JPS5897054A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS5897054A JPS5897054A JP19542181A JP19542181A JPS5897054A JP S5897054 A JPS5897054 A JP S5897054A JP 19542181 A JP19542181 A JP 19542181A JP 19542181 A JP19542181 A JP 19542181A JP S5897054 A JPS5897054 A JP S5897054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- arsenic
- ppm
- selenium
- electrophotographic photoreceptor
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真感光体に関し、さらに詳しくは光疲
労および繰返し疲労が小さく残留電位が使用により増加
しないという優れた特性を有する電子写真用感光体に関
する。
労および繰返し疲労が小さく残留電位が使用により増加
しないという優れた特性を有する電子写真用感光体に関
する。
電子写真用感光体は、暗減衰速度が小さいこと、光照射
時の光減衰速度が大きく光感度が優れていること、光疲
労および繰返し疲労が小さく残留電位が使用により増加
しないこと、耐熱性が良いこと、使用により感光体層成
分が結晶化しないこと、表面硬度が大きいことなどの性
質を備えることが必要とされる。
時の光減衰速度が大きく光感度が優れていること、光疲
労および繰返し疲労が小さく残留電位が使用により増加
しないこと、耐熱性が良いこと、使用により感光体層成
分が結晶化しないこと、表面硬度が大きいことなどの性
質を備えることが必要とされる。
このような諸性質を満足させるため、ヒ素−セレン系（
Ａｓ□Ｓｅ３系）感光体が開発されたが、このヒ素−セ
レン系感光体は光感度が優れてかつ表面硬度が大きいた
め電子写真用感光体としては極めて有用である。しかし
ながらこのヒ素−セレン系感光体は、複写を多数回繰返
すと画像濃度が低下するという光疲労現象が認められる
という欠点があった。
Ａｓ□Ｓｅ３系）感光体が開発されたが、このヒ素−セ
レン系感光体は光感度が優れてかつ表面硬度が大きいた
め電子写真用感光体としては極めて有用である。しかし
ながらこのヒ素−セレン系感光体は、複写を多数回繰返
すと画像濃度が低下するという光疲労現象が認められる
という欠点があった。
このようなヒ素−セレン系感光体の光疲労を防止するた
め、デッドサイクルを設けたり、照射光の波長を選択し
たり、あるいは帯電電位を与えるためのコロナ電流の増
減を図るなどプロセス面からの改良が加えられている。
め、デッドサイクルを設けたり、照射光の波長を選択し
たり、あるいは帯電電位を与えるためのコロナ電流の増
減を図るなどプロセス面からの改良が加えられている。
しかしながら上記のようなプロセス面からの改良を加え
ても、充分には光疲労を防止することができず、さらに
改良することが望まれていた。
ても、充分には光疲労を防止することができず、さらに
改良することが望まれていた。
本発明は、このような欠点を解決しようとするものであ
り、多数回の使用による光疲労を有効に防止しうるセレ
ンーヒ素系電子写真用感光体を提供することを目的とし
ている。
り、多数回の使用による光疲労を有効に防止しうるセレ
ンーヒ素系電子写真用感光体を提供することを目的とし
ている。
本発明による電子写真用感光体は、セレンーヒ素中に、
４〜１１００ｐｐの鉛、１０〜６００ｐｐｍのアンチモ
ンのいずれか一方またはその両者を含有させた電子写真
用感光体材料を導電性基体上に設けたことを特徴として
おり、カールソンプロセスで使用する。
４〜１１００ｐｐの鉛、１０〜６００ｐｐｍのアンチモ
ンのいずれか一方またはその両者を含有させた電子写真
用感光体材料を導電性基体上に設けたことを特徴として
おり、カールソンプロセスで使用する。
本発明において用いられる電子写真用感光体材料のベー
スとなるセレンーヒ素系感光材料は、セレンを７０．０
〜６０．０重量饅およびヒ素を３０．０〜４０．０重量
％含有して構成されている。
スとなるセレンーヒ素系感光材料は、セレンを７０．０
〜６０．０重量饅およびヒ素を３０．０〜４０．０重量
％含有して構成されている。
このようなセレンーヒ素系感光材料に、４〜１１００ｐ
ｐの鉛、１０〜６００ｐｐｍのアンチモンのいずれか一
