JPS588576B2 - ガスプラズマによる電子ビ−ムレジストの現像方法 - Google Patents

ガスプラズマによる電子ビ−ムレジストの現像方法

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JPS588576B2
JPS588576B2 JP51026728A JP2672876A JPS588576B2 JP S588576 B2 JPS588576 B2 JP S588576B2 JP 51026728 A JP51026728 A JP 51026728A JP 2672876 A JP2672876 A JP 2672876A JP S588576 B2 JPS588576 B2 JP S588576B2
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JP
Japan
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electron beam
gas plasma
beam resist
developing
plasma
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JP51026728A
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加藤忠雄
豊田裕康
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、プラズマ特にアルコール系のガスプラズマ
の化学反応を利用して電子ビームで露光された電子ビー
ムレジストを現像する方法に関するものである。
従来知られているＰＭＭＡ（電子ビームレジストの一例
）の現像方法は、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）：イソ
プロピルアルコール（ＩＰＡ）＝７：３、あるいはメチ
ルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）：イソプロピルアルコ
ール（ＩＰＡ）＝１：３等のいわゆるウエット・ケミカ
ルな方法で現像されていた。
このような従来のウエット方法による現像方法では、現
像液の温度を管理する必要があり、しかも使用回数によ
る差があるばかりでなく、一回の処理枚数にも制限があ
った。
この発明は、上記従来のウエット方法による現像方法の
欠点を除去し、処理された半導体基板も非常に清浄で、
大量に精度よく、かつ容易に現像することが可能な現像
方法を提供するものである。
以下この発明について説明する。
第１図に示すように半導体基板１上にＰＭＭＡ２を約２
０００Åの厚さに塗布し、そのＰＭＭＡ２を約１０−４
クローン／ｃｍ３の電子ビーム３で露光し、試料Ａを作
る。
次に第２図に示すような高周波対電極４間に置かれた石
英放電管５中に、上記試料Ａを石英支持台６にのせた状
態で挿入し、石英放電管５の内部を約０． １Ｔｏｒｒ
の真空に保ち、一方、エチルアルコール７中をアルゴン
ガス８をバブルせしめて、エチルアルコールをある割合
に含んだアルゴンガス９を石英放電管５中に導き、上記
高周波対電極４間に高周波電圧１０を印加し、石英放電
管５中にエチルアルコール７とアルゴンガス８のプラズ
マを発生させる。
この時の高周波電力は約１００Ｗ、真空度は約０．７Ｔ
ｏｒｒである。
この条件のもとでは電子ビーム照射された２０００Å厚
のＰＭＭＡ２は約３分で完全に除去できる。
一方、ＰＭＭＡ２の未照射部は、殆んど除去されず５分
間上記プラズマ中にさらしても変化しない。
以上説明したように、この発明による現像方法は処理能
力も一回に数１０枚以上と非常に大きい。
またアルゴンガス中にエチルアルコールを含有させるこ
とにより現像時のコントラストを強めることができ、し
かも酸素系のプラズマのように未露光のＰＭＭＡも同時
に反応することが少ないため薄いＰＭＭＡを用いること
ができ、その結果、微細なパターンニングも可能となる
。
さらにクロムのようなハードマスクを電子ビームで製作
する場合には、この発明による現像に続いて同じ反応石
英放電管中で導入ガスを塩素系に変えクロムをプラズマ
エッチングすることも可能となり、一工程でＰＭＭＡの
現像とその下地薄膜のエッチングが可能となる。
かようにこの発明は種々の利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の加工対象物の一例を説明するための
部分断面図、第２図はこの発明の実施例を説明するため
の装置の一例を示す構成略図である。 図中、１は半導体基板、２はＰＭＭＡ，３は電子ビーム
、４は高周波対電極、５は石英放電管、６は石英支持台
、７はエチルアルコール、８はアルゴンガス、９はエチ
ルアルコールである割合含んだアルゴンガス、１０は高
周波電圧である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 高分子の電子ビーム露光用レジストに所要パターン
    に電子ビームを照射し、これをアルゴンをベースにした
    アルコール系ガスプラズマ中に浸して前記電子ビームが
    照射された部分の電子ビーム露光用レジストのみを分解
    反応して除去することを特徴とするガスプラズマによる
    電子ビームレジストの現像方法。
JP51026728A 1976-03-12 1976-03-12 ガスプラズマによる電子ビ−ムレジストの現像方法 Expired JPS588576B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60165159U (ja) * 1984-04-06 1985-11-01 株式会社　東洋空機製作所 インパクトレンチの締付トルク制御装置
JPS62203776A (ja) * 1986-02-28 1987-09-08 トヨタ車体株式会社 インパクトレンチ使用条件管理装置

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