JPS589375A - 温度補償ツエナ−・ダイオ−ドとその製造方法 - Google Patents
温度補償ツエナ−・ダイオ−ドとその製造方法Info
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- JPS589375A JPS589375A JP57110935A JP11093582A JPS589375A JP S589375 A JPS589375 A JP S589375A JP 57110935 A JP57110935 A JP 57110935A JP 11093582 A JP11093582 A JP 11093582A JP S589375 A JPS589375 A JP S589375A
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- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は温度補償ツェナー・ダイオードとその製造方法
に関する。このようなダイオードは中性子照射のような
照射の下でも動作できるべきである。
に関する。このようなダイオードは中性子照射のような
照射の下でも動作できるべきである。
ダイオードはｎ影領域とｐ影領域を有する半導体材料に
よって構成された電子部品でちゃ、この２つの領域を結
合するとｐｎ接合が得られることが知られている。
よって構成された電子部品でちゃ、この２つの領域を結
合するとｐｎ接合が得られることが知られている。
第１図における連続線はダイオードの特性を示すもので
ある。すなわち、その曲線は電圧■の関数として電流工
を与える。ダイオードはこれを流れる電流の移動方向に
よって２つの可能な動作モードを有する。
ある。すなわち、その曲線は電圧■の関数として電流工
を与える。ダイオードはこれを流れる電流の移動方向に
よって２つの可能な動作モードを有する。
特性の部分Ａは順方向動作に対応する。すなわち、ここ
では電流はｎ領域によってダイオードにはいる。
では電流はｎ領域によってダイオードにはいる。
特性の部分Ａにおいては、電圧は値ＶＤに達するまで電
流の関数として急速に立上り、値ＶＤ より上では電圧
はほとんど変化しない。一般に電圧ＶＤは０．５と１．
Ｏｖの間にある。特性の部分Ｂにおいては、アノζう／
シュ電圧またはツェナー電圧という値ｖ２に電圧が達す
るまで電流は＃１ぼゼロにとどまシ、この値の上では電
流は非常に急速に立上る。
流の関数として急速に立上り、値ＶＤ より上では電圧
はほとんど変化しない。一般に電圧ＶＤは０．５と１．
Ｏｖの間にある。特性の部分Ｂにおいては、アノζう／
シュ電圧またはツェナー電圧という値ｖ２に電圧が達す
るまで電流は＃１ぼゼロにとどまシ、この値の上では電
流は非常に急速に立上る。
温度補償ツェナー・ダイオ−Ｐは電圧基準を形成するこ
とが機能である半導体部品である。すなわち、この種の
ダイオードは周囲条件、具体的には温度、電源変動、中
性子照射など、がどうであっても安定した電圧を保証す
る。その機能は対向する２つのｐｎ接合より成シ、一方
は逆方向に動作し、他方は順方向に動作する。これによ
って、正のドリフトつまシ逆接合（つｔシツェナー接合
）で動作する接合のｄ Ｖｚ／ｄ Ｔと、負のｒリフト
クまり順方向動作する接合のｄＶＤ／ｄＴを調整するこ
とから温度による電圧変動は最小となる。なお、後者の
比社電圧ＶＤにはとんど左右されない。すなわち、同程
度の大きさくしかし負）の変動ｄ Ｖ、／ｄＴを得るた
めには約０．６ないし０．７ｖの電圧ｖＤＫついて約−
１，５／℃であり、約６．１ないし６．３Ｖの温度補償
