JPS5891449A - 光学マスク - Google Patents
光学マスクInfo
- Publication number
- JPS5891449A JPS5891449A JP56190291A JP19029181A JPS5891449A JP S5891449 A JPS5891449 A JP S5891449A JP 56190291 A JP56190291 A JP 56190291A JP 19029181 A JP19029181 A JP 19029181A JP S5891449 A JPS5891449 A JP S5891449A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- lens
- pattern
- light
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 15
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、透過式無光装置で使用する光学マスクの構造
に関する。
に関する。
レンズを使用した。透過式無光装置の基本構成を第１図
に示す。第１図は、従来の光学マスク１゜レンズ２．光
学マスクが転写される物体３となる。
に示す。第１図は、従来の光学マスク１゜レンズ２．光
学マスクが転写される物体３となる。
光学マスクは、レンズ側にパターンが描かれていレバ、
レンズは３の表面にマスクパターンの焦点が合う様に位
置する。すると、光学マスクのパターン面に付着してい
る汚れ４は、パターンの転写と同じ様に、レンズの解像
がより大きな寸法のものであれば、３０表面に転写され
、欠陥５となる。
レンズは３の表面にマスクパターンの焦点が合う様に位
置する。すると、光学マスクのパターン面に付着してい
る汚れ４は、パターンの転写と同じ様に、レンズの解像
がより大きな寸法のものであれば、３０表面に転写され
、欠陥５となる。
それに対し、マスク裏面にある汚れ６は、３０表面に焦
点が合っていないため、大きさがレンズの解像力以上で
も、転写されにくい。
点が合っていないため、大きさがレンズの解像力以上で
も、転写されにくい。
以上のように１従来のマスクは、パターン面が露出して
いたので、汚れに対する許容度が低く、欠陥を発生しや
すい欠点があった。
いたので、汚れに対する許容度が低く、欠陥を発生しや
すい欠点があった。
本発明社、光透過性の物質を用いて、マスク上のパター
ン面を被うことにより、マスクの汚れ゛に対する許容度
を広げて、転写パターンの欠陥を減少させる構造を持っ
たマスクを提供するものである。
ン面を被うことにより、マスクの汚れ゛に対する許容度
を広げて、転写パターンの欠陥を減少させる構造を持っ
たマスクを提供するものである。
すなわち、本発明の特徴はパターン面を光透過性である
物質で被ったことを特徴とする光学マスクである。
物質で被ったことを特徴とする光学マスクである。
レンズを用いた透過式無光装置のマスク面上にある汚れ
は、転写さｎた時欠陥となってしまう。
は、転写さｎた時欠陥となってしまう。
そζで、マスク面上のパターンを光透過性の物質で被い
マスク上のパターン面上に汚れが付着しない様にする。
マスク上のパターン面上に汚れが付着しない様にする。
この様にすると、後に付着する汚れは、レンズの焦点面
から離れ死所に付着するため。
から離れ死所に付着するため。
汚れに対するマスクの許容度が広がる。
レンズを用いた透過式露光装置は、焦点を合わせたマス
クのパターン面上から離れた距離にある木のは、焦点が
ずれるため、転写されにくい。そζで、マスクのパター
ンにカバーを付け、汚れが常にパターン面より離れた所
にしか付着しない様にし、マスクの汚れに対する許容度
を広げる。
クのパターン面上から離れた距離にある木のは、焦点が
ずれるため、転写されにくい。そζで、マスクのパター
ンにカバーを付け、汚れが常にパターン面より離れた所
にしか付着しない様にし、マスクの汚れに対する許容度
を広げる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第２図を参照すると、本発明の第一の実施例は、従来の
マスク７と、マスクのパターン面を被う光透過性の物質
８とを含む。第３図は、第２図のマスク７のパターン面
に光透過性の物質８を装着した図である。接着後、レチ
クルのパターン面は、外部より保護され、汚れはパター
ン面より離れたマスク７の下面及び光透過性の物質８の
上面のみに付着する。その結果、レンズを用いた透過式
露光装置の焦点を合わせるパターン面から、汚れの付着
