JPS5890738A - 多層導体を有する素子 - Google Patents
多層導体を有する素子Info
- Publication number
- JPS5890738A JPS5890738A JP18880781A JP18880781A JPS5890738A JP S5890738 A JPS5890738 A JP S5890738A JP 18880781 A JP18880781 A JP 18880781A JP 18880781 A JP18880781 A JP 18880781A JP S5890738 A JPS5890738 A JP S5890738A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductor
- carbon layer
- substrate
- etching
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明は多層構造の尋体−ａｔ存する半尋体素子ヤ樺気
バブル巣子な口゛多層導体を仔する素子に−するもので
ある。
バブル巣子な口゛多層導体を仔する素子に−するもので
ある。
果績ａ ｄ ＆こおいて素子の槽重が慣４化するのに伴
Ｉｌい、多層の導体配−を形成する挾術が１賛となって
いり。その一つは導体間の′−気的な艷ｍ技侑でりり、
ｂ５−一つは４体間の炭触部における尋ＪｄＬ挾侑でめ
／：）。００者については多くの有効なプμセスが提案
さｎているが、後者についてｌよ木だ量産に通した決定
的なプロセスがない。
Ｉｌい、多層の導体配−を形成する挾術が１賛となって
いり。その一つは導体間の′−気的な艷ｍ技侑でりり、
ｂ５−一つは４体間の炭触部における尋ＪｄＬ挾侑でめ
／：）。００者については多くの有効なプμセスが提案
さｎているが、後者についてｌよ木だ量産に通した決定
的なプロセスがない。
従来、導体間の導通ト、Ｆ層導体を被覆している紬祿層
にコンタクトホールを設けた後、上層導体を被着する直
前に下層導体狭面をエッチフグ処理することによって図
られている。−ｄｉｃＩｃ’ｐＬ８１１）配線材料とし
Ｃ用いられているアルミニウム導体ｔ−例にとれば、フ
ルミニクム茨面ケζｉｇＪｆｃさ７するアルミナ層【よ
リンｗｒｔどによるケミカル−Ｌ−ッチングやアルゴン
イオ／を用いたスバ、タエ、チ／グめりいはイ才ンエ、
チングによって除去される。レカ）しながら、これらの
工、大ング処４法では上層導体を歇着Ｔる前に試料が再
び大気雰囲気にざらされることから、下Ｉ−導体表面に
自然歇＋ｔ＝臘が形成さｎ砿触不良の原因となっている
。１由の接置不撓の改善策としＣ，：Ｉンタクトーホー
ル形成後城空を保ったまま層成中間層、上Ｉ−４体τ叙
看し、こＵ）恢３００℃から５００’Ｃ程度のｉ夏範囲
で熱処理しＣ中間層窃質を下層４棒中へ拡妓、ｅ＊化さ
せる方法がある。しかし、この方法には熱処層によるプ
ロセス工数の増力口、接触特性の低い再現性、漬晶拉の
成灸といった閲層点が残されている。符に、１Ａバグル
素子の場合、−ｍ−の熱処理は導体・つストレスを増加
させ、磁気バブルの転送′？８性ｔａ化させるという閲
−もめる。
にコンタクトホールを設けた後、上層導体を被着する直
前に下層導体狭面をエッチフグ処理することによって図
られている。−ｄｉｃＩｃ’ｐＬ８１１）配線材料とし
Ｃ用いられているアルミニウム導体ｔ−例にとれば、フ
ルミニクム茨面ケζｉｇＪｆｃさ７するアルミナ層【よ
リンｗｒｔどによるケミカル−Ｌ−ッチングやアルゴン
イオ／を用いたスバ、タエ、チ／グめりいはイ才ンエ、
チングによって除去される。レカ）しながら、これらの
工、大ング処４法では上層導体を歇着Ｔる前に試料が再
び大気雰囲気にざらされることから、下Ｉ−導体表面に
自然歇＋ｔ＝臘が形成さｎ砿触不良の原因となっている
。１由の接置不撓の改善策としＣ，：Ｉンタクトーホー
ル形成後城空を保ったまま層成中間層、上Ｉ−４体τ叙