素子の総合電圧を得るためには、約５．５ないし５．６
ｖのツェナー電圧ｖ２の値を得る必要がある。
とが機能である半導体部品である。すなわち、この種の
ダイオードは周囲条件、具体的には温度、電源変動、中
性子照射など、がどうであっても安定した電圧を保証す
る。その機能は対向する２つのｐｎ接合より成シ、一方
は逆方向に動作し、他方は順方向に動作する。これによ
って、正のドリフトつまシ逆接合（つｔシツェナー接合
）で動作する接合のｄ Ｖｚ／ｄ Ｔと、負のｒリフト
クまり順方向動作する接合のｄＶＤ／ｄＴを調整するこ
とから温度による電圧変動は最小となる。なお、後者の
比社電圧ＶＤにはとんど左右されない。すなわち、同程
度の大きさくしかし負）の変動ｄ Ｖ、／ｄＴを得るた
めには約０．６ないし０．７ｖの電圧ｖＤＫついて約−
１，５／℃であり、約６．１ないし６．３Ｖの温度補償
素子の総合電圧を得るためには、約５．５ないし５．６
ｖのツェナー電圧ｖ２の値を得る必要がある。
このように、温度補償ダイオードの製造技術のすべては
、非常に異なる動作特性を有しているが温度変動が絶対
値で互いに非常に近い２つのｐｎ接合を形成することに
向けなければならない。参考までに、逆方向動作する接
合の温度変動は５．５Ｖに等しいｖ２について約２Ｘ１
０−’／’Ｃである。
、非常に異なる動作特性を有しているが温度変動が絶対
値で互いに非常に近い２つのｐｎ接合を形成することに
向けなければならない。参考までに、逆方向動作する接
合の温度変動は５．５Ｖに等しいｖ２について約２Ｘ１
０−’／’Ｃである。
順方向動作する接合による補償はこの値を多くとも１０
−５／℃に抑えなければならない。
−５／℃に抑えなければならない。
これまで知られ来た温度補償ツェナー・ダイオードの製
造方法の１つは、エピ〉キシ−によってｐｎ接合（つま
りツェナー・ダイオード）を作ることよシ成る。すなわ
ち、ｐ領域をヨウ素に基づくペクトリ・ガスによってｎ
形の基板の上に被着し、次に接合を焼き々ましすること
によって作られた。この方法はｐｎｉ合の活性部分を表
面から離して埋めることによって信頼性と再現性が良好
となる、という利点を有するので高品質ダイオ−Ｐが得
られる。主要な製造パラメータはｎ領域についてドーノ
粒子の＃Ｉ度と結び付いた初期基板の抵抗と、焼なまし
時間と、各種の動作の温度である。
造方法の１つは、エピ〉キシ−によってｐｎ接合（つま
りツェナー・ダイオード）を作ることよシ成る。すなわ
ち、ｐ領域をヨウ素に基づくペクトリ・ガスによってｎ
形の基板の上に被着し、次に接合を焼き々ましすること
によって作られた。この方法はｐｎｉ合の活性部分を表
面から離して埋めることによって信頼性と再現性が良好
となる、という利点を有するので高品質ダイオ−Ｐが得
られる。主要な製造パラメータはｎ領域についてドーノ
粒子の＃Ｉ度と結び付いた初期基板の抵抗と、焼なまし
時間と、各種の動作の温度である。
温度補償ツェナー・ダイオードの組立全体は前述の方法
に基づき、モノリック的な性質を有し、２つのｐｎ接合
は同じｎ形の基板に作られ、その結果としてこれらが接
合されると理想的な熱結合が生ずる。そのよう表ダイオ
−Ｐの製造は１９６７年３月１７日に竜、Ｘ ：Ｉ セ
Ａ （Ｓｅ５Ｃ０８８ｍ ）によって出願され、「ツェ
ナー・ダイオ−Ｐの改良」という名称を付されたフラン
ス特許第１５２２５３２号にさらに詳１１ＡＫｌｅｌＩ
Ｉｔされている。
に基づき、モノリック的な性質を有し、２つのｐｎ接合
は同じｎ形の基板に作られ、その結果としてこれらが接
合されると理想的な熱結合が生ずる。そのよう表ダイオ
−Ｐの製造は１９６７年３月１７日に竜、Ｘ ：Ｉ セ
Ａ （Ｓｅ５Ｃ０８８ｍ ）によって出願され、「ツェ
