JPS5894205A - ガリウム砒素電界効果トランジスタ発振器 - Google Patents
ガリウム砒素電界効果トランジスタ発振器Info
- Publication number
- JPS5894205A JPS5894205A JP19350381A JP19350381A JPS5894205A JP S5894205 A JPS5894205 A JP S5894205A JP 19350381 A JP19350381 A JP 19350381A JP 19350381 A JP19350381 A JP 19350381A JP S5894205 A JPS5894205 A JP S5894205A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- dielectric resonator
- field effect
- effect transistor
- coaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
- H03B2201/014—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
- H03B2201/017—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances the element being a dielectric resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は誘電体共振器を用いたガリウム砒素電界効果
トランジスタ発振器に関するものである。
トランジスタ発振器に関するものである。
従来のこの種の誘電体共振器を用いたガリウム砒素電界
効果トランジスタ発振器を第１図（ａ） 、 （ｂｌに
示しである。すなわち、この第１図（ａ）、Φ）におい
て、符号（１１はセラミックまたはテフロンなどのマイ
クロストリップ基板、（２）はこの基板上に設けられた
ガリウム砒素電界効果トランジスタ、＋３１ 。
効果トランジスタ発振器を第１図（ａ） 、 （ｂｌに
示しである。すなわち、この第１図（ａ）、Φ）におい
て、符号（１１はセラミックまたはテフロンなどのマイ
クロストリップ基板、（２）はこの基板上に設けられた
ガリウム砒素電界効果トランジスタ、＋３１ 。
（４）および（５）は同トランジスタから取シ出された
ゲート側、ドレイン側およびソース側それぞれのマイク
ロストリップ線路、（６）は直流カットコンデンサ、（
７）は前記ゲート側マイクロストリップ線路（３：。
ゲート側、ドレイン側およびソース側それぞれのマイク
ロストリップ線路、（６）は直流カットコンデンサ、（
７）は前記ゲート側マイクロストリップ線路（３：。
または同線路（３１とドレイン側マイクロストリップ線
路（４）とに接近して帰還回路を構成する誘電体共振器
、（８）はこの誘電体共振器（７）に対向結合された周
波数可変用の円板である。
路（４）とに接近して帰還回路を構成する誘電体共振器
、（８）はこの誘電体共振器（７）に対向結合された周
波数可変用の円板である。
しかしてこの従来構成の発振器では、ガリウム砒素電界
効果トランジスタ（２）のゲート０１１１マイクロスト
リツプ線路（３１，または同線路（３１とドレイン側マ
イクロストリップ線路（４）とに接近して帰還回路を構
成する高いＱの誘電体共振器（７）により発振周波数が
決定され、この発振周波数は、同誘雷体共振器（７１に
対向結合された円板（８）を、矢印で示すように機械的
に上下作動させ、その対向間隔を加減することにより磁
束もれをｆｔｉ制御して変化させるのであるが、周波数
可変手段が機械的であるために繰作が面倒であるほか、
構造も複雑化し、加えて周波数の安定度が低いなどの不
都合がある。
効果トランジスタ（２）のゲート０１１１マイクロスト
リツプ線路（３１，または同線路（３１とドレイン側マ
イクロストリップ線路（４）とに接近して帰還回路を構
成する高いＱの誘電体共振器（７）により発振周波数が
決定され、この発振周波数は、同誘雷体共振器（７１に
対向結合された円板（８）を、矢印で示すように機械的
に上下作動させ、その対向間隔を加減することにより磁
束もれをｆｔｉ制御して変化させるのであるが、周波数
可変手段が機械的であるために繰作が面倒であるほか、
構造も複雑化し、加えて周波数の安定度が低いなどの不
都合がある。
この発明は従来のこのような欠点に鑑み、周波数可変手
段を従来のように機械的同調とせずに、簀子的同調とす
るようにしたガリウム砒素電界効果トランジスタ発振器
を提案するものである。
段を従来のように機械的同調とせずに、簀子的同調とす
るようにしたガリウム砒素電界効果トランジスタ発振器
を提案するものである。
以下、この発明に係わるガリウム砒素電界効果トランジ
スタ発振器の一実施例につき、第２図（ａｌ、 （ｂ）
を参照して詳細に説明する。
スタ発振器の一実施例につき、第２図（ａｌ、 （ｂ）
を参照して詳細に説明する。
この第２図（ａ） 、 （ｂ）において前記第１図（ａ
） 、 （ｂ）と同一符号は同一または相当部分を示し
ており、また（９１は前記マイクロストリップ基板（１
