JPS5890B2 - ジキカンチソウチ - Google Patents
ジキカンチソウチInfo
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- JPS5890B2 JPS5890B2 JP48090618A JP9061873A JPS5890B2 JP S5890 B2 JPS5890 B2 JP S5890B2 JP 48090618 A JP48090618 A JP 48090618A JP 9061873 A JP9061873 A JP 9061873A JP S5890 B2 JPS5890 B2 JP S5890B2
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Classifications
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/40—Devices controlled by magnetic fields
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
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-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
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-
- G—PHYSICS
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-
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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-
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテープ、ドラム及びディスク等の様な磁性媒体
上に記録された磁気情報即ちデータを感知する為の磁気
感知装置の分野に関する。
上に記録された磁気情報即ちデータを感知する為の磁気
感知装置の分野に関する。
種々の磁束応答装置の利用はマグネトダイオード、マグ
ネトレジスタ及びホール効実装置等によって代表される
様な技術に広く適用される。
ネトレジスタ及びホール効実装置等によって代表される
様な技術に広く適用される。
この様な応用の実例は、テープ、ドラム、ディスク等の
磁性媒体に記録された情報を感知するためのトランスジ
ューサ・ヘッドにおけるホール効果素子の使用である。
磁性媒体に記録された情報を感知するためのトランスジ
ューサ・ヘッドにおけるホール効果素子の使用である。
典型的には、その様なトランスジューサ・ヘッド（又は
ピックアップ）は一対の磁極片から形成される透磁性ヨ
ークを有し、該磁極片は磁気記録から信号磁束をピック
アップするフロント・ギャップと、ホール効果素子の磁
束の加えられる軸に揃って直列磁気回路を形成する様に
配置されるリアギャップとを形成する様に配置される。
ピックアップ）は一対の磁極片から形成される透磁性ヨ
ークを有し、該磁極片は磁気記録から信号磁束をピック
アップするフロント・ギャップと、ホール効果素子の磁
束の加えられる軸に揃って直列磁気回路を形成する様に
配置されるリアギャップとを形成する様に配置される。
ホール効果素子には、電流路となる電流電極が上記軸に
垂直な軸に沿って互いに間隔をおいて設けられている。
垂直な軸に沿って互いに間隔をおいて設けられている。
出力端子においてこの軸に沿った電圧が感知され、これ
が電流及び与えられた磁界に比例する出力信号を与える
。
が電流及び与えられた磁界に比例する出力信号を与える
。
出力信号は、用いられた磁性媒体上の磁気記録の磁束に
応じて再生されたものである。
応じて再生されたものである。
普通、ホール効果素子に流す動作電流は、直流でも交流
でもよい。
でもよい。
これまで、この様なトランスジューサ・ヘッド（ピック
アップ）は、前もって作られた部品を集めることによっ
て製造されてきた。
アップ）は、前もって作られた部品を集めることによっ
て製造されてきた。
これは、部品の整列及び統一に極端な注意を必要とした
。
。
また、個々の部品の製造時に生じる固有の機械公差は、
最終的に組立てられたトランスジューサに悪影響を及ぼ
し、ユニットの応答を損なった。
最終的に組立てられたトランスジューサに悪影響を及ぼ
し、ユニットの応答を損なった。
本発明は従来の半導体技術を利用する事によって直接集
積化される型式の製造に対して適応されるトランスジュ
ーサを包含する。
積化される型式の製造に対して適応されるトランスジュ
ーサを包含する。
これは半導体基板に直接磁束応答素子並びにその為の周
辺回路を形成し、続いて素子と直列な磁気回路で基板上
に磁性薄膜ヨークを被覆する事によって達成される。
辺回路を形成し、続いて素子と直列な磁気回路で基板上
に磁性薄膜ヨークを被覆する事によって達成される。