ナー・ダイオ−Ｐの改良」という名称を付されたフラン
ス特許第１５２２５３２号にさらに詳１１ＡＫｌｅｌＩ
Ｉｔされている。
第２図はそのよう表温度補償ツェナー・ダイオードを示
すものであり、部分２は順方向動作するｐｎ接合に大体
対応し、矢印工はダイオードを流れる電流の方向を示し
、部分４は逆方向動作するｐｎ接合に対応する。領域６
はｐｎ接合の埋められた活性領域である。ダイオ−ｒに
はまた２つのｐ領域に置かれｆｃ２つの導電層８が形成
され、ここからリード線１０によってダイオードは異な
る電気回路に接続され、２つの絶縁層１２は２つのｐ領
域の一部に被着されている。
すものであり、部分２は順方向動作するｐｎ接合に大体
対応し、矢印工はダイオードを流れる電流の方向を示し
、部分４は逆方向動作するｐｎ接合に対応する。領域６
はｐｎ接合の埋められた活性領域である。ダイオ−ｒに
はまた２つのｐ領域に置かれｆｃ２つの導電層８が形成
され、ここからリード線１０によってダイオードは異な
る電気回路に接続され、２つの絶縁層１２は２つのｐ領
域の一部に被着されている。
しかしながら、そのような温度補償ツェナー・ダイオー
ドは中性子照射にさらされると重大な損傷を受ける。具
体的には、その特性曲線が影響を受け、この変化は第１
図に点線で示されている。
ドは中性子照射にさらされると重大な損傷を受ける。具
体的には、その特性曲線が影響を受け、この変化は第１
図に点線で示されている。
電圧ちが大幅に減少し、温度係数ｃｌＶＤ／ｄＴが絶対
値で増加することがわかる。さらに、ツェナー電圧Ｖ、
が増加し、温度係数（ｉ Ｖ２／ｄ Ｔが減少する。こ
のようにして総合基準電圧と温度係数がかなシ変動する
。簡単に説明すると、ダイオードの電気特性の劣化は中
性子衝撃から生じて半導体材料を構成する原子の移動に
対応する半導体内の欠陥または空所の生成から生ずる。
値で増加することがわかる。さらに、ツェナー電圧Ｖ、
が増加し、温度係数（ｉ Ｖ２／ｄ Ｔが減少する。こ
のようにして総合基準電圧と温度係数がかなシ変動する
。簡単に説明すると、ダイオードの電気特性の劣化は中
性子衝撃から生じて半導体材料を構成する原子の移動に
対応する半導体内の欠陥または空所の生成から生ずる。
この欠陥は移動していわゆる複雑欠陥というものを形成
する他の不純物と再集合する傾向があり、ダイオードの
電気特性を変化させる。
する他の不純物と再集合する傾向があり、ダイオードの
電気特性を変化させる。
本発明の目的は、上記の欠点を回避して中性子照射の下
でも動作可能な温度補償ツェナー・ダイオードとその製
造方法を提供することである。
でも動作可能な温度補償ツェナー・ダイオードとその製
造方法を提供することである。
さらに具体的に説明すると本発明は、第１のｐ形シリコ
ン基板を１ｇ１のｎ形シリコン基板上にエピタキシーに
よって被着し、次にそれに金属不純物を拡散させること
Ｋよって第１のｐｎ＊合が作られ、前記拡散＃ｉ接合の
ｎ領域に形成され、第１のｎ形シリコン基板とは異なる
第２のｎ形シリコン、ｌ［の上にエピタキシーによって
第２のｐ形シリコン基板を被着することによって第２の
ｐｎ接合が別個に作られ、第１のｐｎ接合が直接に動作
して第２のｐｎｍ合が逆に動作することができるように
２つのｐｎｍ合が結合されている温度補償ツェナー・ダ
イオードに関する。
ン基板を１ｇ１のｎ形シリコン基板上にエピタキシーに
よって被着し、次にそれに金属不純物を拡散させること
Ｋよって第１のｐｎ＊合が作られ、前記拡散＃ｉ接合の
ｎ領域に形成され、第１のｎ形シリコン基板とは異なる
第２のｎ形シリコン、ｌ［の上にエピタキシーによって
第２のｐ形シリコン基板を被着することによって第２の
