JPS5882552A - リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は低融点ガラスの溶融により絶縁体Ｊｌｉ＆にリ
ードフレームを取付けてなる構造を有する半導体装置に
係ｐ、＊に絶縁体基板にリードフレームｔ−城付ける際
にリード７Ｖ−ムの各リード先端上向を同一平面上に揃
えることができる構造に関する。

半導体集積回路（工０）素子を気密封止してなる半導体
装置の一つとして、セラミック等の杷縁体基ＩＩ（以下
素子状１１８器基体と称する）に、低融点ガラスにより
、リード７Ｖ−ムを固着してなる半導体装置が適用され
ているＯ 第１＃Ａ乃至ｇ４図はかかる半導体装置の組み立て工＠
０概略を示す。

かかる技ｆｉＫあっては、セラミック材から構成される
素子収容１！器基体ｌは、第１図に示される如く、その
一方の主面の中央部に凹状素子収容部８が配設され、他
は一様な厚さとされる。

そして、ｌＩ記累子収薯容暢基体１ｏｌｌｌ記主面上に
は纂２図に示される如く、低融点ガラス層３が配設され
、轟該低融点ガラス層３が溶融状態とされて例えばコバ
ール等からなるリードフレーム番が固ｊｌｌされろ。か
かるリードフレーム番は後に切断分離され外部接続端子
を構成する。

次いでＩＩＩ紀素子収容部２に半導体集積回路素子が収
容固着され１ｍ該半導体集積回路素子の電極と前記り−
ドフＶ−五番のリード内端部４′とがフルンニワム線等
によａｍ絖（ワイヤボンディング）される＠（かかる状
態は図示せず） −万、前記素子収容容器基体１に対応する大きさｔ−有
し且つ一方の工面に前記素子収容部２に対応する領域を
除いて低融点ガラス層が配設されたセラミック材からな
る蓋部材が準備される。かかる蓋部材は第３図に示され
るように前記素子収容部を蝋って配置され、前記低融点
ガラス層の溶融。

固化によって素子収容容器基体ｌに固着される。

第３図において５はｆｔ部材を示す。

しかる恢、前、記リードフレーム４は、第３図のＡ−Ａ
’に沿って切断され、半導体装置が完成される０ しかしながら、このような半導体装置にあっては、前記
第２図に示されるリード７Ｖ−ムのＩＪ−ド内端部４′
各々の上面を同一平面に揃えることが困崩であり、＠記
ワイヤボンデイング工程でボンディング不良等の不都合
を生じてしまう。

かかるリードフレームのリード内端部ｌ各々の上面の同
一平面化は、当該リードフレームのプレス加工時にリー
ド内４　＠　４’各々の上ｒＴｉを一様な平面とするこ
とが１峻である点並びに前記票子収谷谷器基、Ｉｌｌ上
に配置される低融点ガラス層３は第２図又は第４図（Ｉ
Ｅ３ＦＩＡＢ−Ｂ’断面）に示されるように厚く、溶融
した轟該低融点ガラス層ｓ上に浮いた吹聴で置かれ轟該
低融点ガラス鳩３の固化とともＫ１１着される前記リー
ドフレーム４のリード内端ｓ４′各々を同一平面に揃え
ることが１崩である点等からして、龜めて１崩でありた
。

不発ｖ！ＡＦｉこのような従来の半導体装置の有する欠
点を除去し、素子収容容器内におけるリード内端部＋′
ｔ　ｆｉｌｌ−平向上に配置可能として、ワイヤボンデ
ィングエ１ｓｔすみやかに高い慣頼注をもって実施する
ことができるリードフレーム固着構造を提供しようとす
るものである。

