JPS588948U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS588948U
JPS588948U JP1981104213U JP10421381U JPS588948U JP S588948 U JPS588948 U JP S588948U JP 1981104213 U JP1981104213 U JP 1981104213U JP 10421381 U JP10421381 U JP 10421381U JP S588948 U JPS588948 U JP S588948U
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JP
Japan
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semiconductor equipment
insulating substrate
semiconductor device
layer
thickness
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Pending
Application number
JP1981104213U
Other languages
English (en)
Inventor
高浜 圀彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP1981104213U priority Critical patent/JPS588948U/ja
Publication of JPS588948U publication Critical patent/JPS588948U/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62Electrodes ohmically coupled to a semiconductor

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案装置あ正面図、第2図は第1図に於ける
A−A’線断面図で、1は絶縁基板、2は電極、3はク
ロム層、4は金層、5は半導体ペレット、を夫々示して
いる。

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)絶縁基板、該絶縁基板上に載置された半導体ペレ
    ット、上記絶縁基板上に設けられた電極、を具えた半導
    体装置に於いて、上記電極はクロム層と金層との2層構
    造から成ることを特徴とした半導体装置。
  2. (2)  上記クロム層の厚みは100〜600Aであ
    ると共に金層の厚みは4000〜10000人であるこ
    とを特徴とした実用新案登録請求の範囲第1項記載の半
    導体装置。
JP1981104213U 1981-07-13 1981-07-13 半導体装置 Pending JPS588948U (ja)

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JP1981104213U JPS588948U (ja) 1981-07-13 1981-07-13 半導体装置

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JPS588948U true JPS588948U (ja) 1983-01-20

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