ｐｎ接合が別個に作られ、第１のｐｎ接合が直接に動作
して第２のｐｎｍ合が逆に動作することができるように
２つのｐｎｍ合が結合されている温度補償ツェナー・ダ
イオードに関する。
本発明に従って得られたツェナー・ダイオードは、金属
不純物を拡散させることＫよって、中性子照射の後温度
ドリフトの精度を１０″ｓ／’Ｃかそれ以下に保っこと
ができる。
不純物を拡散させることＫよって、中性子照射の後温度
ドリフトの精度を１０″ｓ／’Ｃかそれ以下に保っこと
ができる。
本発明の方法の好適な一実施態様に従うと、金属不純物
は金原子である。本発明の方法の別の実施態様に従うと
、金属不純物の拡散は１．０００ ’Ｃと１．２００℃
の間の温度で起こり、約１時間の間１、１００℃が望ま
しい。
は金原子である。本発明の方法の別の実施態様に従うと
、金属不純物の拡散は１．０００ ’Ｃと１．２００℃
の間の温度で起こり、約１時間の間１、１００℃が望ま
しい。
拡散される金属不純物の１８度は温度補償の有効性を決
定し、この有効性は拡散温度と時間によって決定される
。
定し、この有効性は拡散温度と時間によって決定される
。
本発明の別の好適な実施態様に従うと、第１のｎ形シリ
コン基板は２〜４ＸＩＤ１１個／国３のリン原子を含み
、第２のｎ形シリコ／基板は２〜８×１０１ｓ個／ｅｙ
ｎ ３のり／原子を含む。
コン基板は２〜４ＸＩＤ１１個／国３のリン原子を含み
、第２のｎ形シリコ／基板は２〜８×１０１ｓ個／ｅｙ
ｎ ３のり／原子を含む。
本発明はまた、第１と第２のｐｎ接合よシ成り、第１の
ｐｎ接合は第１のｐ形のシリコン領域と第１のｎ形のシ
リコン領域を有し、ｎ影領域には金属不純物が導入され
、第２のｐｎ接合は第２のｐ形シリコン領域と第２のｎ
形シリコン領域を有し、前記第２のｎ形シリコン領域は
第１のｎ影領域について実行されたものとは異なる不純
物をドープすることによって得られ、前記第１と第２の
接合は第」のｐｎ接合が順方向に動作して第２の接合が
逆方向動作するように相互に接続されている温度補償ツ
ェナー・ダイオードに関する。以下添付図面を参照して
本発明の詳細な説明する。
ｐｎ接合は第１のｐ形のシリコン領域と第１のｎ形のシ
リコン領域を有し、ｎ影領域には金属不純物が導入され
、第２のｐｎ接合は第２のｐ形シリコン領域と第２のｎ
形シリコン領域を有し、前記第２のｎ形シリコン領域は
第１のｎ影領域について実行されたものとは異なる不純
物をドープすることによって得られ、前記第１と第２の
接合は第」のｐｎ接合が順方向に動作して第２の接合が
逆方向動作するように相互に接続されている温度補償ツ
ェナー・ダイオードに関する。以下添付図面を参照して
本発明の詳細な説明する。
本発明に従って温度補償ツェナー・ダイオードの製造は
、２つのｐｎ接合を別々に作シ、次に一方が順方向動作
して他方が逆方向動作することができるように両者を接
合することよ構成る。２つのｐｎ接合は全く別々に作る
。
、２つのｐｎ接合を別々に作シ、次に一方が順方向動作
して他方が逆方向動作することができるように両者を接
合することよ構成る。２つのｐｎ接合は全く別々に作る
。
順方向動作するｐｎ接合は、ｎ形シリコ／基板上にｐ形
シリコン基板をエピタキシーで被着し、次に白金、鉄、
金などの不純物のような金属不純物を高温で拡散するこ
とによって作る。金を拡散する技術が最も制御しやすい
ので、この不純物は好ましい。この拡散は例えば接合の
ｎ領域で実現される金とシリコンの共晶で開始し、次に
高温焼なまし段を実行することによって行なうことがで
きる。
シリコン基板をエピタキシーで被着し、次に白金、鉄、
金などの不純物のような金属不純物を高温で拡散するこ
とによって作る。金を拡散する技術が最も制御しやすい
