JPS5889877A - 超伝導回路装置 - Google Patents
超伝導回路装置Info
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- JPS5889877A JPS5889877A JP56187185A JP18718581A JPS5889877A JP S5889877 A JPS5889877 A JP S5889877A JP 56187185 A JP56187185 A JP 56187185A JP 18718581 A JP18718581 A JP 18718581A JP S5889877 A JPS5889877 A JP S5889877A
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- superconductor
- layer
- grounding
- superconductor layer
- superconductive
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、絶縁層上に超伝導回路を構成してなるｍ成の
超伝導回路構ＩＩｔ部とこれに対する接地用超伝導体層
とが基板上に形成されてなる構成を有する超伝導回路装
置に関する。
超伝導回路構ＩＩｔ部とこれに対する接地用超伝導体層
とが基板上に形成されてなる構成を有する超伝導回路装
置に関する。
Ｊ９１檀超伝尋回路Ｉ＆皺として、従来、第１図に下す
如き、シリコン、ガラス等でなる基板１上に、鉛、鉛−
インジウム−金合金、ニオブ等でなる接地用超伝導体層
２が蒸着、スパッタリング等によって形成され、一方像
地用超伝尋体層２上にＳｉｏ２ 等でなる絶縁層６が
蒸着等によって形成され、而してその絶縁層６上に超伝
導回路４が構・成され、この場合超伝導回路４が絶縁層
５上に鉛、鉛−インジウム−金合金、鉛−ビスマス合金
、ニオブ等でなる超伝導体層５が所要のパターンを以っ
て形成され、その少（とも遊端部の表面上に超伝導体層
５に対する酸化処理によりトンネル障壁となる薄い絶縁
層６が形成され、又絶縁層６上に超伝導体層５と一様の
材料でなる超伝導体層７か、超伝導体層５と絶縁層６を
介して対向適長せる態様を以って所要のパターンを以っ
て形成され、更に絶縁層３上に超伝導体層５及び７を埋
設せる態様を以って絶縁層３と一様の材料でなる層間絶
縁層８が形成され、その層間絶縁層８上に、超伝導体層
７が超伝導体層５と絶縁層６を介して対向適長している
部と対時延長せる態様を以って超伝導体層５及び７と同
様の材料でなる超伝導体層９が所要のパターンを以って
形成されてなるｌｌＩ４成を有するものが提案されてい
る。
如き、シリコン、ガラス等でなる基板１上に、鉛、鉛−
インジウム−金合金、ニオブ等でなる接地用超伝導体層
２が蒸着、スパッタリング等によって形成され、一方像
地用超伝尋体層２上にＳｉｏ２ 等でなる絶縁層６が
蒸着等によって形成され、而してその絶縁層６上に超伝
導回路４が構・成され、この場合超伝導回路４が絶縁層
５上に鉛、鉛−インジウム−金合金、鉛−ビスマス合金
、ニオブ等でなる超伝導体層５が所要のパターンを以っ
て形成され、その少（とも遊端部の表面上に超伝導体層
５に対する酸化処理によりトンネル障壁となる薄い絶縁
層６が形成され、又絶縁層６上に超伝導体層５と一様の
材料でなる超伝導体層７か、超伝導体層５と絶縁層６を
介して対向適長せる態様を以って所要のパターンを以っ
て形成され、更に絶縁層３上に超伝導体層５及び７を埋
