JPS588333A - ハイインピ−ダンス検出回路 - Google Patents
ハイインピ−ダンス検出回路Info
- Publication number
- JPS588333A JPS588333A JP56104389A JP10438981A JPS588333A JP S588333 A JPS588333 A JP S588333A JP 56104389 A JP56104389 A JP 56104389A JP 10438981 A JP10438981 A JP 10438981A JP S588333 A JPS588333 A JP S588333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- signal
- high impedance
- control signal
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/25—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof using digital measurement techniques
- G01R19/2513—Arrangements for monitoring electric power systems, e.g. power lines or loads; Logging
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dc Digital Transmission (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は1H″、“L″なる2値の信号に加えて、ハイ
インピーダンス状atも検出することのできる検出回路
に関するものである。
インピーダンス状atも検出することのできる検出回路
に関するものである。
ディジタル回路では電気的な高電位状態と低電位状II
t情報として用いているが、その他に、ハイインピーダ
ンス状態も用いられている。これは。
t情報として用いているが、その他に、ハイインピーダ
ンス状態も用いられている。これは。
例えば共通のバスに複数の回路を接続し、これらの回路
のうち任意の1つの回路出力のみをバス上に出力できる
ようにするため、残りの回路出力tハイインピーダンス
状態にして、バス上の信号に影響を・与えないようにす
るものである。ところで。
のうち任意の1つの回路出力のみをバス上に出力できる
ようにするため、残りの回路出力tハイインピーダンス
状態にして、バス上の信号に影響を・与えないようにす
るものである。ところで。
このハイインピーダンス状mt検出することができれば
、バスの使用効率を着しく向上することができる。例え
ば露l及び第2の回路ブロックがバスを共用している場
合に、両回路ブロックがともにハイインピーダンス状態
にあることが検出できれば、その空いているバスを第3
の回路ブロックに使用させることが可能となる。
、バスの使用効率を着しく向上することができる。例え
ば露l及び第2の回路ブロックがバスを共用している場
合に、両回路ブロックがともにハイインピーダンス状態
にあることが検出できれば、その空いているバスを第3
の回路ブロックに使用させることが可能となる。
しかるに、従来はハイインピーダンス状態を検出する回
路がなかったために、バスの使用効率を高めることが困
難であった。
路がなかったために、バスの使用効率を高めることが困
難であった。
本発明は充電・回路を備えた記憶回路と放電回路を備え
た記憶回路を相互に電気的スイッチを介して接続し、外
部信号入力部め充電時の情報と放電時の情報を記憶する
ことを特徴とするものでその目的はハイインピーダンス
状態を検出するにある。
た記憶回路を相互に電気的スイッチを介して接続し、外
部信号入力部め充電時の情報と放電時の情報を記憶する
ことを特徴とするものでその目的はハイインピーダンス
状態を検出するにある。
第1Eに本発・明のハイインピーダンス検出回路のjI
l実施例を示す。Q1〜Q4はいずれもMOS )ラン
ジスタで、各々ゲートにS、〜S4なる信号が入力され
、この信号が@H”のときに導通し、′L”のときにし