トランスジューサの製造はサブミクロンの範囲内の磁束
感知即ちピックアップ・ギャップを伴う２つの磁極部か
ら成るヨークを形成する為の準備を含む。
感知即ちピックアップ・ギャップを伴う２つの磁極部か
ら成るヨークを形成する為の準備を含む。
従って、本発明の目的は新規な磁気トランスジューサを
提供する事である。
提供する事である。
本発明の他の目的は磁気トランスジューサの製造の為に
プレーナ半導体技術を利用する新規な磁気トランスジュ
ーサを提供する事である。
プレーナ半導体技術を利用する新規な磁気トランスジュ
ーサを提供する事である。
本発明の前記及び他の目的、特徴並びに有益性は図面に
示す如く本発明の良好なる実施例の以下の更に詳細な説
明から更に明白である。
示す如く本発明の良好なる実施例の以下の更に詳細な説
明から更に明白である。
種々の磁束感知素子が本発明に於て用いられ得るけれど
も、本発明は説明の目的の為に、テープドラム、ワイア
及びティスフ等の磁性媒体から磁気記録を再生する為に
当該技術分野に於て従来用いられているホール効果素子
に関連して記述される。
も、本発明は説明の目的の為に、テープドラム、ワイア
及びティスフ等の磁性媒体から磁気記録を再生する為に
当該技術分野に於て従来用いられているホール効果素子
に関連して記述される。
磁性媒体上に記録された情報を感知する同種の一般的な
事例は本発明のこの実施例に於てホール効果素子の適用
に対して示される。
事例は本発明のこの実施例に於てホール効果素子の適用
に対して示される。
第１図は半導体基板４上に集積化された磁束応答素子の
代表的なホール効果素子３及び磁気ヨークから成るトラ
ンスデユーサ１０本発明の１実施例を示す。
代表的なホール効果素子３及び磁気ヨークから成るトラ
ンスデユーサ１０本発明の１実施例を示す。
この様な基板は例えばシリコンであり種々の従来の半導
体材料の代表的な半導体材料、例えばＧｅ、ＩｎＳｂ及
びＩｎＡｓ等も同様に適用し得る。
体材料の代表的な半導体材料、例えばＧｅ、ＩｎＳｂ及
びＩｎＡｓ等も同様に適用し得る。
ヨーク２は、従来のテープ１駆動装置によって矢印１１
の方向にヨーク・ギャップ９を通過して移動される磁気
テープ１０の様な磁気記録媒体の磁束信号に対してヨー
クをカップリングする為にギャップ９を限定するオーバ
ラッピング・エンド・ポーション７及び８（第５図及び
第５Ａ図参照）を有する一対の磁極片５及び６から成る
。
の方向にヨーク・ギャップ９を通過して移動される磁気
テープ１０の様な磁気記録媒体の磁束信号に対してヨー
クをカップリングする為にギャップ９を限定するオーバ
ラッピング・エンド・ポーション７及び８（第５図及び
第５Ａ図参照）を有する一対の磁極片５及び６から成る
。
ヨーク２は、この場合にはシリコン半導体基部の酸化に
よって形成された酸化物膜１２の様な誘電材料の表面上
に被覆されたフェライトの様な透磁性材料の層から成る
。
よって形成された酸化物膜１２の様な誘電材料の表面上
に被覆されたフェライトの様な透磁性材料の層から成る
。
この半導体基部の基板１は一導電型（例えばＰ型）にド
ープされたシリコンの層１３でもよくそしてこの上に反
対導電型（例えばＮ型）を有するシリコンのエピタキシ
ャル層１４を成長させる、そしてその中にホール効果磁
束応答素子３が磁極片５及び６のリアギャップで直列磁
気回路で形成される。
ープされたシリコンの層１３でもよくそしてこの上に反
対導電型（例えばＮ型）を有するシリコンのエピタキシ
ャル層１４を成長させる、そしてその中にホール効果磁
束応答素子３が磁極片５及び６のリアギャップで直列磁
気回路で形成される。
ホール効果素子３は第２Ａ図よりの一連の図に示される
従来の半導体製造技術によって基板４に形成され得る。
従来の半導体製造技術によって基板４に形成され得る。
代表的には、一導電型（例えばＰ型）のシリコンの様な
半導体基板１３上に反対導電型（例えばＮ型）の機能層
１４がエピタキシャル成長、拡散又はイオンインプラン
テーションによって形成される、そして誘電体酸化膜１
２を有する酸化物によって保護された構造が形成される
。
半導体基板１３上に反対導電型（例えばＮ型）の機能層
１４がエピタキシャル成長、拡散又はイオンインプラン
テーションによって形成される、そして誘電体酸化膜１
２を有する酸化物によって保護された構造が形成される
。
ホール効果素子の製造はアイソレーション・リング１６
の中に離隔された機能層１４のセグメント１５の範囲内
にもたらされる。
の中に離隔された機能層１４のセグメント１５の範囲内
にもたらされる。
この実施例の製法の場合には、アイソレーション・リン
グは機能層１４迄酸化膜１２を貫通して開孔１７を写真
的に形成し、機能層１４内への拡散がＰ型基板１３に達
する間行われ、続いて開孔１７内に再酸化物構造の酸化
膜１２を再形成する事によって得られろ。
グは機能層１４迄酸化膜１２を貫通して開孔１７を写真
的に形成し、機能層１４内への拡散がＰ型基板１３に達
する間行われ、続いて開孔１７内に再酸化物構造の酸化
膜１２を再形成する事によって得られろ。
従来の半導体技術に於けると同様な写真技術によりホト
レジスト材料を用いて酸化膜１２０表面上を被覆し、限
