JPS59149405A - 局部発振装置 - Google Patents
局部発振装置Info
- Publication number
- JPS59149405A JPS59149405A JP58025236A JP2523683A JPS59149405A JP S59149405 A JPS59149405 A JP S59149405A JP 58025236 A JP58025236 A JP 58025236A JP 2523683 A JP2523683 A JP 2523683A JP S59149405 A JPS59149405 A JP S59149405A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- capacitance
- switch
- capacitor
- switch diode
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/0048—Circuit elements of oscillators including measures to switch the frequency band, e.g. by harmonic selection
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/0056—Circuit elements of oscillators including a diode used for switching
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はテレビジョンチューナ、 ＳＨＦダウンコンバ
ータ等に使用されるヘテロゲイン方式による広帯域の局
部発振装置に関する。
ータ等に使用されるヘテロゲイン方式による広帯域の局
部発振装置に関する。
従来の構成とその問題点
分布定数回路における＃路インピーダンスｚｉｎは特性
インピーダンスを２０、線路の終端インピーダンスをｚ
Ｒ１線路長をｌとすれば ２π 但し、β＝−（λ：波長）・・・ ■λ 第１式においてＺＲ＝ ０としたとき、Ｚ１ｎ＝ ｊＺ
ｏｔａｎβｌ −−−■となり、これ
を２０で規格化した特性は第１図のよの間を利用し、こ
れに容量を与えて共振回路を構成することができる。従
来ではこの共振回路を増幅器に接続して反射型の発振器
が構成されている。
インピーダンスを２０、線路の終端インピーダンスをｚ
Ｒ１線路長をｌとすれば ２π 但し、β＝−（λ：波長）・・・ ■λ 第１式においてＺＲ＝ ０としたとき、Ｚ１ｎ＝ ｊＺ
ｏｔａｎβｌ −−−■となり、これ
を２０で規格化した特性は第１図のよの間を利用し、こ
れに容量を与えて共振回路を構成することができる。従
来ではこの共振回路を増幅器に接続して反射型の発振器
が構成されている。
第２図１はその一例を示−′Ｆ４１ので、Ａは共振体部
、Ｂは増幅部である。Ｌｌは共振線路％ Ｃ１１Ｃ１＠
ＣＭは結合用の大容量である、共振回路は、共振線路
Ｌｌと、バラクタダイオードＤＩの容量ｃｖｎと回路の
浮遊容量Ｃ，の総合容量とで構成される。この総合容量
をＣ，とすれば共振点において、 −１−＝ Ｚ、ｔａｎβｌ −−−■（
ＩＪｏ Ｃ。
、Ｂは増幅部である。Ｌｌは共振線路％ Ｃ１１Ｃ１＠
ＣＭは結合用の大容量である、共振回路は、共振線路
Ｌｌと、バラクタダイオードＤＩの容量ｃｖｎと回路の
浮遊容量Ｃ，の総合容量とで構成される。この総合容量
をＣ，とすれば共振点において、 −１−＝ Ｚ、ｔａｎβｌ −−−■（
ＩＪｏ Ｃ。
の関係があり、第２回の回路は仁のω・で発振する。
バラクタダイオードＤＩの容量可変範囲は、現在入手可
能なもので、例えばｏ、’ｙｐ、ｒ〜６．ｏｐｙである
。このバラクタダイオードＤＩと共振線路Ｌ１を利用し
て発憑器を構成した場合の最大発振周波数は、総合容量