する面が離れているため、汚れに焦点が合わず、汚れに
対するマスク許容度が増加する。
マスク７と、マスクのパターン面を被う光透過性の物質
８とを含む。第３図は、第２図のマスク７のパターン面
に光透過性の物質８を装着した図である。接着後、レチ
クルのパターン面は、外部より保護され、汚れはパター
ン面より離れたマスク７の下面及び光透過性の物質８の
上面のみに付着する。その結果、レンズを用いた透過式
露光装置の焦点を合わせるパターン面から、汚れの付着
する面が離れているため、汚れに焦点が合わず、汚れに
対するマスク許容度が増加する。
第４図は、第３図の断面で、従来のマスク７と装着した
物質８０間を拡大して示した。斜線部はマスクのパター
ンの断面である。７及び８０関にはすき間が存在し、矢
印で表わした光のようにすき閣内で反射、干渉などを起
こし、ノζターンコントラストの低下及び、照度むらを
引き起こす。この問題に対しては、７及び８のすき間に
７及び８の物質の屈折率と同じ物を接着剤及び、封入剤
として使用し、充填子ると光の反射、干渉がなくなる。
物質８０間を拡大して示した。斜線部はマスクのパター
ンの断面である。７及び８０関にはすき間が存在し、矢
印で表わした光のようにすき閣内で反射、干渉などを起
こし、ノζターンコントラストの低下及び、照度むらを
引き起こす。この問題に対しては、７及び８のすき間に
７及び８の物質の屈折率と同じ物を接着剤及び、封入剤
として使用し、充填子ると光の反射、干渉がなくなる。
第５図及び、第６図は、光透過性の物質８の形状を変え
た第２の実施例である。第５図が斜視図、第６図が断面
図である。接着後、内部に中空部９ができる。この中空
部に前述と同じ様に屈折率の勢しい液体などを封入して
も良い。中空構造とすることＫより、光学的に平面性が
高い資材を製作限界以上の厚さで得たことと同様であり
、８の汚れ面をマスクのパターン面からさらに離すこと
ができ、マスクの汚れに対する許容度が第一の実施例よ
りさらに広がる。
た第２の実施例である。第５図が斜視図、第６図が断面
図である。接着後、内部に中空部９ができる。この中空
部に前述と同じ様に屈折率の勢しい液体などを封入して
も良い。中空構造とすることＫより、光学的に平面性が
高い資材を製作限界以上の厚さで得たことと同様であり
、８の汚れ面をマスクのパターン面からさらに離すこと
ができ、マスクの汚れに対する許容度が第一の実施例よ
りさらに広がる。
第７図は、透過式露装置Ｋ本発明のマスクを装着し走時
の断面である。マスクは、装置についているマスクのホ
ルダーｌＯの上に装着してあり、１１Ｆｉレンズである
。レンズよりマスクホルダー上面までの距離Ａは装置に
固定であり一定であるが、レンズからマスクのパターン
面までの距離Ｂは、光透過性の物質８の厚さ誤差によっ
て、各マスクごとに変化する。するとマスクを交換する
たびに焦点を調整しなけれはならない。そこで第３の実
施例として第８図の斜視図及び第９図の断面図に示す様
に、光透過性の物質８あるいは７０寸法を小さくシ、周
囲たけパターン面を出す。この時８の形状は、第２の実
施例の様な中空構造としても良い。この様に８あるいね
７の寸法を小さくしたマスクを、装置に装着した時の断
面が第１０図である。パターン面となる７と８の境界部
が。
の断面である。マスクは、装置についているマスクのホ
ルダーｌＯの上に装着してあり、１１Ｆｉレンズである
。レンズよりマスクホルダー上面までの距離Ａは装置に
固定であり一定であるが、レンズからマスクのパターン
面までの距離Ｂは、光透過性の物質８の厚さ誤差によっ
て、各マスクごとに変化する。するとマスクを交換する
たびに焦点を調整しなけれはならない。そこで第３の実
施例として第８図の斜視図及び第９図の断面図に示す様
に、光透過性の物質８あるいは７０寸法を小さくシ、周
囲たけパターン面を出す。この時８の形状は、第２の実
施例の様な中空構造としても良い。この様に８あるいね
７の寸法を小さくしたマスクを、装置に装着した時の断
面が第１０図である。パターン面となる７と８の境界部
が。
装置のマスクホルダー１０の上に直接くるため、パター
ン面とレンズとの距離が、８０廖さによって変動されな
いため、マスクを交換しても、焦点はずれＫ＜くなる。
ン面とレンズとの距離が、８０廖さによって変動されな
いため、マスクを交換しても、焦点はずれＫ＜くなる。
そして汚れに対する許容度は、第１案及び第２案と変わ
らないものが得られる。
らないものが得られる。
本発明は以上説明したように、マスクのパターン面を光
透過性である資材で被うことにより、マスクの汚れに対
する許容度を広ける効果がある。
透過性である資材で被うことにより、マスクの汚れに対
