JPS5891407A - シリコン回折格子の製造方法 - Google Patents
シリコン回折格子の製造方法Info
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- JPS5891407A JPS5891407A JP18907681A JP18907681A JPS5891407A JP S5891407 A JPS5891407 A JP S5891407A JP 18907681 A JP18907681 A JP 18907681A JP 18907681 A JP18907681 A JP 18907681A JP S5891407 A JPS5891407 A JP S5891407A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は光分波器用のシリコン回折格子の製造方法に
関するものである。
関するものである。
光分諌器杖、光フアイバ通信の波長多重化装置あるｈは
波長分波装置として重要であり、これらの装置の性能と
して光の損失が少ないこと、分解能がすぐれていること
、および価格が安いことがとくに重要である。そして、
シリコン単結晶から製造する光分波器用の回折格子は、
低価格のものを大量につくることができる点で注目され
ている。
波長分波装置として重要であり、これらの装置の性能と
して光の損失が少ないこと、分解能がすぐれていること
、および価格が安いことがとくに重要である。そして、
シリコン単結晶から製造する光分波器用の回折格子は、
低価格のものを大量につくることができる点で注目され
ている。
従来のこのようなシリプン回折格子は、光の分散角度を
大きくすることが困難であるために、多重度の高い光通
信システムに適用することが困難とされ、光の分散角度
が大きいシリーン回析格子の製造方法の実現が望まれて
いた。
大きくすることが困難であるために、多重度の高い光通
信システムに適用することが困難とされ、光の分散角度
が大きいシリーン回析格子の製造方法の実現が望まれて
いた。
一般に、回折格子の分散角度λは入射波長変化に対する
回折角度θの比で表わすことができ、回折格子の格子間
隔ｄを用いて、次の関係式が成立する。
回折角度θの比で表わすことができ、回折格子の格子間
隔ｄを用いて、次の関係式が成立する。
このため、光分波器の分散角度を大きくするには１回折
格子の格子間隔ｄを狭くする技術の開発が必要である。
格子の格子間隔ｄを狭くする技術の開発が必要である。
しかし、シリコン単結晶による回折格子の格子間隔ｄの
最小限界Ｆｉ１次の２点を主な原因として制約される。
最小限界Ｆｉ１次の２点を主な原因として制約される。
（１） ホトリソグラフィによるエツチングマスクの
微細・９タ一ン作成の限界 （１１） 異方性エツチングの再現性、制御性の限界
法に、従来のシリコン単結晶基板から光分波器用の回折
格子を製造する製造方法およびその問題点について説明
する。
微細・９タ一ン作成の限界 （１１） 異方性エツチングの再現性、制御性の限界
法に、従来のシリコン単結晶基板から光分波器用の回折
格子を製造する製造方法およびその問題点について説明
する。
ある種の組成の薬品は、シリコン単結晶を化学エツチン
グする際に、エツチング速度がシリコン単結晶の結晶面
方位に対して著しい違いを呈する。
グする際に、エツチング速度がシリコン単結晶の結晶面
方位に対して著しい違いを呈する。
例えばＫＯＨ水溶液をエッチャントとして使用した場合
には、シリコン単結晶の面方位が１００面のエツチング
速度は、１１１面の１０倍以上の速さで変化する。
には、シリコン単結晶の面方位が１００面のエツチング
速度は、１１１面の１０倍以上の速さで変化する。
第１図（ａ）に示すように、面方位が（１００）方向か
ら００傾いた結晶面の基板であるシリコン単結晶ウェハ
１に格子状のエツチングマスク２を形成し、次に前記異
方性エッチャントを用いて、エツチングを行ない、第１
図（ｂ） Ｋ示す傾斜したＶ字状の断面形状をもつ回折
格子を形成する。ここで露出する単結西面はエツチング
速度が最も遅い１１１面（以下この面をＡ面という）で
ある。さらに、エツチングを続けて行くと、第１図（。
ら００傾いた結晶面の基板であるシリコン単結晶ウェハ
１に格子状のエツチングマスク２を形成し、次に前記異
方性エッチャントを用いて、エツチングを行ない、第１