定するパターンに選択的に露光し、現像層半導体基板中
への拡散の為の入口を設ける為に取除かれるべき部分の
酸化物上のレジストに開孔パターンに形成する。
レジスト材料を用いて酸化膜１２０表面上を被覆し、限
定するパターンに選択的に露光し、現像層半導体基板中
への拡散の為の入口を設ける為に取除かれるべき部分の
酸化物上のレジストに開孔パターンに形成する。
酸化物エツチングの后に、ホトレジストは適当な溶剤を
用いて剥離される。
用いて剥離される。
代りに所望ならば、アイソレーション・リング１６は、
基板１３迄機能層１４中に溝をエツチングによって形成
し、そして基板４内の機能層セグメント１５のアイソレ
ーションの為に酸化物を充分付着する事によって形成さ
れ得る。
基板１３迄機能層１４中に溝をエツチングによって形成
し、そして基板４内の機能層セグメント１５のアイソレ
ーションの為に酸化物を充分付着する事によって形成さ
れ得る。
単一ホール効果素子の製法が示されているけれども、こ
の様な複数の素子が半導体技術分野に於ける通常のプラ
クティスに従って同時に製造され得る事が理解される。
の様な複数の素子が半導体技術分野に於ける通常のプラ
クティスに従って同時に製造され得る事が理解される。
更に、ホール効果素子３の製造と同時に、電源及び感知
される電圧変化の増幅の為の通常の周辺回路が半導体技
術分野に於ける周知の技術で半導体基板１４のセグメン
ト１８内に集積化出来ろ事に注目すべきである。
される電圧変化の増幅の為の通常の周辺回路が半導体技
術分野に於ける周知の技術で半導体基板１４のセグメン
ト１８内に集積化出来ろ事に注目すべきである。
次の工程に於ては、第３Ａ図に更に詳細に示す如く、ホ
ール効果素子３の電極が設けられる個所に相当するＮ＋
領域１９Ｂ、２０Ｂ、２１Ｂ。
ール効果素子３の電極が設けられる個所に相当するＮ＋
領域１９Ｂ、２０Ｂ、２１Ｂ。
２２Ｂ及び２３Ｂを形成すべく機能層セグメント１５内
への高濃度Ｎ型不純物の拡散のための複数の開孔１９Ａ
、２０Ａ、２１Ａ、２２Ａ及び２３Ａを形成する為に写
真技術が再び利用される６拡散后、この構造は開孔１９
Ａ乃至２３Ａ内に露出された機能層セグメント１５を被
って酸化物を再形成する為に再び再酸化され得る。
への高濃度Ｎ型不純物の拡散のための複数の開孔１９Ａ
、２０Ａ、２１Ａ、２２Ａ及び２３Ａを形成する為に写
真技術が再び利用される６拡散后、この構造は開孔１９
Ａ乃至２３Ａ内に露出された機能層セグメント１５を被
って酸化物を再形成する為に再び再酸化され得る。
このユニットの最后の再酸化層、任意の磁性材料の磁性
薄膜２５が、第４Ａ図に更に詳細に示す如く、磁極片５
及び磁極片６０部分６Ａを形成するパターンで従来の付
着技術、例らば電気的ホーミング、スパッタリング若し
くは蒸着技術によって酸化膜１２を被って被覆される。
薄膜２５が、第４Ａ図に更に詳細に示す如く、磁極片５
及び磁極片６０部分６Ａを形成するパターンで従来の付
着技術、例らば電気的ホーミング、スパッタリング若し
くは蒸着技術によって酸化膜１２を被って被覆される。
図示の如く、磁極片５及び６Ａは、ホール効果素子３の
端子及び導体パターンの形成の為の拡散領域１９Ｂ乃至
２３Ｂへのアクセスを与える間隔内で直列磁気回路にホ
ール効果素子３を配置する様に機能層セグメント１５に
隣接したリアギャップを限定する。
端子及び導体パターンの形成の為の拡散領域１９Ｂ乃至
２３Ｂへのアクセスを与える間隔内で直列磁気回路にホ
ール効果素子３を配置する様に機能層セグメント１５に
隣接したリアギャップを限定する。
磁極片５及び６Ａの付着后、他の酸化膜２６が磁極片を
被って形成され、この酸化膜の厚さがフロントギャップ
９を限定し、又酸化膜の厚さは約５０００人程度である
。
被って形成され、この酸化膜の厚さがフロントギャップ
９を限定し、又酸化膜の厚さは約５０００人程度である
。
次の工程に於ては、貫通孔２７が、磁極片６の完成する
為に磁性薄膜の更に付着中に形成される磁極片６Ｂへの
連続磁気通路を形成する為に磁極片６Ａ上の酸化膜中に
形成される。
為に磁性薄膜の更に付着中に形成される磁極片６Ｂへの
連続磁気通路を形成する為に磁極片６Ａ上の酸化膜中に
形成される。
構造は次に電気的絶縁層、例えば５ｉ０２又はＳ ｉ
３ Ｎ４で被覆され、この絶縁層はホール効果素子３及
び周辺回路１８を相互接続する被覆薄膜導体パターンに
対して支持体として働く。
３ Ｎ４で被覆され、この絶縁層はホール効果素子３及
び周辺回路１８を相互接続する被覆薄膜導体パターンに
対して支持体として働く。
このため貫通孔１９Ｃ，２０Ｃ，２１Ｃ。
２２Ｃ及び２３Ｃが機能層セグメント１５内に先に形成
されたホール効果素子３ＯＮ十領域１９Ｂ乃至２３Ｂに
対する電気的接触１９Ｄ、２０Ｄ。
されたホール効果素子３ＯＮ十領域１９Ｂ乃至２３Ｂに
対する電気的接触１９Ｄ、２０Ｄ。
２１Ｄ、２２Ｄ及び２３Ｄを形成する為に酸化膜を貫通
して写真的に形成される。
して写真的に形成される。
導体パターンはメタライゼーション及び写真的に離隔さ
れた薄膜を所望パターンにエツチングする事から成る従
来の薄膜技術によって形成される。
れた薄膜を所望パターンにエツチングする事から成る従