）を内蔵する４波管、００１はマイクロストリップライ
ンから導波管に変換するテーパー変換部、０υはマイク
ロ波周波数に対するチョーク構造を有して、先端を前記
誘電体共振器（７）に対向結合させた回軸共振器、Ｏｚ
および（１１はその支持円筒および同定ねじ環、（１４
１は同チョーク構造端子部と円筒０力との間に装着され
た可変容駿ダイオードで、円筒（１２１の一部は誘電体
共振器（７）の上方にあって、導波管（９）内に突出さ
ねている。
） 、 （ｂ）と同一符号は同一または相当部分を示し
ており、また（９１は前記マイクロストリップ基板（１
）を内蔵する４波管、００１はマイクロストリップライ
ンから導波管に変換するテーパー変換部、０υはマイク
ロ波周波数に対するチョーク構造を有して、先端を前記
誘電体共振器（７）に対向結合させた回軸共振器、Ｏｚ
および（１１はその支持円筒および同定ねじ環、（１４
１は同チョーク構造端子部と円筒０力との間に装着され
た可変容駿ダイオードで、円筒（１２１の一部は誘電体
共振器（７）の上方にあって、導波管（９）内に突出さ
ねている。
こ＼でこの実施例の場合には、ゲート、またはゲートか
らドレインへの帰還回蕗を構成する誘電体共振器（７）
と、この誘電体共振器（７）に同軸結合される同軸共振
器αυとを含んでガリウム砒素電界効果トランジスタ（
２）が発振し、誘電体共振器（７１からは共振モードに
従って、その上方に磁束および電界が一部漏洩すること
になる。そしてこの漏洩した磁束および電界はまた同軸
共振器αυと結合され、その結合は同軸の形状９寸法な
どによって制御可能である。
らドレインへの帰還回蕗を構成する誘電体共振器（７）
と、この誘電体共振器（７）に同軸結合される同軸共振
器αυとを含んでガリウム砒素電界効果トランジスタ（
２）が発振し、誘電体共振器（７１からは共振モードに
従って、その上方に磁束および電界が一部漏洩すること
になる。そしてこの漏洩した磁束および電界はまた同軸
共振器αυと結合され、その結合は同軸の形状９寸法な
どによって制御可能である。
従って今、同軸共振器圓の内部に装着した可変容量ダイ
オード（１４１の容量を、チョーク構造の／イイアス端
子に直流バイアス１圧を印加することで変化させれば、
その共振周波数を変化でき、またこの同軸結合部との結
合を大きくすれば、この可変容量ダイオードにより発振
周波数を広帯域に可変し得るのであり、しかも高いＱの
誘電体共振器（７）を用いることにより、各発振周波数
の周波数安定度を、広帯域周波数可変であるにも拘らず
高くとることができるのである。
オード（１４１の容量を、チョーク構造の／イイアス端
子に直流バイアス１圧を印加することで変化させれば、
その共振周波数を変化でき、またこの同軸結合部との結
合を大きくすれば、この可変容量ダイオードにより発振
周波数を広帯域に可変し得るのであり、しかも高いＱの
誘電体共振器（７）を用いることにより、各発振周波数
の周波数安定度を、広帯域周波数可変であるにも拘らず
高くとることができるのである。
以上詳述したようにこの発明によれば、誘電体共振器に
可変容量ダイオードを装着した同軸共振器を結合させた
から、広帯域に、周波数を変化でき、しかも高いＱの誘
電体共振器により発振周波数の安定を確保し得られると
共に、重子的同調であるために操作が容易で、また構造
も簡単化できるなどの特長がある。
可変容量ダイオードを装着した同軸共振器を結合させた
から、広帯域に、周波数を変化でき、しかも高いＱの誘
電体共振器により発振周波数の安定を確保し得られると
共に、重子的同調であるために操作が容易で、また構造
も簡単化できるなどの特長がある。
第１図（ａ）および山）は従来例によるガリウム砒素電
界効果トランジスタ発振器の概要構成を示す斜視図およ
び側面図、第２図（ａ）および（ｂ）はこの発明の一実
施例によるガリウム砒素電界効果トランジスタ発振器の
概要構成を示す一部縦断側面図および基板部の平面図で
ある。 （１）・・・拳マイクロストリ゛ツブ基板、（２）・・
拳・ガリウム砒素電界効果トランジスタ、 （３１、（
４１および（５）・・・・ゲート側、ドレイン側および
ソース側のマイクロストリップ線路、（７）・拳・・誘
電体共振器、（９）・・・・導波管、０１）・・・・同
軸共振器、Ｏ３・・・・支持円筒、０４・・Φ・可変容
量ダイオード。 代理人 葛 野 信 −（外１名）
界効果トランジスタ発振器の概要構成を示す斜視図およ
び側面図、第２図（ａ）および（ｂ）はこの発明の一実
施例によるガリウム砒素電界効果トランジスタ発振器の
概要構成を示す一部縦断側面図および基板部の平面図で
ある。 （１）・・・拳マイクロストリ゛ツブ基板、（２）・・
拳・ガリウム砒素電界効果トランジスタ、 （３１、（
４１および（５）・・・・ゲート側、ドレイン側および
ソース側のマイクロストリップ線路、（７）・拳・・誘
電体共振器、（９）・・・・導波管、０１）・・・・同
軸共振器、Ｏ３・・・・支持円筒、０４・・Φ・可変容
量ダイオード。 代理人 葛 野 信 −（外１名）
Claims (1)
- マイクロストリップ基板上に、ガリウム砒素電界効果ト
ランジスタと、このトランジスタから取り出したゲート
側、ドレイン側およびソース側の各マイクロストリップ