図（ｂ） Ｋ示す傾斜したＶ字状の断面形状をもつ回折
格子を形成する。ここで露出する単結西面はエツチング
速度が最も遅い１１１面（以下この面をＡ面という）で
ある。さらに、エツチングを続けて行くと、第１図（。
）に示すように、Ａ面は徐々にエツチングが進行し、符
号３に示すようにエツチングマスク２下方のシリコン単
結晶もエツチングされ、サイドエツチングが進行する。
号３に示すようにエツチングマスク２下方のシリコン単
結晶もエツチングされ、サイドエツチングが進行する。
またさらに、エツチングを続けて行くと、第１図（ｄ）
に示すように、最終段階に達し、エッチングマスク２下
方部分の両側からサイドエツチングが進み、遂にエツチ
ングマスク２下方のシリコン単結晶の表面がすべてエツ
チングされてなくなシ、エッチングマスク２自体が剥離
してエツチングを終了する。
に示すように、最終段階に達し、エッチングマスク２下
方部分の両側からサイドエツチングが進み、遂にエツチ
ングマスク２下方のシリコン単結晶の表面がすべてエツ
チングされてなくなシ、エッチングマスク２自体が剥離
してエツチングを終了する。
しかし、前述した第１図（１）〜（ｄ）に示す従来の方
法では以下に述べる２つの大きな問題がある。
法では以下に述べる２つの大きな問題がある。
第１図の問題は、エッチャントとして用いる薬品に対し
極めて耐久性のあるエツチングマスクを用いることが必
要であるため、回折格子パターンの微細化が困難になる
ことである。
極めて耐久性のあるエツチングマスクを用いることが必
要であるため、回折格子パターンの微細化が困難になる
ことである。
すなわち、第１図（＆）の段階から伽）の段階へのエツ
チングは短時間で終るが、（ｂ）の段階から（ｃ） 、
（ｄ）の段階でＬエツチング時間が非常に長くなるた
め、エツチングマスクは極めて耐薬品性が強いものが必
要となり、通常このような場合にはエツチングマスクの
膜厚を厚くして対処している。したがって１回折格子・
セターンの微細化が困難になる。
チングは短時間で終るが、（ｂ）の段階から（ｃ） 、
（ｄ）の段階でＬエツチング時間が非常に長くなるた
め、エツチングマスクは極めて耐薬品性が強いものが必
要となり、通常このような場合にはエツチングマスクの
膜厚を厚くして対処している。したがって１回折格子・
セターンの微細化が困難になる。
従来の方法の第２の問題は異方性エッチャントによるエ
ツチング条件をきわめて厳密にしなければならないこと
である。
ツチング条件をきわめて厳密にしなければならないこと
である。
すなわち、第１図（ｂ）の段階から（ｃ）、（ｄ）の段
階では。
階では。
長いエツチング時間が要求されるが、オーバエツチング
やアンダエッチングが起らないように゛、エツチング速
度はきわめて厳密に制御されてい彦けれはならない、第
２図Ｌエツチングの制御性の欠除全原因とする欠陥例を
示す、第２図において。
やアンダエッチングが起らないように゛、エツチング速
度はきわめて厳密に制御されてい彦けれはならない、第
２図Ｌエツチングの制御性の欠除全原因とする欠陥例を
示す、第２図において。
４はアンダエッチングでアシ、サイドエツチングが未だ
不十分な状態である。５は正常なエツチング状態を示す
。また６祉オーバエツチングを示し、正常なエツチング
状態からさらにエツチングを続けていると、第２の回折
格子６ａが発生する。そして、第２の回折格子６ａのよ
うな欠陥が発生すると、回折格子の分解能の低下や回折
損失の増大を招き、回折格子の性能を大きく損なう。
不十分な状態である。５は正常なエツチング状態を示す
。また６祉オーバエツチングを示し、正常なエツチング
状態からさらにエツチングを続けていると、第２の回折
格子６ａが発生する。そして、第２の回折格子６ａのよ
うな欠陥が発生すると、回折格子の分解能の低下や回折
損失の増大を招き、回折格子の性能を大きく損なう。
この発明は、前述した従来の方法の問題を解決しようど
するものであって、第１工程でシリコン単結晶基板に所
定深さと所定幅をもつ矩形溝を形成した後、第２工程で
面方位依存性のエツチングを前記矩形溝部から行ない、
サイドエツチング速度を速めることによシ、エツチング
時間を短縮し、しかもエツチング量の制御を高精度で行
なえるようにした、シリコン回折格子の製造方法を提供
することを目的としている。
するものであって、第１工程でシリコン単結晶基板に所