Ｃ０と共振線路り、の線路長ｌによって決まる。
能なもので、例えばｏ、’ｙｐ、ｒ〜６．ｏｐｙである
。このバラクタダイオードＤＩと共振線路Ｌ１を利用し
て発憑器を構成した場合の最大発振周波数は、総合容量
Ｃ０と共振線路り、の線路長ｌによって決まる。
線路長ｌは第４式から、
となる。また、現在、総合容ｔｅａは０．５１）Ｆ＋０
−７ＰＦ＝１．２ｐｐテあルノテ、最大発振周波数ヲ１
７５０ ＭＲＺ。
−７ＰＦ＝１．２ｐｐテあルノテ、最大発振周波数ヲ１
７５０ ＭＲＺ。
ｚ、を５０Ωとすれば、ｌ ＝ ０−０２７ （ｙ＊）
となる。但し、基板がガラスエポキシ、アルミナの時は
それぞれ波長短縮率をかけて。
となる。但し、基板がガラスエポキシ、アルミナの時は
それぞれ波長短縮率をかけて。
ガラスエポキシのとき ｌ＝０．０２７ Ｋｏ、４９＝
１３．１（耀〕アル定すのとき Ｊ＝０．０２７
メ０．３３ ＝ ８’、９ （藺〕となる。そこで、こ
の線路長を用いて局部発振器を構成したとき、周波数ｆ
０を可変するのに必要な総合容量は第４式より、 Ｃ・＝１１、。ｒ ・・・ ■ト＆ル、そコテ
ｆｏをｇＱＱ ＭＲＺ カ、ら１９００ ＭＲＺ ｔ
テ変化すふのに必要な総合容量ｃｏを求めると、次表に
示すような形になる。
１３．１（耀〕アル定すのとき Ｊ＝０．０２７
メ０．３３ ＝ ８’、９ （藺〕となる。そこで、こ
の線路長を用いて局部発振器を構成したとき、周波数ｆ
０を可変するのに必要な総合容量は第４式より、 Ｃ・＝１１、。ｒ ・・・ ■ト＆ル、そコテ
ｆｏをｇＱＱ ＭＲＺ カ、ら１９００ ＭＲＺ ｔ
テ変化すふのに必要な総合容量ｃｏを求めると、次表に
示すような形になる。
この表においてＸは容量変化範囲を示し、０．７．、〜
ｓｐＦ ・・・ ■のバラク
タダイオードを用いた場合に総合容量は浮遊容ｆｔＯ，
５ｐｉｒが加算され、 １．２ｐＦ〜６．５νｐ ・・・ ■
の可変幅を消し、このとき周波数ｆ０が９ＱＱＭＨｚか
ら１７５０Ｍ）ｉＺまで変化することを示す。
ｓｐＦ ・・・ ■のバラク
タダイオードを用いた場合に総合容量は浮遊容ｆｔＯ，
５ｐｉｒが加算され、 １．２ｐＦ〜６．５νｐ ・・・ ■
の可変幅を消し、このとき周波数ｆ０が９ＱＱＭＨｚか
ら１７５０Ｍ）ｉＺまで変化することを示す。
なお、前記衣の計算結果は、共振線路り、の特性インピ
ーダンスＩｌｏ ＝ ５０ ［Ω］、必要とする最大発
掘周波数ｔｘ ＝ １７５０ （ＭＲＺ） 共振線路
柘上に存在する浮遊容量Ｃｔ ＝ ０．５’（ｐｌ’）
、バラクタダイオードＤ里の最小容量ＣＶｋｉｎ ＝
７ （ｐ？）、上Ｙ ｃｌｃｖＤｍｉｎ （２）値にお
いてｆｘを得るのに必要な線路長１＝２６．９４６８（
ａ＠）でのものである。
ーダンスＩｌｏ ＝ ５０ ［Ω］、必要とする最大発
掘周波数ｔｘ ＝ １７５０ （ＭＲＺ） 共振線路
柘上に存在する浮遊容量Ｃｔ ＝ ０．５’（ｐｌ’）
、バラクタダイオードＤ里の最小容量ＣＶｋｉｎ ＝
７ （ｐ？）、上Ｙ ｃｌｃｖＤｍｉｎ （２）値にお
いてｆｘを得るのに必要な線路長１＝２６．９４６８（
ａ＠）でのものである。
テレビジョンチューナ回路に訃いて、全世界の周、波数
範囲をカバーするには、第１の映像中間周波数を９ＱＱ
ＭＲＺ帯に設定した場合には設計余裕度を考えて−と
しては１０００ ＭＲＺが必要である。しかしながら、
第９式の範囲ではこの変化幅を達成できない。そこで従
来では第２図に示すように、共振体部、ムの共振線路り
、をｌ、とｌ！に分割し、その分割点と接地間にスイッ
チダイオードＤ、を介装し１分割点に高抵抗Ｒａ （あ
るいはチ目−゛クコイル）を通して電圧を印加し、スイ
ッチダイオードＤ、をオン・オフさせることにより、共
振線路Ｌ１の長さを切換えて使用している、しかし、ス
イッチダイ−オードＤｔ ＩＣＩｄ逆バイアス時の容量
とパッケージ浮遊容量とから成る容量ＣｆＤ（プラスチ
ックパッヶ′−ジの場合 ｉ ｐ’Ｉ’〜２’１）ｆｆ
