JPS5853874A - ジヨセフソン集積回路 - Google Patents
ジヨセフソン集積回路Info
- Publication number
- JPS5853874A JPS5853874A JP56152682A JP15268281A JPS5853874A JP S5853874 A JPS5853874 A JP S5853874A JP 56152682 A JP56152682 A JP 56152682A JP 15268281 A JP15268281 A JP 15268281A JP S5853874 A JPS5853874 A JP S5853874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- control line
- superconducting material
- dielectric
- ground plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N69/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one superconducting element covered by group H10N60/00
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はジ曹セ７ンン集積回路の改良に関する。
ジ曹セフソン集積回路とはジｌセフソン接合素子を含む
集積回路をいうが、ジ璽セ７ソン接合素子とは、超電導
材料よりなる２箇の電極（ペース電極とカウンタ電極）
を極めて薄いトンネル絶縁膜を介して接合させておき、
別に設けられたコントロール線路にコントロール電流を
流して上記の超電導材料よりなる２箇の電極（ペース電
極とカウンタ電極）間のジ冒セフソン接合の臨界ｉｉｔ
流を制御して、このジ冒セフノン接合を超電導状態また
は非超電導状態にもたらし、この状１！Ｉｌ変化を利用
してスイツチン／ｆ！ａ能を発揮させる素子をいう。
集積回路をいうが、ジ璽セ７ソン接合素子とは、超電導
材料よりなる２箇の電極（ペース電極とカウンタ電極）
を極めて薄いトンネル絶縁膜を介して接合させておき、
別に設けられたコントロール線路にコントロール電流を
流して上記の超電導材料よりなる２箇の電極（ペース電
極とカウンタ電極）間のジ冒セフソン接合の臨界ｉｉｔ
流を制御して、このジ冒セフノン接合を超電導状態また
は非超電導状態にもたらし、この状１！Ｉｌ変化を利用
してスイツチン／ｆ！ａ能を発揮させる素子をいう。
従来技術におけるジ冒セフソン集積回路の断面図を第１
図に示す。図において、１はシリコン（８１）等よりな
る基板−ｅＴｏｌ）、２はグランドプレーンであり二オ
ゾ（Ｍｌ）） 、鉛合金等の超電導材料を基板ｌの表面
全面に＆０００ Ｘ程度の厚さに蒸着して形成する。グ
ランドプレーンの機能は、その上に配線される線！スト
リップ線路を構成し、高速に信号を伝送すること一１％
ある。又、もう一つの機能はコントロール電流Ｃ二より
作られる磁場をグランドプレーンとコントセール線路と
の間に集中させる事により素子の感度を上げる事−１％
あるｏ３は誘電体層であ〕、−酸化シリコン（８１０）
等の誘電体よりなる層をλｏｏｏ Ｘ ｌｉｔの厚さに
蒸着して形成する。４はペース電極−１！あり、上記と
同様の超電導材料を２ＬＯＧＯ：＠［の厚さに蒸着して
形成する。プレーンはホトレジストを用いたリフトオフ
等のホトリソグラフィー１形成する０５はトンネル絶縁
膜ｆありペース電極の材料の酸化物をもって数ｌｏＨの
厚さに形成する０形成される領域は図示するどとく、ペ
ース電極４とカウンタ電極６との接触面である。カウン
タ電極６は、上記と同様の超電導材料を４０００ Ｘ程
度の厚さに蒸着して形成する。・ぐターン形成はペース
電極４の場合と同様″ｅ′ある０７は誘電体層でアシ、
−酸化シリコン（ｓｉｏ）等の誘電体よりなる層ｔ−ａ
ｏｏｏＸ程度の厚さに蒸着して形成する。８はコントロ
ール線路１あ）、上記と同様の超電導材料をａｏｏｏＸ
程度の厚さに蒸着する。ペース電極４・カウンタ電極６
とコントロール線路８＆′の間の誘電体層７の厚さが他
の誘電体層３に比して厚い理由、および、コントａ−ル
線路８の厚さが他の電極に比して厚い理由は段差に亀と
づ〈断線を防ぐためである。
図に示す。図において、１はシリコン（８１）等よりな
る基板−ｅＴｏｌ）、２はグランドプレーンであり二オ
ゾ（Ｍｌ）） 、鉛合金等の超電導材料を基板ｌの表面
全面に＆０００ Ｘ程度の厚さに蒸着して形成する。グ
ランドプレーンの機能は、その上に配線される線！スト