定深さと所定幅をもつ矩形溝を形成した後、第２工程で
面方位依存性のエツチングを前記矩形溝部から行ない、
サイドエツチング速度を速めることによシ、エツチング
時間を短縮し、しかもエツチング量の制御を高精度で行
なえるようにした、シリコン回折格子の製造方法を提供
することを目的としている。
以下、この発明の一実１例につき第３図（ａ） ” （
ｄ）を参照して詳述する。
ｄ）を参照して詳述する。
まず、第３図（ＪＬ）に示すように、前述した従来の方
法と同様に、基板であるシリコン単結晶ウニ／・１上に
格子状のエツチングマスク２を形成する。
法と同様に、基板であるシリコン単結晶ウニ／・１上に
格子状のエツチングマスク２を形成する。
次に、第１工程として、第３図（ｂ） Ｋ示すように、
シリコン単結晶ウェハ１のエツチングマスク２間の部分
に、深さり１幅ノの矩形ｆｓ７を形成する。
シリコン単結晶ウェハ１のエツチングマスク２間の部分
に、深さり１幅ノの矩形ｆｓ７を形成する。
この矩形溝７の側面はエツチングマスク２の側と平坦で
垂直で套ることが好ましく、このような矩形溝７はイオ
ンミーリング法などの方法でつくることができる。なお
、以下前述のような矩形溝の画直な側面を８面という０
次に、第２工程として。
垂直で套ることが好ましく、このような矩形溝７はイオ
ンミーリング法などの方法でつくることができる。なお
、以下前述のような矩形溝の画直な側面を８面という０
次に、第２工程として。
シリコン単結晶のエツチング速度の結晶面方位値°
脊柱を利用したエツチングを前記矩形溝７部から行なう
。すなわち、前述した従来の方法と同様表具方性エツチ
ング量を用いてエツチングを行ない、第３図（ｃ）に示
す断面形状のエツチング状態を経て。
脊柱を利用したエツチングを前記矩形溝７部から行なう
。すなわち、前述した従来の方法と同様表具方性エツチ
ング量を用いてエツチングを行ない、第３図（ｃ）に示
す断面形状のエツチング状態を経て。
第３図（由に示す断面形状の回折格子を完成させる。
この第２工程でのサイドエツチング量ｔｘｏとする。
また、回折格子の完成時にシリコン単結晶ウェハがエツ
チング液と直接接触している面はすべてＡ面でｓｂ、こ
のために回折格子の完成以後のエッチングマスク２下方
部分のエツチング速度が急激に遅くなる。
チング液と直接接触している面はすべてＡ面でｓｂ、こ
のために回折格子の完成以後のエッチングマスク２下方
部分のエツチング速度が急激に遅くなる。
次に、この発明の前述した実施例による光分波器用のシ
リコン回折格子の製造方法の作用について、′従来の方
法と比較して述べる。第４図は異方性エッチャントによ
るサイドエツチング量とエツチング時間の関係を示す一
第４図において、線８はこの発明の方法によるエツチン
グ特性、線９は従来の方法によるエツチング特性である
。Ａ面（線９）のサイドエツチング速度ｔ−Ｒとし、８
面（線８）のサイドエツチング速度をｍＲとする。
リコン回折格子の製造方法の作用について、′従来の方
法と比較して述べる。第４図は異方性エッチャントによ
るサイドエツチング量とエツチング時間の関係を示す一
第４図において、線８はこの発明の方法によるエツチン
グ特性、線９は従来の方法によるエツチング特性である
。Ａ面（線９）のサイドエツチング速度ｔ−Ｒとし、８
面（線８）のサイドエツチング速度をｍＲとする。
ｍはエツチング速度の結晶面方位依存性を示すものであ
り、通常ｍは１に比べてかなり大きい、従来の方法によ
るＲ９では、エツチング開始後、時刻ｔ′で８面のエツ
チングが終了し、Ａ面のエツチングに移夛、したがって
エツチング速度もＲになる。この時のサイドエツチング
量ｔ ｇｏとする。この勘は第３図（ｂ）に示す矩形溝
７の深さｈと幅とによって規定される大きさである。
り、通常ｍは１に比べてかなり大きい、従来の方法によ
るＲ９では、エツチング開始後、時刻ｔ′で８面のエツ
チングが終了し、Ａ面のエツチングに移夛、したがって
エツチング速度もＲになる。この時のサイドエツチング
量ｔ ｇｏとする。この勘は第３図（ｂ）に示す矩形溝
７の深さｈと幅とによって規定される大きさである。
ここで、シリコン回折格子の製造における再現性および
歩留りについて考えると、第２図に示し前述したように
、異方性エツチングの再現性、制御性は回折格子の製造
の再現性１歩留シ性能に大きく影響する。エツチング速
度は、異方性エッチャントに限られることなく、一般に
