JPS588579A - 砒素含有物質の乾燥処理法 - Google Patents
砒素含有物質の乾燥処理法Info
- Publication number
- JPS588579A JPS588579A JP10567181A JP10567181A JPS588579A JP S588579 A JPS588579 A JP S588579A JP 10567181 A JP10567181 A JP 10567181A JP 10567181 A JP10567181 A JP 10567181A JP S588579 A JPS588579 A JP S588579A
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- JP
- Japan
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- arsenic
- containing substance
- mud
- substance
- microwaves
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Heat Treatment Of Water, Waste Water Or Sewage (AREA)
- Physical Water Treatments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般に非鉄製錬工程において発生する各種の砒
素を含む工程中間物を処理して得た多量の水分が含有し
た泥状の砒素含有物質の乾燥処理法に関する。
素を含む工程中間物を処理して得た多量の水分が含有し
た泥状の砒素含有物質の乾燥処理法に関する。
この砒素含有物質中の砒素は硫化物又は酸化物の形で含
まれており、またこの砒素含有物質は凡そ６０〜８０％
の水分を含有し、そのままでは取扱いにも貯蔵にも不適
当であり、一定の水分値にまで乾燥することが必要であ
る。
まれており、またこの砒素含有物質は凡そ６０〜８０％
の水分を含有し、そのままでは取扱いにも貯蔵にも不適
当であり、一定の水分値にまで乾燥することが必要であ
る。
従来の乾−燥法には熱ガスを利用する方式、あるいは電
気、蒸気を利用する方式等種々の方式があるが、いずれ
の方式であっても水分を効率的に除去するためには被乾
燥物を攪拌するなどして加熱媒体との接触を良好にする
必要がある。
気、蒸気を利用する方式等種々の方式があるが、いずれ
の方式であっても水分を効率的に除去するためには被乾
燥物を攪拌するなどして加熱媒体との接触を良好にする
必要がある。
このような従来の乾燥方式を砒素含有物質に適用するこ
とはこの被乾燥物の性質から考えて適切とは言えない。
とはこの被乾燥物の性質から考えて適切とは言えない。
すなわち熱ガスを利用する方式ではガスによる被乾燥物
の飛散並びに局部過熱、による砒素の揮発があるため、
ロス防止、環境保全の上からガス中の物質を捕収し、繰
り返す等の処置が必要となる。
の飛散並びに局部過熱、による砒素の揮発があるため、
ロス防止、環境保全の上からガス中の物質を捕収し、繰
り返す等の処置が必要となる。
他方間接加熱による方式では熱伝達効率が悪くさらに設
備が大型化する。その他一般的にスラッジ状の含水泥の
ため均一加熱が困難であり攪拌も容易でない上、環境問
題にも対処しづらい。このように、従来法においては、
砒素含有物質のような揮散し易い物質を環境を良好な状
態に保持し効率的にかつ排ガス中への揮散のない状態で
実用的に乾燥する方法は存在しない。
備が大型化する。その他一般的にスラッジ状の含水泥の
ため均一加熱が困難であり攪拌も容易でない上、環境問
題にも対処しづらい。このように、従来法においては、
砒素含有物質のような揮散し易い物質を環境を良好な状
態に保持し効率的にかつ排ガス中への揮散のない状態で
実用的に乾燥する方法は存在しない。
本発明は、上述の如き、従来の砒素含有物質の法は、砒
素含有物質に砒素の形態を変えないでかつ砒素の揮発を
生ぜしめない範囲内において、該砒素含有物質中の水分
を蒸発させるに十分な照射量をもってマイクロ波を照射
することを特徴とする。
素含有物質に砒素の形態を変えないでかつ砒素の揮発を
生ぜしめない範囲内において、該砒素含有物質中の水分
を蒸発させるに十分な照射量をもってマイクロ波を照射
することを特徴とする。
非鉄製錬工程において発生する砒素を含む煙灰、スライ
ム、排液等を処理して得た砒素酸化物或いは砒素硫化物
等の泥状の砒素含有物質の脱水濾過は周知の方法により
行われ、得られた濾過ケーキは、適当な体積ないし層厚
にしてマイクロ波照射装置内に導かれる。マイクロ波に
よる加熱は食品関係において調理手段として一般的であ
るが、本発明においては、今までに例のない砒素含有泥