この九め、不発明によれば、ｌ／Ａ子収谷谷器基体の一
方の工面上に、＃Ｌ４体素子が搭載され、且つ前記工面
上にｌＩｍの外部ｉｌ！続端子がガラスにより固着され
、前記半導体素子の電価と前記外＃接続端子とが導゛颯
的に儀絖されてなる半導体装直において、前記外部＊ａ
端子には前記半導体軍子の固Ｎ部近傍において前記素子
収答容（転）基体に接する如き凸状部が配設されてなる
ことを特徴とする半導体装置が提供される。

以下本発明による牛導体Ｗ装置を実施例をもってｉ＃Ｐ
細に説明する。

第６図は本発明による外部接続端子の凸状部の実適例を
示す。同図は複数ある外部接続端子のうち一本だけを示
したものである。同図（ａ）−に）はリード内端部に至
る中間に凸状部をプレス加工により折曲げて成形し九も
の、（ｅ）および（ｆ）はリード内端部ｔ−同様に折曲
げて成形したものであシ、（ｇ）はポンチによる張出し
刀ロエにより突起を成形し良書、（ｈ）はリード内ｙ！
ａ部と甲関部の２−所に凸状部を成形し良書、（１）は
部分的に厚くして凸状部を成形した例を示す。なお凸状
部の成形はリードフレームを成形加工する工程で同時に
成形を行なうことが作業性およびコストの面から望まし
い。

第６図乃至第９図は本発明による半導体装置の組み立て
工程の概略を示す。

本発明によれば、アルミナ（ＡｔｔＯｓ）等のセラミッ
ク材から構成される素子収容容器基体工０１は１ｇａ図
に示される如く、その−万の工面の中央部に凹状素子収
容部１（ｌが配設され、前記素子収容容器基体１０１の
前記工面上には、素子収容５１０２を除いて融点３００
℃乃至６５０℃の。

酸化鉛（Ｆｌ）Ｏ）−酸化礪軍（Ｂｔ　Ｏｎ　）系ある
いは酸基体１０１上の低融点ガラス層の厚さは、リード
フレームのｌｌ１Ｌ夛付は後かかるリードフレームの凸
状Ｗｈｔ含んだ犀さとほは同一の厚さとなる。すなわち
同−半一管形成し得るガラス量を有する厚さとされる０
かかる状＋ａｔｇ６図に示す０同図において１０３は低
一点ガラス層を示す０ 久いで、素子収容容器基体１０１の前記低融点ガラス層
１０３上に、コバール、４２合金等の銑ニッケルコバル
ト合金あるいは銑ニッケル合金からな９．第６図に示す
如く低融点ガラス層１０３との固着部に凸状ａｌｌ　’
Ｊ　５ｔ−形成し九リードフレームを載賦し九盪、低融
点ガラス層１０３の溶融１直まで加熱し、しかる後冷却
してリード７レームを素子収容容器基体１０１に固着す
る。

かかる状態を第７図に示す。同図において１０４はリー
ドフレームである。かかるリードフレーム−は後に切断
分離され、外部接続端子を構成する。

この工程において素子収容容器基体１０１上に位置した
リードフレーム１０４の凸状部１０５は、カラス層１０
３が溶融すると素子収容容器基体１０１の上面に接する
如くして位置決めされ、凸状部１０５谷々は同一平面上
に揃つ良状態で素子収容容器基体１０１上に固着される
。このようなリードフＶ−ム固看工程においては、ガラ
ス浴融時に電りｔリードフン−ムの凸状５１０５周辺部
にのせ凸状部１０５／？！ｒ々を素子収容容器基体１０
１の表面に押し当てることがｏＪ能であり、よってリー
ド内端部１０６各々の上面を同一平面上に確夾に位置出
しすることができる。、リード本数が多い場会にはこの
方法が好ましい。

本発明によれば次いで、前記素子収容部１０２に半導体
乗積回路素子が収容、固着され、当該半導体集積回路素
子の電極と前記リードフレーム１０４のリード内端１１
１０６とがアルミニ９ム線等の１ＩｉｌｌＩＩによ夕襞
絖（ワイヤボンディング）される。（かかる状ｌは図示
せず）かかるワイヤポ７ディフグ処塩工程においては、
前述の如くリード内端部１０６の各々は同−平向上に位
置して固定されている丸め、自動細４Ｉ接続装置等を用
いてのｍ＊＊ａを他めて容易に実施することができる。