’）が存在するため１周波数が高い領域では前記容量Ｃ
ｆＤによって共振線路り、は常に１１の長さで交流的に
シミートされた状懐となるため、共振線路り、は常にｌ
！になりスイッチダイオードＤ！が非導通時にも（Ａ’
＋−ｔ［ｔ）の長さを得ることができず、高い周波数帯
では可変範囲の拡大を行うことができなけ構成のもので
ある。
範囲をカバーするには、第１の映像中間周波数を９ＱＱ
ＭＲＺ帯に設定した場合には設計余裕度を考えて−と
しては１０００ ＭＲＺが必要である。しかしながら、
第９式の範囲ではこの変化幅を達成できない。そこで従
来では第２図に示すように、共振体部、ムの共振線路り
、をｌ、とｌ！に分割し、その分割点と接地間にスイッ
チダイオードＤ、を介装し１分割点に高抵抗Ｒａ （あ
るいはチ目−゛クコイル）を通して電圧を印加し、スイ
ッチダイオードＤ、をオン・オフさせることにより、共
振線路Ｌ１の長さを切換えて使用している、しかし、ス
イッチダイ−オードＤｔ ＩＣＩｄ逆バイアス時の容量
とパッケージ浮遊容量とから成る容量ＣｆＤ（プラスチ
ックパッヶ′−ジの場合 ｉ ｐ’Ｉ’〜２’１）ｆｆ
’）が存在するため１周波数が高い領域では前記容量Ｃ
ｆＤによって共振線路り、は常に１１の長さで交流的に
シミートされた状懐となるため、共振線路り、は常にｌ
！になりスイッチダイオードＤ！が非導通時にも（Ａ’
＋−ｔ［ｔ）の長さを得ることができず、高い周波数帯
では可変範囲の拡大を行うことができなけ構成のもので
ある。
発明の目的
本発明は高い周波数帯においてもスイッチダイオードの
導通・非導通の切換えによって広仲１囲の発振が可能な
局部発掘装置を提供することを目的とする。
導通・非導通の切換えによって広仲１囲の発振が可能な
局部発掘装置を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の局部発掘装置は、第１の外部直流電位圧により
各画可変できる同調ダイオードと、共振線路と、ｖＸ２
の外部直流電位により４辿・非導通が切換えられるスイ
ッチダイオードとを交流的に直列Ｗ Ｉｒ１ｔしてこれ
を増幅トランジスタのペースまたはコレクタと接地間に
介装し、前記スイッチターイオードの非導通時に前記ス
イッチダイオードと並列の容量を介して前記共通線路の
一端を交流的に接地するよう構成したことを特徴とする
。
各画可変できる同調ダイオードと、共振線路と、ｖＸ２
の外部直流電位により４辿・非導通が切換えられるスイ
ッチダイオードとを交流的に直列Ｗ Ｉｒ１ｔしてこれ
を増幅トランジスタのペースまたはコレクタと接地間に
介装し、前記スイッチターイオードの非導通時に前記ス
イッチダイオードと並列の容量を介して前記共通線路の
一端を交流的に接地するよう構成したことを特徴とする
。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例を第３１ン１に基づいて説明す
る。共振体部（Ａ）と増幅部（Ｂ）とは結合答ｆＣ量で
接続され、結合容量Ｃ，の共振体部（Ａ）側の一端には
畠抵抗Ｒ，を介してＩＩｆＩ調電圧ＢＴが加えらす７て
いる。
る。共振体部（Ａ）と増幅部（Ｂ）とは結合答ｆＣ量で
接続され、結合容量Ｃ，の共振体部（Ａ）側の一端には
畠抵抗Ｒ，を介してＩＩｆＩ調電圧ＢＴが加えらす７て
いる。
高抵抗Ｒ８と結合容量Ｃ，との交点工〔交流的には増幅
トランジスタＱのベース］と接地との１６１に、バラク
タダイオードＤ１と、共振線路り、と、スイッチダイオ
ードＤ２とを交流的に直列接続したものが介装されてい
る。詳しくは、交点工にバラクタダイオードＤ、のカソ
ードが接続され、バラクタダイオードＤ２のアノードに
は共振線路Ｌ１の一端が接続され、共振線路り、の他端
は高抵抗Ｒ２を介して接地されると共に結合容１ｔＣｔ
を介してスイッチダイ、１−ドＤ２のアノード［接続さ
れ、スイッチダイオードＤ！のカソードは接地されてい