リップ線路を構成し、高速に信号を伝送すること一１％
ある。又、もう一つの機能はコントロール電流Ｃ二より
作られる磁場をグランドプレーンとコントセール線路と
の間に集中させる事により素子の感度を上げる事−１％
あるｏ３は誘電体層であ〕、−酸化シリコン（８１０）
等の誘電体よりなる層をλｏｏｏ Ｘ ｌｉｔの厚さに
蒸着して形成する。４はペース電極−１！あり、上記と
同様の超電導材料を２ＬＯＧＯ：＠［の厚さに蒸着して
形成する。プレーンはホトレジストを用いたリフトオフ
等のホトリソグラフィー１形成する０５はトンネル絶縁
膜ｆありペース電極の材料の酸化物をもって数ｌｏＨの
厚さに形成する０形成される領域は図示するどとく、ペ
ース電極４とカウンタ電極６との接触面である。カウン
タ電極６は、上記と同様の超電導材料を４０００ Ｘ程
度の厚さに蒸着して形成する。・ぐターン形成はペース
電極４の場合と同様″ｅ′ある０７は誘電体層でアシ、
−酸化シリコン（ｓｉｏ）等の誘電体よりなる層ｔ−ａ
ｏｏｏＸ程度の厚さに蒸着して形成する。８はコントロ
ール線路１あ）、上記と同様の超電導材料をａｏｏｏＸ
程度の厚さに蒸着する。ペース電極４・カウンタ電極６
とコントロール線路８＆′の間の誘電体層７の厚さが他
の誘電体層３に比して厚い理由、および、コントａ−ル
線路８の厚さが他の電極に比して厚い理由は段差に亀と
づ〈断線を防ぐためである。
かかる構造を有するジ璽セフンン集積回路において杜、
上記の如く考直がなされているにかかわらず、ジ嘗セ７
ソン接合の存在に本とづ〈段差の存在はさけがたいので
、製造工程中にコントロール線路８が段差部において往
々断線し、製造歩留りを低下させるという欠点がある。
上記の如く考直がなされているにかかわらず、ジ嘗セ７
ソン接合の存在に本とづ〈段差の存在はさけがたいので
、製造工程中にコントロール線路８が段差部において往
々断線し、製造歩留りを低下させるという欠点がある。
次に、多層構造の−）ｍセ７ンン集積回路を製造するに
は、従来技術においては、第２図に示すととく、第１層
のジ璽セ７ソン接合素子１〜８の上に比較的厚い誘電体
層ｇを形成する。誘電体層９の表面は平坦である方が多
層化に有利で１ｈａ、これは高分子樹脂等の塗布被膜を
誘電体層として用いると達成出来る。次に超電導体層１
０を形成し、第１層のジ冒セフソン接合素子と同様に、
誘電体層１３、ベース電極１４、トンネル絶縁膜１５、
カウンタ電極１６、誘電体層１７、コント寵−ル線路１
ｉを形成する。
は、従来技術においては、第２図に示すととく、第１層
のジ璽セ７ソン接合素子１〜８の上に比較的厚い誘電体
層ｇを形成する。誘電体層９の表面は平坦である方が多
層化に有利で１ｈａ、これは高分子樹脂等の塗布被膜を
誘電体層として用いると達成出来る。次に超電導体層１
０を形成し、第１層のジ冒セフソン接合素子と同様に、
誘電体層１３、ベース電極１４、トンネル絶縁膜１５、
カウンタ電極１６、誘電体層１７、コント寵−ル線路１
ｉを形成する。
とζろが、上記の如き、多層構造のジ曹セ７ソン接合素
子に於ては、第１層のジ冒セ７ソン接合がグランドプレ
ーン１０と２とに挾まれているため、ジ習セツノン接合
の臨界電流を制御するコントロール線路の電流（１菖）
がコントロール線路の上面と下面との双方に分流するた
め、ジ習セフノン接合の臨界電流の制御に直接寄与する
電流量が減少し、満足すべき大きさの感度が得られず、
又第１層と第２層のジ曹セフンン素子の感度が異なると
いう欠点がある。
子に於ては、第１層のジ冒セ７ソン接合がグランドプレ
ーン１０と２とに挾まれているため、ジ習セツノン接合
の臨界電流を制御するコントロール線路の電流（１菖）
がコントロール線路の上面と下面との双方に分流するた
め、ジ習セフノン接合の臨界電流の制御に直接寄与する
電流量が減少し、満足すべき大きさの感度が得られず、
又第１層と第２層のジ曹セフンン素子の感度が異なると
いう欠点がある。
本出願に係る第１の発明の目的は、ジ曹セフソン集積回
路においてコントロール線路の断線を防止する構造を提
供する仁と１−あり、第２の発明の目的は、２層構造の
ジ薗セフソン集積回路において、ジ冒七７ノン接合の臨
界電流の制御のためのコントロール線路の電流に対し感
度を良好になしつる構造を提供することにある。
路においてコントロール線路の断線を防止する構造を提
供する仁と１−あり、第２の発明の目的は、２層構造の
ジ薗セフソン集積回路において、ジ冒七７ノン接合の臨
界電流の制御のためのコントロール線路の電流に対し感
度を良好になしつる構造を提供することにある。
第１の目的を達成する発明の要旨は、ジ譜セフンン接合