設せる態様を以って絶縁層３と一様の材料でなる層間絶
縁層８が形成され、その層間絶縁層８上に、超伝導体層
７が超伝導体層５と絶縁層６を介して対向適長している
部と対時延長せる態様を以って超伝導体層５及び７と同
様の材料でなる超伝導体層９が所要のパターンを以って
形成されてなるｌｌＩ４成を有するものが提案されてい
る。
所で期る構成を有する超伝導回路装置は、絶一層３及び
超伝導回路４による超伝導回路構成部１０を有し、その
超伝導回路構成＠１０と、これに対する接地用超伝導体
層２とか基ｆ！１上に形成されてなる構成を有するもの
である。そしてこの場合、超伝導回路構成部１０の超伝
導回路４が、超伝導体層７が、超伝導体層５に絶縁層６
を介して対向延長している部に於て形成されたジョセフ
ソン接合１１を有し、そのジョセフソン接合１１が、超
伝導体層７が超伝導体層５にＳ縁層６を介して対向延長
している部即ちジョセフソン接合１１と対向延長してい
る超伝導体層９に１１１１１１用電訛が流されることに
よってその超伝導体層９の周りに発生する磁場の影譬を
受けてスイッチング制御されるものである。
超伝導回路４による超伝導回路構成部１０を有し、その
超伝導回路構成＠１０と、これに対する接地用超伝導体
層２とか基ｆ！１上に形成されてなる構成を有するもの
である。そしてこの場合、超伝導回路構成部１０の超伝
導回路４が、超伝導体層７が、超伝導体層５に絶縁層６
を介して対向延長している部に於て形成されたジョセフ
ソン接合１１を有し、そのジョセフソン接合１１が、超
伝導体層７が超伝導体層５にＳ縁層６を介して対向延長
している部即ちジョセフソン接合１１と対向延長してい
る超伝導体層９に１１１１１１用電訛が流されることに
よってその超伝導体層９の周りに発生する磁場の影譬を
受けてスイッチング制御されるものである。
又接地用超伝導体層２が、上述ぜる如くに超伝導体層９
の周りに発生する磁場を、接地用超伝導体層２と超伝導
体層９との間に局在せしめ、値って上述せるジョセフソ
ン接合１１のスイツチングｌｌ１ｌＩ４１を効果的にな
さしめるものである。
の周りに発生する磁場を、接地用超伝導体層２と超伝導
体層９との間に局在せしめ、値って上述せるジョセフソ
ン接合１１のスイツチングｌｌ１ｌＩ４１を効果的にな
さしめるものである。
従って第１図に示す従来の超伝導回路装置によれば、絶
縁層３上に超伝導回路４を構成してなる構成の超伝導回
路構成部１０と、これに対する接地用超伝導体層２とが
基板１上に形成されてなる構成を有し、そして接地用超
伝導体層２にて、超伝導１路４を栴成せる超伝導体層９
に流される電流によってその超伝導体層９の周りに発生
する磁場を、接地用超伝導体層２と超伝導体層９との間
に局在せしめて、超伝導回路４を構成せるジョセフソン
接合１１を効果的にスイッチングＩＩＪ御せしめ得るも
のである。
縁層３上に超伝導回路４を構成してなる構成の超伝導回
路構成部１０と、これに対する接地用超伝導体層２とが
基板１上に形成されてなる構成を有し、そして接地用超
伝導体層２にて、超伝導１路４を栴成せる超伝導体層９
に流される電流によってその超伝導体層９の周りに発生
する磁場を、接地用超伝導体層２と超伝導体層９との間
に局在せしめて、超伝導回路４を構成せるジョセフソン
接合１１を効果的にスイッチングＩＩＪ御せしめ得るも
のである。
然し乍ら、接地用超伝導体層２にて、超伝導回ｗＩ４を
１／Ｉ＃成せる超伝導体層９に流される電流によってそ
の超伝導体層９の周りに発生する磁場を、接地用超伝導
体層２と超伝導体層９との間に局在せしめる様になされ