看し、こＵ）恢３００℃から５００’Ｃ程度のｉ夏範囲
で熱処理しＣ中間層窃質を下層４棒中へ拡妓、ｅ＊化さ
せる方法がある。しかし、この方法には熱処層によるプ
ロセス工数の増力口、接触特性の低い再現性、漬晶拉の
成灸といった閲層点が残されている。符に、１Ａバグル
素子の場合、−ｍ−の熱処理は導体・つストレスを増加
させ、磁気バブルの転送′？８性ｔａ化させるという閲
−もめる。
不発明の１．ＪＩＩＪは、このような従来・の欠点を除
去しＣ導体間の接触特性の優れた多層導体を有する糸子
τ従供ｒることである。
去しＣ導体間の接触特性の優れた多層導体を有する糸子
τ従供ｒることである。
上記１四に征い木兄に！Ａは、絶縁体基板あるいは表面
が絶縁−で覆われた基板上に複数層の崖なり合りた尋捧
ｔ″仔する索子において、前記導体の少なくとも一部は
その表面の一部ま友は全部に炭素表全備えている多ノー
導体を有する素子である。
が絶縁−で覆われた基板上に複数層の崖なり合りた尋捧
ｔ″仔する索子において、前記導体の少なくとも一部は
その表面の一部ま友は全部に炭素表全備えている多ノー
導体を有する素子である。
以下図面３−）照しながら、本発明を詳細に一例する。
第１図に示すように／ＩＩ！１縁体基板あるいは表面に
憩−朕をυつ譲板１１上に４体７ｄ１１２とその上に被
Ｍした炭パ膚１３から成る第一導体層を形成し、この第
一４体ノーに一部また／よ全扉虚なるように第二４体ｔ
ｆｉｒ １４ ｋ形成する。導体層ＪＰ炭素層の成騰は
４子ビーム蒸４法やスパッタ蒸着法で行ない、これらの
加工はスバツタエ、チング法やイオンエツチング法など
で行なう、特に、導体ノー上に炭素層が４１４さ４てい
る場合には、これらは上ｌのドライエツチング法により
加工しなければならない。炭素層のみを一部または全ｓ
ＶＪ去したい場合には酸素をエツチングガスとする反応
性スバ、タエッチングを用いるのが有効である。
憩−朕をυつ譲板１１上に４体７ｄ１１２とその上に被
Ｍした炭パ膚１３から成る第一導体層を形成し、この第
一４体ノーに一部また／よ全扉虚なるように第二４体ｔ
ｆｉｒ １４ ｋ形成する。導体層ＪＰ炭素層の成騰は
４子ビーム蒸４法やスパッタ蒸着法で行ない、これらの
加工はスバツタエ、チング法やイオンエツチング法など
で行なう、特に、導体ノー上に炭素層が４１４さ４てい
る場合には、これらは上ｌのドライエツチング法により
加工しなければならない。炭素層のみを一部または全ｓ
ＶＪ去したい場合には酸素をエツチングガスとする反応
性スバ、タエッチングを用いるのが有効である。
この構成では導体層間の一触部に炭素層が存在するため
に両者の導通が容易に再現性よく達成される。これは、
講−導体層を形成後、この基＆を大気中にさらしても導
体層は咳化展が形成されにくい炭１層に被覆されている
ため酸化しないことに依る。従って、侍に本構成は表面
に酸化物を形成しやすいアルミニウム系導体などに用い
ると有効である。炭素の抵抗率は導体材料の１００倍か
らｉ ｏｏｏ倍の大きさであるが、炭票展厚′に菓子の
贋求に合せて数ｌｏＸρ・ら数１ｏｏＸ＜選定すること
によって接触抵抗が無視できる素子が得られる。
に両者の導通が容易に再現性よく達成される。これは、
講−導体層を形成後、この基＆を大気中にさらしても導
体層は咳化展が形成されにくい炭１層に被覆されている
ため酸化しないことに依る。従って、侍に本構成は表面
に酸化物を形成しやすいアルミニウム系導体などに用い
ると有効である。炭素の抵抗率は導体材料の１００倍か
らｉ ｏｏｏ倍の大きさであるが、炭票展厚′に菓子の
贋求に合せて数ｌｏＸρ・ら数１ｏｏＸ＜選定すること
によって接触抵抗が無視できる素子が得られる。
しかも、この構成にすれば、飯触特性をａＪＩするため
の熱処理が不必要となり、プロセス工数の低減が可能と
１．１″る。第１図は二層導体を有する素子を示してい
るが、二層以上の多層導体をイする素子も同様なｍ成で