ので、この不純物は好ましい。この拡散は例えば接合の
ｎ領域で実現される金とシリコンの共晶で開始し、次に
高温焼なまし段を実行することによって行なうことがで
きる。
中性子照射の下での温度−償ツエナー・ダイオードの温
度補償の有効性は拡散される金属不純物の濃度によって
左右される。濃度は焼なまし工程の持続時間と温度に左
右される。例えば焼なましはｉ、ｏｏｏと１，２００℃
の間で約１時間の間行われる。
度補償の有効性は拡散される金属不純物の濃度によって
左右される。濃度は焼なまし工程の持続時間と温度に左
右される。例えば焼なましはｉ、ｏｏｏと１，２００℃
の間で約１時間の間行われる。
研究の結果、最良の拡散温度は約１，１００℃であるこ
とがわかシ、この温度では大体２Ｘ１０”個１０ｎｌの
金の濃度を得ることができる。
とがわかシ、この温度では大体２Ｘ１０”個１０ｎｌの
金の濃度を得ることができる。
拡散される金属不純物は基板を構成するシリコン原子で
代用される。この負の電荷を有する金属不純物は従来の
温度補償ツェナー・ダイオードの中性子衝撃の間作られ
る複雑な欠陥と同じ役割を演じるが、金属不純物に対応
する欠陥ははるかに安定である。
代用される。この負の電荷を有する金属不純物は従来の
温度補償ツェナー・ダイオードの中性子衝撃の間作られ
る複雑な欠陥と同じ役割を演じるが、金属不純物に対応
する欠陥ははるかに安定である。
逆方向で動作するｐｎ接合、つｔ、６ツ工ナー接合は、
ｎ形のシリコン基板の上にエピタキシーによってｐ形の
シリコン基板を被着させることにより作ることができる
。エピタキシーによるツェナー接合の製造はすでにフラ
ンス特許第１，５２２，５３２号に詳細に記載されてい
る。
ｎ形のシリコン基板の上にエピタキシーによってｐ形の
シリコン基板を被着させることにより作ることができる
。エピタキシーによるツェナー接合の製造はすでにフラ
ンス特許第１，５２２，５３２号に詳細に記載されてい
る。
有効な温度補償を得るために、ツェナー接合の製造はそ
れをわずかに熱処理するととＫよって完成することがで
きる。熱処理によってツェナー接合のｎ形基板へのｐ形
粒子の拡散を調整することが可能となシ、それによって
この接合の温度係数を順方向動作する接合の温度係数に
最適に合わせることができる。
れをわずかに熱処理するととＫよって完成することがで
きる。熱処理によってツェナー接合のｎ形基板へのｐ形
粒子の拡散を調整することが可能となシ、それによって
この接合の温度係数を順方向動作する接合の温度係数に
最適に合わせることができる。
第６図は本発明に従う方法によって作られた温度補償ツ
ェナー・ダイオードを示すものである。
ェナー・ダイオードを示すものである。
従来の温度補償ツェナー・ダイオードの場合とは異なシ
、従って２つの別個のｎ影領域が存在する。以前と同じ
ように、部分２は順方向に動作するｐｎ接合に対応し、
ダイオードを流れる電流の方向紘矢印工で指示され、部
分４は逆方向で動作するｐｎ接合に対応する。同様にし
て参照数字８は２つのｐ影領域の上に被着された２つの
導電領域に対応し、ｐ影領域からは結線１０が、砥びて
いる。参照数字１２は２つのｎ影領域の一部に＃Ｌ着さ
れた２つの絶縁層に対応する。
、従って２つの別個のｎ影領域が存在する。以前と同じ
ように、部分２は順方向に動作するｐｎ接合に対応し、
ダイオードを流れる電流の方向紘矢印工で指示され、部
分４は逆方向で動作するｐｎ接合に対応する。同様にし
て参照数字８は２つのｐ影領域の上に被着された２つの
導電領域に対応し、ｐ影領域からは結線１０が、砥びて
いる。参照数字１２は２つのｎ影領域の一部に＃Ｌ着さ
れた２つの絶縁層に対応する。