を挾んでグランドプレーンとコントロール線路との配設
位置を逆転することにある。すなわち、まず、半導体等
の基板上の所望の領域にコントロール線路を形成し、次
に、このコーントロール線路上に、誘電体層を介してペ
ース電極とトンネル絶縁膜とカウンタ電極とを形成し、
最上層として、基板全面に、誘電体層を介してグランド
プレーンを形成することにある。この構造においてモ、
最上層においては凹凸の発生は避は難いが、コントロー
ル線路がペース電極・カウンタ電極の直下のみに形成さ
れるに反し、グランドプレーンは基板全面に形成される
の１、最上層がコントロ−ル線路である従来技術におけ
る構造より、はるかに断線の確率が減少する。
を挾んでグランドプレーンとコントロール線路との配設
位置を逆転することにある。すなわち、まず、半導体等
の基板上の所望の領域にコントロール線路を形成し、次
に、このコーントロール線路上に、誘電体層を介してペ
ース電極とトンネル絶縁膜とカウンタ電極とを形成し、
最上層として、基板全面に、誘電体層を介してグランド
プレーンを形成することにある。この構造においてモ、
最上層においては凹凸の発生は避は難いが、コントロー
ル線路がペース電極・カウンタ電極の直下のみに形成さ
れるに反し、グランドプレーンは基板全面に形成される
の１、最上層がコントロ−ル線路である従来技術におけ
る構造より、はるかに断線の確率が減少する。
第２の、目的を達成する発明の要旨は、第１層のジ璽セ
フソン接合素子の層構造を上記の構造と同一として、コ
ントロール線路を下層に２ランドプレーンを上層にし、
仁の／ランＰプレーンヲモつて第２層のグランドプレー
ンを４兼ねさせ、第２層のジ璽セフソン接合素子は従来
技術におけると同様、コントロール線路を上層とするこ
とにある。
フソン接合素子の層構造を上記の構造と同一として、コ
ントロール線路を下層に２ランドプレーンを上層にし、
仁の／ランＰプレーンヲモつて第２層のグランドプレー
ンを４兼ねさせ、第２層のジ璽セフソン接合素子は従来
技術におけると同様、コントロール線路を上層とするこ
とにある。
この層構造において社、第１層、第２層共にコントロー
ル線路が２つのグランドプレーンに挾まれることがない
ため、コントロール線路の電流（工Ｒ）はジ璽セ７ンン
接合素子に対接する面のみに流れ、２層構造のジ璽セフ
ソン集積回路において、感度を向上させ又第１層と第２
層のジ冒セフソン接合素子の感度を同じにすることが１
きる０以下図面を参照しつつ、本出願にかかる第１の発
明と第２の発明とに係る夫々１の実施例について説明し
、本発明の構成とその特有の効果とを明らかにする。
ル線路が２つのグランドプレーンに挾まれることがない
ため、コントロール線路の電流（工Ｒ）はジ璽セ７ンン
接合素子に対接する面のみに流れ、２層構造のジ璽セフ
ソン集積回路において、感度を向上させ又第１層と第２
層のジ冒セフソン接合素子の感度を同じにすることが１
きる０以下図面を参照しつつ、本出願にかかる第１の発
明と第２の発明とに係る夫々１の実施例について説明し
、本発明の構成とその特有の効果とを明らかにする。
第３図は、第１の発明の１実施例にがかるジ冒セフソン
集積回路の断面図を示す。図において、１．４．５．８
は第１図に示す場合と同様、夫々、基板、ペース電極、
トンネル絶縁膜、カウンタ型棒〒あ抄、トンネル絶縁膜
５を除き、超電導材料をもって、第１図に示す場合と同
様に製造する０なお、トンネル絶縁膜５は、ペース電極
４を熱酸化しても又、酸素（０＊）ガス中でグロー放電
をさせながら酸化しても形成することが１きる。器はコ
ントロール線路であり、２７．２３は一酸化シリコン（
８１０）等よりなる誘電体層″ｔ＠あり、いずれも、蒸
着法をもって形成することが望ましいｏ２２はグランド
プレーン′１％あり、超電導材料を基板全面に蒸着して
形成する。各層の厚さは第１図の場合とおおむね同一１
ある０ 上記のとおり、コントロール線路あが線状１あるに比し
、グランドプレーンｎは面であるから、グランドプレー
ン２目巳段差のあることはさけが九いが、グランドプレ
ーン四の断線する確率は従来技術における場合よりはる
かに少なく製造歩留りを向上することが１きる。
集積回路の断面図を示す。図において、１．４．５．８
は第１図に示す場合と同様、夫々、基板、ペース電極、
トンネル絶縁膜、カウンタ型棒〒あ抄、トンネル絶縁膜
５を除き、超電導材料をもって、第１図に示す場合と同
様に製造する０なお、トンネル絶縁膜５は、ペース電極
４を熱酸化しても又、酸素（０＊）ガス中でグロー放電
をさせながら酸化しても形成することが１きる。器はコ
ントロール線路であり、２７．２３は一酸化シリコン（
８１０）等よりなる誘電体層″ｔ＠あり、いずれも、蒸
