JPS5884964A - 絶縁体上へのパタ−ンメツキ製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ガラス、プラスチック、セラ叱ツク結晶体等
の絶縁体上にＳ　ｎ　Ｏ！又は工ｎ　＠　Ｏ＠　等Ｏａ
ｌ＋化物被膜を形成し、光感光性レジストを塗布し、目
的の形状パターニングを行い、Ｚｎ粉末十要部の酸化物
被膜をエツチング処理し、レジストをはくすしてから、
Ｂ　ｎ　Ｏｔ＠　　Ｐ　Ａ　ｏ　Ｌ＠混合前処理液で浸
漬処理した後、無電解メッキ液に入れて、金属被覆する
ことからなる絶縁体上へのパターンメッキ製造方法に関
する。

従来、絶縁体上に金属被覆パターニングする場合、蒸着
、スパッタ等の真空設備を用いて全面被膜をつくり、以
下状の工程に進む。

（１）光感光性レジスト塗布 （工）紫外線露光 （８）現像（光照射部又は非光照射部を溶剤でエッチン
グ （４）金属エツチング 偵）レジメ）剥離 以上のような工程を用いた場合、真空設備が高価な上、
大量又は大表面積をもつ絶縁体基板に全面金属被覆する
ことは謬しい。

また、絶縁体基板上に無電解メッキを行う場合、目的と
する金属メッキ被膜の密着性向上、及び均一なメッキ膜
を得るために、絶縁体基板面を機械的研摩、化学的研摩
、及びその両方を用いて表面な粗していた。それにもか
かわらず均一で密着性のよいメッキ膜を得ることが困難
であり作業性の問題も大きい。

一方１！１ｎｏ１又はＸ　ｍｇ　ｏ、等酸化物被膜に密
着よく無電解メッキ被膜が形成されることを利用して次
の工程で行うことができδ。

（１）絶縁体上にｌ１ｎＯ１又はＸｎ＠Ｏ８等の酸化物
被膜を形成し、 （Ｒ）　Ｂ　＊　ｏ　４　　Ｐ　ｄＬ　ａ　４混合前処
理液又は８１１　ｏ　Ｌ霊前処理（センシタイジング）
した後ｐ　ａ　ｃ　４前処理に遷した後 （１）無電解メッキを行い金属被覆し く６）光感光性レジスジを塗布して 俤）紫外露光により目的の形状にノくターニングを行い （荀不必要部のレジスＦをエツチングし、（７）金属エ
ツチングしたのち （＠ｉ１ｍｏ１又は工！ｌ　Ｂ　Ｏ１等酸化物膜エツチ
ングをして（−）レジストをエツチング（剥ＩＩ）をす
る。

この方法の場合、エツチング工程が増えてしまい作業短
縮化の意に反する。またレジストにわずかのピンホール
が存在していた場合、金属被膜に直接影響を及ぼすこと
となり、形成されたパターンのピンホール、サイドエツ
ジの切れにつながる可能性がある。

又、（Ｙ′）の８！ｌｏｔ又は工ｎ８０．膜のエツチン
グ工程を除いてもかまわない場合（透明導電膜としてで
　　　“なく、フォトマスクなどに使用）、注意する点
は、酸化被膜の変色である。透明基板を用いた場合、時
に透過率Ｏｗ１題となるものは、変色による透過率Ｏ低
下吸収波長の長波長側移行も考慮に入れて、処理しなけ
ればならない。

本発明はかかる欠点を除央したものでその目的は、真空
設備な用いることなく、作業工程短縮も含めて低コスト
で大量及び大表面積の基板も使え、ピンホール等のパタ
ーン不良も少ない、無電解メッキによる絶縁体上へのパ
ターンメッキ製造方法を提供するものである。

以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する・ ｌｊｌは本発明のバターニング、工程であり、αは未処
理、ｂは酸化被膜形成後、Ｃは光感光性レジスジ塗布、
ｄは紫外線露光、−は現像後、ｆは酸化被膜エツチング
後、！はレジストハクリ後、轟は無電解メツ午後、１は
絶縁基板、２は酸化物被膜、５は光感光性レジスト被膜
、４は金属被膜、５はフォトマスクである。

絶縁基板１をよく洗浄し、ＯＶＤ法又は金属アルコキサ
イドの加水分解により金属酸化物被膜を得る方法を採用
した。Ｃｈ）ガラス、セラミック結晶体のように比較的
高温に耐えられるものは０マ１でもかまわないが特にプ
ラスチック基板等は、加熱温度が８０℃〜１００℃が限
界であるためアルコキサイドの型で処理した方がよい。

金属アルコキサイドは一般弐Ｍ　（ＯＲ）ｎ　で表わさ
れ、Ｖはこれらの金属、Ｒはアルキル基、ルはＭＯ原子
価を表わしている。前記混合酸化被膜はこれらのアルコ
シサイドな適当に混合酸化被膜はこれらのアルコキサイ
ドを適当に混合することにより得られる。これらのアル
コキサイドを適当に混合することにより得られる。これ
らのアルコキサイドをα０１％〜１０優に適当な有機溶
媒（アルコールＩＩＩ＃ハロゲン化炭素類、エステル類
、ケシン類、芳香族類等）に溶解し、絶縁体基板にコー
チ鳥ングするのだが、それにはスプレー法、ロールツー
ター法、エアロゾル法、ディッピング法がある・コーテ
イング後、常温〜５００℃の温度範凹で加水分解を行う
。先に述べたように各基板の耐熱限界内で加熱すること
である。

