JPS5891412A - 合焦検出装置 - Google Patents

合焦検出装置

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JPS5891412A
JPS5891412A JP18924481A JP18924481A JPS5891412A JP S5891412 A JPS5891412 A JP S5891412A JP 18924481 A JP18924481 A JP 18924481A JP 18924481 A JP18924481 A JP 18924481A JP S5891412 A JPS5891412 A JP S5891412A
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JP
Japan
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element array
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mirror
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Application number
JP18924481A
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English (en)
Inventor
Masahiro Aoki
雅弘 青木
Masatoshi Ida
井田 正利
Kenichi Oikami
大井上 建一
Asao Hayashi
林 朝男
Junichi Nakamura
淳一 中村
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Corp
Olympus Optical Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/28Systems for automatic generation of focusing signals
    • G02B7/36Systems for automatic generation of focusing signals using image sharpness techniques, e.g. image processing techniques for generating autofocus signals
    • G02B7/38Systems for automatic generation of focusing signals using image sharpness techniques, e.g. image processing techniques for generating autofocus signals measured at different points on the optical axis, e.g. focussing on two or more planes and comparing image data

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Focusing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はスチールカメラ、シネカメラ、顕微鏡寥真撮影
装置等における合焦検出装置に関するものである。
例えば、−眼レフカメラの合焦検出方法として像のボケ
像を算出する評価関数を用いたいわゆるボケ像検出方法
が従来多数提案されている。その−例を第7図および第
2図を参照して説明する。
第7図において、撮影レンズ/からの光束は中央部が半
透−で構成されたはね上げ虐う−コで2分割され一方は
ファインダー系へ、他方ははね上げミラー−の裏面に設
けた全反射ミラー3およびビームスプリツ°タダを経て
更にコ分割されて00D。
PD五等より成るコ個の受光素子列!および6にそれぞ
れ導びかれる。受光素子列!およびtはフィルム面と共
役な面の前後等しい位置に光軸方向に所定の光路差を有
するように配置され、撮影レンズ/とのデフォーカス量
に対応したボケ像がこれら受光素子列上に形成される。
受光素子列Sおよびぶの光電変換出力はム/D変換回路
7でム/D変換され、CPU Iで所定の評価関数に基
いて演算処理され、得られた評価関数に基いて前ビン、
合焦、後ピンの各状態が判定される。評価関数としては
、受光素子列の11I目の素子の出力のA/D変換錬を
Xiとすると、例えばIxi −Xi−0lの最大I’
 Ml (−1xi−−xi−01max )とその次