着法をもって形成することが望ましいｏ２２はグランド
プレーン′１％あり、超電導材料を基板全面に蒸着して
形成する。各層の厚さは第１図の場合とおおむね同一１
ある０ 上記のとおり、コントロール線路あが線状１あるに比し
、グランドプレーンｎは面であるから、グランドプレー
ン２目巳段差のあることはさけが九いが、グランドプレ
ーン四の断線する確率は従来技術における場合よりはる
かに少なく製造歩留りを向上することが１きる。
第４図は第２の発明の１実施例にかかる２層構造のジｌ
セ７ソン集積回路の断面図を示す０図において、１．２
８，２７．４，５１６．２３は第３図に示す場合と同様
、夫々、基板、第１層コントロール線路、誘電体層、第
１層ペース電極、第１層トンネル絶縁膜、第１層ペース
電極、誘電体層ｆあり、上記に説明した如くして製造さ
れ、グランドプレーン３２をともなって第１１＠／ｗセ
７ソン接合素子を構成する。グランドプレーン３２は超
電導材料をもって形成し、両層のジ画セフソン接合素子
に対しグランドプレーンとして機能する。３３は誘電体
層であり、第１図における３と同様の手法により形成さ
勾る。ｎ、３８は、夫々、誘電体層及びコントロール線
路１あシ、第１図における７゜８と同様の手法により形
成される６４＋Ｂ＊ｆＡが、夫々、パース電参、トンネ
ル絶縁膜、カウンタ電極であることは言うまでもない０
３２ ＊ ３３ ｅ ４ ｌ！ｉ ＊６．２７．３８１
−もって第２層ジ曹セ７ソン接合素子を構成する。なお
、各層の厚さは第１図に示す場合とおおむね同−ｆある
。
セ７ソン集積回路の断面図を示す０図において、１．２
８，２７．４，５１６．２３は第３図に示す場合と同様
、夫々、基板、第１層コントロール線路、誘電体層、第
１層ペース電極、第１層トンネル絶縁膜、第１層ペース
電極、誘電体層ｆあり、上記に説明した如くして製造さ
れ、グランドプレーン３２をともなって第１１＠／ｗセ
７ソン接合素子を構成する。グランドプレーン３２は超
電導材料をもって形成し、両層のジ画セフソン接合素子
に対しグランドプレーンとして機能する。３３は誘電体
層であり、第１図における３と同様の手法により形成さ
勾る。ｎ、３８は、夫々、誘電体層及びコントロール線
路１あシ、第１図における７゜８と同様の手法により形
成される６４＋Ｂ＊ｆＡが、夫々、パース電参、トンネ
ル絶縁膜、カウンタ電極であることは言うまでもない０
３２ ＊ ３３ ｅ ４ ｌ！ｉ ＊６．２７．３８１
−もって第２層ジ曹セ７ソン接合素子を構成する。なお
、各層の厚さは第１図に示す場合とおおむね同−ｆある
。
多層の−）ｍセフソン集積回路において凹凸の原因とな
る領域はジ画七フソン接合のめる領域であるが、この領
域は基板表面に不特定に分散するの１１全体としては、
図示するように平坦化される傾向がある。又誘電体層ｎ
に高分子樹脂等の塗布被膜を用いる事により平坦化し第
２層目の素子を形成する事も出来る。いずれにしてもこ
の層構造における最大の利点は、コントロール線路あ・
あがグランドプレーンに対接することがないため、コン
トロール線路部、３８の、ペース電極４．カウンター電
極６に対接する１面のみに電流が流れる結果とな抄、感
度の良好な２層ジ曹セフソン集積回路の製造が可能にな
ることである。
る領域はジ画七フソン接合のめる領域であるが、この領
域は基板表面に不特定に分散するの１１全体としては、
図示するように平坦化される傾向がある。又誘電体層ｎ
に高分子樹脂等の塗布被膜を用いる事により平坦化し第
２層目の素子を形成する事も出来る。いずれにしてもこ
の層構造における最大の利点は、コントロール線路あ・
あがグランドプレーンに対接することがないため、コン
トロール線路部、３８の、ペース電極４．カウンター電
極６に対接する１面のみに電流が流れる結果とな抄、感
度の良好な２層ジ曹セフソン集積回路の製造が可能にな
ることである。
以上説明せるとおり、本出願に係る第１の発明（＝よれ
ば、コントロール線路の断線確率の低いジ冒セフソン集
積回路を提供することが１き、本出願の第２の発明によ
れば、感度良好な２層ジ冒セフノン集積回路を提供する
ことが〒きる０なお、超電導材料としては、ニオブ（ｉ
ｉ ｂ ） 、鉛合金をＬじめいかなる超電導材料も使
用可能″ｒ％あることは勿論−ｒ＊ｉｂＤ、又、誘電体
材料も一酸化シリコン（８１０）に限定されないこと本
言うま１もない。又、各層の厚さも１９１’ｔ’あり、
特に機能的意義を有さないことは周知ｆｆ１６る。
ば、コントロール線路の断線確率の低いジ冒セフソン集
積回路を提供することが１き、本出願の第２の発明によ
れば、感度良好な２層ジ冒セフノン集積回路を提供する