る。また、スイッチダイオードＤ２と並列に答＊Ｃｔｉ
が接続されている。
トランジスタＱのベース］と接地との１６１に、バラク
タダイオードＤ１と、共振線路り、と、スイッチダイオ
ードＤ２とを交流的に直列接続したものが介装されてい
る。詳しくは、交点工にバラクタダイオードＤ、のカソ
ードが接続され、バラクタダイオードＤ２のアノードに
は共振線路Ｌ１の一端が接続され、共振線路り、の他端
は高抵抗Ｒ２を介して接地されると共に結合容１ｔＣｔ
を介してスイッチダイ、１−ドＤ２のアノード［接続さ
れ、スイッチダイオードＤ！のカソードは接地されてい
る。また、スイッチダイオードＤ２と並列に答＊Ｃｔｉ
が接続されている。
スイッチダイオードＤ！と結合容量Ｃ２との父点には高
抵抗Ｒｊｌを介してスイッチ電圧Ｂ８が適宜与えられる
。
抵抗Ｒｊｌを介してスイッチ電圧Ｂ８が適宜与えられる
。
共振体部（Ａ）において、スイッチ電圧Ｂ８によってス
イッチダイオードＤ２が導フカした場合、共振線路Ｌ１
は結合コンデンサＣ２を介して直接に接地された形とな
り容量ＣｆΔの影響はンなとんど発生しない。
イッチダイオードＤ２が導フカした場合、共振線路Ｌ１
は結合コンデンサＣ２を介して直接に接地された形とな
り容量ＣｆΔの影響はンなとんど発生しない。
故に、共振各階はバラク、タダイオードＤ、の同訓′各
ｔＣｖＤと、結合容量Ｃ１，Ｃｔと、増幅部Ｂを含めた
浮遊答１ｉｔｃｒとの和になるが、結合容量Ｃ，，Ｃ，
は同調容量ＣＶＤに対して大きな値を）ｔｌいるため、
実質上の総合容ｆｓ：Ｃｏは、 Ｃ６へＣＶＤ＋Ｃｆ ・・・ ［
相］となる。
ｔＣｖＤと、結合容量Ｃ１，Ｃｔと、増幅部Ｂを含めた
浮遊答１ｉｔｃｒとの和になるが、結合容量Ｃ，，Ｃ，
は同調容量ＣＶＤに対して大きな値を）ｔｌいるため、
実質上の総合容ｆｓ：Ｃｏは、 Ｃ６へＣＶＤ＋Ｃｆ ・・・ ［
相］となる。
ところで、スイッチダイオードＤ！が非ｉＡ Ａ ｔｃ
ｈると、スイッチダイオードＤ、は容＃Ｃｎ５に介し
て接地される。ここで容量Ｃｔｉは結合容量ＣＩ＋Ｃ！
に対して極めて小さい値のため、直列接続においてこの
容量Ｃｎ（を無視することはできず、総合容量らは、 となる、ここでＣｔｉ ＝ １ ｐｌＦ 、 Ｃｔ ＝
０．５ ｐＦ 、 ＣｖＤ＝ｏ、’ｙｐｌＦ〜６ＰＦに
すれば、第１０式の総合容量Ｃ６の可変範囲は、１．２
１）Ｆ〜６．５ＰＦになり、前述の表に示す共振線路を
用いた周波数変化幅は表のＸの範囲の９ＱＱＭＨ１ｉＩ
〜１７５０ＭＨｇの可変範囲を得ることができる。、第
１１式の場合には総合容ｔｃｏの変化は０．９１ ｐＦ
〜１．３５ＰＦ になり、表のＹの範囲の１７００ Ｍ
Ｈｚ、、〜１９００ ＭＨｚ の可変範囲を借ること
がで炒る。すなわち、第３図のように構成してスイッチ
市、圧ＢＢを適描に印加することによって可変範囲を上
記表の２の範囲、すなわち９ＱＱＭＨ２〜１９００ＭＨ
ｇにまで拡大することができる。
ｈると、スイッチダイオードＤ、は容＃Ｃｎ５に介し
て接地される。ここで容量Ｃｔｉは結合容量ＣＩ＋Ｃ！
に対して極めて小さい値のため、直列接続においてこの
容量Ｃｎ（を無視することはできず、総合容量らは、 となる、ここでＣｔｉ ＝ １ ｐｌＦ 、 Ｃｔ ＝
０．５ ｐＦ 、 ＣｖＤ＝ｏ、’ｙｐｌＦ〜６ＰＦに
すれば、第１０式の総合容量Ｃ６の可変範囲は、１．２
１）Ｆ〜６．５ＰＦになり、前述の表に示す共振線路を
用いた周波数変化幅は表のＸの範囲の９ＱＱＭＨ１ｉＩ
〜１７５０ＭＨｇの可変範囲を得ることができる。、第
１１式の場合には総合容ｔｃｏの変化は０．９１ ｐＦ
〜１．３５ＰＦ になり、表のＹの範囲の１７００ Ｍ
Ｈｚ、、〜１９００ ＭＨｚ の可変範囲を借ること
がで炒る。すなわち、第３図のように構成してスイッチ
市、圧ＢＢを適描に印加することによって可変範囲を上
記表の２の範囲、すなわち９ＱＱＭＨ２〜１９００ＭＨ
ｇにまで拡大することができる。
なお、共振体部（Ａ）において、バラクタダイオード巧