一方、前記素子収容容器基体１０１に対応する太き：５
を有し且つ一方の主面に前記素子収容部１０２に対応す
る領域食除いて低融点ガラス層が配設され九セラ建ツク
材からなる蓋部材が準備される。かかるｆＩｓ材は１ｓ
８図に示されるように前記軍子収容Ｓｔ−檄って配置さ
れ、Ｗ記低融点ガラス層の溶融、固化によって素子収容
容器１０１に園看され、半導体乗積回路素子は気密封止
される。

第８１１１！３において１０ツは蓋部材を示す。

しかる後リードフレーム１０４は第８図のＡ−ム′に沿
りて切断され、半導体装置が光取される。

なお第９図はＭ’ｆ図のｏ−ｏ’断面を示す。

このような本発明によれば、１／Ａ子収答谷器基体１０
１の索子収容９１０２の周囲には外部接続端子の凸状部
１０５が配設され、リードフレームの複数のリード内端
部１０６はかかる凸状部１０５によって同−平向上に位
置決めされ良状態で、低融点ガラスによって素子収容容
器基体１０１に固着される。したがって、前記素子収容
部１０２に収容される半導体乗積回路素子の電極とリー
ド内端部との閣をワイヤボンディングする際には、かか
るワイヤボンディング作業をすみやかに高い信頼性をも
って実施することができる。

なお１以上の実施例にあっては、ガラス層′ｆｒ：素子
収容谷器基体の一方の上面の素子収容部を除く全開に配
設したが、尚葭ガラスによる気密特注。

機械的強度等が維持されるものであれば１部分的に配設
してもよい。

また外部接続端子に設けられる凸状部も、実施例に示さ
れる形状１位置、形成数に限られるものではない。また
凸状部を素子収容部の周囲全周の外部接続端子金てに配
設してもよい。かかる場曾には、リード本数の少ない部
分のリード内端部にっいても歯該す−ド内港部の位置出
しが容易となる。

なお、藺紀凸状部は半導体素子の固着部近傍に設けられ
るが、これは外Ｓ景続端子のリード内端部に半導体孝子
から導出される導体の接続に必要な領域ｔｉＩ保できる
ような位置に設けられる。

＊に１本発明の実施例にあっては、デュアルインライン
型票子収容１！器を掲げて説明を行なったが、本発明は
これに限られるものではなく、フラット１１１素子収容
箒器（いわゆるフラットパッケージ）に対して４過用す
ることができる。

偏　−向の簡単なａ＠ ＠１−乃至１１番図は従来の半導体装置の組み立て工程
の概略を示す外観斜視図及びｌｌｉｌｉ面図であり。

第５図は本発明による外部接続端子に設けた凸状部の貢
ａｎを示す斜視図、第６図乃至第９図は本発明による半
導体装置の組み立て工程の概略を示す外ＩＩｌ斜視図及
び断面図である。

図において、ｌ、１０１・・・・・・素子収容容器基体
、２．１０２・・・・素子収容部、３，１０３・・・・
・ガラスＭｉ、４，１０４・・・・・リードフレーム、
１０５・・・・・・凸状部、４’、１０６・・・・・・
リード内端部、５゜１０１・・・・・・！部材である。

犀４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 素子収容容器基体の一方の主面上に、半導体素子が搭載
   され、且つ前記主面上に複数の外部接続端子がガラスに
   より固着され、前記半導体素子の電極と前記外部接続端
   子とが導電的ＫＷ！続されてなる半導体装置において、
   前記外ｆｉｌＳｍ続端子には前記半導体素子の固着部近
   傍において前記素子収容容器基体に接する如き凸状部が
   配設されてなること′ｆ：％黴とする半導体装置。