実現される。また、ここでは第−導体ｌ−上に直接第二
導体層が重なった構成を示しているが、第２図に示すよ
うに第二導体層が第−導体ノー上にコンタクトホールを
備えたスペーサ層２１を介して形成されていても第１図
の一１ｊＩｌ盆と同様な幼果が得られる。
の熱処理が不必要となり、プロセス工数の低減が可能と
１．１″る。第１図は二層導体を有する素子を示してい
るが、二層以上の多層導体をイする素子も同様なｍ成で
実現される。また、ここでは第−導体ｌ−上に直接第二
導体層が重なった構成を示しているが、第２図に示すよ
うに第二導体層が第−導体ノー上にコンタクトホールを
備えたスペーサ層２１を介して形成されていても第１図
の一１ｊＩｌ盆と同様な幼果が得られる。
次に実厖凶ｔボす。
４子ビーム魚７ＩＩｊ法によりガラス基板上にア９ルミ
、ニウム、炭媚を連−してそれぞれ３０００Ａ 、 ｌ
ＯＯＡ値層した。この躾上にポジ型フォトンシスト（
シラプレー社製ＡＺ１３５０Ｊ）を用いた通常のフォト
ンシスト−１１−ｍでレンズ９ドパターンを形成し、５
００ＶＪＪρ連のアルゴンイオンでイオンエツチングし
Ｃ＠１０μｒｎ、ｔＬざｌａｇのアルミニウムと成業の
二ノーから成る第一→体１−を作製した０次に、基板表
面にアルミニウム６０００Ｘ ＠ｚ着した後、この上ニ
形成したレジストパターンマスクを用いて上述の禾件で
イオンエツチングし第二導体層、を作製した。
、ニウム、炭媚を連−してそれぞれ３０００Ａ 、 ｌ
ＯＯＡ値層した。この躾上にポジ型フォトンシスト（
シラプレー社製ＡＺ１３５０Ｊ）を用いた通常のフォト
ンシスト−１１−ｍでレンズ９ドパターンを形成し、５
００ＶＪＪρ連のアルゴンイオンでイオンエツチングし
Ｃ＠１０μｒｎ、ｔＬざｌａｇのアルミニウムと成業の
二ノーから成る第一→体１−を作製した０次に、基板表
面にアルミニウム６０００Ｘ ＠ｚ着した後、この上ニ
形成したレジストパターンマスクを用いて上述の禾件で
イオンエツチングし第二導体層、を作製した。
オーバーエツチングは１分間行なったが、炭素層は約６
０人しかエツチングされず第一導体層の形状は維持され
る。導体層間に炭素層を設けた本構成では、従来の構成
に比べ接触抵抗を大幅に減少させることができた。しか
も、接触抵抗の存在による導体層間の抵抗値のばらつき
は無視できる。
０人しかエツチングされず第一導体層の形状は維持され
る。導体層間に炭素層を設けた本構成では、従来の構成
に比べ接触抵抗を大幅に減少させることができた。しか
も、接触抵抗の存在による導体層間の抵抗値のばらつき
は無視できる。
一方、他の構成として導体層間にスペーサｒａｋ用いた
ものを作製した。上述の方法で第一導体層を形成した後
、この上にプラズマ気相成長法により３０６ＯＡの二酸
化ケイ素威を被着した。この成展は、訛量比ｌ対１５の
シランと亜酸化皇巣の４合ガスを用いて、ガス圧力Ｉ
Ｔｏｒｒ 、 ｍ周ａｗＬ力臂度０．ＩＷ／７の条件で
行なった６次に、この上に形成したレジストパターンマ
スクを用いて、プラズマエツチング法によりコンタクト
ホールヲ形成した。このプラズマエツチングｔよエツチ
ングガスにフＲｙ １１４と酸素の１０対２の混合ガス
ｔｍイテ、−Ｈｘ圧力ＩＴｏｒｒ、高Ｊ４′ｔＩＬ電力
４０ＱＷの条件で何な９た。この後、第一導体層と同様
な方法で膜厚６０００ＡＯ第二４体層１に形成した。こ
の４成でもベペーサｌ−がない場合と同様な結果が傷ら
７した。
ものを作製した。上述の方法で第一導体層を形成した後
、この上にプラズマ気相成長法により３０６ＯＡの二酸
化ケイ素威を被着した。この成展は、訛量比ｌ対１５の
シランと亜酸化皇巣の４合ガスを用いて、ガス圧力Ｉ
Ｔｏｒｒ 、 ｍ周ａｗＬ力臂度０．ＩＷ／７の条件で
行なった６次に、この上に形成したレジストパターンマ
スクを用いて、プラズマエツチング法によりコンタクト
ホールヲ形成した。このプラズマエツチングｔよエツチ
ングガスにフＲｙ １１４と酸素の１０対２の混合ガス