組成、温度、およびエツチング液の流れ具合などによシ
変化し、この傾向がシリコン単結晶の異方性エッチャン
トとしてＫＯＨ水溶液を用いた場合にも生ずる。何らか
の原因でエツチング速度が全体にαだけ増加した時のサ
イドエツチング量の時間変化を第４図の＠１０，１１に
示す。次に、サイドエツチング量について検討する。エ
ツチング条件の変化によってサイドエツチング量は下記
のとお曳変化する。
歩留りについて考えると、第２図に示し前述したように
、異方性エツチングの再現性、制御性は回折格子の製造
の再現性１歩留シ性能に大きく影響する。エツチング速
度は、異方性エッチャントに限られることなく、一般に
組成、温度、およびエツチング液の流れ具合などによシ
変化し、この傾向がシリコン単結晶の異方性エッチャン
トとしてＫＯＨ水溶液を用いた場合にも生ずる。何らか
の原因でエツチング速度が全体にαだけ増加した時のサ
イドエツチング量の時間変化を第４図の＠１０，１１に
示す。次に、サイドエツチング量について検討する。エ
ツチング条件の変化によってサイドエツチング量は下記
のとお曳変化する。
Ａ面のサイドエツチング速度は（１＋α）Ｒ８面のサイ
ドエツチング速度は（１＋α）ｍＲここでα（１とする
。
ドエツチング速度は（１＋α）ｍＲここでα（１とする
。
この状態で所定の時間ｔ′〜ｔ＃エツチングを行な−う
とオーバエツチングされる。第４図に示すように、それ
ぞれのオーバエツチング量をΔｘ′、ΔＸ“とすると、 従来の方法では単純な計算で Δｘ〃＝αＸ、 ・・・・・・ （２）となる０次
に線１０のこの発明による方法では、サイドエツチング
量がＸ、に達すると、エツチング速度が変化する。その
時の時刻をｔ′−Δｔ′とすれば、 ｘ、 ＝ （１＋α）ｍＲ（ｔ’−Δｔ’ ）α したがって、オーバエツチング量は ΔＸ′千（１＋α）ＲΔｔ’ ！蟲 となシ、前記（２１、（３）式からｊ ｘｌζ−・ΔＸ
＃となる、すなわち、この発明の方法では、オーバエツ
チング量が従来の方法の＃丘ぼ１に減少することがわか
る。
とオーバエツチングされる。第４図に示すように、それ
ぞれのオーバエツチング量をΔｘ′、ΔＸ“とすると、 従来の方法では単純な計算で Δｘ〃＝αＸ、 ・・・・・・ （２）となる０次
に線１０のこの発明による方法では、サイドエツチング
量がＸ、に達すると、エツチング速度が変化する。その
時の時刻をｔ′−Δｔ′とすれば、 ｘ、 ＝ （１＋α）ｍＲ（ｔ’−Δｔ’ ）α したがって、オーバエツチング量は ΔＸ′千（１＋α）ＲΔｔ’ ！蟲 となシ、前記（２１、（３）式からｊ ｘｌζ−・ΔＸ
＃となる、すなわち、この発明の方法では、オーバエツ
チング量が従来の方法の＃丘ぼ１に減少することがわか
る。
以上説明したように、この発明による光分波器用のシリ
コン回折格子の製造方法は、第１工程でシリコン単結晶
基板に矩形溝を形成した後、第２工程で面方位依存のエ
ツチングを前記矩形溝部から行ない、エツチングマスク
下方部分のサイドエツチング速度を速めることによ）、
エツチング時間が短くてすみ、微細ノ４ター／のエツチ
ングマスクを用いることが可能となシ、またエツチング
量の制御性にすぐれているので、分散角度の大きいシリ
コン回折格子の製造に好適するという効果がある。
コン回折格子の製造方法は、第１工程でシリコン単結晶
基板に矩形溝を形成した後、第２工程で面方位依存のエ
ツチングを前記矩形溝部から行ない、エツチングマスク
下方部分のサイドエツチング速度を速めることによ）、
エツチング時間が短くてすみ、微細ノ４ター／のエツチ
ングマスクを用いることが可能となシ、またエツチング
量の制御性にすぐれているので、分散角度の大きいシリ
コン回折格子の製造に好適するという効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は従来のシリコン回折格子の製造
方法を工程順に示す部分斜視断面図、第２図社シリコン
回新格子の欠陥例を示す部分斜視断面図。 第３図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の一実施例によるシリ
コン回折格子の製造方法を工程順に示す部分斜視断面図
、第４図はサイドエツチング量とエツチング時間の関係
を、従来の方法とこの発明による方法とを比較して示す
図である。 １・・・シリコン単結晶ウェハ（基板）、２・・・エツ