ている為、接地用超伝導体層２と超伝導体層９との間に
、磁場の影譬を受けてはならない超伝導体層、他のジョ
セフソン接合等を配し得ないという制約を有し、この為
へ伝４−路装置が全体として大向種化するものである。
１／Ｉ＃成せる超伝導体層９に流される電流によってそ
の超伝導体層９の周りに発生する磁場を、接地用超伝導
体層２と超伝導体層９との間に局在せしめる様になされ
ている為、接地用超伝導体層２と超伝導体層９との間に
、磁場の影譬を受けてはならない超伝導体層、他のジョ
セフソン接合等を配し得ないという制約を有し、この為
へ伝４−路装置が全体として大向種化するものである。
依って本発明は、全体として小面槓化し得る、νＩ規な
期檀超伝尋回路装置を提案せんとするもので、以下詳述
する所より明らかとなるであろう。
期檀超伝尋回路装置を提案せんとするもので、以下詳述
する所より明らかとなるであろう。
第２図は本発明による超伝導回路装置の一例を示し、第
１図にて上述せる絶縁層３上に超伝導回路４を構成して
なる構成の超伝導回路構成部１０とｌＩ！１１１の構成
を有する超伝導回路構成部の少（とも２つが、第１及び
ｗＪ２の起伝導回路４［ｅｉ：ｌ１１０Ａ及び１０Ｂと
して有し、而してそれ等第１及び第２の超伝導［ｇ１路
構成部１０Ａ及び１０Ｂが、それ等間にそれ轡に対して
共通の第１図の場合の接地用超伝導体層２と（ロ）様の
接地用超伝導体層２ＡＢ・を配した関係で、第１図の一
合とｆｌｌｌｍの基＆１上に積重ねられて形成されてな
る構成を有する。尚第１及び第２の超伝導回路構成部１
０人及び１０Ｂに於て、第１図との対応部分には同一符
号にＡ及びＢの附された符号が附されている。
１図にて上述せる絶縁層３上に超伝導回路４を構成して
なる構成の超伝導回路構成部１０とｌＩ！１１１の構成
を有する超伝導回路構成部の少（とも２つが、第１及び
ｗＪ２の起伝導回路４［ｅｉ：ｌ１１０Ａ及び１０Ｂと
して有し、而してそれ等第１及び第２の超伝導［ｇ１路
構成部１０Ａ及び１０Ｂが、それ等間にそれ轡に対して
共通の第１図の場合の接地用超伝導体層２と（ロ）様の
接地用超伝導体層２ＡＢ・を配した関係で、第１図の一
合とｆｌｌｌｍの基＆１上に積重ねられて形成されてな
る構成を有する。尚第１及び第２の超伝導回路構成部１
０人及び１０Ｂに於て、第１図との対応部分には同一符
号にＡ及びＢの附された符号が附されている。
この場合、超伝導回路構成＄１ＯＡ及び１０Ｂは、超伝
導回路構成部１０Ａを基板１＠とじて基板１上に積重ね
られて形成され、又超伝導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂ
は、それ郷の絶縁層３Ａ及び３Ｂを夫々誉地用超伝導体
層２人Ｂ側としているものである。尚この場合超伏４回
路構ｇ部１０Ｂは、それが接地用超伝導体層流の基＠１
１ｍとは反対側の面上に形成されているので、その絶縁
層３−Ｂ１超伝導体ｉ！ｌｌ５１３．絶縁層６Ｂ°、超
伝導体層７Ｊ層間絶縁層８Ｂ及び超伝導体層９Ｂが、帛
１図にて上述せる一超伝嶌回路？ｌＩ底部１０の場合と
、一様に、それ等の朧に接地用超伝導体層２ＡＢ上に形
成されて形成されるも、超伝導回鮎構ＪｉＳｌ：１＠５
１０Ａは、それが接地用超伝導体層２ＡＢ・の基板１＠
の向上に形成゛されているので、その絶縁層５に、超伝
導体層７Ａ、絶縁層６Ａ、％超伝尋体層５Ａ、層間絶縁
層８人及び超伝導体層９人かそれ等の順とは逆の鵬に基
板１上に形成されるものである。
導回路構成部１０Ａを基板１＠とじて基板１上に積重ね
られて形成され、又超伝導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂ
は、それ郷の絶縁層３Ａ及び３Ｂを夫々誉地用超伝導体
層２人Ｂ側としているものである。尚この場合超伏４回
路構ｇ部１０Ｂは、それが接地用超伝導体層流の基＠１
１ｍとは反対側の面上に形成されているので、その絶縁
層３−Ｂ１超伝導体ｉ！ｌｌ５１３．絶縁層６Ｂ°、超
伝導体層７Ｊ層間絶縁層８Ｂ及び超伝導体層９Ｂが、帛
１図にて上述せる一超伝嶌回路？ｌＩ底部１０の場合と
、一様に、それ等の朧に接地用超伝導体層２ＡＢ上に形
成されて形成されるも、超伝導回鮎構ＪｉＳｌ：１＠５
１０Ａは、それが接地用超伝導体層２ＡＢ・の基板１＠
の向上に形成゛されているので、その絶縁層５に、超伝
導体層７Ａ、絶縁層６Ａ、％超伝尋体層５Ａ、層間絶縁
層８人及び超伝導体層９人かそれ等の順とは逆の鵬に基
板１上に形成されるものである。
以上が本発明による超伝導回路装置の−例構成であるか
、馴る構成によれば、その超伝専回に！１＠成８１０Ａ
及び１０１３の夫々が、第１図にて上述せる超伝導回路
構成部１ｏと同様の構成を令し、そして超伝導回路Ｗ底
部１０Ａと接地用超伝導体層２ＡＢとよりなる構成、及
び超伝尋回ｗ＆偶゛成５１０Ｂと接地用超伝導体層２Ａ
Ｈとよりなる構成が、＠１ｍｏ）場合の超伝導回路構成
部１０・と接地用超伝導体層２とよりなる構ＩＪｋ４こ
対応するので、超伝導回路構成部１０Ａと接地用超伝導
体層２ＡＢとよりなる構成に於て、第１医の場合と同様
に、接地用超伝導体層塵にて、超伝導回路４Ａを構成せ
る超伝導体層９ＡＩＣ流されるＩＩＬｆＩＬによってそ
の超伝導体層９Ａの周りに発生する磁場を、接地用超伝
導体層２ＡＢと超伝導体層９ムとの間に局在せしめて′
、超伝導回路４ムを構成せるジョセフソン接合１１Ａを
効果的にスイッナンク側ＩＩ！１１せしめ俺、又超伝専
回ｍｍｇ部１０Ｂと接地用超伝導体層２ＡＢとよりなる
構成に於ても、同様に、接地用超伝導体層２ＡＢにて、
超伝導（ロ）路４．ｕｆｌｌｌ成せる超伝導体層９Ｂに
流される電流によってその超伝導１体１ｍ９Ｂの周りに
発生する磁場を、接地用超伝導体層２ＡＨと超伝導体１
−９Ｂとの間に局在せしめて、超伝導回路４Ｂを栴成せ
るシ’−ｒ ＊ ７ ソ７ 接合１１ Ｂを効果的にス
イッｆ７ダ制倫せしめ得るもので返る。又この為、第１
図の場合と同様に、超伝導回路構成部１０Ａと接地用超
伝導体層２ＡＨとよりなる構成に於て、接地用超伝導体
層２ＡＢ〆超伝導体層９Ａとの間に、磁−場の影智を受
けてはならない超伝導体層、他のジョセフソン接合−を
配し侍ないものであり、又超伝導回路構成部１・ＤＢと
接地用超伝導体ｐ＃ＩＩ２ ＡＢとよりなる構成に於て
も、同様に、接地用超伝導体層２ＡＢと超伝導体層９ｂ
との間に、磁場の影参を受けてはならない超伝導体層、
他のジョセフソン接合等を配し鞠ないものである。
、馴る構成によれば、その超伝専回に！１＠成８１０Ａ
及び１０１３の夫々が、第１図にて上述せる超伝導回路
構成部１ｏと同様の構成を令し、そして超伝導回路Ｗ底
部１０Ａと接地用超伝導体層２ＡＢとよりなる構成、及
び超伝尋回ｗ＆偶゛成５１０Ｂと接地用超伝導体層２Ａ
Ｈとよりなる構成が、＠１ｍｏ）場合の超伝導回路構成
部１０・と接地用超伝導体層２とよりなる構ＩＪｋ４こ
対応するので、超伝導回路構成部１０Ａと接地用超伝導
体層２ＡＢとよりなる構成に於て、第１医の場合と同様
に、接地用超伝導体層塵にて、超伝導回路４Ａを構成せ
る超伝導体層９ＡＩＣ流されるＩＩＬｆＩＬによってそ
の超伝導体層９Ａの周りに発生する磁場を、接地用超伝