２つのｐｎ接合の最初のｎ形シリコン基板の性質は金属
不純物の高温拡散と同じように、電圧安定度と温度係数
に関連して、特に中性子照射の下で、重要な役割を演す
る。
不純物の高温拡散と同じように、電圧安定度と温度係数
に関連して、特に中性子照射の下で、重要な役割を演す
る。
本発明に従って良好な温度補償を得るために、ｎ形基板
が２〜３Ｘ１０１”個／ｃｍ３、好ましくは２〜４Ｘ１
０”個／ｃＭ３の原子を含むようにリン原子によって例
えばシリコン基板の均一なげ−ゾにより順方向動作する
ｐｎ接合のｎ形基板が得られる。同様にして、シリコン
基板が２〜３Ｘ１０”個／ｃＩ１１ｓ１好ましくは２〜
８×１０ＸＢ個／副３の原子を含むようにリン原子によ
ってシリコン基板をドープすることによってツェナー接
合のｎ形基板が得られる。
が２〜３Ｘ１０１”個／ｃｍ３、好ましくは２〜４Ｘ１
０”個／ｃＭ３の原子を含むようにリン原子によって例
えばシリコン基板の均一なげ−ゾにより順方向動作する
ｐｎ接合のｎ形基板が得られる。同様にして、シリコン
基板が２〜３Ｘ１０”個／ｃＩ１１ｓ１好ましくは２〜
８×１０ＸＢ個／副３の原子を含むようにリン原子によ
ってシリコン基板をドープすることによってツェナー接
合のｎ形基板が得られる。
ｐ形基板は約１０２ａ個／−３の濃度を有するヨウ素で
シリコン基板をドープすることによって得ることができ
、ｎ形基板上のｐ形基板のエピタキシーは約２０分間続
けることができる。
シリコン基板をドープすることによって得ることができ
、ｎ形基板上のｐ形基板のエピタキシーは約２０分間続
けることができる。
本発明に従って得られる温度補償ツェナー・ダイオード
の場合、電圧ドリフトはダイオードを１０１４個／ｃＭ
１２の中性子線束（ＩＭｅＶＫ相ａ）Ｋさらした後大体
２ミリＩルトであり、このダイオードの温度ドリフトは
維持される。一般に精度は１０−５／’Ｃ以下である。
の場合、電圧ドリフトはダイオードを１０１４個／ｃＭ
１２の中性子線束（ＩＭｅＶＫ相ａ）Ｋさらした後大体
２ミリＩルトであり、このダイオードの温度ドリフトは
維持される。一般に精度は１０−５／’Ｃ以下である。
第１図は電圧Ｖの関数として電流■を与える曲線である
ツェナー・ダイオードの特性を示す図、嬉２図は従来の
温度補償ツェナー・ダイオードの断面図、第３図は本発
明の方法によって得られる温度補償ツェナー・ダイオー
ドの断面図である。 （図中符号） ２・・・ｐｎ接合、４・・・ｐｎ接合、６・・・活性領
域、８・・・導電層、１０・・・リード線、１２・・・
絶縁層。
ツェナー・ダイオードの特性を示す図、嬉２図は従来の
温度補償ツェナー・ダイオードの断面図、第３図は本発
明の方法によって得られる温度補償ツェナー・ダイオー
ドの断面図である。 （図中符号） ２・・・ｐｎ接合、４・・・ｐｎ接合、６・・・活性領
域、８・・・導電層、１０・・・リード線、１２・・・
絶縁層。
Claims (9)
- （１）第１のｎ形シリコン基板上に第１のｐ形シリコン
基板をエピタキシーで被着させ、次にこれに金属不純物
を拡散させることによって第１のｐｎ接合を作シ、前記
拡散は前記ｐｎ接合のｎ領域内で行ない、前記第１のｎ
形シリコン基板とは異汝る第２のｎ形シリコン基板に第
２のｐ形シリコン基板をエピタキシーで被着させること
によって第２のｐｒｉｍ合を別個に作シ、前記の第１と
第２のｐｎ接合は前記第１のｐｉｓ合が順方向動作し、
前記第２のｐｎ接合が逆方向動作するように結合したこ
とを特徴とする温度補償ツェナー・ダイオード。 - （２）前記金属不純物が金原子であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の製造方法。 - （３）前記金属不純物の拡散を１，０００℃と１．２０
