秒始めるから
である。
次にニッケルメッキ被膜が形成された基板を、６５０℃
トノ下で焼成する。３５０℃以上であると無電解ニッケ
ルリン被膜の場合緒晶化が起抄、１ａ優の体積減少をす
るためメッキ破膜の密着性が椿端に悪くなる。また、１
５０℃以下の場合は燐酸時間が長くなり実用酌ではない
。
トノ下で焼成する。３５０℃以上であると無電解ニッケ
ルリン被膜の場合緒晶化が起抄、１ａ優の体積減少をす
るためメッキ破膜の密着性が椿端に悪くなる。また、１
５０℃以下の場合は燐酸時間が長くなり実用酌ではない
。
焼故後のニッケル被膜には酸化物が形成さねており、こ
のままでは次の金メツキ被膜の密着性が悪くなったり、
均一なメッキ被膜が得られないために、基板の活性什を
行う。活性化としては、通常塩酸溶液への浸漬、塩化第
二鉄溶液等への浸漬により表面の酸化物被膜を除去する
。
のままでは次の金メツキ被膜の密着性が悪くなったり、
均一なメッキ被膜が得られないために、基板の活性什を
行う。活性化としては、通常塩酸溶液への浸漬、塩化第
二鉄溶液等への浸漬により表面の酸化物被膜を除去する
。
この後、充分な水洗を行い置換型の全メッキ浴に浸漬す
ることでニッケｈ被嘆を金と置換する。
ることでニッケｈ被嘆を金と置換する。
この時充分注意しなければならないのは、完全にニッケ
ルか金き置換されてＬまうき金被膜の密着性が椿端に悪
くなることであ抄、ニッケル被膜は一市着性を確保する
ために２０１））上は残しておかねばならない点である
。また、ｔＩＩ換型金メッキを行うのは次の１穆の１解
金メツキを行うために、導通をよくするためである。
ルか金き置換されてＬまうき金被膜の密着性が椿端に悪
くなることであ抄、ニッケル被膜は一市着性を確保する
ために２０１））上は残しておかねばならない点である
。また、ｔＩＩ換型金メッキを行うのは次の１穆の１解
金メツキを行うために、導通をよくするためである。
七〇後、電解金メッキにより所定の膜厚に金メッキを行
う二２で本メッキ工穆は終る。
う二２で本メッキ工穆は終る。
次に実施例を用いて本発明をＰ ｍ Ｋ説明する、。
実施例１
ステンレス上にＴｉＮをイオンブレ〜ティ／グした基板
をアルカリ説訃により表面洗浄を行った。
をアルカリ説訃により表面洗浄を行った。
この基板を塩イビ第一スズ泗液（Ｓｎ Ｃ１＊／Ｊｌ
） Ｉｃ ２分間浸漬稜、純水によって２分間洗浄した
。次に日本カニゼンＨ＆ｌの活性液レッドシューマの５
倍梠釈液を１μの水酸化ナトリウム沿によってＰＨ＝１
１０に調整された液に２分間が潰し、純水を用いて２分
間の浸漬洗浄を行った。このように前処理さｔまた基板
を日本カニゼン社製のシェーマ−８６８０の５倍存釈液
、４５℃ＶＣ１分間浸漬することにより４００大のニッ
ケルメッキ被膜を得た・これを洗浄後、２００℃の桓温
槽でＩｈｒ焼成し、酸化物被験を除去するために塩化第
二鉄溶液（ｐｅｃム／ｇ／４に１０秒間浸漬し、充分水
洗した。そして、日本エンゲルハルト社製のアトメック
ス無電解金メッキ液の２０倍希釈、７０℃袷に７分間浸
漬し、金に換メブキ後、ＩＮＦ金メッキ浴（日進化成製
）６０℃、 Ｉ Ａ／ｄｒｎ” 、で４０秒間メッキ
をするこｈで０１μの金メツキ被膜を得た。この密着強
度をみるために、基板を１５０°の角度に曲けたがメッ
キ被膜の剥れは起らなかった。
） Ｉｃ ２分間浸漬稜、純水によって２分間洗浄した
。次に日本カニゼンＨ＆ｌの活性液レッドシューマの５
倍梠釈液を１μの水酸化ナトリウム沿によってＰＨ＝１
１０に調整された液に２分間が潰し、純水を用いて２分
間の浸漬洗浄を行った。このように前処理さｔまた基板
を日本カニゼン社製のシェーマ−８６８０の５倍存釈液
、４５℃ＶＣ１分間浸漬することにより４００大のニッ
ケルメッキ被膜を得た・これを洗浄後、２００℃の桓温
槽でＩｈｒ焼成し、酸化物被験を除去するために塩化第
二鉄溶液（ｐｅｃム／ｇ／４に１０秒間浸漬し、充分水
洗した。そして、日本エンゲルハルト社製のアトメック
ス無電解金メッキ液の２０倍希釈、７０℃袷に７分間浸
漬し、金に換メブキ後、ＩＮＦ金メッキ浴（日進化成製
）６０℃、 Ｉ Ａ／ｄｒｎ” 、で４０秒間メッキ
をするこｈで０１μの金メツキ被膜を得た。この密着強
度をみるために、基板を１５０°の角度に曲けたがメッ
キ被膜の剥れは起らなかった。
実施例２
ニッケル、クロム、アルミニウムを故分とする合金上に
イオンブレーティング法によりＴｉＮ薔喚を形成した。
イオンブレーティング法によりＴｉＮ薔喚を形成した。
この合金をアルカリ脱脂により表面洗浄を行った。その
後、日立化成製の増感剤Ｈａ−１０１Ｂを所定の方法に
より！＆ｌ製した活性液に１分間基板を浸漬した。そし
て充分水洗し、日立化成製の密着促進剤ＡＤＰ −２０
１を所定の方法により調製した液に１分間浸漬し、充分
水洗した。その後、実施例１と同様の方法によりニッケ
ルメッキ。
後、日立化成製の増感剤Ｈａ−１０１Ｂを所定の方法に
より！＆ｌ製した活性液に１分間基板を浸漬した。そし
て充分水洗し、日立化成製の密着促進剤ＡＤＰ −２０
１を所定の方法により調製した液に１分間浸漬し、充分
水洗した。その後、実施例１と同様の方法によりニッケ
ルメッキ。