ゃ断する。IFi第1の端子である信号入力端、nl*
nlは夫々@2.$3の端子である信号出力端である。
l実施例を示す。Q1〜Q4はいずれもMOS )ラン
ジスタで、各々ゲートにS、〜S4なる信号が入力され
、この信号が@H”のときに導通し、′L”のときにし
ゃ断する。IFi第1の端子である信号入力端、nl*
nlは夫々@2.$3の端子である信号出力端である。
またC、、CIは静電容量である記憶素子−である。ト
ランジスタQ1はドレインに電源電圧VDDが供給され
、ソースは出力端一に接続され、ゲートに第3の制御信
号である信号Slが印加される。第1のスイッチである
トランジスタ偽はソース及びドレインの一方が出力端n
1に、他方が入力端工に接続され、ゲートに#!1の制
御信号である信号S、が印加される。トランジスタらは
ドレインが出力端一に、ソースがグランドに接続され、
ゲートに#I4の制御信号である信号S、が印加される
。
ランジスタQ1はドレインに電源電圧VDDが供給され
、ソースは出力端一に接続され、ゲートに第3の制御信
号である信号Slが印加される。第1のスイッチである
トランジスタ偽はソース及びドレインの一方が出力端n
1に、他方が入力端工に接続され、ゲートに#!1の制
御信号である信号S、が印加される。トランジスタらは
ドレインが出力端一に、ソースがグランドに接続され、
ゲートに#I4の制御信号である信号S、が印加される
。
fli2のスイッチであるトランジスタQ4はソース及
びドレインの一方が出力端n雪に1.他方が入力端Iに
接続され、ゲートに第2の制御信号である信号S4が印
加される。容量C1鉱出゛力端n1とグランド間に接続
され、容量C!は出力端的とグランド間に接続される。
びドレインの一方が出力端n雪に1.他方が入力端Iに
接続され、ゲートに第2の制御信号である信号S4が印
加される。容量C1鉱出゛力端n1とグランド間に接続
され、容量C!は出力端的とグランド間に接続される。
第2図にこの実施例においてトランジスタQ〜 、電に
印加する信号S、〜S、を示す。■から■で1つの入力
信号t−識別し、その結果を出力端n1及びnlの2点
で出力する。次に工〜■の各期間について説明する。期
間工では信号Ss” S*= @H′−8*= 84;
@L′であり、この場合トランジスタQs−Q鵞が導通
し、トランジスタQ□Q4がしゃ断される。期間■では
信号&=′″H” 、 8.= 8.= S、= @L
”であり。
印加する信号S、〜S、を示す。■から■で1つの入力
信号t−識別し、その結果を出力端n1及びnlの2点
で出力する。次に工〜■の各期間について説明する。期
間工では信号Ss” S*= @H′−8*= 84;
@L′であり、この場合トランジスタQs−Q鵞が導通
し、トランジスタQ□Q4がしゃ断される。期間■では
信号&=′″H” 、 8.= 8.= S、= @L
”であり。
この場合トランジスタQ、のみ4蓬しており、他は全て
しゃ断される。期間Iで社信号Sr = 8*= ”
L”。
しゃ断される。期間Iで社信号Sr = 8*= ”
L”。
S、= S、=″″H’であり、この場合ト・ランジス
タQtsQ!はしゃ断され、Qs * Q4が導通する
O期間■では信号S1= S*= 8*=−L’で8.
=@H−であり、この場合トランジスタ電のみが導通し
他は全て゛しゃ断されている。
タQtsQ!はしゃ断され、Qs * Q4が導通する
O期間■では信号S1= S*= 8*=−L’で8.
=@H−であり、この場合トランジスタ電のみが導通し
他は全て゛しゃ断されている。
次に、この回路の動作を考える。
ハイインピーダンスの有無を検出すべき被検出装置すな
わち信号出力回路の信号出力端に、本発″明の装置の信
号入力端が接続される◇さて前記の信号出力端にあられ
れる信号としては@H”%L″及ヒハイインピーダンス
のいずれかである。
わち信号出力回路の信号出力端に、本発″明の装置の信
号入力端が接続される◇さて前記の信号出力端にあられ
れる信号としては@H”%L″及ヒハイインピーダンス
のいずれかである。
(1)入力信号が′″H”の場合
この場合、入力信号@H”を供給する回路紘第3図に示
すトランジスタQ、で等価的に表わすことができる。す
なわち導通状態にあるトランジスタ偽′を通して信号入
