JPS6316166Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6316166Y2 JPS6316166Y2 JP11750282U JP11750282U JPS6316166Y2 JP S6316166 Y2 JPS6316166 Y2 JP S6316166Y2 JP 11750282 U JP11750282 U JP 11750282U JP 11750282 U JP11750282 U JP 11750282U JP S6316166 Y2 JPS6316166 Y2 JP S6316166Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric resonator
- microstrip line
- oscillator
- oscillation frequency
- metal disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、マイクロストリツプ線路に誘電体
共振器を付加した発振器に関するものである。
共振器を付加した発振器に関するものである。
発振器を環境温度、直流バイスス変動に対して
安定にし、FM雑音の低減を図る一方法として、
誘電体共振器を発振器に付加する方法があり、半
導体素子の入力側もしくは出力側端子に接続した
マイクロストリツプ線路に誘電体共振器を付加し
た発振器が知られている。
安定にし、FM雑音の低減を図る一方法として、
誘電体共振器を発振器に付加する方法があり、半
導体素子の入力側もしくは出力側端子に接続した
マイクロストリツプ線路に誘電体共振器を付加し
た発振器が知られている。
第１図および第２図は、上述の方法による従来
の発振器の一実施例を示す図である。
の発振器の一実施例を示す図である。
第１図、第２図において、１は誘電体共振器、
２は電界効果トランジスタ（以下FETと称す）、
３はゲート端子、４はドレイン端子、５はソース
端子、６はバイアス供給用1/4波長RFチヨーク、
７はゲート端子に接続されたマイクロストリツプ
線路、８はドレイン端子に接続されたマイクロス
トリツプ線路、９はアルミナ、セラミツク基板、
１０はFET２及びアルミナセラミツク基板９を
固定するキヤリア、１１は金属デイスクである。
２は電界効果トランジスタ（以下FETと称す）、
３はゲート端子、４はドレイン端子、５はソース
端子、６はバイアス供給用1/4波長RFチヨーク、
７はゲート端子に接続されたマイクロストリツプ
線路、８はドレイン端子に接続されたマイクロス
トリツプ線路、９はアルミナ、セラミツク基板、
１０はFET２及びアルミナセラミツク基板９を
固定するキヤリア、１１は金属デイスクである。
この発振器は、帰還がFETの内部で行われる
内部帰還型発振器であり、ゲート側端子３に接続
したマイクロストリツプ線路７の一端を開放し、
ゲート側マイクロストリツプ線路７に誘電体共振
器１を付加して帯域反射型発振器として動作させ
ている。
内部帰還型発振器であり、ゲート側端子３に接続
したマイクロストリツプ線路７の一端を開放し、
ゲート側マイクロストリツプ線路７に誘電体共振
器１を付加して帯域反射型発振器として動作させ
ている。
従来、この発振器の発振周波数の調整は、第２
図に示す如く誘電体共振器１の真上部に金属デイ
スク１１をねじ構造で取りつけ、誘電体共振器１
の上面と金属デイスクとの距離を変えて誘電体共
振器１とマイクロストリツプ線路７の電磁界結合
量を変化させることにより行つていた。しかしな
がら、この方法によれば発振周波数調整用の金属
デイスク１１を必要とするため、イ構造が複雑と
なる。ロ振動衝撃などの機械的ストレスの影響を
受け易い、といつた理由から、信頼性の点で問題
があつた。
図に示す如く誘電体共振器１の真上部に金属デイ
スク１１をねじ構造で取りつけ、誘電体共振器１
の上面と金属デイスクとの距離を変えて誘電体共
振器１とマイクロストリツプ線路７の電磁界結合
量を変化させることにより行つていた。しかしな
がら、この方法によれば発振周波数調整用の金属
デイスク１１を必要とするため、イ構造が複雑と
なる。ロ振動衝撃などの機械的ストレスの影響を
受け易い、といつた理由から、信頼性の点で問題
があつた。
この考案は、このような従来の欠点を改善する
ためになされたもので、発振器の金属デイスク１
１を取り去り、誘電体共振器１そのものを変形さ
せることによつて発振周波数の調整を可能にする
ものであり、回路構成が簡単で機械的ストレスの
影響を受けにくい発振器を提供するものである。
ためになされたもので、発振器の金属デイスク１
１を取り去り、誘電体共振器１そのものを変形さ
せることによつて発振周波数の調整を可能にする
ものであり、回路構成が簡単で機械的ストレスの
影響を受けにくい発振器を提供するものである。
以下、この考案の一実施例について詳述する。
第３図は、この考案による発振器の構成図であ
る。同図において、１はゲート側マイクロストリ
ツプ線路７に付加された誘電体共振器、２は
FET、９はアルミナセラミツク基板である。
る。同図において、１はゲート側マイクロストリ
ツプ線路７に付加された誘電体共振器、２は
FET、９はアルミナセラミツク基板である。
第３図に示すように、誘電体共振器の形状を、