来の薄膜技術によって形成される。
導体パターンは電流線３０，３１及び３２と電圧感知線
３３及び３４を含み、その関係は第１Ｂ図の簡単なプッ
シュプル回路に概略的に示される。
３３及び３４を含み、その関係は第１Ｂ図の簡単なプッ
シュプル回路に概略的に示される。
この様な回路に於ては、電流が中央電極３１に流れ、そ
して２つの電流電極３０及び３２へ分流される。
して２つの電流電極３０及び３２へ分流される。
磁界Ｈが３５で示される如く図面に対して垂直方向にホ
ール効果素子３Ａに印加される場合には、ホール電圧Ｖ
が電圧電極３３及び３４間で生じ、そのでの電圧変化（
磁束変化に比例）は磁性媒体内の情報の再生の為に適当
に増幅され得ろ。
ール効果素子３Ａに印加される場合には、ホール電圧Ｖ
が電圧電極３３及び３４間で生じ、そのでの電圧変化（
磁束変化に比例）は磁性媒体内の情報の再生の為に適当
に増幅され得ろ。
トランスデユーサの最終的表面安定化はユニットの機能
素子の他の領域及び露出導体パターンを被って誘電、即
ち絶縁膜（例えば酸化シリコン、窒化シリコン、ガラス
及び類似物）の最終的被覆によって達成される。
素子の他の領域及び露出導体パターンを被って誘電、即
ち絶縁膜（例えば酸化シリコン、窒化シリコン、ガラス
及び類似物）の最終的被覆によって達成される。
第７図はホール効果素子３Ｂが、機能層１４の不所望な
部分をエツチング除去して形成されるメサ型５４上に作
られる本発明の他の実施例を示す。
部分をエツチング除去して形成されるメサ型５４上に作
られる本発明の他の実施例を示す。
ヨーク薄膜５３は、磁極片５１及び５２が例えばホール
効果素子３Ｂのメサ５４の側壁に整列して配置されるリ
アギャップを限定する様に基板上に被覆される。
効果素子３Ｂのメサ５４の側壁に整列して配置されるリ
アギャップを限定する様に基板上に被覆される。
第７Ａ図乃至第７Ｅ図は磁界が電流路に対して垂直方向
に印加されるこの実施例の製造工程を示す。
に印加されるこの実施例の製造工程を示す。
基本的製造工程は前記の場合と実質的に同様であり、Ｎ
型機能層１４のセグメント５６の周囲フに溝５５のエツ
チングを含む。
型機能層１４のセグメント５６の周囲フに溝５５のエツ
チングを含む。
溝５５の壁は第７Ｃ図の如く酸化され、続いて両端部を
限定してリアギャップを形成する磁極片５７及び５８の
付着がＮ型機能層セグメント５６に隣接した酸化溝内に
行なわれる、続いて絶縁層５９が付着され（例えばスパ
ッタリングによる酸化シリコン）、そして絶縁層を貫通
して貫通孔がＮ±領域６０の拡散と電流及び電圧端子６
１の為に形成される。
限定してリアギャップを形成する磁極片５７及び５８の
付着がＮ型機能層セグメント５６に隣接した酸化溝内に
行なわれる、続いて絶縁層５９が付着され（例えばスパ
ッタリングによる酸化シリコン）、そして絶縁層を貫通
して貫通孔がＮ±領域６０の拡散と電流及び電圧端子６
１の為に形成される。
第８Ａ図は水平ヘッド構成を有する本発明の他の実施例
を示す。
を示す。
この実施例の場合には、ホール効果素子６２は、基板４
の平面及び縁に対して垂直なギャップ６５を限定するよ
うに付着された磁極片６３及び６４を有するメサ型構成
で示される。
の平面及び縁に対して垂直なギャップ６５を限定するよ
うに付着された磁極片６３及び６４を有するメサ型構成
で示される。
磁極片６３及び６４は単片で形成され得る、そして単片
のギャップ６５は写真食刻技術によって形成され得る。
のギャップ６５は写真食刻技術によって形成され得る。
第８Ｂ図はマルチチャネル・オペレーションへのこの実
施例の適用を示し、複数のトランスジューサが磁性媒体
の複数の記録チャネルをトラッキングする為に配置され
それらのギャップを携えて形成される。
施例の適用を示し、複数のトランスジューサが磁性媒体
の複数の記録チャネルをトラッキングする為に配置され
それらのギャップを携えて形成される。
第９Ａ図乃至第９Ｈ図は水平ヘッド構成の他の実施例の
為の製造工程を示す。
為の製造工程を示す。
この実施例の場合には、アイソレーション溝７０が形成
され、そしてＮ型機能層１４のセグメント７１の周囲を
酸化させる。
され、そしてＮ型機能層１４のセグメント７１の周囲を
酸化させる。
酸化層、貫通孔がＮ型機能層セグメント７１内へＮ＋領
域７４の拡散の為に形成され、続いて貫通孔内に酸化物
を再形成する。
域７４の拡散の為に形成され、続いて貫通孔内に酸化物
を再形成する。
底部磁極７２及び７３はホール効果セグメント７１に隣
接した酸化溝７０内に延在部を有して酸化膜１２上に付
着され、続いて絶縁層７５が付着され、そこに貫通孔が
端子７６０メタライゼーシヨン及び導体パターンのため
に形成されそして絶縁層７７で被覆される。
接した酸化溝７０内に延在部を有して酸化膜１２上に付
着され、続いて絶縁層７５が付着され、そこに貫通孔が
端子７６０メタライゼーシヨン及び導体パターンのため
に形成されそして絶縁層７７で被覆される。
貫通孔７８及び７９は底部磁極７２及び７３から、続い
て付着される磁性薄膜への連続の磁気路を形成する為に
絶縁層７５内に形成される。
て付着される磁性薄膜への連続の磁気路を形成する為に