方またはその両者を含有させて電子写真用感光体材料を
調製する。鉛の含有量が４ｐｐｍより少ない場合には、
充分に光疲労を防止することができず、一方その含有量
が１００ ｐｐｍを越えると、暗抵抗が減少し、コロ六
帯電下の受容電位が低くなるため好ましくない。またア
ンチモンの含有量が１０ｐｐｍより少ない場合には、充
分に光疲労を防止することができず、一方その含有量が
６００ ｐｐｍを越えると、暗抵抗が減少し、受容電位
が低く・実使用に耐えないため好ましくない。ベースと
なるセレンーヒ素系感光材料に１鉛またはアンチモノの
いずれか一方を添加することによって光疲労を防止する
ことができるが、鉛およびアンチモンの両者を添加する
ことによってさらに効果的に光疲労を防止することがで
きる。このため、セレンーヒ素系感光材料に鉛とアンチ
モンの両者を添加することが好ましい。
ｐの鉛、１０〜６００ｐｐｍのアンチモンのいずれか一
方またはその両者を含有させて電子写真用感光体材料を
調製する。鉛の含有量が４ｐｐｍより少ない場合には、
充分に光疲労を防止することができず、一方その含有量
が１００ ｐｐｍを越えると、暗抵抗が減少し、コロ六
帯電下の受容電位が低くなるため好ましくない。またア
ンチモンの含有量が１０ｐｐｍより少ない場合には、充
分に光疲労を防止することができず、一方その含有量が
６００ ｐｐｍを越えると、暗抵抗が減少し、受容電位
が低く・実使用に耐えないため好ましくない。ベースと
なるセレンーヒ素系感光材料に１鉛またはアンチモノの
いずれか一方を添加することによって光疲労を防止する
ことができるが、鉛およびアンチモンの両者を添加する
ことによってさらに効果的に光疲労を防止することがで
きる。このため、セレンーヒ素系感光材料に鉛とアンチ
モンの両者を添加することが好ましい。
このように調製された電子写真用感光体材料は、真空蒸
着法、スパッタ法、電子ビーム法などにより、導電性基
体上に４０〜７０μｍ１好ましくは５０〜６０μｍの膜
厚で積層される。導電性基体としてハ、アルミニウム、
ニッケル、ステンレス、鉛、銀、酸化スズなどが用いら
れる。電子写真用感光体層を導電性基体上に積層させる
に際して、蒸着源であるセレ／−ヒ素系感光体材料を蒸
着用ボートに入れて蒸着装置内に設置し、３９０〜４２
０’ＣＫ加熱保持し、また導電性基体を１９５〜２１０
’ＧＫ保つことが好ましい。一方蒸着装置内は、ＬＯＸ
ＩＯ−Ｌｌ、 ０Ｘ１０−６Ｔｏｒｒの真空度に保つこ
とが好ましい。
着法、スパッタ法、電子ビーム法などにより、導電性基
体上に４０〜７０μｍ１好ましくは５０〜６０μｍの膜
厚で積層される。導電性基体としてハ、アルミニウム、
ニッケル、ステンレス、鉛、銀、酸化スズなどが用いら
れる。電子写真用感光体層を導電性基体上に積層させる
に際して、蒸着源であるセレ／−ヒ素系感光体材料を蒸
着用ボートに入れて蒸着装置内に設置し、３９０〜４２
０’ＣＫ加熱保持し、また導電性基体を１９５〜２１０
’ＧＫ保つことが好ましい。一方蒸着装置内は、ＬＯＸ
ＩＯ−Ｌｌ、 ０Ｘ１０−６Ｔｏｒｒの真空度に保つこ
とが好ましい。
なお、セレンーヒ素（Ａｓ２Ｓ・３）系感光材料に、鉛
およびアンチモンのほかに、たとえば微量のビスマス、
鉄、ケルマニウム、マグネシウム、ケイ素、スズ、テル
ル、タリウムを含有させてもよい。
およびアンチモンのほかに、たとえば微量のビスマス、
鉄、ケルマニウム、マグネシウム、ケイ素、スズ、テル
ル、タリウムを含有させてもよい。
以下本発明の電子写真用感光体を、例によりさらに詳し
く説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
く説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
例１
ヒ素３５．０重量％を含有するセレンーヒ素感光材料に
、鉛９９．４ ｐｐｍおよびアンチモン５８０ ｐｐｍ
を含有する電子写真用感光体材料を調製した。
、鉛９９．４ ｐｐｍおよびアンチモン５８０ ｐｐｍ
を含有する電子写真用感光体材料を調製した。
この感光体材料１２０ｇをステンレスポート内に充填し
、真空蒸着装置内にセットした。一方導電性基体として
充分に洗浄を加えたアルミニウム板（ＪＩＳ ３００３
）を用いて真空蒸着装置内にセットし、蒸着時には２
００℃に加熱保持した。真空蒸着゛装置内を１． ＯＸ
１０−’Ｔｏｒｒの真空度に保ちながら、前記ボート
に通電して約４００℃まで加熱し、その後４Ｏｆｆ’Ｃ
Ｋ保持して、アルミニウム基体上に約６０μｍの膜厚の
感光体層を被着させた。
、真空蒸着装置内にセットした。一方導電性基体として