力端Iへ電源VDDから電荷を、供給する。この状mは
前記の信号出力回路よりの信悟が″H2である場合に相
当する。このときの信号入力端I及び、信号出力端nl
*n章の信号波形の概略を第6図B1 e St’;
= −n鵞に示す01〜&線制御信号、l1nls!k
l扛各部の電位を示す〇期間■:トランジスタQ1及び
トランジスタQaを通じて容量C1が充電され、入力端
lと出力端n、が@Hmになる(第6図I tnls町
の波形参照)。トランジスタQtti導通している。
すトランジスタQ、で等価的に表わすことができる。す
なわち導通状態にあるトランジスタ偽′を通して信号入
力端Iへ電源VDDから電荷を、供給する。この状mは
前記の信号出力回路よりの信悟が″H2である場合に相
当する。このときの信号入力端I及び、信号出力端nl
*n章の信号波形の概略を第6図B1 e St’;
= −n鵞に示す01〜&線制御信号、l1nls!k
l扛各部の電位を示す〇期間■:トランジスタQ1及び
トランジスタQaを通じて容量C1が充電され、入力端
lと出力端n、が@Hmになる(第6図I tnls町
の波形参照)。トランジスタQtti導通している。
期間I[:トランジスタQlからの充電は停止するが、
トランジスタ化からのトランジス タQ!を通しての充電は継続する。このため、容量CI
は依然として充電され、入力端工と出力端n1は@H”
になったままである。
トランジスタ化からのトランジス タQ!を通しての充電は継続する。このため、容量CI
は依然として充電され、入力端工と出力端n1は@H”
になったままである。
期間■:トランジスタGkaしゃ断するので、容量C3
に充電された電荷により出力端11゜は以後@H’ t
−保つ。トランジスタら。
に充電された電荷により出力端11゜は以後@H’ t
−保つ。トランジスタら。
qが導通するので、入力端工及び出力
端n鵞の電位は、トランジスタQs * Qs *屯の
各々のコンダクタンスで決まる値 に収束する。
各々のコンダクタンスで決まる値 に収束する。
期間■:トランジスタらがしゃ断するので、容量CIは
トランジスタQs −C4を通じて充電され、出力端一
は“H”になる・ 以上から入力信号が@H”の場合、出力は311ffi
n、;′″H”となる。
トランジスタQs −C4を通じて充電され、出力端一
は“H”になる・ 以上から入力信号が@H”の場合、出力は311ffi
n、;′″H”となる。
このとき入力信号″″L”を供給する回路は#I4図に
示すトランジスタQ−で等価的に表わす仁とができる0
すなわちトランジスタ化を通じて入力端、!を接地する
。このときの信号入力端■及び信号出力端n1snlの
信号波形の概略をj117図S、〜n、に示すO 期間工:トランジスタQr −Q雪が導通し信号入カ端
工と出力端n、の電位はトランジスタQ*−Q−−Qs
のコンダクタンスで決まる値に収束する。
示すトランジスタQ−で等価的に表わす仁とができる0
すなわちトランジスタ化を通じて入力端、!を接地する
。このときの信号入力端■及び信号出力端n1snlの
信号波形の概略をj117図S、〜n、に示すO 期間工:トランジスタQr −Q雪が導通し信号入カ端
工と出力端n、の電位はトランジスタQ*−Q−−Qs
のコンダクタンスで決まる値に収束する。
期間■ニド2ンジスタQ1からの電荷の供給は停止する
が、トランジスタ化は導通して いるため、トランジスタQ、を通して容量Cmが放電さ
れ、入力端lと出力端n。
が、トランジスタ化は導通して いるため、トランジスタQ、を通して容量Cmが放電さ
れ、入力端lと出力端n。
の電位は@L1となる。
期間■:トランジスタ偽もしゃ断するので、容量CIは
放電されたtま保たれ、以後出力端n1ti@L”を維
持する。一方トランジスタQa=Qaが導通するので、
容量C8が放電され、入力端!、出力端n!はともに@
L1となる。
放電されたtま保たれ、以後出力端n1ti@L”を維
持する。一方トランジスタQa=Qaが導通するので、
容量C8が放電され、入力端!、出力端n!はともに@
L1となる。
期間■:トランジスタQlはしゃ断するが、ト2ンジス
タQ4#i導通しているので、トランジスタ化により放
電は継続し、入力 端!及び出力端n*ti、@L”となる。