する許容度を広ける効果がある。
第１図はレンズを用いた透過式露光装置の構成を示した
構成図、第２図は本発明の第１実施例を構成部分に分け
て示し九斜視図、第３図は第２図で示した構成部分を組
み立てた所を示す斜視図、第４図は第３図の構成部分間
のすき間を拡大して示した断面図、第５図は本発明の第
２実施例を示した斜視図、第６図は第５図で示した実施
例の断面図、第７図はレンズを用いた透過式露光装置に
おいて、本発明第１実施例のレチクルを使用した時のマ
スクとレンズの相対位ｍｐＡ係を示した構成図、第８図
は本発明第３実施例を示した斜視図、第９図は第８図で
示し九夾施例の断面図、第１０図はレンズを用いた透過
式露光装置にお−いて、本発明第３夾施例のマスクを使
用した時のマスクとレンズの相対位置関係を示した構成
図である。 ｌ・・・・・・従来ｏ マスク％２・・・・・・レンズ
、３・・・・・・マスクのパターンが転写される物体、
４・・・・・・従来のマスクパターン面上にある汚れ、
５・・・・・・４０転写像、６−°−従来のレチクルの
裏面にある汚れ、７・・・・・・従来のマスク、８・・
・・・・光透過性の物質、９・・・・・・従来のマスク
と光透過性の物質が形づくる中空部、ｌＯ・・・・・・
透過式露光装置のマスクホルダー、Ａ・・・・・・レン
ズとマスクホルダー面上までの距離、Ｂ・・・・・・レ
ンズとマスクパターン面までの距離である。 第１図 第３図 始４図 第６図 ７１ 第７図 第９図 第１０図
構成図、第２図は本発明の第１実施例を構成部分に分け
て示し九斜視図、第３図は第２図で示した構成部分を組
み立てた所を示す斜視図、第４図は第３図の構成部分間
のすき間を拡大して示した断面図、第５図は本発明の第
２実施例を示した斜視図、第６図は第５図で示した実施
例の断面図、第７図はレンズを用いた透過式露光装置に
おいて、本発明第１実施例のレチクルを使用した時のマ
スクとレンズの相対位ｍｐＡ係を示した構成図、第８図
は本発明第３実施例を示した斜視図、第９図は第８図で
示し九夾施例の断面図、第１０図はレンズを用いた透過
式露光装置にお−いて、本発明第３夾施例のマスクを使
用した時のマスクとレンズの相対位置関係を示した構成
図である。 ｌ・・・・・・従来ｏ マスク％２・・・・・・レンズ
、３・・・・・・マスクのパターンが転写される物体、
４・・・・・・従来のマスクパターン面上にある汚れ、
５・・・・・・４０転写像、６−°−従来のレチクルの
裏面にある汚れ、７・・・・・・従来のマスク、８・・
・・・・光透過性の物質、９・・・・・・従来のマスク
と光透過性の物質が形づくる中空部、ｌＯ・・・・・・
透過式露光装置のマスクホルダー、Ａ・・・・・・レン
ズとマスクホルダー面上までの距離、Ｂ・・・・・・レ
ンズとマスクパターン面までの距離である。 第１図 第３図 始４図 第６図 ７１ 第７図 第９図 第１０図
Claims (1)
- パターン面を光透過性である物質で被ったことを特徴と
する光学マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190291A JPS5891449A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 光学マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190291A JPS5891449A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 光学マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5891449A true JPS5891449A (ja) | 1983-05-31 |
Family
ID=16255720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56190291A Pending JPS5891449A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 光学マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5891449A (ja) |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56190291A patent/JPS5891449A/ja active Pending
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