金メッキを行った。こうして得られた金メツキ被膜は、
充分な密着性と耐磨耗性が得らねた。
充分な密着性と耐磨耗性が得らねた。
実施例１と２よりわかるように１本発明によりＴｉＮ上
への金メッキが可能になり充分な色−の金色を出すため
のコストを大巾に引き下げることが可能、になった。
への金メッキが可能になり充分な色−の金色を出すため
のコストを大巾に引き下げることが可能、になった。
尚、本発明の応用として、時計ケース、メカネフレーム
等の外装部品に金色仕上げが行うことかでｔだ、
リ 上山願人 株式会社 諏訪精
工舎 手続補正書（自発） 昭和５８年２月 ３Ｅ＋ 特許庁長官殿 ２、発明の名称 メ ッ キ 体 ３、補正をする者 ４、代理人 ６、補正の対象 明細書 ７、補正の内容 手続補正−Ｍ（目％） １、 明細書４負１行目 ［ｓ ｎ”−”−１−ｐ ａ”ｊ＋ｓ ｎ’ ＋ｐ ｄ
、’ Ｊ とりるを「ａｎ″＋十Ｐ ｄ” ”−＋Ｓ
ｎ’ −１−Ｐ ｄ、’ Ｊに？＋ｎ正゛する。
等の外装部品に金色仕上げが行うことかでｔだ、
リ 上山願人 株式会社 諏訪精
工舎 手続補正書（自発） 昭和５８年２月 ３Ｅ＋ 特許庁長官殿 ２、発明の名称 メ ッ キ 体 ３、補正をする者 ４、代理人 ６、補正の対象 明細書 ７、補正の内容 手続補正−Ｍ（目％） １、 明細書４負１行目 ［ｓ ｎ”−”−１−ｐ ａ”ｊ＋ｓ ｎ’ ＋ｐ ｄ
、’ Ｊ とりるを「ａｎ″＋十Ｐ ｄ” ”−＋Ｓ
ｎ’ −１−Ｐ ｄ、’ Ｊに？＋ｎ正゛する。
２ 明細書４貝１２朽目
１’ＡからｚｏｏｏＸが良い。」とめる會ｒＸから２ｏ
ｏＯＸが良い。」に補正する。
ｏＯＸが良い。」に補正する。
五 明細書６負２ｈ目
ｒ（８ｎｃｔ１／ｇ／を月とめるｒ
ｒ（８ｎｃｔ１ ： １ｇ／ｌ）Ｊに補正する。
４゜ 明細書６ｍ１１５行目〜６？′Ｔ目［希釈′ｗｉ
を１μの水饅化ナトリウム准によってＰＨ−１１，０に
調整された液に２分間浸漬し、］とろるを 「希釈液２分子１１］浸漬し、」に補正する。
を１μの水饅化ナトリウム准によってＰＨ−１１，０に
調整された液に２分間浸漬し、］とろるを 「希釈液２分子１１］浸漬し、」に補正する。
５ 明細書６負１２有目
［（ｖｅａｌｓ／ｇ／ｌ）Ｊ と；ｖ ６ ’Ｋｆ（Ｆ
θｃｔ３：１ｇ／ｌ）Ｊ に袖正す０゜以 上
θｃｔ３：１ｇ／ｌ）Ｊ に袖正す０゜以 上
Claims (1)
- チッ化チタン上に無電解ニッケルメッキを行い焼成後、
置換型の無電解金メッキを行い、劇にその上に電解金メ
ッキを行ったことを特徴とするメッキ体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56177487A JPS6039155B2 (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | メツキ体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56177487A JPS6039155B2 (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | メツキ体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5881962A true JPS5881962A (ja) | 1983-05-17 |
| JPS6039155B2 JPS6039155B2 (ja) | 1985-09-04 |
Family
ID=16031757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56177487A Expired JPS6039155B2 (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | メツキ体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039155B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS542942A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-10 | Tsuneo Nishida | Golddcolorrtrimmed members |
-
1981
- 1981-11-05 JP JP56177487A patent/JPS6039155B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS542942A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-10 | Tsuneo Nishida | Golddcolorrtrimmed members |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6039155B2 (ja) | 1985-09-04 |
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