に大きな値M2(−1xi−xl−0lsubmax 
)との和等が使用される。
第2図は受光素子列3都よびぶの出力をS ”’ lX
l−Xl−ユ1max +1xt−Xl、、、x ls
ubmaxの評価関数に基いて演算して得られるそれぞ
れの評価値SAおよびSBとレンズ位置との関係を示し
、SAは受光素子列jに対応し、SBは受光素子列6に
対b6する。受光素子列!および乙のそれぞれの評価値
SAおよびS8は、各受光素子列上にピントが合ったと
きにそれぞれ最古となり、フィルムHにピントが合った
ときは両受光素子列の評価値が等しくなる、したがって
、撮影レンズlの任意の位置でそれぞれの評価値SA、
 SBを求め、これらを比較することにより、SA>S
Bのときは紡ピン状態・5A−SBのときは合焦状M 
、SA < SBのときは恢ピン状態と判定することが
でき、この判定結果に基いて手動的にまたは自動的に合
焦制御することができる。
上述した従来の合焦検出方法は、合焦精度が高いこと、
光学系の構成が簡単、であること、レンズ交換が容易な
こと等の長所を有するが、以下に説明するような重大な
欠点がある。
例えば、第3図aに示すように白い壁等の比較的明るい
バック/lの前に立っている人物/2の顔/3に焦点を
合わせる場合、受光素子列!および乙の視野(長さ)を
lとすると、この視野lを含む直、線りに対応する受光
素子列の受光面を含む面上の直11L’の光強度分布は
fgJflllbに示すようになる。
すなわち、l)合焦状態では曲線Iで示すように受光素
子列上には人物/λの顔13に対応した光強度分布が現
われ、2)少しボケだ状態では曲線■で示すように受光
素子列上の光強度分布は極めて変化が少なくなり、3)
更にボケだ状態では曲線厘で示すように人物12の顔/
3に対応する光強度分布は殆んど消滅すると共に合焦状
態では受光素子列の範囲外にあった背彰が大きくボケだ
ことによって受光素子列の両端部にその影響が現われる
。第3図Cにこれらl) 、 2)および3)の各状態
の光強度分布と受光素子列の各受光素子(i+・・・1
m、・・・。
n、・・・、N)とを対応して示す。
ここで、評価関数として例えば、上記のS −1x4−
 Xi−Xl−1l +txl −xl−11subm
ax ヲ用いると、上記l)および2)においては、M
、−1xi−Xl−Xl−0l −lxm −X、、1
M2−1xl −Xl−0l submax−IXn−
xn−□1となり、Ml + ”Qを与える受光素子の
位置が等しいが、3)の場合にはm、nから大きく離れ
るため背影の彫りの度合を評価することになる。
このような場合、撮影レンズノの移動によって受光素子
列Sおよびt゛にそれぞれ形成される像の評価値sA、
 SBは第4図に示すように変化し、本来の合焦位11
1fの他にftおよびf′の位置でも5A−8Bになる
と共に、fとf’およびfとf′との区別ができないた
め、これらf’およびf′でも合焦と判定されてしまう
以上述べたように、従来の合焦検出方法では像の鮮明度
を表わす評価値が、本来受光素子列上にある被¥体像の
光強度分布の変化を評価しているのか、周辺の被写体の
ボケ像が受光素子列に及ぼしている影響を評価している
のかの区別することができないために誤った合焦判断を
してしまうことがしばしばある。
本発明の目的は上述した欠点を除去し、常に適正な合焦
検出が!きるよう適切に構成した合焦検出装置を提供し
ようとするものである。
本発明の合焦検出装置は、光学系の予定焦平面・と光学
的に共役な面またはその近傍に配置され、前記光学系に
より形成される物体像の少く共一部を受光する第7の受
光素子列と、この第7の受光素子列に入射する光束の開
口とは異なる開口の光束を受けるように配置され、前記
第1の受光素子列上に投影される像とは鵞同−の像を常
には!合焦状態で受光する第コの受光素子列とを具え、
これら第1および第コの受光素子列の対応する受光素子
の出力の差に基いて前記光学系により前記予定焦平面に
形成される物体像の合焦状態を検出し得るよう構成した
ことを特徴とするものである。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第3図は本発明の合焦検出装置の光学系の一例の構成を
示す線図である。本例では撮影レンズ1からの光束を中
央部をハーフミラ−で構成したはね上げミラーnで反射
させて、ファインダー系に導くと共に、ハーフミラーを
透過した光束をはね  □上げよラーUの裏面に設けた
近軸光束を透過させるように部分的にマスクを施した半
透鏡nによって反射させて第1図と同様にビームスプリ
ッタJを経てフィルム面等の予定焦平面と光学的に共役
な面の前#:等しい位置に光軸方向に所定の光路差をも
って配置したそれぞれ同様の大きさおよび素子数Nより