導体層２ＡＢと超伝導体層９ムとの間に局在せしめて′
、超伝導回路４ムを構成せるジョセフソン接合１１Ａを
効果的にスイッナンク側ＩＩ！１１せしめ俺、又超伝専
回ｍｍｇ部１０Ｂと接地用超伝導体層２ＡＢとよりなる
構成に於ても、同様に、接地用超伝導体層２ＡＢにて、
超伝導（ロ）路４．ｕｆｌｌｌ成せる超伝導体層９Ｂに
流される電流によってその超伝導１体１ｍ９Ｂの周りに
発生する磁場を、接地用超伝導体層２ＡＨと超伝導体１
−９Ｂとの間に局在せしめて、超伝導回路４Ｂを栴成せ
るシ’−ｒ ＊ ７ ソ７ 接合１１ Ｂを効果的にス
イッｆ７ダ制倫せしめ得るもので返る。又この為、第１
図の場合と同様に、超伝導回路構成部１０Ａと接地用超
伝導体層２ＡＨとよりなる構成に於て、接地用超伝導体
層２ＡＢ〆超伝導体層９Ａとの間に、磁−場の影智を受
けてはならない超伝導体層、他のジョセフソン接合−を
配し侍ないものであり、又超伝導回路構成部１・ＤＢと
接地用超伝導体ｐ＃ＩＩ２ ＡＢとよりなる構成に於て
も、同様に、接地用超伝導体層２ＡＢと超伝導体層９ｂ
との間に、磁場の影参を受けてはならない超伝導体層、
他のジョセフソン接合等を配し鞠ないものである。
然し乍ら、第２図に示す本発明による超伝導回路装置の
場合、第１図にて上述せる超伝導回路装置ｉ＠Ｓ１０と
ｌＷ１様の超伝導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂが、それ
叫間にそれ等に対して共通の接地用超伝導体層２ＡＨを
配した関係で基板１上に槓重ねられて形成されているの
で、基板１の面積をｗ、１図の場合の１／２根度迄小と
しても、鵬１図の場合と同様の＆ｋｌｌ：を得ることが
出来るものである。又超伝導（ロ）路栴成１＠５１０Ａ
及び１０Ｂ藺に介挿された接地用超伝導体ｍ２ＡＢか反
磁性を呈するので、超伝導回路構成部１０Ａと接地用超
伝導体層２ＡＢとよりなる構成、及び超伝導回路構成部
１０Ｂと接地用超伝導一体層２ＡＢとよりなる構成が、
接地用超伝導体層２ＡＢによって、磁気的に互に分離さ
れた状態で動作するものである。
場合、第１図にて上述せる超伝導回路装置ｉ＠Ｓ１０と
ｌＷ１様の超伝導回路構成部１０Ａ及び１０Ｂが、それ
叫間にそれ等に対して共通の接地用超伝導体層２ＡＨを
配した関係で基板１上に槓重ねられて形成されているの
で、基板１の面積をｗ、１図の場合の１／２根度迄小と
しても、鵬１図の場合と同様の＆ｋｌｌ：を得ることが
出来るものである。又超伝導（ロ）路栴成１＠５１０Ａ
及び１０Ｂ藺に介挿された接地用超伝導体ｍ２ＡＢか反
磁性を呈するので、超伝導回路構成部１０Ａと接地用超
伝導体層２ＡＢとよりなる構成、及び超伝導回路構成部
１０Ｂと接地用超伝導一体層２ＡＢとよりなる構成が、
接地用超伝導体層２ＡＢによって、磁気的に互に分離さ
れた状態で動作するものである。
依って８１２図にて上述ゼる本発明による超伝導回路装
置によれば、＠１図にて上述せる従来の超伝導回路装置
にて得ら°れると同様の機能を、絽１図にて上述せる従
来の超伝導−路装置に比し格段的に小面積化して得るこ
とが出来るという大なる％倣を有するものである。
置によれば、＠１図にて上述せる従来の超伝導回路装置
にて得ら°れると同様の機能を、絽１図にて上述せる従
来の超伝導−路装置に比し格段的に小面積化して得るこ
とが出来るという大なる％倣を有するものである。
次に本発明による超伝導−Ｗ６装置の他の例を一８ｇ３
図を伴なって述べるに、ｌ１２１Ｊとの対応部分には同
一符号を附し詳細説明はこれを省略するも、第２図にて
上述せる構成に於て、その超伝導回路構成部１０人に於