充分に洗浄を加えたアルミニウム板（ＪＩＳ ３００３
）を用いて真空蒸着装置内にセットし、蒸着時には２
００℃に加熱保持した。真空蒸着゛装置内を１． ＯＸ
１０−’Ｔｏｒｒの真空度に保ちながら、前記ボート
に通電して約４００℃まで加熱し、その後４Ｏｆｆ’Ｃ
Ｋ保持して、アルミニウム基体上に約６０μｍの膜厚の
感光体層を被着させた。
このようにして得られた電子写真用感光体の繰返し使用
による光疲労を以下のようＫして測定した。
による光疲労を以下のようＫして測定した。
感光体に８００ｖの帯電電位を与え、次いで光を照射し
て光減衰を行なわせるというサイクルを２００回繰返し
た後に、さらに感光体に８００■の帯電電位を与え、こ
の帯電電位が暗時にどの程度低下するかを測定した。こ
の結果、光疲労による帯電電位の低下は約３０Ｖであっ
た。
て光減衰を行なわせるというサイクルを２００回繰返し
た後に、さらに感光体に８００■の帯電電位を与え、こ
の帯電電位が暗時にどの程度低下するかを測定した。こ
の結果、光疲労による帯電電位の低下は約３０Ｖであっ
た。
例２
ヒ素３６．０重量％を含有するセレンーヒ素感光材料に
、鉛４．２ｐｐｍ、アンチモン２３ ｐｐｍを含有する
電子写真用感光体材料を調製した以外は、例１と同様に
してアルミニウム基体上に感光体層を被着させ、繰返し
使用による帯電電位の低下を測定した。
、鉛４．２ｐｐｍ、アンチモン２３ ｐｐｍを含有する
電子写真用感光体材料を調製した以外は、例１と同様に
してアルミニウム基体上に感光体層を被着させ、繰返し
使用による帯電電位の低下を測定した。
この結果、光疲労による帯電電位の低下は約９Ｖであっ
た。
た。
例３〜４
ヒ素３５．０重量−を含有するセレンーヒ素感光材料に
１鉛４．２ｐｐｍおよびアンチモンｌｏｐｐｍを含有す
る電子写真用感光体材料（例３）を調製した。
１鉛４．２ｐｐｍおよびアンチモンｌｏｐｐｍを含有す
る電子写真用感光体材料（例３）を調製した。
また、ヒ素３５．０重量−を含有するセレンーヒ素感光
材料に、鉛５．２ｐｐｍおよびアンチモンｌｌｐｐｍを
含有する電子写真用感光体（例４）を調姿した。
材料に、鉛５．２ｐｐｍおよびアンチモンｌｌｐｐｍを
含有する電子写真用感光体（例４）を調姿した。
例１と同様圧して、アルミニウム基体上に感光体層を被
着させ、繰返し使用による帯電電位の低下を測定した。
着させ、繰返し使用による帯電電位の低下を測定した。
この結果、光疲労による帯電電位の低下は、例３におい
ては約８０ｖであり、また例４においては約１００ｖで
あった。
ては約８０ｖであり、また例４においては約１００ｖで
あった。
以上のように１セレンーヒ素感光材料に、４〜１１００
ｐｐの鉛、１０〜６００ ｐｐｍのアンチモンのいずれ
かまたは両者を含有させることＫよって、多数回の繰返
し使用によって生ずる光、疲労による帯電電位の低下が
効果的に防止されうろことがわかる。
ｐｐの鉛、１０〜６００ ｐｐｍのアンチモンのいずれ
かまたは両者を含有させることＫよって、多数回の繰返
し使用によって生ずる光、疲労による帯電電位の低下が
効果的に防止されうろことがわかる。
Claims (1)
- セレンーヒ素中に、 ４〜１００ ｐｐｍの鉛、１０〜
６００ ｐｐｍのアンチモンのいずれか一方またはその
両者を含有させた電子写真用感光体材料を、導電性基体
上に設けたことを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19542181A JPS5897054A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19542181A JPS5897054A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897054A true JPS5897054A (ja) | 1983-06-09 |
Family
ID=16340793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19542181A Pending JPS5897054A (ja) | 1981-12-04 | 1981-12-04 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897054A (ja) |
-
1981
- 1981-12-04 JP JP19542181A patent/JPS5897054A/ja active Pending
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