には同調電圧ＢＴの逆バイアス市、圧、スイッチダイオ
ードＤ、にはスイッチ電圧Ｂｓにより導通・非導通を必
要とするため、共振線路り、に対して両ダイオードＤ１
＊ Ｄｔは直列に挿入されている点が重要であり、ダ
イオードＤ、 、 Ｄ、の向きは特に問題でない。また
スイッチダイオードＤ！に並列に挿入された容量Ｃｔｒ
ｆとしては、スイッチダイオードＤ、の逆バイアス時の
容量のみを使用してもよく、または更に別の容量を設定
してもよい。
には同調電圧ＢＴの逆バイアス市、圧、スイッチダイオ
ードＤ、にはスイッチ電圧Ｂｓにより導通・非導通を必
要とするため、共振線路り、に対して両ダイオードＤ１
＊ Ｄｔは直列に挿入されている点が重要であり、ダ
イオードＤ、 、 Ｄ、の向きは特に問題でない。また
スイッチダイオードＤ！に並列に挿入された容量Ｃｔｒ
ｆとしては、スイッチダイオードＤ、の逆バイアス時の
容量のみを使用してもよく、または更に別の容量を設定
してもよい。
増幅部ＣＢ）は、トランジスタＱのベースに共振体部（
Ａ）が！＃続され、トランジスタＱのコレクタは大写ｔ
Ｃ３で接地されている。コレクタには抵抗Ｒ５を通して
バイアスが与えられていると共に抵抗Ｒ６を介してベー
スに接続されてベース博１位が与えられでいる。ベース
バイアスについては、自己帰還型でなくともよい。トラ
ンジスタＱのエミッターコレクタ間の容量Ｃ４はエミッ
タとアース間の最短距離を交流的に接地するもので、容
量Ｃ３により広帯域の発揚の女定性を改善している。Ｌ
２はノ・イパワーをとり出すためのチョークコイルであ
る。Ｒ１はエミッタ抵抗であり、結合容量らを通して発
振出力をとり出すもので Ｂ＝１２ボルト電流約電流約
３峙 お、発振出力のとり出し方には棟々の方法があり、容−
ＷｋＣｍをｔｏｐｌ’桿度にしてコレクタからとり出す
方法や、共振線路Ｌ１にインダクタンス結合または容量
結合によって取り出す方法も可能である。パワーを考え
れば、エミッタから取り出すのが最適である。なお、出
力のとり出し方、ある論は兵衛線路の設定個所について
は多くの方法があるが本発明はその共振線路、バラクタ
ダイオード、スイ □ッチダイオードを直列に配列し
ているということが重要なポイントである。
Ａ）が！＃続され、トランジスタＱのコレクタは大写ｔ
Ｃ３で接地されている。コレクタには抵抗Ｒ５を通して
バイアスが与えられていると共に抵抗Ｒ６を介してベー
スに接続されてベース博１位が与えられでいる。ベース
バイアスについては、自己帰還型でなくともよい。トラ
ンジスタＱのエミッターコレクタ間の容量Ｃ４はエミッ
タとアース間の最短距離を交流的に接地するもので、容
量Ｃ３により広帯域の発揚の女定性を改善している。Ｌ
２はノ・イパワーをとり出すためのチョークコイルであ
る。Ｒ１はエミッタ抵抗であり、結合容量らを通して発
振出力をとり出すもので Ｂ＝１２ボルト電流約電流約
３峙 お、発振出力のとり出し方には棟々の方法があり、容−
ＷｋＣｍをｔｏｐｌ’桿度にしてコレクタからとり出す
方法や、共振線路Ｌ１にインダクタンス結合または容量
結合によって取り出す方法も可能である。パワーを考え
れば、エミッタから取り出すのが最適である。なお、出
力のとり出し方、ある論は兵衛線路の設定個所について
は多くの方法があるが本発明はその共振線路、バラクタ
ダイオード、スイ □ッチダイオードを直列に配列し
ているということが重要なポイントである。
上記実施４！Ａ１では増幅トランジスタのベースと接地
間にバラクタダイオードＤ７、共振線路り，、スイッチ
ダイオードＤ！を介装したが、これは増幅部Ｂの構成が
クラップ型発振回路などのように増幅トランジスタのコ
レクタと接地間に共振要素が介装される場合にも同様の
効果が得られる。
間にバラクタダイオードＤ７、共振線路り，、スイッチ
ダイオードＤ！を介装したが、これは増幅部Ｂの構成が
クラップ型発振回路などのように増幅トランジスタのコ
