JPS5895713A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPS5895713A JPS5895713A JP19362481A JP19362481A JPS5895713A JP S5895713 A JPS5895713 A JP S5895713A JP 19362481 A JP19362481 A JP 19362481A JP 19362481 A JP19362481 A JP 19362481A JP S5895713 A JPS5895713 A JP S5895713A
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- 239000003566 sealing material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
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- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複層形液晶表示素子の製造方法に関す不もので
あり、更に詳しくは多数個同時に製造する製造方法に関
する。
あり、更に詳しくは多数個同時に製造する製造方法に関
する。
第1図は複層形液晶表示素子の一例を示す断面図であり
、(1)はF(前面)電極基板、(2)はII(中間)
電極基板、(3)はR(裏面)電極基板であり、同面に
電極が形成されたM電極基板(2)をはさんで、F電極
基板(1)とR電km板(8)を所定の間隔でシール材
(4)により封着一体化し、それぞれの間隙に液晶(5
)を注入封止した構成になっている。
、(1)はF(前面)電極基板、(2)はII(中間)
電極基板、(3)はR(裏面)電極基板であり、同面に
電極が形成されたM電極基板(2)をはさんで、F電極
基板(1)とR電km板(8)を所定の間隔でシール材
(4)により封着一体化し、それぞれの間隙に液晶(5
)を注入封止した構成になっている。
゛従来の複層形液晶表示素子の製造方法は、M電極基板
の切断分離が難しいため1個づつ組立てるか、第2図に
示すように多数電極ノくターンを有するM電極基板(2
)をはさんで、多数電析ノ;ターンを有するF電極基板
(1)とR電析基板(8)をシール材(4)により封着
一体化し、それぞれの間隙に液晶(6)を注入封止した
後、aの箇所で個々に切断分離し、次いです、cに切線
を入れ折る事により第1図のような複層形液晶表示素子
が得られる。
の切断分離が難しいため1個づつ組立てるか、第2図に
示すように多数電極ノくターンを有するM電極基板(2
)をはさんで、多数電析ノ;ターンを有するF電極基板
(1)とR電析基板(8)をシール材(4)により封着
一体化し、それぞれの間隙に液晶(6)を注入封止した
後、aの箇所で個々に切断分離し、次いです、cに切線
を入れ折る事により第1図のような複層形液晶表示素子
が得られる。
しかるに従来の製造方法において、前者Vi1個づつ組
立てるため生産性が悪く、後者の方法はスライサーとス
クライプを併用するため工程が複雑となり生産性低下を
まねくばかりでなく、b、cの箇所に切線を入れ折ると
き、折り代が短かいので折り不良が多発しか留を下げる
等の問題がある。
立てるため生産性が悪く、後者の方法はスライサーとス
クライプを併用するため工程が複雑となり生産性低下を
まねくばかりでなく、b、cの箇所に切線を入れ折ると