線路と、ゲート側マイクロストリップ線路、または同線
路とドレイン側マイクロストリップ線路とに接近して帰
還回路を構成する誘電体共振器とを備えた発振器におい
て、可変容量ダイオードを内装する同・咄共振器を、前
記誘電体共振器に同軸結合して配置したことを特徴とす
るガリウム砒素電界効果トランジスタ発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19350381A JPS5894205A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | ガリウム砒素電界効果トランジスタ発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19350381A JPS5894205A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | ガリウム砒素電界効果トランジスタ発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5894205A true JPS5894205A (ja) | 1983-06-04 |
Family
ID=16309128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19350381A Pending JPS5894205A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | ガリウム砒素電界効果トランジスタ発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5894205A (ja) |
-
1981
- 1981-11-28 JP JP19350381A patent/JPS5894205A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4307352A (en) | Micro-strip oscillator with dielectric resonator | |
| US4079341A (en) | Microwave oscillator having feedback coupled through a dielectric resonator | |
| JPS6482807A (en) | Microwave oscillator | |
| US4871983A (en) | Electronically tuned dielectric resonator stabilized oscillator | |
| US20160248142A1 (en) | Resonant unit, voltage controlled oscillator (vco) implementing the same, and push-push oscillator implementing a pair of vcos | |
| US4214217A (en) | Electronic tuning circuit having image trapping element | |
| JPS62252206A (ja) | 周波数逓倍型電圧制御発振器 | |
| US4890074A (en) | Quartz microstrip gunn oscillator | |
| JPS6141441B2 (ja) | ||
| US5204641A (en) | Conducting plane resonator stabilized oscillator | |
| JPH04294616A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JPS6221281B2 (ja) | ||
| US6172577B1 (en) | Oscillator and oscillation apparatus using the oscillator | |
| JPS6317361B2 (ja) | ||
| RU2239938C1 (ru) | Транзисторный генератор свч | |
| US7145405B2 (en) | Planar high frequency oscillator | |
| US4155051A (en) | Harmonically tuned high power voltage controlled oscillator | |
| JP2617966B2 (ja) | マイクロ波発振器 | |
| RU2024181C1 (ru) | Малошумящий свч-генератор | |
| JPS6029213Y2 (ja) | 半同軸共振器制御発振装置 | |
| JPS6024001Y2 (ja) | マイクロ波集積回路 | |
| JPS62235805A (ja) | 電子同調発振器 | |
| JPS6316166Y2 (ja) | ||
| JPH08274541A (ja) | 温度補償型発振器 | |
| JPS60242702A (ja) | マイクロ波共振回路 |