て、その層間絶縁層８人及び基板１間に、超伝導体層９
人の周りに於て、その超伝導体層９ムと略々同じ厚さを
有する層間絶縁層８Ａと同様の絶縁層２５Ａがスペーサ
として形成され、又層間絶縁層８人の基板１１１１とは
反対側の面上に、超伝導体層５ムの周りに於て、その超
伝導体層５ムと略々同じ厚さを有する層間絶縁層８ムと
同様の絶縁層２２Ａが、層間絶縁層８Ａ上に絶縁層２２
Ｂを介して超伝導体層７人が形成されてなる＃／＃成が
得られるべ（、スペーサとして形成され、更に超伝導体
層５人及び絶縁層２２Ａ上に、超伝導体層７１０）＠り
に於て、その超伝導体層７人と略々同じ厚さを有する層
間絶縁層８人と一様の絶縁層２１ムか、一様にスペーサ
として形成され、依って絶縁層３Ａが基板１の板面と略
々平行に蝙兼せる平らな上−面を有し、これに応じて接
地用超伝導体層２ＡＢが平らな上面を有し、又超伝導回
路構成＠１０Ｂに於て、その絶縁層３Ｂの接地用超伝導
体層２ＡＢＩＩとは反対憫の面上に、超伝導体層５Ｂの
周りに於て、その超伝導体層５Ｂと略々同じ厚さを有す
る絶縁層５Ｂと同様の絶縁層２１Ｂが、絶縁層３Ｂ上に
絶縁層２１Ｂを介して超伝導体層７Ｂが形成されてなる
構成が得られるべく、スペーサとして形成され、更に超
伝導体層５Ｂ及び絶縁層２１Ｂ上に、超伝導体層７Ｂの
周りに於て、その超伝導体層７Ｂｔ略々同じ厚さを有す
る絶縁層３Ｂと同様−の絶縁層２２Ｂが、同様にスペー
サとして形成され、依って層間絶縁層８Ｂが基板１の板
間と輪々平行に砥長せる平らな上面を有することを除い
てはｓ ｍ ２図の場合と同様の構成を一有する。
図を伴なって述べるに、ｌ１２１Ｊとの対応部分には同
一符号を附し詳細説明はこれを省略するも、第２図にて
上述せる構成に於て、その超伝導回路構成部１０人に於
て、その層間絶縁層８人及び基板１間に、超伝導体層９
人の周りに於て、その超伝導体層９ムと略々同じ厚さを
有する層間絶縁層８Ａと同様の絶縁層２５Ａがスペーサ
として形成され、又層間絶縁層８人の基板１１１１とは
反対側の面上に、超伝導体層５ムの周りに於て、その超
伝導体層５ムと略々同じ厚さを有する層間絶縁層８ムと
同様の絶縁層２２Ａが、層間絶縁層８Ａ上に絶縁層２２
Ｂを介して超伝導体層７人が形成されてなる＃／＃成が
得られるべ（、スペーサとして形成され、更に超伝導体
層５人及び絶縁層２２Ａ上に、超伝導体層７１０）＠り
に於て、その超伝導体層７人と略々同じ厚さを有する層
間絶縁層８人と一様の絶縁層２１ムか、一様にスペーサ
として形成され、依って絶縁層３Ａが基板１の板面と略
々平行に蝙兼せる平らな上−面を有し、これに応じて接
地用超伝導体層２ＡＢが平らな上面を有し、又超伝導回
路構成＠１０Ｂに於て、その絶縁層３Ｂの接地用超伝導
体層２ＡＢＩＩとは反対憫の面上に、超伝導体層５Ｂの
周りに於て、その超伝導体層５Ｂと略々同じ厚さを有す
る絶縁層５Ｂと同様の絶縁層２１Ｂが、絶縁層３Ｂ上に
絶縁層２１Ｂを介して超伝導体層７Ｂが形成されてなる
構成が得られるべく、スペーサとして形成され、更に超
伝導体層５Ｂ及び絶縁層２１Ｂ上に、超伝導体層７Ｂの
周りに於て、その超伝導体層７Ｂｔ略々同じ厚さを有す
る絶縁層３Ｂと同様−の絶縁層２２Ｂが、同様にスペー
サとして形成され、依って層間絶縁層８Ｂが基板１の板
間と輪々平行に砥長せる平らな上面を有することを除い
てはｓ ｍ ２図の場合と同様の構成を一有する。
実際上絶縁層２５ム、２２Ａ、２１ム、２１Ｂ及び２２
Ｂは夫々超伝導体層９ム、５ム、７ム、６Ｂ及び７Ｂを
形成して后、所謂リフトオフ法により形成し得るもので
ある。