タQ4#i導通しているので、トランジスタ化により放
電は継続し、入力 端!及び出力端n*ti、@L”となる。
以上から入力信号が@Lmの場合、出力はfi−Q、−
1Lmとなる〇 (3)入力信号が゛ハイインピーダンス”の場合このと
き入力信号を供給する回路は第5図に示す容量C,で等
価的に表わすことができる。すなわち入力端Iとグラン
ド間に容量C8が接続される。
1Lmとなる〇 (3)入力信号が゛ハイインピーダンス”の場合このと
き入力信号を供給する回路は第5図に示す容量C,で等
価的に表わすことができる。すなわち入力端Iとグラン
ド間に容量C8が接続される。
このときの入力端工と出力端n1sn宜の信号波形の概
略管路8因田〜n、に示す〇 期間I:トランジスタQ*−Q−が導通し、容量へ。
略管路8因田〜n、に示す〇 期間I:トランジスタQ*−Q−が導通し、容量へ。
C1が充電される。このため入力端lと出力端n1は″
H#となる。
H#となる。
期間■:トランジスタQ、がしゃ断し、充電社停止する
。容量Cs−Csは期間工で充電された電lljを保持
するので入力端l、出力端n、の電位は”H”を保つ。
。容量Cs−Csは期間工で充電された電lljを保持
するので入力端l、出力端n、の電位は”H”を保つ。
期間■:トランジスタもがしゃ断するので、容量CaF
i充電電荷を保持し、出力端n、は以後′″H”を保つ
。トランジスタQl、Q6が導通するので容量C4−C
an放電し、入力端Iと出力端n、の電位は@L”とな
るO 期間■:トランジスタQ1がしゃ断するので放電は停止
するが、容量C4−Cmがすでに放電しているので、状
態は変わらず、入 力端工と出力端n、は@L”のままである。
i充電電荷を保持し、出力端n、は以後′″H”を保つ
。トランジスタQl、Q6が導通するので容量C4−C
an放電し、入力端Iと出力端n、の電位は@L”とな
るO 期間■:トランジスタQ1がしゃ断するので放電は停止
するが、容量C4−Cmがすでに放電しているので、状
態は変わらず、入 力端工と出力端n、は@L”のままである。
以上から、ハイインピーダンスであるかどうかを検出し
ようとする装置すなわち信号出力回路の出力端がハイイ
ンピーダンスの場合、出方anl=−H”。
ようとする装置すなわち信号出力回路の出力端がハイイ
ンピーダンスの場合、出方anl=−H”。
−=@L”となる。
この実施例においては、記憶回路として容量を使用して
いるが、これ扛MO8)ランジスタのゲート容量を利用
することもできる。
いるが、これ扛MO8)ランジスタのゲート容量を利用
することもできる。
第9図扛第1の実施例に出力端ml I n自の信号の
排他的論理和回路Atとる論理回路を付加したもので、
このi路の出力信号はハイインピーダンスが信号入力端
Iに入力されたときに“H′となり。
排他的論理和回路Atとる論理回路を付加したもので、
このi路の出力信号はハイインピーダンスが信号入力端
Iに入力されたときに“H′となり。
その他の場合は″L”を示す0このようなハイインピー
ダンスを示すフラグ信号pを作成したシ、その他論理処
環t−施す回路を付加°することは全く任意に行えるが
、このような場合には出力端nl * nlに付加して
いた容量Q −Cmのかわりに、トランジスタQv=Q
・及びQs−Qwのゲート容量が記憶回路として利用さ
れる。
ダンスを示すフラグ信号pを作成したシ、その他論理処
環t−施す回路を付加°することは全く任意に行えるが
、このような場合には出力端nl * nlに付加して
いた容量Q −Cmのかわりに、トランジスタQv=Q
・及びQs−Qwのゲート容量が記憶回路として利用さ
れる。
第1θ図に本発明の第2実施例を示す。これ社第1の端
子IK充電電荷を供給するMOS )ランジスタQ、と
、第1の端子lから電荷を引き抜<MO8トランジスタ
Q、と第1の端子Iの電位を記憶する容量C4と容量C
4へ情報皐夛込みを制御するMOBトランジスタQ3.
とから構成されている。この動作は411図に示す!1
、jI2 、第3の制御信号島。
子IK充電電荷を供給するMOS )ランジスタQ、と
、第1の端子lから電荷を引き抜<MO8トランジスタ
Q、と第1の端子Iの電位を記憶する容量C4と容量C
4へ情報皐夛込みを制御するMOBトランジスタQ3.