を単に加熱でなく、水分の蒸発乾燥を目的としてマイク
ロ波を照射し、かつその際に、砒素含有物質中の砒素の
形態変化或いは揮発を生じさせない範囲内において照射
全行う。酸化砒素の揮発は凡そ２００〜２８０℃以上に
なると急激になるので、蒸発のため、約１００〜１９０
”Ｃ１好ましくは１００〜１８０℃の温度に加熱される
。
ム、排液等を処理して得た砒素酸化物或いは砒素硫化物
等の泥状の砒素含有物質の脱水濾過は周知の方法により
行われ、得られた濾過ケーキは、適当な体積ないし層厚
にしてマイクロ波照射装置内に導かれる。マイクロ波に
よる加熱は食品関係において調理手段として一般的であ
るが、本発明においては、今までに例のない砒素含有泥
を単に加熱でなく、水分の蒸発乾燥を目的としてマイク
ロ波を照射し、かつその際に、砒素含有物質中の砒素の
形態変化或いは揮発を生じさせない範囲内において照射
全行う。酸化砒素の揮発は凡そ２００〜２８０℃以上に
なると急激になるので、蒸発のため、約１００〜１９０
”Ｃ１好ましくは１００〜１８０℃の温度に加熱される
。
マイクロ波照射によシ付勢される泥中の水の分子の双極
子振動による発熱は、泥全体においてその内部で一様に
生じ、表面のみの部分的過熱は生じない。従って泥全体
は一様な温度に加熱され一容器及び乾燥した泥の温度過
上昇も生じないで、水分のみが蒸発する。
子振動による発熱は、泥全体においてその内部で一様に
生じ、表面のみの部分的過熱は生じない。従って泥全体
は一様な温度に加熱され一容器及び乾燥した泥の温度過
上昇も生じないで、水分のみが蒸発する。
乾燥の程度は泥中の水分をできるだけ減少させることが
一つの目標となるが、その地歩くとも後に乾燥泥がプレ
ス成形等にょシ、小塊状ないし粒状にされる場合には成
形可能な水分値にまで好ましくは成形に適した水分値に
まで軟塊することがもう一つの目標となる。１成形のた
めには水分は４５％以下とすることが必要であり、好ま
しくは１０〜４０％とする。この水分値の制御はマイク
ロ波照射量すなわち（照射密度）×（照射時間）によっ
て容易に制御できる。一般に誘電体に対するマイクロ波
照射の際に単位体積当りの消費電力は次式（１）で表わ
される。
一つの目標となるが、その地歩くとも後に乾燥泥がプレ
ス成形等にょシ、小塊状ないし粒状にされる場合には成
形可能な水分値にまで好ましくは成形に適した水分値に
まで軟塊することがもう一つの目標となる。１成形のた
めには水分は４５％以下とすることが必要であり、好ま
しくは１０〜４０％とする。この水分値の制御はマイク
ロ波照射量すなわち（照射密度）×（照射時間）によっ
て容易に制御できる。一般に誘電体に対するマイクロ波
照射の際に単位体積当りの消費電力は次式（１）で表わ
される。
但し、ｆ：周波数Ｈ２，Ｖ：電界強度ｖ／ａＩｈε：誘
電率、−δ：誘電体損失角の正接発熱の進行に伴い水分
蒸発が生じその蒸発潜熱とその他の放熱とによって規定
される放熱量が増大するので、一定のマイクロ波照射密
度下においては、被乾燥物の温度は水分蒸発量が減少す
るに至るまで一定に保つことが可能であり、砒素の揮発
及び化学変化防止のために極めて有利である。
電率、−δ：誘電体損失角の正接発熱の進行に伴い水分
蒸発が生じその蒸発潜熱とその他の放熱とによって規定
される放熱量が増大するので、一定のマイクロ波照射密
度下においては、被乾燥物の温度は水分蒸発量が減少す
るに至るまで一定に保つことが可能であり、砒素の揮発
及び化学変化防止のために極めて有利である。
なお、マイクロ波照射による乾燥法によれば、残留水分
の量は自由に調節可能であり、砒素の揮発開始の直前ま
で乾燥を行うことができる。このように、本発明の乾燥
法は極めてクリーンな乾燥法であり、従来の熱風ないし
直火乾燥の場合のような排ガス中への砒素或いは砒素化
合物の揮散がなく、単に蒸発した水蒸気を系外に導き凝
縮ないしスクラバー処理する程度で足りるので、公害の
防止が容易に可能であり、設備投資額も少ない。
の量は自由に調節可能であり、砒素の揮発開始の直前ま
で乾燥を行うことができる。このように、本発明の乾燥
法は極めてクリーンな乾燥法であり、従来の熱風ないし
直火乾燥の場合のような排ガス中への砒素或いは砒素化
合物の揮散がなく、単に蒸発した水蒸気を系外に導き凝
縮ないしスクラバー処理する程度で足りるので、公害の
防止が容易に可能であり、設備投資額も少ない。
このマイクロ波照射によシ、砒素含有物質は、水分蒸発
に伴う体積減少とともＫさらに一層の体積減少をも°可
能とする。即ち、水分４５％以下として加圧成形するこ
とにより、塊状ないし粒状の。
に伴う体積減少とともＫさらに一層の体積減少をも°可
能とする。即ち、水分４５％以下として加圧成形するこ
とにより、塊状ないし粒状の。
固形物となり、０１〜１）ン／−゛程度のプレス成形に
より、みかけ上の体積はＩＡ〜１／７程度に減少する。