Ｂは夫々超伝導体層９ム、５ム、７ム、６Ｂ及び７Ｂを
形成して后、所謂リフトオフ法により形成し得るもので
ある。
以上が本発明による超伏４１１ｊｌ懺置の他の例の構成
であるが、それがスペーサとしての絶縁層２１Ａ、２２
ム、２５Ａ、２１Ｂ］び２２Ｂを有するξとを除いては
第２１の場合と同様の構成を有するので、９２図の場合
と同様の優れたｅ鎗が得られるものである。
であるが、それがスペーサとしての絶縁層２１Ａ、２２
ム、２５Ａ、２１Ｂ］び２２Ｂを有するξとを除いては
第２１の場合と同様の構成を有するので、９２図の場合
と同様の優れたｅ鎗が得られるものである。
然し乍ら、第３図にて上述せる本発明による超伝導回路
装置の場合、スペーサとしての絶縁層２１ム、２２Ａ、
２３ム、２１Ｂ及び２２Ｂを有するので、超伝導体層５
Ａ１７ム、６−Ｂ。
装置の場合、スペーサとしての絶縁層２１ム、２２Ａ、
２３ム、２１Ｂ及び２２Ｂを有するので、超伝導体層５
Ａ１７ム、６−Ｂ。
７Ｂ及び９Ｂか折重って嬌長することがなく、従ってそ
れ等超伝導体層５ム、７ム、６Ｂ１７Ｂ及び９Ｂに不必
要に断線が生ずる轡のことがないという特徴を有するも
のである。
れ等超伝導体層５ム、７ム、６Ｂ１７Ｂ及び９Ｂに不必
要に断線が生ずる轡のことがないという特徴を有するも
のである。
尚上述に於ては本発明の僅かな例を示したに留まり超伝
導回路構Ｍ、部１０Ａ及び１０Ｂの何れか一方が、超伏
４体層を有するもジョセフソン接合を有さざる構成とす
ることも出来るものである。又上述に於ては、ジョセフ
ソン接合が所謂トンネル接合直Ｓａｔであるとして開示
説明したが、ジョセフソン接合を所−トンネル振合・直
交型とすることも出来、更にはブリッジ型とすることも
出来、その他事発明の精神を脱することなしに檀々の変
型変更をなし得るであろう。
導回路構Ｍ、部１０Ａ及び１０Ｂの何れか一方が、超伏
４体層を有するもジョセフソン接合を有さざる構成とす
ることも出来るものである。又上述に於ては、ジョセフ
ソン接合が所謂トンネル接合直Ｓａｔであるとして開示
説明したが、ジョセフソン接合を所−トンネル振合・直
交型とすることも出来、更にはブリッジ型とすることも
出来、その他事発明の精神を脱することなしに檀々の変
型変更をなし得るであろう。
第１図は従来の超伝導回路構成を示す４鍼的−ｆ面図、
第２図は本発明によ゛る超伝導回路装置の一例を示す路
線的断面図、第３図は本発明による超伝導回路装置の他
の例を示す略−的断面図である。 図中、１は基板、２ＡＢは接堆用超伝導体層、３Ａ及び
５Ｂは絶縁層、４Ａ及び４Ｂは超伝導回路、５人１．５
Ｂ、７Ａ、７Ｂ、９ム及び９Ｂは超伝導体層、１０ム及
び１０Ｂは超伏４ｉｇ回路構成部、１１人及び１１Ｂは
ジョセフソン接合、２１Ａ、２２Ａ、２５ム、２１Ｂ及
び２２Ｂはスペーサとしての絶縁層を夫々示す。 出願人 日本電信電鈷公社
第２図は本発明によ゛る超伝導回路装置の一例を示す路
線的断面図、第３図は本発明による超伝導回路装置の他
の例を示す略−的断面図である。 図中、１は基板、２ＡＢは接堆用超伝導体層、３Ａ及び
５Ｂは絶縁層、４Ａ及び４Ｂは超伝導回路、５人１．５
Ｂ、７Ａ、７Ｂ、９ム及び９Ｂは超伝導体層、１０ム及
び１０Ｂは超伏４ｉｇ回路構成部、１１人及び１１Ｂは
ジョセフソン接合、２１Ａ、２２Ａ、２５ム、２１Ｂ及
び２２Ｂはスペーサとしての絶縁層を夫々示す。 出願人 日本電信電鈷公社
Claims (1)
- 絶縁層上に超伝導回路を構成してなる構成の超伝導口＊
＊ｇ部の少くとも２つ７を＃！１及び第２の超伏４同路
構成部として有し、該第１及び絹２の超伝専回路構成鄭