ことが〒きる０なお、超電導材料としては、ニオブ（ｉ
ｉ ｂ ） 、鉛合金をＬじめいかなる超電導材料も使
用可能″ｒ％あることは勿論−ｒ＊ｉｂＤ、又、誘電体
材料も一酸化シリコン（８１０）に限定されないこと本
言うま１もない。又、各層の厚さも１９１’ｔ’あり、
特に機能的意義を有さないことは周知ｆｆ１６る。
第１図は従来技術におけるジ曹セフソン集積回路の断面
図１１、第２図は従来技術における多層構造（図ζ：お
いては２層構造）のジｌセ７ソン集積回路の断面図１あ
る０第３図は本出願の第１の発明の１実施例に係るジ箇
セフソン集積回路の断面図１あり、第４図は本出願の第
２の発明の１実権例に係る２層構造のジ冒セフソン集積
回路の断面図１ある。 １・・・基板、２・・・ブランドプレーン、３・・・誘
電体層、４・・・ペース電極、５・・・トンネル絶縁膜
、６・・・カウンタ電極、７・・・誘電体層、８・・・
コントロール線路、９・・・誘電体層、１Ｇ・・・第１
．第２層ジ冒セフソン接合素子に共用されるグランドプ
レーン、１３・・・誘電体層、１４・・・第２層ペース
電極、１５・・・第２層トンネル絶縁膜、１６・・・第
２層カウンタ電極、１７・・・誘電体層、１Ｂ・・・第
２層コントロール線路、四・・・第１層コントロール線
路、ｎ・・・誘電体層、ｎ・・・誘電体層、２２・・・
グランドプレーン、３２・・・Ｉｇｌ、ｆｇＺ層ジ璽セ
フソン接合素子に共用されるグランドプレーン、（・・
・誘電体層、３７・・・誘電体層、あ・・・第２層コン
トロール線路。
図１１、第２図は従来技術における多層構造（図ζ：お
いては２層構造）のジｌセ７ソン集積回路の断面図１あ
る０第３図は本出願の第１の発明の１実施例に係るジ箇
セフソン集積回路の断面図１あり、第４図は本出願の第
２の発明の１実権例に係る２層構造のジ冒セフソン集積
回路の断面図１ある。 １・・・基板、２・・・ブランドプレーン、３・・・誘
電体層、４・・・ペース電極、５・・・トンネル絶縁膜
、６・・・カウンタ電極、７・・・誘電体層、８・・・
コントロール線路、９・・・誘電体層、１Ｇ・・・第１
．第２層ジ冒セフソン接合素子に共用されるグランドプ
レーン、１３・・・誘電体層、１４・・・第２層ペース
電極、１５・・・第２層トンネル絶縁膜、１６・・・第
２層カウンタ電極、１７・・・誘電体層、１Ｂ・・・第
２層コントロール線路、四・・・第１層コントロール線
路、ｎ・・・誘電体層、ｎ・・・誘電体層、２２・・・
グランドプレーン、３２・・・Ｉｇｌ、ｆｇＺ層ジ璽セ
フソン接合素子に共用されるグランドプレーン、（・・
・誘電体層、３７・・・誘電体層、あ・・・第２層コン
トロール線路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１基板上に形成され超電導材料よシなるコントロー
ル線路と、該＝ント腐−ル線路上に誘電体層を介して形
成されジ冒セ７ソン接合素子を構成する超電導材料より
なるペース電極とトンネル絶縁膜と超電導材料よプなる
カウンタ電極と、＃ジＷセ７ソン接合素子上に誘電体層
を介して形成され超電導材料よりなるグランドプレーン
とを有することを特徴とする−）Ｗセフノン集積回路。 （２）基板上に形成さねぇ超電導材料よりなる第１層コ
ントロール線路と、該第１層コントロール線路上に誘電
体層を介して形成され第１層ジ曹セフソン接合素子を構
成する超電導材料よ）なる第１層ベース電極と第１層ト
ンネル絶縁膜と超電導材料よりなる第１層カウンタ電極
と、該第１層ジ冒セフソン豪合素子上に誘電体層を介し
て形成され超電導材料よりなるグランドプレーンと、該
グランドプレーン上に誘電体層を介して形成され第２層
ジ璽セフソン接合素子を構成する超電導材料よりなる第
２層ペース電極と第２層トンネル絶縁膜と超電導材料よ
りなる第２層カウンタ電極と、該第２層ジ冒セフソン接
合素子上に誘電体層を介して形成され超電導材料よりな
るコントロール線路とを有する仁とを特徴とするジ冒セ
フソン集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56152682A JPS5853874A (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | ジヨセフソン集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56152682A JPS5853874A (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | ジヨセフソン集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5853874A true JPS5853874A (ja) | 1983-03-30 |