より、みかけ上の体積はＩＡ〜１／７程度に減少する。
またこの固形化によって取り扱いが容易になるとともに
、以後の水熱処理等の塊成化処理ないし体積縮小化処理
（一般に長期貯蔵の目的で行われる）のために夫々適し
た形状（小塊状、ブリケラ・ト状、球状、棒状、粒状等
）に成形されることにより、塊成化処理が容易となる。
、以後の水熱処理等の塊成化処理ないし体積縮小化処理
（一般に長期貯蔵の目的で行われる）のために夫々適し
た形状（小塊状、ブリケラ・ト状、球状、棒状、粒状等
）に成形されることにより、塊成化処理が容易となる。
。
なお、本発明において、通例の７０％水分含有の砒素含
有物質に対し、乾燥に適するマイクロ波照射密度は、凡
そ０１〜１０Ｗ／ｄ程度、好ましくはα５〜２Ｗ／Ｍ桿
度である。
有物質に対し、乾燥に適するマイクロ波照射密度は、凡
そ０１〜１０Ｗ／ｄ程度、好ましくはα５〜２Ｗ／Ｍ桿
度である。
本発明の乾燥法においては、対象物を静止させて回分的
に乾燥することも、またマイクロ波照射装置内を移動さ
せつつ連続的に乾燥処理することも、可能である。乾燥
の隙の泥の厚さ、幅等は適宵口的に応じて変更、選択さ
れる。
に乾燥することも、またマイクロ波照射装置内を移動さ
せつつ連続的に乾燥処理することも、可能である。乾燥
の隙の泥の厚さ、幅等は適宵口的に応じて変更、選択さ
れる。
乾燥装置は処理物の性状、或いは処理量に応じてバッチ
式か連続式かが決定されるが、乾燥処理時における砒素
含有物質の収納容器は、好ましくはシャモツト質等のセ
ラミック質耐火物、グラスファイバー製のベルトコンベ
ア等、マイクロ波ヲ反射しない材質を用い、容器底面か
らも照射（ないし装置壁による反射波の入射）を許容ｊ
°るようにする。乾燥装置本体はフードを有し、その他
マイクロ波発振器、インピーダンス調整器、導波管、共
振器等公知のマイクロ波照射手段を備える。
式か連続式かが決定されるが、乾燥処理時における砒素
含有物質の収納容器は、好ましくはシャモツト質等のセ
ラミック質耐火物、グラスファイバー製のベルトコンベ
ア等、マイクロ波ヲ反射しない材質を用い、容器底面か
らも照射（ないし装置壁による反射波の入射）を許容ｊ
°るようにする。乾燥装置本体はフードを有し、その他
マイクロ波発振器、インピーダンス調整器、導波管、共
振器等公知のマイクロ波照射手段を備える。
実施例１
砒素含有溶液中からＨ２Ｓ 添加による硫化法により硫
化砒素殿物を生成させフィルタープレスにて濾過して得
られた硫化砒素泥（水分６８％）各８０Ｏｆ（湿状態）
をシャモット質耐火物製、内径８０＋ｗＸ高さ１４０ｍ
の円筒容器に充填し周波数２４２０〜２４８０ＭＨｚ
、照射電力１５〜Ｌ７Ｗ／ｄとして８０分間マイクロ波
照射乾燥処理を行い、温度、水分等の測定を行った。そ
の結果を表１に示す。
化砒素殿物を生成させフィルタープレスにて濾過して得
られた硫化砒素泥（水分６８％）各８０Ｏｆ（湿状態）
をシャモット質耐火物製、内径８０＋ｗＸ高さ１４０ｍ
の円筒容器に充填し周波数２４２０〜２４８０ＭＨｚ
、照射電力１５〜Ｌ７Ｗ／ｄとして８０分間マイクロ波
照射乾燥処理を行い、温度、水分等の測定を行った。そ
の結果を表１に示す。
表１
時間扮） ０ ５ １０ ２０ ８０温１
［（’Ｃ） −１１０１１５１２０１２５水分（２
） ７０ ６８ ６４ ４７ ５なお、生成
水蒸気は真空ポンプにて吸引し洗気ビンによシ捕収して
砒素の揮散の有無を測定した。
［（’Ｃ） −１１０１１５１２０１２５水分（２
） ７０ ６８ ６４ ４７ ５なお、生成
水蒸気は真空ポンプにて吸引し洗気ビンによシ捕収して
砒素の揮散の有無を測定した。
８０分乾燥後において、揮散量はＡ８換算にて、元の砒
素量に対し０００１％以下であった。この７結果から、
本発明の乾燥法は極めてクリーンな方法であることが判
明した。
素量に対し０００１％以下であった。この７結果から、
本発明の乾燥法は極めてクリーンな方法であることが判
明した。
実施例２
真空濾過により得られた亜砒酸ケーキ（水分２１９１；
） ５００ ｆをシャモット質耐火物製、内径１４０
ｍＸ高さ１４０ｍ＋＋の円筒容器に充填し、照射条件は
実施例１と同じＫして７２分間マイクロ波照射して乾燥
処理を行い、処理物の温度、水分等の測定を行った。そ
の結果を鼻ＪＫ示す。
） ５００ ｆをシャモット質耐火物製、内径１４０
ｍＸ高さ１４０ｍ＋＋の円筒容器に充填し、照射条件は
実施例１と同じＫして７２分間マイクロ波照射して乾燥
処理を行い、処理物の温度、水分等の測定を行った。そ
の結果を鼻ＪＫ示す。
表２
時間ｅ） ０ ８ ６ ９ １２温度（”
Ｃ） ２０ １０５ １１６ １２５ １８０水分
（至） ２１ １９ −１ａ２ １Ｑ６ ６２実
施例８ 実施例１と同じ硫化砒素泥を入射電力α５ＫＷでそれぞ
れ１９分、２４分８０秒、８０分、その他実施例１と同