絶縁層７５内に形成される。
写真食刻技術によって上部磁性薄膜は底部磁極片７２及
び７３のそれぞれ１つを有する連続磁気路内に独立した
上部磁極片を各々設ける事によって、第９Ｇ図に示す如
きギャップ８０か又は第９Ｈ図に示すギャップ８１と共
に設けられる。
び７３のそれぞれ１つを有する連続磁気路内に独立した
上部磁極片を各々設ける事によって、第９Ｇ図に示す如
きギャップ８０か又は第９Ｈ図に示すギャップ８１と共
に設けられる。
第９Ｇ図の変形の場合には、第１ヨークは絶縁層７５に
形成されていた貫通孔７８内のヨーク・セグメント９１
を経て底部ヨーク片７３を有する連続磁気路で上部ヨー
ク片９０から成り、逆に、第２ヨークは絶縁層７５に形
成されていた貫通孔７９内のヨーク・セグメント９３を
経て底部ヨーク片７２を有する連続磁気路で上部ヨーク
片９２から成る。
形成されていた貫通孔７８内のヨーク・セグメント９１
を経て底部ヨーク片７３を有する連続磁気路で上部ヨー
ク片９０から成り、逆に、第２ヨークは絶縁層７５に形
成されていた貫通孔７９内のヨーク・セグメント９３を
経て底部ヨーク片７２を有する連続磁気路で上部ヨーク
片９２から成る。
この構成に於ては、上部ヨーク片９０及び９２が底部磁
極片７２及び７３によって形成肖れるリア・ヨーク・ギ
ャップの範囲内に配置されるホール効果素子９４（機能
層セグメント７１内に形成される）で一連の磁気回路中
に磁束ピックアップ・ギャップ８０を限定する。
極片７２及び７３によって形成肖れるリア・ヨーク・ギ
ャップの範囲内に配置されるホール効果素子９４（機能
層セグメント７１内に形成される）で一連の磁気回路中
に磁束ピックアップ・ギャップ８０を限定する。
第９Ｈ図の変形に関連した類似の方法の場合には、第１
ヨークは絶縁層７５に形成されていた貫通孔７８内のヨ
ーク・セグメント９１を経て底部ヨーク片７３を有する
連続磁気路で上部ヨーク片９５から成り、そして反対に
、第２ヨークは絶縁層７５に先に形成されていた貫通孔
７９内のヨーク・セグメント９３を経て底部ヨーク片７
２を有する連続磁気路で上部ヨーク片９６から成る。
ヨークは絶縁層７５に形成されていた貫通孔７８内のヨ
ーク・セグメント９１を経て底部ヨーク片７３を有する
連続磁気路で上部ヨーク片９５から成り、そして反対に
、第２ヨークは絶縁層７５に先に形成されていた貫通孔
７９内のヨーク・セグメント９３を経て底部ヨーク片７
２を有する連続磁気路で上部ヨーク片９６から成る。
この構成に於ては、上部ヨーク片９５及び９６が底部磁
極片７２及び７３によって形成されるリアギャップの範
囲内に配置される磁束応答素子９４で一連の磁気回路中
に磁束ピックアップギャップ８１を限定する。
極片７２及び７３によって形成されるリアギャップの範
囲内に配置される磁束応答素子９４で一連の磁気回路中
に磁束ピックアップギャップ８１を限定する。
前記に於てはフェライトの様な磁性薄膜を被覆する事に
ついて記述されているけれども、例えばパーマロイの様
な磁性薄膜を支持基板４上に直接、例えば銅の様な予備
の金属下張りを設ける事によって電気的付着によって形
成され得る、そして必要なパターン中の過剰な金属部分
を写真的に取除く事によって限定されたヨークを形成さ
れ得る事に注目すべきである。
ついて記述されているけれども、例えばパーマロイの様
な磁性薄膜を支持基板４上に直接、例えば銅の様な予備
の金属下張りを設ける事によって電気的付着によって形
成され得る、そして必要なパターン中の過剰な金属部分
を写真的に取除く事によって限定されたヨークを形成さ
れ得る事に注目すべきである。
以上説明したように、本発明によれば、薄膜型磁気トラ
ンスジューサの基板として半導体基板を用い、この基板
に磁束応答半導体素子を集積するとともに、該半導体素
子に対する感知増幅回路も同一基板に集積したので、製
造工程が簡単になり、集積度の高い小型のトランスジュ
ーサが得られる。
ンスジューサの基板として半導体基板を用い、この基板
に磁束応答半導体素子を集積するとともに、該半導体素
子に対する感知増幅回路も同一基板に集積したので、製
造工程が簡単になり、集積度の高い小型のトランスジュ
ーサが得られる。
更に、半導体基板上にフロント・ギャップとリア・ギャ
ップを有する透磁性物質の層よりなる磁性薄膜ヨークを
薄膜形成技術により被覆することにより、フロント・ギ
ャップ及びリア・ギャップの位置精度、及び磁束応答半
導体素子とリア・ギャップとの相対的位置精度を極めて
高くすることができろ。
ップを有する透磁性物質の層よりなる磁性薄膜ヨークを
薄膜形成技術により被覆することにより、フロント・ギ
ャップ及びリア・ギャップの位置精度、及び磁束応答半
導体素子とリア・ギャップとの相対的位置精度を極めて
高くすることができろ。
従って従来のように個々のエレメントを別個に作りこれ
らを組集めて製造していたトランスジューサに比し、集
積度、従って小型化並びに各エレメントの寸法上の精度
及び相対位置の精度を著しく改善できるという効果があ
る。
らを組集めて製造していたトランスジューサに比し、集
積度、従って小型化並びに各エレメントの寸法上の精度
及び相対位置の精度を著しく改善できるという効果があ