成る2個の受光素子列Bおよびbに導いてこれら受光素
子列上に撮影レンズ1とのデフォーカス社に対応したボ
ケ像を形成する。また、半透鏡nを透過した近軸光束は
、写真撮影時等においてはね上げミラーUと同期し・て
撮影光路外に退却する全反射ミラー1を経て予定焦平面
と共役な面に配置した前記受光素子列Bおよびスと同様
の大きさおよび素子数Nを有する受光素子列コに入射さ
せて、該受光素子列I上に前記受光素子列Bおよびス上
に形成される像とけば同一の像を常にほぼ合焦状態で結
像させる。
半15M23は、例えば第6図aおよびbに断面図およ
び側面図をそれぞれ示すように、ガラス基板13−/の
一方の面(撮影レンズ〃に面する側)に午透膜2J−j
を被着し、他方の面(フィルム面側)には光軸を含むよ
うに微小な開口2?−3を形成したマスクn−ダを被着
して近軸光寥のみが透過す・るよう構成することもでき
るし、また第7図に断面図を示すようにガラス基板23
−/の一方の而(撮影レンズ〃に面する側)に光軸を含
むように微小な開口2?−3を形成した全反射膜n−j
を被着して近軸光束のみが透過するよう構成することも
できる。
第3図において、被写体がts3図aに示したものであ
るとき、受光素子列Bおよびb上での1)合焦状態、2
)少しボケだ状態、3)更にボケた状態の各状態のとき
の光強度分布は第を図已にそれぞれl) l 2) I
 3)で示すようになる、〔第3図Cの1) 、 2)
 l 3)と同じ)が、受光素子列I上での各状態の光
強度分布は、マスクn−ダあるいは全反射膜刀−!によ
り受光素子列コに関する光学系のFナンバーが受光素子
列B、uのそれに比べて非常に大きくなり同じデフォー
カス位置での像のボケかたが小さくなるから、第を図す
にそれぞれl)。
2) I 3)で示すようにあまり変化しない。
こ−で、受光素子列dの光電変換出力をX。2、受光素
子列Bの光電変換出力をX  受光素子列1− ムの光電変換出力をI21とし、評価関数として受光素
子列Bおよびスと受光素子列dとのそれぞれ対応する素
子の出力の差を用いる、 ■ たりし Aよ、A2:係数 により、各レンズ位置における評価ViS/0.SI2
を求めると、第9図に示すようにSlおよびS12は受
光素子列BおよびB上にそれぞれピントが合ったときに
最小となり、合焦位置が受光素子列Bおよびムの位置か
らずれるに従って飽和し、両者かは!等°シくなる。す
なわち、受光素子列Bにピントがあり合焦状態では、受
光素子列Bおよびdの光強度分布は第1θ図に1)で示
すように等しくなってSlよけ零となり、少しボtた状
態では受光素子列Bの光強度分布かは!平坦となるため
、Sl工は第10図の2)に縦線で示す面積に比例した
値にな・す、また更にボケだ状態では受光素子列Bの光
強度分布が背影の影響により一定のコントラストをもつ
ものとなるが、第10図の3)に示すように受光素子列
Iの光強度分布との差はやはり歴然としている。
第9図には受光素子列Bおよびスの出力を従来の評価関
数 S −IXi ”−Xl−、l m&X + lX1X
1− 、l submaxにより求めた評価値SA、 
SBをも示すが(第1図と同じ)、これら評価1i1 
SA 、 SBと、上記評価関数 8馳−A2.Σ1xoi −I211 −1 に−より求めた評価faS/1.SI2とを比較すると
、Sll。
S12には3)の更にボケだ状態においてSA、SBの
ような背影のボケによるサブピークが殆んど認め   
 □られない。これは、SA、 SBが受光素子列、Z
S、Xlの光強度分布のコントラストを表わすのに一対
し、Sl工、SI2は受光素子列25.u上の光強度分
布と合焦時における光強度分布の相違を表わしているこ
との違いによるものである。すなわち、背影の影響等に
よりボケだ状態で受光素子列2J、M上の光強度分布に
フントラストが生じても、非ボケ像(受光素子列d上の
光強度分布)との相違が歴然と表われるから、評価値S
/1lSI2は普通のボケ状のぞくことができるから、
撮影レンズコ/の任意の位置で評価11i Sy、 、
 Sl、、を求め、SA工〉S12のときは前ビン状株
、S/l+S/2のときは合焦状態、Sll<S/2の
ときは仮ビン状態と判定することにより常に適正な合焦
検出を行なうことができる。
しかしながら、上記の評価関数311. El/、は受
光素子列Bあるいはス上に投影された像のボケ状態が全
く同じであっても異なった評価値を与えることがあると
共に、ボケ量が更に大きくなると第7図に示すように飽
和して評価値との差が認識できなくなり、誤って合焦と
判定する場合がある。
第1/ tgJ’ aおよびbは受光素子列Bの出力x
11と受光素子列Iの出力X。1とに異なった直流成分
が含まれている場合の出力分布を示すものである。