従来の円筒状から、上端面に傾きを持たせた形状
にすることにより、マイクロストリツプ線路７の
近傍に置かれた誘電体共振器を回転させること
で、マイクロストリツプ線路７と誘電体共振器１
の電磁界結合量が変化し、従来のように金属デイ
スク１１を使わずに発振周波数を調整することが
可能となる。
従来の円筒状から、上端面に傾きを持たせた形状
にすることにより、マイクロストリツプ線路７の
近傍に置かれた誘電体共振器を回転させること
で、マイクロストリツプ線路７と誘電体共振器１
の電磁界結合量が変化し、従来のように金属デイ
スク１１を使わずに発振周波数を調整することが
可能となる。
ここで、上記誘電体共振器１とマイクロストリ
ツプ線路７の結合状態について説明する。第１図
によれば、誘電体共振器１とマイクロストリツプ
線路７との磁界結合量は、誘電体共振器１がマイ
クロストリツプ線路７に隣接する領域で最大とな
る。この部分ではマイクロストリツプ線路７を一
本の中心軸として、その周囲に磁界がループを形
成する。このループは誘電体共振器１を通過して
いるが、上述の如く誘電体共振器１の一部で磁界
ループの集中が生じる。磁界の共振器周波数は、
上記磁界ループ集中部における誘電体共振器１の
厚さｔに関係しており、ｔが大きくなれば共振周
波数は低下し、ｔが小さくなれば共振周波数は上
昇することになる。この様に、誘電体共振器１の
上端面に傾きを持たせてマイクロストリツプ線路
７の隣接部での厚さｔを誘電体共振器１の回転に
より変化させることで、発振器の発振周波数を調
整することが可能となる。なお、誘電体共振器１
の位置は、FET２の入力側あるいは出力側のい
ずれであつてもよい。
ツプ線路７の結合状態について説明する。第１図
によれば、誘電体共振器１とマイクロストリツプ
線路７との磁界結合量は、誘電体共振器１がマイ
クロストリツプ線路７に隣接する領域で最大とな
る。この部分ではマイクロストリツプ線路７を一
本の中心軸として、その周囲に磁界がループを形
成する。このループは誘電体共振器１を通過して
いるが、上述の如く誘電体共振器１の一部で磁界
ループの集中が生じる。磁界の共振器周波数は、
上記磁界ループ集中部における誘電体共振器１の
厚さｔに関係しており、ｔが大きくなれば共振周
波数は低下し、ｔが小さくなれば共振周波数は上
昇することになる。この様に、誘電体共振器１の
上端面に傾きを持たせてマイクロストリツプ線路
７の隣接部での厚さｔを誘電体共振器１の回転に
より変化させることで、発振器の発振周波数を調
整することが可能となる。なお、誘電体共振器１
の位置は、FET２の入力側あるいは出力側のい
ずれであつてもよい。
第１図および第２図は、従来の発振器の構成
図、第３図はこの考案による発振器の一実施例を
示す図であり、 図中、１は誘電体共振器、２はFET、３はゲ
ート端子、４はドレイン端子、５はソース端子、
６はバイアス供給用1/4波長RFチヨーク、７，８
はマイクロストリツプ線路、９はアルミナセラミ
ツク基板、１１は金属デイスクである。なお、図
中同一あるいは相当部分には同一符号を付して示
してある。
図、第３図はこの考案による発振器の一実施例を
示す図であり、 図中、１は誘電体共振器、２はFET、３はゲ
ート端子、４はドレイン端子、５はソース端子、
６はバイアス供給用1/4波長RFチヨーク、７，８
はマイクロストリツプ線路、９はアルミナセラミ
ツク基板、１１は金属デイスクである。なお、図
中同一あるいは相当部分には同一符号を付して示
してある。
Claims (1)
- 半導体素子、マイクロストリツプ線路、誘電体
共振器で構成されている発振器において、半導体
素子の入力側もしくは出力側端子につながるマイ
クロストリツプ線路に設けた誘電体共振器の上端
面に傾斜をもたせ、上記誘電体共振器を回転させ
ることにより発振周波数を調整可能にしたことを
特徴とする発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11750282U JPS59104612U (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11750282U JPS59104612U (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104612U JPS59104612U (ja) | 1984-07-14 |
| JPS6316166Y2 true JPS6316166Y2 (ja) | 1988-05-09 |
Family
ID=30270460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11750282U Granted JPS59104612U (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104612U (ja) |
-
1982
- 1982-08-02 JP JP11750282U patent/JPS59104612U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59104612U (ja) | 1984-07-14 |
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