き、折り代が短かいので折り不良が多発しか留を下げる
等の問題がある。
かかる問題に鑑み本発明者等は、先にM電極基板構体に
予め切線を入れてから、多数個構体を形成するオールヌ
クライブ方式の製造方法を提案した。この提案の方法は
生産性及び歩留向上に効果があるが、多数個取りのマル
チ度を上げた場合、次の様な新たA問題が発生した。
予め切線を入れてから、多数個構体を形成するオールヌ
クライブ方式の製造方法を提案した。この提案の方法は
生産性及び歩留向上に効果があるが、多数個取りのマル
チ度を上げた場合、次の様な新たA問題が発生した。
即ち、第3図の様にM!極板構体にX方向(x、−x・
)及びY方向(7+ + 72 )にスクライプで切線
を入れると、Xとyの切線の交点でカレントが発生し、
F電極基板構体及びR電極基板構体と組合ぜてセル化し
たとき、前記カーレットが異物不良となるという問題が
発生した。
)及びY方向(7+ + 72 )にスクライプで切線
を入れると、Xとyの切線の交点でカレントが発生し、
F電極基板構体及びR電極基板構体と組合ぜてセル化し
たとき、前記カーレットが異物不良となるという問題が
発生した。
そこで本発明者は更に検討を重ねた結果、本発明に到達
したもので、ME極基板病体の一面に一方向に切線を入
れ、この基板構体を反転して他面に前記切線の方向とは
異なる方向に切線を入れ、この切線を入れたM%: &
M 4ty構体を、多数パターンを有するF電&基板
構体とR電極基板構体との対応箇所にはさみ封着一体化
し、多数個空セル構体とし、この空セル構体に液晶を注
入封止した後、F電極基板構体とR電包基km体に切線
を入れ折ることを%″徴とする。
したもので、ME極基板病体の一面に一方向に切線を入
れ、この基板構体を反転して他面に前記切線の方向とは
異なる方向に切線を入れ、この切線を入れたM%: &
M 4ty構体を、多数パターンを有するF電&基板
構体とR電極基板構体との対応箇所にはさみ封着一体化
し、多数個空セル構体とし、この空セル構体に液晶を注
入封止した後、F電極基板構体とR電包基km体に切線
を入れ折ることを%″徴とする。
本発明を第3図、第4図及び紀5図を用いて更に詳しく
説明する。
説明する。
第3図は、本発明に係るM’に極基板構体(2)の切線
の入れ方の一例であり、両面に多11回パターンを構成
し、配向処理を施した後、一方の面にスクライプにより
x、−x6の切線を入れ、反転して他方の面に71.
Vtの切線を入れたものである。この様に前処理をした
M電極基板構体(2)を第4図の様に、配向処理を施し
たF電極基板構体(1)及びR電極基板構体(8)の所
定の箇所にシール材(4)を介してはさみ加熱圧着して
、多数個空セル構体を形成する。しかる後、F電極基板
構体(1)及びR電極基枡構体(8)の所定の箇所d及
びθにスクライプにより切線を入れ折ることにより、M
Z極基板構体伐)は7+ v 7tで分離され、スティ
ック状の多数個空セル構体が得られる。次いで、このス
ティック状の多数個空セル構体のシール部に設けられた
注入孔より多数個同時に液晶(6)を注入し、注入孔を
封止して多数個構体とする。しかる後、F電極基板構体
(1)及びR電極基板構体(8)の所定の箇PJ′rf
及びgにスクライプにより切線を入れて折り、M電極基
板模体X、〜X、で分離することにより個々の液晶表示
素子を得る。
の入れ方の一例であり、両面に多11回パターンを構成
し、配向処理を施した後、一方の面にスクライプにより
x、−x6の切線を入れ、反転して他方の面に71.