チングマスク、７・・・矩形溝。 第１図 第２図 手続補正書 昭和５７年５月２８日 特許庁長官 島田春稠殿 １１．事件の表示 昭和１ｓ６年 特 許 願第１８９０７６ ４２、Ｗ
ａ＠ｔ）名称 シリーノ回折格子ＯＨ造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２ｓＨ沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 （含
む）７、 補正の内容 ２） 明細書１頁３行「シリコン回折格子の製造方法」
′ｋ［シリコン回折格子の製造方法」と訂正する。 ３）明細書の「２、特許請求の範囲」を別紙の通り訂正
する。 ４） 明細−９１頁１４行、２頁１行、３行、６行。 下から３行、下から５行、３頁５行、１９行、４頁１７
行、５頁５行、１９行、末行、６頁１行、２行、１０行
、７頁１０行、１２行。 １４行、１８行、８頁１４行、１７行、１０頁末行、１
１頁８行、１１行、１３行、１５行「回折格子」を各々
「回折格子」と訂正する。 ５）同２頁８行ないし１０行「一般に、・・・・・・を
用いてＪｔ−ｒ一般に、回折格子の分散角１１扛入射波
長変化ｄλに対する回折内置の変化ｄ０との比で表わす
仁とができ、回折格子の格子間隔ｄｔ−用いて」と訂正
する。 ６） 同６頁１行「回折損失」ｔ「回折損失」と訂正す
る。 ２、特許請求の範囲 シリコン単結晶のエツチング速度の結晶面方位依存性を
利用した光分波器用のシリコン回折格子の製造方法にお
いて、第１工程でシリコン単結晶基板に所定深さと所定
幅をもつ矩形溝を形成した後、第２工程で面方位依存性
のエツチングを前記矩形溝部から行ない、エツチングマ
スク下方部分のサイドエツチング速度を速め°ること全
特徴とするシリコン回折格子の製造方法。
方法を工程順に示す部分斜視断面図、第２図社シリコン
回新格子の欠陥例を示す部分斜視断面図。 第３図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の一実施例によるシリ
コン回折格子の製造方法を工程順に示す部分斜視断面図
、第４図はサイドエツチング量とエツチング時間の関係
を、従来の方法とこの発明による方法とを比較して示す
図である。 １・・・シリコン単結晶ウェハ（基板）、２・・・エツ
チングマスク、７・・・矩形溝。 第１図 第２図 手続補正書 昭和５７年５月２８日 特許庁長官 島田春稠殿 １１．事件の表示 昭和１ｓ６年 特 許 願第１８９０７６ ４２、Ｗ
ａ＠ｔ）名称 シリーノ回折格子ＯＨ造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２ｓＨ沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 （含
む）７、 補正の内容 ２） 明細書１頁３行「シリコン回折格子の製造方法」
′ｋ［シリコン回折格子の製造方法」と訂正する。 ３）明細書の「２、特許請求の範囲」を別紙の通り訂正
する。 ４） 明細−９１頁１４行、２頁１行、３行、６行。 下から３行、下から５行、３頁５行、１９行、４頁１７
行、５頁５行、１９行、末行、６頁１行、２行、１０行
、７頁１０行、１２行。 １４行、１８行、８頁１４行、１７行、１０頁末行、１
１頁８行、１１行、１３行、１５行「回折格子」を各々
「回折格子」と訂正する。 ５）同２頁８行ないし１０行「一般に、・・・・・・を
用いてＪｔ−ｒ一般に、回折格子の分散角１１扛入射波
長変化ｄλに対する回折内置の変化ｄ０との比で表わす
仁とができ、回折格子の格子間隔ｄｔ−用いて」と訂正
する。 ６） 同６頁１行「回折損失」ｔ「回折損失」と訂正す
る。 ２、特許請求の範囲 シリコン単結晶のエツチング速度の結晶面方位依存性を
利用した光分波器用のシリコン回折格子の製造方法にお
いて、第１工程でシリコン単結晶基板に所定深さと所定
幅をもつ矩形溝を形成した後、第２工程で面方位依存性
のエツチングを前記矩形溝部から行ない、エツチングマ
スク下方部分のサイドエツチング速度を速め°ること全
特徴とするシリコン回折格子の製造方法。
Claims (1)
- シリコン単結晶のエツチング速度の結晶面方位依存性を
利用した光分波器用のシリコン回折格子の製造方法にお
いて、第１工程でシリコン単結晶基板に所定深さと所定
幅をもつ矩形溝を形成した後、第２工程で面方位依存性
のエツチングを前記矩形溝部から行ない、エツチングマ