とから構成されている。この動作は411図に示す!1
、jI2 、第3の制御信号島。
13a−Bqで制御される。
まず期間ムで信号5it−@H’にし、MOS)2ンジ
スタQI4を開いて第1の端子工に電荷を供給する。
スタQI4を開いて第1の端子工に電荷を供給する。
次に期間B″ee信号をL#にしてMOS )ランジス
タQ14 t−閉じ、信号S!を“H#にしてMOS
)ランジスタQ*mt開き容量へに端子IO電荷を供給
する。
タQ14 t−閉じ、信号S!を“H#にしてMOS
)ランジスタQ*mt開き容量へに端子IO電荷を供給
する。
このとき入力が°H″又紘“ハイインピーダンス状1m
”のとき容量C4Fi”H”に充電され、入力が@L′
のときFs、容量c4は放電される。次に期間Cで信号
S・が″H#となりMOS)ランジスタQWが−いて端
子工から電荷を引き抜く。入力がハイインピーダンス状
11にあればその容量に蓄えられていた電荷も引き抜か
れる。従って期間DKは入力端Iの電位は、入力が′″
L”又はハイインピーダンス状態のときに1L1となり
、入力が1H”のときは@H′となる0 第ν図は本発明の第3の実施例を示す。この実施例は1
1!W図の実施例に第2の記憶装置としてトランジスタ
Q*q t”介して容量Cat付加した点が異なるの今
で、その働きは#I2実論実施例ぼ同様であるostj
)?ンジスタQtgを制御する第4の制御信号である。
”のとき容量C4Fi”H”に充電され、入力が@L′
のときFs、容量c4は放電される。次に期間Cで信号
S・が″H#となりMOS)ランジスタQWが−いて端
子工から電荷を引き抜く。入力がハイインピーダンス状
11にあればその容量に蓄えられていた電荷も引き抜か
れる。従って期間DKは入力端Iの電位は、入力が′″
L”又はハイインピーダンス状態のときに1L1となり
、入力が1H”のときは@H′となる0 第ν図は本発明の第3の実施例を示す。この実施例は1
1!W図の実施例に第2の記憶装置としてトランジスタ
Q*q t”介して容量Cat付加した点が異なるの今
で、その働きは#I2実論実施例ぼ同様であるostj
)?ンジスタQtgを制御する第4の制御信号である。
本発BAは叙上の工うに構成されているので。
(イ)簡単な回路でハイインピーダンス検出回路を構成
することができる。
することができる。
(ロ)集積回路の構成素子であるMOS )ランジスタ
のみで実現できるので、従来技術との親和性がよ、い。
のみで実現できるので、従来技術との親和性がよ、い。
(/→ ダイナイックに充放電して出力レベルを決定す
ることができ、消費電力が少い。また、この場合、入力
信号を供給する回路定数に独立に設計できるので、設計
が容易である0 などの効果を有する。
ることができ、消費電力が少い。また、この場合、入力
信号を供給する回路定数に独立に設計できるので、設計
が容易である0 などの効果を有する。
なお本発明の装置は1つのバスケ複数の回路ブロックが
占有する場合、バスが空いている時にのみ使用可能な回
路ブロックを設けることに、より、バスの使用効率を上
けるなどに応用する仁とができる。
占有する場合、バスが空いている時にのみ使用可能な回
路ブロックを設けることに、より、バスの使用効率を上
けるなどに応用する仁とができる。
第1図は本発明の第1実施例、@2図S、〜S4は制御
信号、第3図、第4図、第5図は夫々入力H1L、ハイ
インピーダンスを供給する等f!B回路、!I6図、第
7図、第8図において夫々S、〜Baa制御信号l11
nlt−は亀子における電位を示す。aG9図は第1実
施例の変形回路、第10図は第2実施例、第11図へ〜
シは制御信号、第12図は本発明の#I3実施例を示す
。 Q、−Qオ・・・−MOS )ランジスタs 81−8
11−・・・制御信号、 ■・−一・入力端%11Jt
n!・・・・・・出力端、CI〜へ・・・・・・容量、
A−−−・排他的論理和回路特許出願人 日本電信電話
公社 第1図 第2図 4 第3図 第4図 第5図 16図 n2−一−−−−−−−−J−−F−−第7図 n、 −−一一一一一一一一一一一 第8図 n2 − +−−一一一一一一−−−一一
−第9図 ! 1 ・L−−一一一−アー 、 J第10図 第11図
信号、第3図、第4図、第5図は夫々入力H1L、ハイ
インピーダンスを供給する等f!B回路、!I6図、第
7図、第8図において夫々S、〜Baa制御信号l11
nlt−は亀子における電位を示す。aG9図は第1実
施例の変形回路、第10図は第2実施例、第11図へ〜
シは制御信号、第12図は本発明の#I3実施例を示す
。 Q、−Qオ・・・−MOS )ランジスタs 81−8
11−・・・制御信号、 ■・−一・入力端%11Jt
n!・・・・・・出力端、CI〜へ・・・・・・容量、
A−−−・排他的論理和回路特許出願人 日本電信電話
公社 第1図 第2図 4 第3図 第4図 第5図 16図 n2−一−−−−−−−−J−−F−−第7図 n、 −−一一一一一一一一一一一 第8図 n2 − +−−一一一一一一−−−一一
−第9図 ! 1 ・L−−一一一−アー 、 J第10図 第11図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) ハイインピーダンスの有無を検出しようとす
る装置の信号出力端に連絡さnる信号入力端に、電荷を
供給するための充電手段と、該信号入力端から電荷を引
き抜くための放電手段とを備え。 骸信号入力端を咳充電手段に工り充電した後充電を停止
して得られる画信号入力端の第1の電位と、咳信号入力
端f:#放電手段により放電した後、放電を停止して得
られる該信号入力端の第2の電7−ら、被検出装置の出
力端が・・イインピーダンス状態にあることを検出する
ことを特徴とするハイインピーダンス検出回路′0(2
) 第1の制御信号により第1の端子と第2の端子間
を開閉する第1の電気的スイッチと、第2の制御信号に
より第1の端子と第3の端子間を開閉する第2の電気的
スイッチと、第3の制御信号に工り駆動されて亀2の端
子に電荷を供給する充電同一と%第4の制御信号により