る。
第１Ａ図は本発明の磁気トランスデユーサの１実施例の
マルチチャネル・アレイの断片的な部分の斜視図、第１
Ｂ図は磁気トランスデユーサの周夕辺回路に対するこの
実施例の端子の関係を概略的に示す、第２Ａ図乃至第６
図は第１Ａ図の実施例の製造工程を示す、第７図は本発
明の磁気トランスデユーサの他の実施例のマルチチャネ
ル・アレイの部分的斜視図、第７Ａ図は第７図の実施例
の製造工程を示す、第８Ａ図及び第８Ｂ図は本発明の磁
気トランスデユーサの他の実施例を示す、第９Ａ乃至第
９Ｈ図は本発明の磁気トランスデユーサの他の実施例の
製造工程を示す。 １ニドランスジユーサ、２：磁気ヨーク、３：クホール
効果素子、４：半導体基板、５，６：磁極片、９：ギャ
ップ、１０：磁性媒体。
マルチチャネル・アレイの断片的な部分の斜視図、第１
Ｂ図は磁気トランスデユーサの周夕辺回路に対するこの
実施例の端子の関係を概略的に示す、第２Ａ図乃至第６
図は第１Ａ図の実施例の製造工程を示す、第７図は本発
明の磁気トランスデユーサの他の実施例のマルチチャネ
ル・アレイの部分的斜視図、第７Ａ図は第７図の実施例
の製造工程を示す、第８Ａ図及び第８Ｂ図は本発明の磁
気トランスデユーサの他の実施例を示す、第９Ａ乃至第
９Ｈ図は本発明の磁気トランスデユーサの他の実施例の
製造工程を示す。 １ニドランスジユーサ、２：磁気ヨーク、３：クホール
効果素子、４：半導体基板、５，６：磁極片、９：ギャ
ップ、１０：磁性媒体。
Claims (1)
- １ 半導体基板と、該基板に一体的に集積された磁束応
答半導体素子と、上記基板に一体的に集積され且つ上記
磁束応答半導体素子と電気的に接続された上記半導体素
子に対する感知増幅回路と、磁束ピックアップ用のフロ
ント・ギャップを形成すると共に上記半導体素子を上記
フロント・ギャップと直列な磁気回路内におくように上
記半導体素子の両側にリアギャップを形成するように上
記基板上に被覆された透磁性物質の層とより成る磁気ト
ランスジューサ。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US00285990A US3800193A (en) | 1972-09-05 | 1972-09-05 | Magnetic sensing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS4966119A JPS4966119A (ja) | 1974-06-26 |
| JPS5890B2 true JPS5890B2 (ja) | 1983-01-05 |
Family
ID=23096561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48090618A Expired JPS5890B2 (ja) | 1972-09-05 | 1973-08-14 | ジキカンチソウチ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3800193A (ja) |
| JP (1) | JPS5890B2 (ja) |
| DE (1) | DE2337239A1 (ja) |
| FR (1) | FR2198147B1 (ja) |
| GB (1) | GB1391143A (ja) |
| IT (1) | IT993600B (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4015148A (en) * | 1976-05-05 | 1977-03-29 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Hall effect device for use in obtaining square or square root of a voltage amplitude |
| EP0032230A3 (en) * | 1980-01-14 | 1982-01-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrated magnetic transducer and method of manufacturing the same |
| US4853632A (en) * | 1981-02-07 | 1989-08-01 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for magnetically detecting a position of a movable magnetic body |
| US4520413A (en) * | 1982-04-13 | 1985-05-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Integrated magnetostrictive-piezoelectric-metal oxide semiconductor magnetic playback head |