０℃の間の温度で行なうことを特徴とする特許請求の第
１項または第２項に記載の製造方法。 - （４）拡散温度が約１．１００℃であることを特徴とす
る特許請求の範囲第３項に記載の製造方法。 - （５）拡散時間を約１時間続けることを特徴とする特許
請求の範囲第３項または第４項に記載の製造方法。 - （６）前記の第１と第２のｎ形シリコン基板を２ないし
３Ｘ１０ｉｓ個／ ｃｍ ３のリン原子を含むように製
造することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
製造方法。 - （７）前記第１のｎ形シリコン基板が２ないし８Ｘ１０
” ｌｌ１５”のリン原子を含むように製造することを
特徴とする特許請求の範囲第６項に記載の製造方法。
□ - （８） 前記第２のｎ形シリコン基板が２ないし８×
１０１＄個／ｃｍｓのリン原子を含むことを特徴とする
特許請求の範囲第６項または第７項に記載の製造方法。 - （９）第１（２）１）ｎ接合と第２０ｐｎｉ！−合より
成シ、前記第１のｐｎ接合は第１のｐ形シリコン領域と
第１のｎ形シリコン領域を有し、このｎ形シリコン領域
には金属不純物が拡散され、前記第２のｐｎ接合は第２
のｐ形シリコン領域と第２のｎ形シリコン領域を有し、
前記第２のｎ形シリコン領域は前記第１のｎ形シリコン
領域について実行した不純物とは異なる不純物を一ドー
プすることによって得られ、前記第１のｐｎ接合と゛前
記第２のｐｎｓ合は前記第１のｐｎ接合が順方向動作し
、前記第２のｐｎ接合が逆方向動作するように相互に！
！絖されていることを特徴とする温度補償ツェナー・ダ
イオード。 顛 前記第１のｎ形シリコン領域が２ないし４Ｘ１Ｑ１
１個／ｌｘｌのリン原子を含むことを特徴とする特許請
求のｔ！囲第９項に記載の温度補償ツェナー・ダイオー
ド。 ６Ｉ）前記第２のｎ形シリコン領域が２ないし８×１０
” ＩＭ／６１１’のリン原子を含むことを特徴とす
る特許請求の範囲第９項または第１０項に記載の温ｆ１
１Ｉ償ツェナー・ダイオード。 ０ 拡散された金属不純物が金原子であることを特徴と
する特許請求の範囲第９項、第１０項または第１１項の
いずれか１項に記載の温度補償ツェナー・ダイオード。 ａ３ 金原子の濃度が２Ｘ１０’個１０１１３でろる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１２項に記載の温度
補償ツェナー・ダイオード。
Applications Claiming Priority (2)
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| FR8112846A FR2508703A1 (fr) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | Diode zener compensee en temperature et stable sous irradiation et procede de fabrication d'une telle diode |
| FR8112846 | 1981-06-30 |
Publications (1)
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|---|---|
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Family Applications (1)
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