| JPH0263315B2 JPH0263315B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=15545804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56152682A Granted JPS5853874A (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | ジヨセフソン集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853874A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5889877A (ja) * | 1981-11-21 | 1983-05-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導回路装置 |
| JPS5889878A (ja) * | 1981-11-21 | 1983-05-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導回路装置 |
| JPS61281563A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 超伝導回路装置 |
| JPH02102478A (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-16 | Nec Corp | 個体識別装置 |
| JP2023548674A (ja) * | 2020-11-13 | 2023-11-20 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 電気デバイスへのアライメントされた光アクセスを有する層状基板構造 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5350986A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Fujitsu Ltd | Josephson integrated circuit by multilayer structure |
-
1981
- 1981-09-26 JP JP56152682A patent/JPS5853874A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5350986A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Fujitsu Ltd | Josephson integrated circuit by multilayer structure |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5889877A (ja) * | 1981-11-21 | 1983-05-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導回路装置 |
| JPS5889878A (ja) * | 1981-11-21 | 1983-05-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導回路装置 |
| JPS61281563A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 超伝導回路装置 |
| JPH02102478A (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-16 | Nec Corp | 個体識別装置 |
| JP2023548674A (ja) * | 2020-11-13 | 2023-11-20 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 電気デバイスへのアライメントされた光アクセスを有する層状基板構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0263315B2 (ja) | 1990-12-27 |
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