レクタと接地間に共振要素が介装される場合にも同様の
効果が得られる。
発明の詳細
な説明のように本発明の局部発振装置によると、第１の
外部直流電位により谷°扇可変できる同調ダイオードと
共振線路と、第２の外部直流電位により導通・非導通が
切換えられるスイッチダイオードとを交流的に直列接続
したため、スイッチダイオードの逆バイアス容量等を有
効に利用して高い周波数においても広い可変．−囲が得
られるものである。また、スイッチダイオードの逆バイ
アス時の容量を吸収で角るので、安価な回路？構成でき
るものである、
外部直流電位により谷°扇可変できる同調ダイオードと
共振線路と、第２の外部直流電位により導通・非導通が
切換えられるスイッチダイオードとを交流的に直列接続
したため、スイッチダイオードの逆バイアス容量等を有
効に利用して高い周波数においても広い可変．−囲が得
られるものである。また、スイッチダイオードの逆バイ
アス時の容量を吸収で角るので、安価な回路？構成でき
るものである、
第１ノはλ／４線路のインピーダンス特性１メ１、第２
図は従来の局部発振ｆｉ．置の回路１％隻に３図は本発
明の局部発掘回路の一実施例の回路図である。 Ａ・・・共振体部、Ｂ・・・増幅器、Ｌ，・・・共振線
路、Ｄ。 ・・・バラクタダイオード〔同調ダイオード〕、Ｄ２・
・・スイッチダイオード、Ｑ・・・トランジスタ代理人
森 本 義 弘 第１図− 第２図 第ミ図
図は従来の局部発振ｆｉ．置の回路１％隻に３図は本発
明の局部発掘回路の一実施例の回路図である。 Ａ・・・共振体部、Ｂ・・・増幅器、Ｌ，・・・共振線
路、Ｄ。 ・・・バラクタダイオード〔同調ダイオード〕、Ｄ２・
・・スイッチダイオード、Ｑ・・・トランジスタ代理人
森 本 義 弘 第１図− 第２図 第ミ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 第１の外部直流電位により容量可変できる同調ダ
イオードと、共振線路と、第２の外部直流電位により導
通・非導通が切換えられる、スイッチダイオードとを交
流的に直列接続して、これを増幅トランジスタのベース
まタハコレクタと接地間に弁装し、前記スイッチダイオ
ードの非碑通時に前記スイッチダイオードと並列の容量
を介して前記共通線路の一端を交流的に接地−するよう
構成した局部ン白振装面“。 ２、 スイッチングダイオードと並列の容ｔｆ。 前記スイッチングダイオードの逆のバイアス容量および
パッケージ容量としたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の局部発振装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58025236A JPS59149405A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 局部発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58025236A JPS59149405A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 局部発振装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59149405A true JPS59149405A (ja) | 1984-08-27 |
Family
ID=12160344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58025236A Pending JPS59149405A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 局部発振装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59149405A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6198001A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 局部発振装置 |
| JPS61113410U (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-17 | ||
| US4797638A (en) * | 1985-07-30 | 1989-01-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Oscillator including a transistor used both as constant current source and amplifier |
| JPS6430308A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | Voltage control type oscillating circuit |
| FR2760150A1 (fr) * | 1997-02-19 | 1998-08-28 | Motorola Inc | Procede et dispositif pour la transmission de signaux de frequence radio |
| EP1113572A3 (en) * | 1999-12-22 | 2002-05-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Voltage-controlled oscillator and electronic device using same |
-
1983
- 1983-02-16 JP JP58025236A patent/JPS59149405A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6198001A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 局部発振装置 |
| JPS61113410U (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-17 | ||
| US4797638A (en) * | 1985-07-30 | 1989-01-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Oscillator including a transistor used both as constant current source and amplifier |
| JPS6430308A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | Voltage control type oscillating circuit |
| FR2760150A1 (fr) * | 1997-02-19 | 1998-08-28 | Motorola Inc | Procede et dispositif pour la transmission de signaux de frequence radio |
| EP1113572A3 (en) * | 1999-12-22 | 2002-05-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Voltage-controlled oscillator and electronic device using same |
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