JPS5893187A - 高周波加熱装置 - Google Patents
高周波加熱装置Info
- Publication number
- JPS5893187A JPS5893187A JP56190013A JP19001381A JPS5893187A JP S5893187 A JPS5893187 A JP S5893187A JP 56190013 A JP56190013 A JP 56190013A JP 19001381 A JP19001381 A JP 19001381A JP S5893187 A JPS5893187 A JP S5893187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- box
- power supply
- transformer
- heating device
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＨＦ帯（３ＭＨｚ 〜３０ＭＨｚ’ ） ノミ
波を利用する高周波加熱装置に関するものである。
波を利用する高周波加熱装置に関するものである。
従来よりこの種の高周波加熱装置においては、真空管を
用いた発振器による電波を利用しており、真空管の大電
圧、小電流駆動の特性から真空管への印加電圧をトラン
スで昇圧することにより得ていた。従って商用周波帯で
あるためにトランスが大型化することが問題であった。
用いた発振器による電波を利用しており、真空管の大電
圧、小電流駆動の特性から真空管への印加電圧をトラン
スで昇圧することにより得ていた。従って商用周波帯で
あるためにトランスが大型化することが問題であった。
本発明は上記従来の問題を解消するもので発振器として
トランジスタを用いることにより、トランジスタの比較
的低電圧、大電流動作の特性から、商用電源を整流平滑
することでトランスを介さずにトランジスタに印加する
ことを可能とすることを目的とする。
トランジスタを用いることにより、トランジスタの比較
的低電圧、大電流動作の特性から、商用電源を整流平滑
することでトランスを介さずにトランジスタに印加する
ことを可能とすることを目的とする。
さらに他の目的の一つとして、従来の高周波発振器の問
題の一つである電波の不要輻射を低減する。
題の一つである電波の不要輻射を低減する。
本発明は上記目的を達成するために商用電源電圧の２倍
以上の耐圧を有するトランジスタを用いることで入力側
のトランスを不要とし、さらに発振ユニットと加熱室と
をそれぞれ別の箱体に納めかつ前記それぞれの箱体を１
つの別の箱体に納めて加熱室と、後者の箱体を直流的に
同電位とし、接地する構成とすることで電波の不要輻射
に対策をとるものである。
以上の耐圧を有するトランジスタを用いることで入力側
のトランスを不要とし、さらに発振ユニットと加熱室と
をそれぞれ別の箱体に納めかつ前記それぞれの箱体を１
つの別の箱体に納めて加熱室と、後者の箱体を直流的に
同電位とし、接地する構成とすることで電波の不要輻射
に対策をとるものである。
以下本発明の一実施例に２いて図面に基き説明する。
図において、ラインフィルタ部１．ダイオード２．３，
４，５．コーンデンサ６，７とで電源部を構成する。電
波発生はトランジスタ８．コンデンサ９，１０，１１．
１次インダクタンス１２と２次インダクタンス１３から
なる結合係数 の特性をもつトランス１４とにより構成
される従来周知のクラップ型発振回路で実施する。１５
．１６はチョーク。コイルを示す。ま廠箱体Ａ１７に固
着した貫通コンデンサ１８．１９を通して、電源部から
トランジスタ８へ供電するとともに誓圧ｖａを供給する
。
４，５．コーンデンサ６，７とで電源部を構成する。電
波発生はトランジスタ８．コンデンサ９，１０，１１．
１次インダクタンス１２と２次インダクタンス１３から
なる結合係数 の特性をもつトランス１４とにより構成
される従来周知のクラップ型発振回路で実施する。１５
．１６はチョーク。コイルを示す。ま廠箱体Ａ１７に固
着した貫通コンデンサ１８．１９を通して、電源部から
トランジスタ８へ供電するとともに誓圧ｖａを供給する
。
２０は整合回路部である。加熱室を構成する箱体Ｂ２１
内には一方を箱体と共通電位にした２つの加熱用電極板
２２，２３７５Ｅ設けられている。前記箱体Ａ１７は箱
体Ｃ２４とコンデンサ２６により直流的に別電位ではあ
るが高周波的に同電位となるように接続されている。
内には一方を箱体と共通電位にした２つの加熱用電極板
２２，２３７５Ｅ設けられている。前記箱体Ａ１７は箱
体Ｃ２４とコンデンサ２６により直流的に別電位ではあ
るが高周波的に同電位となるように接続されている。
上述のトランス１４はＨＦ帯での利用を考え例えば実効
化透磁率が６０のフェライトを用いたとき、２００Ｗの
出力（中心周波数１ｏＭＨｚ ）を得るときでも２ＸＩ
Ｃｆ２（（７）３）と非常に小さいもので実現できる。
化透磁率が６０のフェライトを用いたとき、２００Ｗの
出力（中心周波数１ｏＭＨｚ ）を得るときでも２ＸＩ
Ｃｆ２（（７）３）と非常に小さいもので実現できる。
上記実施例によれば次の効果を得る。
１ 人カドランス部が不要で全体装置を小型化できる。
２ クラップ型発振器を用いているので、トランジスタ
の入出力容量がコンデンサ１０および１１で補正される
こと、また発振周波数もコンデンサ９によ、り主に左右
されるので、トランジスタ素子のばらつきがあっても、
比較的安定な発振器が構成できる。