が、それ等間にそれ等に対して共通の接地用超伝導体層
を配した関係で、基板上に積重ねられて形成されてなる
◆を特徴とする超伝導−路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187185A JPS5889877A (ja) | 1981-11-21 | 1981-11-21 | 超伝導回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187185A JPS5889877A (ja) | 1981-11-21 | 1981-11-21 | 超伝導回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889877A true JPS5889877A (ja) | 1983-05-28 |
Family
ID=16201593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56187185A Pending JPS5889877A (ja) | 1981-11-21 | 1981-11-21 | 超伝導回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5889877A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5721196A (en) * | 1991-02-12 | 1998-02-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Stacked tunneling and stepped grain boundary Josephson junction |
| US11040102B2 (en) | 2010-05-14 | 2021-06-22 | Amgen Inc. | High concentration antibody formulations |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5853874A (ja) * | 1981-09-26 | 1983-03-30 | Fujitsu Ltd | ジヨセフソン集積回路 |
-
1981
- 1981-11-21 JP JP56187185A patent/JPS5889877A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5853874A (ja) * | 1981-09-26 | 1983-03-30 | Fujitsu Ltd | ジヨセフソン集積回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5721196A (en) * | 1991-02-12 | 1998-02-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Stacked tunneling and stepped grain boundary Josephson junction |
| US11040102B2 (en) | 2010-05-14 | 2021-06-22 | Amgen Inc. | High concentration antibody formulations |
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