JPS5890723A - レ−ザビ−ム照射による物性変化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、レーザビームを照射して物質を物理的ある
いは化学的に変化させる方法に関する。

最近、多結晶シリコン等に対し、レーザビームを所望の
部分ｌ二照射して単結晶シリコン化することが盛んに行
なわれている。これにより素子を立体的に構成すること
が可能である。このような場合、レーザビームを所望の
部分の上部から一定二羊ルギーで照射し、必要な部分に
わたってビームを横方向ｌニスキャンさせることによっ
て、一定面積の多結晶シリコン膜を単結晶化してきた。

しかし、このような方法によれば、かなりの面積につい
て単結晶化が必要な場合、カミなＩ〕のエネルギーと時
間が必要となってし）るの力ｌ常である。

本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、レー
ザビームの照射角度を変えること（二よって、効率良く
単結晶化を行なおうとするものである。

以下、従来の方法と比較しなめ１ら本発明の方法を述べ
る。

第１図は従来のレーザビームの照射方法を示すもので、
シリコン基板（１）上ｄ二シリコン酸化膜（２）を形成
し、その上に全面に多結晶シリコン膜（３）を形、所望
の部分の多結晶シリコン膜（３）を単結晶シリコン（３
′）化する〔第１図（ｂ）〕。その後、この単結晶シリ
コン（す）の上に不純物等を拡散して、三次元的に抵抗
あるいはトランジスタ等の素子を形成する。この場合、
ビームは下地にかなり吸収され。

広領域の単結晶化については、ビームの照射時間がかか
り、生産効率上好ましくなし）、、なお、（至）−よ反
射ビーム、　　（３０）は吸収ビームである。

第２図は本発明によるレーザビームアニールの方法を示
す断面図で、従来の方法と同じように。

シリコン基板（１）上に形成された酸化膜（２）上の全
面に多結晶シリコン膜（３）を形成し、この上からレー
ザビームｕｌｌｌを照射して所望の部分を単結晶化させ
る場合、大面積あるいは抵抗体で一方向に長く単結晶化
させる必要のある部分については、レーザビームｕｌの
角度を任意に変化させたり、あるいは垂直ビームと組合
せたりして、ビーム＋ｌｌを順次スキャンさせＣいく。

レーザビーム＋ｌｌが斜めに入射した場合、多結晶シリ
コン膜（３）を通過した後、かなりのビームが下地の酸
化膜（２）で入射角と等角度で反射する〔第２図（ａ）
〕。そのため、吸収される分が少く、ビームエネルギー
を有効に使うことができるため、短時間で大面積の単結
晶化が行なえる〔第２図ｔｂｌ　）　。

ビーム＋ｌｌ）の角度は、下地の材料にもより、必要な
デバイス特性に応じて最も効率のよい角度を設定してや
れば良い。垂直ビームと科目ビームの２明ではレーザビ
ームによって多結晶シリコンをアニールし、単結晶化す
る場合について述べたが。

部分的にレーザを照射して、物質の化学的、物理的性質
を変化させるすべての場合について適用できることはい
うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のしＩザピームの照射方法を示す断面図、
第２図は本発明によるレーザビームの照射方法の一実施
例を示す断面図である、図において、（１）はミリコン
基板、（２）はシリコン酸化膜、（３）は多結晶シリコ
ン膜、　（３’）は単結晶シリコン膜、ｕＩはレーザビ
ームである。 なお１図中同一番号は同−又は相当部分を示す。 代理人　葛野信− 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. レーデビームを照射して、物質を物理的あるいは化学的
   に変化させる場合、上記レーザビームを科目方向から照
   射することを特徴とするレーザビーム照射による物性変
   化方法。