| US4485419A (en) * | 1982-06-15 | 1984-11-27 | International Business Machines Corporation | Complementary pole coupling magnetic head structure |
| JPS58224430A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-26 | Canon Inc | 混成薄膜集積ヘツド |
| JPS58224429A (ja) * | 1982-06-23 | 1983-12-26 | Canon Inc | 薄膜集積ヘツド |
| JPS592221A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-07 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツド |
| US4499515A (en) * | 1982-07-14 | 1985-02-12 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Integrated magnetostrictive-piezoresistive magnetic recording playback head |
| CH659896A5 (de) * | 1982-11-22 | 1987-02-27 | Landis & Gyr Ag | Magnetfeldsensor. |
| US4529621A (en) * | 1983-10-05 | 1985-07-16 | Utah Computer Industries, Inc. | Process for depositing a thin-film layer of magnetic material onto an insulative dielectric layer of a semiconductor substrate |
| US4772929A (en) * | 1987-01-09 | 1988-09-20 | Sprague Electric Company | Hall sensor with integrated pole pieces |
| FR2612676B1 (fr) * | 1987-03-19 | 1993-12-31 | Commissariat A Energie Atomique | Tete magnetique de lecture pour piste de tres faible largeur et procede de fabrication |
| FR2658647B1 (fr) * | 1990-02-21 | 1992-04-30 | Commissariat Energie Atomique | Tete magnetique horizontale a effet hall et son procede de realisation. |
| FR2662873B1 (fr) * | 1990-05-30 | 1992-09-18 | Electrifil Ind | Composant et capteur a effet hall a detection differentielle. |
| FR2700633B1 (fr) * | 1993-01-20 | 1995-03-17 | Silmag Sa | Procédé de réalisation d'une tête magnétique à détecteur de champ à semiconducteur et tête obtenue par ce procédé. |
| US5587857A (en) * | 1994-10-18 | 1996-12-24 | International Business Machines Corporation | Silicon chip with an integrated magnetoresistive head mounted on a slider |
| US6180419B1 (en) * | 1996-09-19 | 2001-01-30 | National Science Council | Method of manufacturing magnetic field transducer with improved sensitivity by plating a magnetic film on the back of the substrate |
| US6195228B1 (en) * | 1997-01-06 | 2001-02-27 | Nec Research Institute, Inc. | Thin, horizontal-plane hall sensors for read-heads in magnetic recording |
| US6392400B1 (en) | 1998-10-08 | 2002-05-21 | Schlumberger Resource Management Services | High linearity, low offset interface for Hall effect devices |