の入出力容量がコンデンサ１０および１１で補正される
こと、また発振周波数もコンデンサ９によ、り主に左右
されるので、トランジスタ素子のばらつきがあっても、
比較的安定な発振器が構成できる。
３ 高周波を含む電波発生部は箱体Ａ１７とＣ２４とで
２重にシールドされており、不要輻射電波量を低減する
ｉとができる。
２重にシールドされており、不要輻射電波量を低減する
ｉとができる。
以上のように本発明によれば次のような数多くの効果が
得られる。
得られる。
１ 商用電源を直接整流平滑しているのでトランスが不
要となり、廉価で軽く、しかも小型の高周波加熱装置を
実現することができる。
要となり、廉価で軽く、しかも小型の高周波加熱装置を
実現することができる。
２ 容量帰還型自己発振回路であり、トランジスタの入
出力容量の影響を受けにくい。
出力容量の影響を受けにくい。
３ 発振回路の一端は商用電源と直流的に導通している
こと、および商用電源の一端は接地されているために、
前記発振回゛路の一端は直接接地できない。
こと、および商用電源の一端は接地されているために、
前記発振回゛路の一端は直接接地できない。
本発明では高周波的に導通状態にするためにコンデンサ
２６で箱体Ｃ２ａを介して接地端と接続している。従っ
てコンセントの差込み極性に関係なく安定動作する。
２６で箱体Ｃ２ａを介して接地端と接続している。従っ
てコンセントの差込み極性に関係なく安定動作する。
４ 電波発生部は箱体ＡおよびＣで二重シールドされて
おり、不要輻射電波量を低く抑えら、れる。
おり、不要輻射電波量を低く抑えら、れる。
図は本発明の一実施例を示す構成図である。
２．３，４．５・・・・ダイオード、６．７・・・・・
コンデンサ、８・・・・・トランジスタ、１４・・・・
・・トランス、１７．２’１ 、２４・・・・・箱対、
２２ 、２３ ・・加熱用電極板、２５・・・コンデ
ンサ。
コンデンサ、８・・・・・トランジスタ、１４・・・・
・・トランス、１７．２’１ 、２４・・・・・箱対、
２２ 、２３ ・・加熱用電極板、２５・・・コンデ
ンサ。
Claims (1)
- 商用電源をダイオードおよびコンデ／すで直接整流平滑
する直流電源部と、前記直流電源部より供電されかつ一
つの箱体Ａ内に設けられた容量帰還型トランジスタ発生
部と、前記箱体Ａ内に設けられたトランスと、接地電極
を有し加熱室を構成する箱体Ｂ、！：、前記トランスを
介して電波が供給されかつ前記箱体Ｂ内に設けられ一方
を前、記箱体Ｂと共通電位とした加熱用電極板とを備え
、前記箱体Ｂと直流的に同電位の別の箱体Ｃで前記箱体
ＡおよびＢを囲うとともに、前記箱体ＡとＣをコンデン
サにより高周波的導通をとる構成とした高周波加熱装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190013A JPS5893187A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 高周波加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190013A JPS5893187A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 高周波加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893187A true JPS5893187A (ja) | 1983-06-02 |
Family
ID=16250913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56190013A Pending JPS5893187A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | 高周波加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893187A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110535439A (zh) * | 2018-09-18 | 2019-12-03 | 恩智浦美国有限公司 | 自振荡除霜设备以及其操作方法 |
-
1981
- 1981-11-26 JP JP56190013A patent/JPS5893187A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110535439A (zh) * | 2018-09-18 | 2019-12-03 | 恩智浦美国有限公司 | 自振荡除霜设备以及其操作方法 |
| EP3627966A1 (en) * | 2018-09-18 | 2020-03-25 | NXP USA, Inc. | Self-oscillating defrosting apparatus and methods of their operation |
| US11252980B2 (en) * | 2018-09-18 | 2022-02-22 | Nxp Usa, Inc. | Self-oscillating defrosting apparatus and methods of their operation |
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