ｍ（ｏｎ）ｓ＋ｍ、ｏ　　　　ｎＭＯｓｌ−）−ＩＬｏ
ｌｌ↑の属地で酸化物被膜が形成される。次に光感光性
レジストを塗布し、被膜を作り（Ｃ工程）、紫外線露光
を行った基板（シ工程）を現像液（ｔ２％［０１を使用
した。）に入れ、不必要部のレジストをエツチングなし
、（一工程）さらに、８ｎＯ１，１ｍ１０１　　などの
酸化被膜をＺｎ粉末Ｍｏｂ法又グし、１０％ＫＯＨにて
レジストエツチングをする。酸化物被膜パターンが得ら
れた基板に無電解メッキを行う、無電解メッキするため
に使用される前処理液は、！１ｎｏ４−ｐａｏｔ１　　
混合コロイド溶液又は８　ｎ　ｏ　１！溶液、Ｘ’６ａ
１重溶液の分離製溶液を用い、そして、密着促進剤（酸
あるいはアルカリ溶液に２１１．Ｍｕ、Ｚｎ、０４．ム
ｓ、８ｂ、ｌｉから選ばれた一種又は一種以上の金属を
溶解した液）を用いることを特徴としている。ここで密
着促進剤を用いない場合、処理部（酸化被膜形成部）以
外０曽所にもメッキされてしまい、目的の意に添わない
。本研究の前処理液として、ｌ　ｙｘ　ａ　４溶液浸漬
（１ｆ／ｌ）（センシタイジング）後アクティペティン
グとして日本カニゼン社−のレッドシー−マーの５倍希
釈液を用いた。又は８ｎｏｔ１−ＰｄＯ２混合前処理液
には日立化成増感剤１１Ｂ−１０１１１を用い所定の手
段にて希釈して溶液に３分間浸漬した。水洗後日重化製
密着促進剤ムＤＰ−２０１を所定の手段によって希釈し
た溶液に５分間浸漬し、充分水洗した後日本カニイン（
株）製シェーマ−８６８０を純水にて８倍希釈した無電
解ニッケル浴（４５℃）に基板を５分間浸漬し水洗後乾
燥した。メッキ厚は３５００１で、密着性試験のため得
られたメッキ面で２０神の圧力をかけて６＠こすっても
変化がなかりた以上の例に見られるような工程で絶縁体
上にパターンメッキなされ、品質向上、工程短縮、低コ
スＦ化が可能になる。応用例としてはフォトマスク、エ
ンコーダースリット板１回路パターン形成、透明導電膜
端子の金属化、などがあげられる。

種々の絶縁基板に最適のパターニング方法を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

図１は本発−のパターニング工程を説明した基板Ｏ側面
図であ−７る。 ａ・・・・・・未処理 ｂ・・・・・・酸化被膜形成後 ｃ−・・・・・光感光性レジス）１ｍ布後ｄ・・・・・
・紫外線露光 −・・・・・・現像後 ｆ・・・・・・酸化被膜エツチング後 ！・・・・・・レジスジエツチング後 み・・・・・・無電解メッキ後を示し １・・・・・・絶縁基板 ２・・・・・・酸化曽被膜 ３・・・・・・光感光性レジスＦ被膜 ４・・・・・・金属被膜 ５・・・…７オトマスク 図−１ 手続補正書（自発） 昭和５８年２月　３日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１８３４８０号 ３、補正をする者 ６、補正の対象 手続補正書（自発） １、　明細書　４頁１行目 「溶液（アクティペイティング）　ｖｃｌ’％４７？し
て増感剤」とめるを ［ａｉｌ［Ｋ浸漬して（アクティペイティング）増感剤
」に補正する。 ｌ　明細書　６真９行目〜６１ｆ−１２行目「アルコシ
サイドを適肯に混合酸「上被層はこれらのアルコキサイ
ドを適当に混合することにより得られる。・これらのア
ルコキサイドｆ適当に混合することにより４られる。こ
れらのアルコキサイド」とめるを 「アルコキサイドを適当に混合することにより得られる
。これらのアルコキサイド」に鞠正する。 ム　明細書　７頁１行目 ［Ｍ（ＯＲ）ｎ−１７Ｈ２０−＋ＭＯｎ４　ＲＲＯ）ｉ
↑」とある會 ｒ　　Ｍ（０Ｒ）ｌｎ−１−ｎＨ２０−＋ＭＯｎ＋２ｎ
ｆｔＯ１ｉ　Ｊに補正する。 ４　明細書　８頁１６行目 「ターンメッキなされ、」とあるを 「ターンメッキがされ、ＪＫｍ正する。 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　絶縁体上にＩＩ　！ｌ　Ｏ＠又は、Ｉｎ、０
   １等の酸化物被膜をｙ＃成し、 （荀　光感光性レジストを塗布して、 （１）　　紫外線露光により、目的の形状にパターニン
   グを行い、 ０）　不必要部Ｏ酸化物被膜をエツチングした後、（６
   ）　　レジスジを剥離し、 （Ｉｓ）８ｎＯ１諺−ｐａｏｚ鵞混合前混合前処理液処
   理あルイは、ａ！Ｌａｌ、＠溶液浸漬後ＰｄＯｔｍ榛波
   で浸漬処理し、 （至）酸あるいはアルカリ溶液にＰｂ、Ｍｎ、Ｚｎ、　
   ａ　ａ　、　Ａ＠　、　ｍｂ　Ｉ　）　ｔカラＩＨｆレ
   タ一種又１ｒｉ二種以上の金属を溶解し、その溶液中に
   上記基板を浸し、 −）　無電解メッキ液に入れて金属被覆する工程を有す
   る絶縁体上へのパターンメッキ製造方法。