このλつの状態はボケ状態としては全く同一であにより
それぞれ評価値Sl工を求めると、第11図aの場合と
同図すの場合とでは異なったものとなる。
このような不都合をなくすため、本発明の好適実施例に
おいては受:、光素子列25.xの出力の平均値Y  
、Yおよび受光素子列コの出力の平均値Y。
    2 を求め、評価関数として を用いて評価tMSよ、S2を求める。このようにすれ
ば、受光素子列d61Ilにおいては@l/図0に縦線
で示す値を求めることになり、また受光素子列Bあるい
はム側においては第1/図dに縦線で示す値を求めるこ
とになるから、直流成分をキャンセルすることができ、
したがってボケ状態が同じのときは同じ評価値を得るこ
とかで〜きる。
また、ボケ層が大きいときの誤った合焦判定を防止する
ため、受光素子列dの出力を用いて評価だヌし、Bは係
数 を演算し、上述した評価1s工、S、のいずれか一方が
評価*S3−よりも小さいときにのみ合焦検出を行なう
ようにする。こ−で、評価値S3は被写体のコントラス
トに比例し、また評価関数Sよ。
に係数Bを適当に設定すれば、被写体のコントラストが
小さいときは第12図aに示すように評価値S□、 S
2. s3は共に小さく、フントラストが大きいときは
第72図すに示すように共に大きくなる。
したがって、評価viSよ、S2のいずれか一方が評価
ViS3よりも小さくなる範囲においてのみ合焦検出を
行なうようにすれば、ボケ量が大きいときの映った合焦
判定を有効に防止することが!き、常により適正な合焦
検出を行なうことができる。
なお、上記係数Aよ、A2は受光素子列a、Xの特性が
等しいときは同じにすることができる。
第13図は本発明の合焦検出装置の一例の構成を示すプ
ルツク図である。受光素子列25.24およびd上には
第3図に示した光学系によりほぼ同一の像が形成される
。本例では中央処理装置3/により露光時間制御回路3
2を介して受光素子列Bおよびスの露光を開始し、任意
の1個または複数個の受光素子の出力が所定の値に達し
た時点で各受光素子列の各々の出力を同時にサンプリン
グしてホールド回路33および31にそれぞれ保持する
と共に、露光時間制御回路3jを介して受光素子列3の
露光を開始し、同様にその任意の!−または複数個の受
光素子の出力が所定の値に達した時点で該受光素子列x
の各々の出力を同時にサンプリングしてホールド回路3
6に保持する。第S図から明らかなように、受光素子列
B、スに関する光学系と受光素子列dに関する光学系と
のFナンバーは異なるが、このように受光素子列B、2
Aと受光素子列コとの嵐光時間を独立に制御すれば、撮
影レンズUのFナンバーが変化して受光素子列B、Mと
受光素子列lとに入射する光の光量比が変化しても露光
蓋を常に一定にすることができる。
ホールド回路n 、 74+および36にそれぞれ保持
した各受光素子列の出力はム/D変換回路Iにより順次
ム/D変換して演算回路31に供給する。
値S S およびS を求めると共に、S工およびl−
23 S とS とをそれぞれ比較し、S工、S2のいずれ 
   3 か1つがS よりも小さいときはS工と82との大小比
較を行なってその結果を中央処理装置31に供給し、S
工、S2が共にS、よりも大きいときは合焦検出不能を
表わす情報を中央処理装置31に供給する。
中央処理装置31は演算回路31からのS工およびS2
の比較結果に従って、S工〉S、なら前ピン状態、Sニ
ー82或いはISニーS、1が所定の値以下なら合焦状
態、S工〈S2なら後ピン状態と判定し、これら各状態
を図示しない表示装置により表示して手動により撮影レ
ンズIを合焦位置に調整し得るようにするか、上記判定
結果に基いてレンズ駆動回路nを介してレンズ駆動装置
Vにより自動的に合焦調整を行なう。また、演算回路3
1から合焦検出不能を表わす情報が供給されたときは、
これを表示装置に表示する。
なお本発明は上述した例にのみ限定されるものではなく
、競歩の変形または変更が可能である。
例えば上述した例では撮影レン:X2/を通してすなわ
ちTTL方式により受光素子列コ上に常にほぼ合焦状態
の像を結像させるようにしたが、撮影レンズ〃以外のレ
ンズあるいはピンホールを介して受光素子列B、M上に
投影される像とほぼ同一の像を常にほぼ合焦状態で受光
素子列d上に結像させるようにしてもよい。また、上述
した例では受光素子列n3yイルム面と共役な面に配置
したが、近軸光束を入射できる位置でxb%受光素子列
Bス上に投影されている像とほぼ同一像を常にほぼ合焦
状線で受光できる位置であれば任意の位置に配置できる
。したがって、ファインダー系に導びかれる光束をピン
ホールを介して受光素子列d上に入射させるようにする
こともできる。更に、上述した例ではフィルム面と共役