スク下方部分のサイドエツチング速度を速めることを特
徴とするシリコン回折格子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18907681A JPS5891407A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | シリコン回折格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18907681A JPS5891407A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | シリコン回折格子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891407A true JPS5891407A (ja) | 1983-05-31 |
| JPS6314322B2 JPS6314322B2 (ja) | 1988-03-30 |
Family
ID=16234899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18907681A Granted JPS5891407A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | シリコン回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5891407A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6180822A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-24 | Nec Corp | ブレ−ズド回折格子の作成方法 |
| JPH0749403A (ja) * | 1993-04-12 | 1995-02-21 | Hughes Aircraft Co | マイクロ光学素子の製造方法 |
| US6517734B1 (en) * | 2000-07-13 | 2003-02-11 | Network Photonics, Inc. | Grating fabrication process using combined crystalline-dependent and crystalline-independent etching |
| JP2003075622A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-12 | Toshiba Corp | 回折格子、回折格子の加工方法及び光学要素 |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP18907681A patent/JPS5891407A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6180822A (ja) * | 1984-09-27 | 1986-04-24 | Nec Corp | ブレ−ズド回折格子の作成方法 |
| JPH0749403A (ja) * | 1993-04-12 | 1995-02-21 | Hughes Aircraft Co | マイクロ光学素子の製造方法 |
| US6517734B1 (en) * | 2000-07-13 | 2003-02-11 | Network Photonics, Inc. | Grating fabrication process using combined crystalline-dependent and crystalline-independent etching |
| JP2003075622A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-12 | Toshiba Corp | 回折格子、回折格子の加工方法及び光学要素 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6314322B2 (ja) | 1988-03-30 |
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