駆動されて#!3の端子から電荷を引き抜く放電−路と
t−具備し、該第2の端子と該第3の端子のいずれか一
方又扛両方に記憶回路を具備したことを特徴とする特許
請求の範m第1JJ記載のハイインピーダンス検出回路
。 (3)allの制御信号により駆動されて第1の端子に
電荷を供給する充電回路と、第2の制御信号により駆動
されて咳第1の端子から電荷を引き抜く放電回路と、#
!3の制御信号により#第1の端子の電位情報を記憶す
る第1の記憶回路を具備したこと1−特徴とする特許請
求の範!!l第1項記載のハイインピーダンス検出回路
。 (4)@4の制御信号により該第1の端子の電位を記憶
する第2の記憶1路を付加したことt−特徴とする特許
請求の範II第2項記載のハイインピーダンス検出回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104389A JPS588333A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | ハイインピ−ダンス検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104389A JPS588333A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | ハイインピ−ダンス検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS588333A true JPS588333A (ja) | 1983-01-18 |
Family
ID=14379385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56104389A Pending JPS588333A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | ハイインピ−ダンス検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588333A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022533363A (ja) * | 2019-05-16 | 2022-07-22 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | 半二重インターフェースのための双方向リドライバ |
-
1981
- 1981-07-06 JP JP56104389A patent/JPS588333A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022533363A (ja) * | 2019-05-16 | 2022-07-22 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | 半二重インターフェースのための双方向リドライバ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW395045B (en) | Semiconductor memory, data read method for semiconductor memory and data storage apparatus | |
| JPS6077521A (ja) | トライステ−ト・ドライバ回路 | |
| US4712194A (en) | Static random access memory | |
| US4638182A (en) | High-level CMOS driver circuit | |
| JPH1069794A (ja) | マトリクスメモリ | |
| US4415819A (en) | Dynamic MOS-logic in interlace-techniques | |
| JPS588333A (ja) | ハイインピ−ダンス検出回路 | |
| JPH02177082A (ja) | ダイナミック型半導体記憶装置 | |
| JPH0235398B2 (ja) | ||
| JPH09147578A (ja) | 不揮発性レジスタおよびデ−タにアクセスする方法 | |
| KR870002585A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
| JPH0149969B2 (ja) | ||
| JPH0793026B2 (ja) | デコーダ回路 | |
| KR100300035B1 (ko) | 전하재활용센스앰프 | |
| JPH011192A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JPS5813519Y2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| US4042833A (en) | In-between phase clamping circuit to reduce the effects of positive noise | |
| JPH01112595A (ja) | 不揮発性シャドウ・メモリセル | |
| JP2546894B2 (ja) | クロックド同相回路 | |
| JPH02124629A (ja) | バス駆動回路 | |
| JPH07154240A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2529394B2 (ja) | 半導体不揮発性メモリ装置 | |
| JPS59186191A (ja) | 半導体記憶装置のセンスアンプ回路 | |
| JP2001006354A (ja) | センス増幅器、ならびにこのセンス増幅器をパイプライン式の読取り動作、復元動作、および書込み動作で使用する方法 | |
| SU1015436A1 (ru) | Выходной усилитель |