な面の5前後にコ個の受光素子列す、力を配置したがフ
ィルム面に形成される像の一部を受光するようにフィル
ム面と共役な位置に7個の受光素子列を配置し、この受
光素子列と常には!合焦状態の像を受光する受光素子列
Iとの対応する素子の出力の差に基いて合焦検出を行な
うこともできる。更にまた、上述した例では各受光素子
列25.M、21の出力に含まれる直流成分を除去する
ため、各受光素子列の出力の平均値を用いたが、これは
各受光素子列の最大線または最小値あるいは各受光素子
列の対応する任、橡の1つの素子の出力を用いることも
できる。
以上述べたように、本発明によればボケ像方式(よる焦
点検出において、受光素子列の視野外の被ギ体が焦点は
ずれ状態において受光素子列に影響を及ぼしても、この
影響が像の鮮明度を表わす評価値に現われないから、常
に適正な合焦検出を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
@1図および第2図は従来の合焦検出装置を説明するた
めの線図、#I3図a、b、・0および嬉1図は従来の
合焦検出装置の欠点を説明するための線図、第3図は本
発明の合焦検出装置の光学系の一例の構成を示す線図、
第4図aおよびbは第3図に示す牛透鏡の一例の構成な
示す断面図および側面図、#!7図は同じく他の例の構
成を示す断面図、第j図aおよびbは第3図に示す受光
素子列上に形成される像の光強度分布を示す#j1図、
第9図および第1σ図は本発明の一実施例を説明するた
めの1図、第1/ 1111 a 〜(iおよびfMt
x図’z’)は本発明の他の実施例を説明するための線
図、第13図ハ本発明の*を嶌鳩ZX合焦検出装置の一
例の構成を示すプロヅク図である。 J・・・撮影レンズ、と・・・はね上げミラー、n・・
・半透鋭、23−/・・・ガラス基板、n−2・・・手
透膜、n−3・・・開口、27−1・・・マスク、23
−1・・・全反射膜、21・・・ビームスプリッタ、n
、h、x・・・受光素子列、l・・・全反射ミラー、J
/・・・中央処理装置、32 、 jj・・・−光時間
制御回路、33 、 JF 、 34・・・ホールド回
路、n・・・ム/D変侠回路、3K・・・演算回路、n
・・・レンズ駆動回路、Q・・・レンズ駆動装置。 第1図 ′l 第2図 t、    1ンスパ信置 合 <b> (Cン 第4図 第6図 第8図 a     b 第9図 第10図 / −−−−i −−−−N 第11図 ab 第12図 ab 第13図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 光学系の予定焦平面と光学的に共役な面またはそ
    の近傍に配置され、前記光学系により形成される物体像
    の少く共一部を受光する第1の受光素子列と、この第1
    の受光素子列に入射する光束の開口とは異なる開口の光
    束を受けるように配置され、前記第7の受光素子列上に
    投影される像とは!同一の像を常には!合焦状態で受光
    する第2の受光素子列とを具え、これら第7および第2
    の受光素子列の対応する受光素子の出力の差に基いて前
    記光学系により前記予定焦平面に形成される物体像の合
    焦状線を検出し得るよう構成したことを特徴とする合焦
    検出装置。 2 前記第1の受光素子列を、前記予定焦平面と光学的
    に共役な面のトJ後にそれぞれ配置した一個の受光素子
    列をもって構成したことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の合焦検出装置。 & 前記第1の受光素子列を構成する2個の受光素子列
    の各素子の出力をそれぞれX工1およX21とし、前記
    Sコの受光素子列の素子の出力をX。1とするとき、 た!し、 五〇、A2:係数 N:各受光素子列の素子数 Xo 、 Xx * X21基準値 の評価関数を演算する手段を設け、その評価値S工およ
    びS2の比較に基いて合焦状態を検出するよう構成した
    ことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の合焦検出
    装置。 本 前記第一の受光素子列の出力から、53−BΣ1X
    oi−”of −1 たソし B:係数 の評価関数を演算する手段を設け、その評価viS3よ
    りも前記評価111 SよおよびS2のいずれか一方が
    小さいときのみ該評価viSよおよびS2の比較に基い
    て合焦状態を検出するよう構成上たことを特徴とする特
    許請求の範囲第3項記載の合焦検出装置。
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