ｔｍイテ、−Ｈｘ圧力ＩＴｏｒｒ、高Ｊ４′ｔＩＬ電力
４０ＱＷの条件で何な９た。この後、第一導体層と同様
な方法で膜厚６０００ＡＯ第二４体層１に形成した。こ
の４成でもベペーサｌ−がない場合と同様な結果が傷ら
７した。
以上説明したように本発明によれば、プロセスが闇早で
１．４ｆ）ｆｉ持性５誹−れた多、−導体を有する素子
が舟らｔ’Ｌる。ぽお、本夫施例では導体材料としてア
ルミニウムを用いた場合について説明したが、１圓のど
ん７よ４俸材料管用いでも同様の効果が慢らｔしること
はｇ５までもない。
１．４ｆ）ｆｉ持性５誹−れた多、−導体を有する素子
が舟らｔ’Ｌる。ぽお、本夫施例では導体材料としてア
ルミニウムを用いた場合について説明したが、１圓のど
ん７よ４俸材料管用いでも同様の効果が慢らｔしること
はｇ５までもない。
第１図：＆３↓び第２図は本発明の多１−導体の基本り
なｆｉｌ成ｔボす斜視図である。 図にεいで、ｌｌは基板、１２は導体層、１３は炭Ａ
ノｄ、１４は第二導体ノー、２１はコンタクトホーｋ
ｚもつスペーサ層である。
なｆｉｌ成ｔボす斜視図である。 図にεいで、ｌｌは基板、１２は導体層、１３は炭Ａ
ノｄ、１４は第二導体ノー、２１はコンタクトホーｋ
ｚもつスペーサ層である。
Claims (1)
- ４１！！＃俸−ｍ仮あるいは表面が絶−一で覆われた基
板上に楓威Ｉ−の電なり合った導体を有ｊ４１１菓子に
ｉいて、−記４棒の少なくとも一ノー會よその表面の一
部または全部に炭ａｃＷｋｔ備えていることを特徴とｔ
４チ４４体を有する素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18880781A JPS5890738A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 多層導体を有する素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18880781A JPS5890738A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 多層導体を有する素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5890738A true JPS5890738A (ja) | 1983-05-30 |
| JPH0261142B2 JPH0261142B2 (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=16230142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18880781A Granted JPS5890738A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 多層導体を有する素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5890738A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0564435U (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | スズキ株式会社 | エンジン用ガバナーのガバナー軸取付け装置 |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP18880781A patent/JPS5890738A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0261142B2 (ja) | 1990-12-19 |
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