Vtの切線を入れたものである。この様に前処理をした
M電極基板構体(2)を第4図の様に、配向処理を施し
たF電極基板構体(1)及びR電極基板構体(8)の所
定の箇所にシール材(4)を介してはさみ加熱圧着して
、多数個空セル構体を形成する。しかる後、F電極基板
構体(1)及びR電極基枡構体(8)の所定の箇所d及
びθにスクライプにより切線を入れ折ることにより、M
Z極基板構体伐)は7+ v 7tで分離され、スティ
ック状の多数個空セル構体が得られる。次いで、このス
ティック状の多数個空セル構体のシール部に設けられた
注入孔より多数個同時に液晶(6)を注入し、注入孔を
封止して多数個構体とする。しかる後、F電極基板構体
(1)及びR電極基板構体(8)の所定の箇PJ′rf
及びgにスクライプにより切線を入れて折り、M電極基
板模体X、〜X、で分離することにより個々の液晶表示
素子を得る。
本発明の上記実施例においては、先に7s * 7tで
分離してスティック状で液晶を注入封止してから個々の
液晶表示素子に分離する例について説明したが、先にy
、のみ分離して残りの空セル構体に左右から液晶を注入
封止してからy。
分離してスティック状で液晶を注入封止してから個々の
液晶表示素子に分離する例について説明したが、先にy
、のみ分離して残りの空セル構体に左右から液晶を注入
封止してからy。
で分離してもよいし、y□wet及びx1〜x6を空セ
ルで個々に分離して、後から液晶を注入封止してもよい
。
ルで個々に分離して、後から液晶を注入封止してもよい
。
以上説明したように、本発明によればM電極基板構体の
両面に予め切線を入れる技術思想を採用したため、複数
列、複数行の空セル構体を同時に歩留を低下させること
なく形成でき、極めて生産性の向上を計る事ができた。
両面に予め切線を入れる技術思想を採用したため、複数
列、複数行の空セル構体を同時に歩留を低下させること
なく形成でき、極めて生産性の向上を計る事ができた。
第1図は複層形液晶表示素子の断面図、第2図は従来の
製法を説明するための液晶表示素子構体の断面図、第3
図は実施例に係るM電極基板構体の平面図、第4図及び
第5図は実施例に係る液晶表示素子構体の断面図である
。 1・・・F電極基板、2・・・M電極基板、3・・・R
電極基板、4・・・シール材、5・・・液晶L e+
f+ g+ xI 〜x6 + 3’! + 7t ”
’切線を入れる箇所。
製法を説明するための液晶表示素子構体の断面図、第3
図は実施例に係るM電極基板構体の平面図、第4図及び
第5図は実施例に係る液晶表示素子構体の断面図である
。 1・・・F電極基板、2・・・M電極基板、3・・・R
電極基板、4・・・シール材、5・・・液晶L e+
f+ g+ xI 〜x6 + 3’! + 7t ”
’切線を入れる箇所。
Claims (1)
- 複層形液晶表示素子の製造方法において、多数パターイ
會有する中間電極基板構体め一面に切線を入れる工程、
他面に前記切線の方向とは異なる方向に切Wt入れる工
程、多数パターンを有する前面電極基板構体と多数パタ
ーンを有する裏面電極基板構体との対応箇所に、前記切
線を入れた中間電極基板構体をはさみ封着一体化し、多
数個空セル構体とする工程、該多数個空セル桝体に液晶
を注入封止し、この多数個構体を分離するか、或は該多
数個空セル構体を分離して液晶を注入封止する工程とを
設けた液晶光示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19362481A JPS5895713A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19362481A JPS5895713A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895713A true JPS5895713A (ja) | 1983-06-07 |
Family
ID=16311030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19362481A Pending JPS5895713A (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895713A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63118786A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-05-23 | ジャン−ポール ゴルチエ | モジュール式ディスプレイ装置 |
| EP0924547A1 (fr) * | 1997-12-22 | 1999-06-23 | Asulab S.A. | Procédé de fabrication de cellules électro-optiques, notamment à cristaux liquides |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5280142A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-05 | Seiko Epson Corp | Production of display unit |
| JPS5348760A (en) * | 1976-10-15 | 1978-05-02 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display element |
| JPS5665118A (en) * | 1979-11-01 | 1981-06-02 | Casio Comput Co Ltd | Production of electro-optic display cell |
-
1981
- 1981-12-03 JP JP19362481A patent/JPS5895713A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5280142A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-05 | Seiko Epson Corp | Production of display unit |
| JPS5348760A (en) * | 1976-10-15 | 1978-05-02 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display element |
| JPS5665118A (en) * | 1979-11-01 | 1981-06-02 | Casio Comput Co Ltd | Production of electro-optic display cell |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63118786A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-05-23 | ジャン−ポール ゴルチエ | モジュール式ディスプレイ装置 |
| EP0924547A1 (fr) * | 1997-12-22 | 1999-06-23 | Asulab S.A. | Procédé de fabrication de cellules électro-optiques, notamment à cristaux liquides |
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