| US6592820B1 (en) * | 1998-11-05 | 2003-07-15 | Bio-Spectrum Technologies, Inc. | System and method for biochemical assay |
| US7205622B2 (en) * | 2005-01-20 | 2007-04-17 | Honeywell International Inc. | Vertical hall effect device |
| EP1811311B1 (de) * | 2006-01-19 | 2016-08-31 | Melexis Technologies NV | Vorrichtung zur Strommessung |
| US8059373B2 (en) | 2006-10-16 | 2011-11-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | EMR sensor and transistor formed on the same substrate |
| US8035932B2 (en) * | 2007-09-20 | 2011-10-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Lorentz magnetoresistive sensor with integrated signal amplification |
| WO2015102132A1 (ko) * | 2014-01-03 | 2015-07-09 | 오춘택 | 홀 아이씨 구동용 차폐자석이 구비된 휴대폰 케이스 |
| US9581620B2 (en) | 2014-02-06 | 2017-02-28 | Stmicroelectronics S.R.L. | Integrated semiconductor device comprising a hall effect current sensor |
| TWI619280B (zh) * | 2014-04-01 | 2018-03-21 | 友達光電股份有限公司 | 感測元件 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3305790A (en) * | 1962-12-21 | 1967-02-21 | Gen Precision Inc | Combination hall-effect device and transistors |
| NL158658B (nl) * | 1967-09-08 | 1978-11-15 | Philips Nv | Hall-element, alsmede collectorloze elektromotor waarin dit hall-element is toegepast. |
| NL6812451A (ja) * | 1968-08-31 | 1970-03-03 | ||
| US3596114A (en) * | 1969-11-25 | 1971-07-27 | Honeywell Inc | Hall effect contactless switch with prebiased schmitt trigger |
-
1972
- 1972-09-05 US US00285990A patent/US3800193A/en not_active Expired - Lifetime
-
1973
- 1973-07-20 IT IT26822/73A patent/IT993600B/it active
- 1973-07-21 DE DE19732337239 patent/DE2337239A1/de not_active Withdrawn
- 1973-07-26 GB GB3567073A patent/GB1391143A/en not_active Expired
- 1973-08-09 FR FR7329784A patent/FR2198147B1/fr not_active Expired
- 1973-08-14 JP JP48090618A patent/JPS5890B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2337239A1 (de) | 1974-03-21 |
| JPS4966119A (ja) | 1974-06-26 |
| FR2198147A1 (ja) | 1974-03-29 |
| US3800193A (en) | 1974-03-26 |
| GB1391143A (en) | 1975-04-16 |
| IT993600B (it) | 1975-09-30 |
| FR2198147B1 (ja) | 1978-12-08 |
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