様にしてマイクロ波乾燥し含水率４５４％、８２．０％
、１６％の乾燥泥を得た。
Ｃ） ２０ １０５ １１６ １２５ １８０水分
（至） ２１ １９ −１ａ２ １Ｑ６ ６２実
施例８ 実施例１と同じ硫化砒素泥を入射電力α５ＫＷでそれぞ
れ１９分、２４分８０秒、８０分、その他実施例１と同
様にしてマイクロ波乾燥し含水率４５４％、８２．０％
、１６％の乾燥泥を得た。
これを０５Ｋｙ／ｌ−１ｌｆおよびＬｏＫｇ／ｃＩ／Ｉ
のプレス圧で加圧成型し、４５ｍφ、高さ５ｏｌｌＩＩ
＋ノ円筒状ブリケットを作製し、体積減少割合を測定し
た。その結果を表３に示す。
のプレス圧で加圧成型し、４５ｍφ、高さ５ｏｌｌＩＩ
＋ノ円筒状ブリケットを作製し、体積減少割合を測定し
た。その結果を表３に示す。
表８
実施例４
実施例１と同じ硫化砒素泥を用い、入射電力を変化させ
てその他実施例１と同様な条件にてマイクロ波照射乾燥
を行った。その結果を表４に示す。
てその他実施例１と同様な条件にてマイクロ波照射乾燥
を行った。その結果を表４に示す。
乾燥中の泥め温度は、試験洗６を除きほぼ１００℃であ
った。
った。
Claims (1)
- １）砒素含有物質に砒素の形態を変えないでかつ砒素の
揮発を生せしめない範囲内において、該砒素含有物質中
の水分を蒸発させるに十分な照射量をもってマイクロ波
を照射することを特徴とする砒素含有物質の乾燥処理法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10567181A JPS588579A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 砒素含有物質の乾燥処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10567181A JPS588579A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 砒素含有物質の乾燥処理法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS588579A true JPS588579A (ja) | 1983-01-18 |
Family
ID=14413895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10567181A Pending JPS588579A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 砒素含有物質の乾燥処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588579A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112629165A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-09 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种硫化砷渣的快速烘干方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50102797A (ja) * | 1974-01-23 | 1975-08-14 | ||
| JPS545478A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-16 | Takeda Riken Ind Co Ltd | Compensator for reference junction of thermoelectric thermometer |
-
1981
- 1981-07-08 JP JP10567181A patent/JPS588579A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50102797A (ja) * | 1974-01-23 | 1975-08-14 | ||
| JPS545478A (en) * | 1977-06-14 | 1979-01-16 | Takeda Riken Ind Co Ltd | Compensator for reference junction of thermoelectric thermometer |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112629165A (zh) * | 2020-12-22 | 2021-04-09 | 广东先导稀材股份有限公司 | 一种硫化砷渣的快速烘干方法 |
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