JPS5897783A - 光学的文字読取装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光学的文字読取装置（以下ＯＣＲと称す）に関
するものであシ、更に詳しくは、カタカナ又はひらがな
の文字読取装置に関するものである。

従来、濁点又は半濁点を有するカタカナ又はひらがなの
文字をＯＣＲで読取る場合、濁点又は半濁点は１個の文
字として取扱われていた。なぜならば、濁点又は半濁点
を有するカタカナ又はひらがなの文字が帳票の１文字枠
にそのまま記入された場合、１文字を構成するブロック
の数が多いため、ＯＣＲの文字認識部は、濁点又は半濁
点をノイズと間違えて認識するケースが多く、正しく認
識することが困難であったからである。従って、濁点又
は半濁点を有するカタカナ又はひらがなの文字は゛帳票
に記入される際、濁点又は半濁点は１文字として別の１
個の文字枠に記入されていた。

たとえば、カタカナの文字の場合を例にとると、第１図
（ａ）に示すように、「ガ」又は「プ」を帳票の文字枠
に記入するには、「力」と「°」　　又は「フ」と「０
」のように分けて夫々別の文字枠に記入していた。しか
し、このような記入方法であれば、通常使用されている
文書の記入方法、すなわち第１図（ｂ）に示すように、
１文字枠に「ガ」とか「プ」を記入する方法、と異なシ
ネ便であった。

本発明は、かかる不便を解消するためになされたもので
、濁点又は半濁点を有するカタカナ又はひらがなの文字
が１文字枠にそのまま記入されていても読取ることがで
きるＯＣＲを提供することを目的とする。

以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。

第２図は本発明に係るＯＣＲを示すブロック図である。

図中１は第１のＲＡＭ、２は第２のＲＡＭ（以下ＲＡＭ
　１％ＲＡＭ２と称す）である。このＲＡＭ１、ＲＡＭ
２は光電変換されて得た１文字分の文字パターン３を夫
々に格納するという機能を有す駅部ち、光電変換された
１文字分の文字パターン３はＲＡＭ１には直接、ＲＡＭ
２にはＯＲゲート４を介して夫々に格納される。又これ
らのＲＡＭ１およびＲＡＭ２にはＬｉｎｅアドレスカウ
ンタ５とＲ（Ｗアドレスカウンタ６とが接続され、制御
回路７の出力するアドレスに従って読み出し、書き込み
が行なわれる。

制御回路７は、本装置全体をコントロールする回路であ
シ、前述したようにＲＡＭ１およびＲＡＭ２に対し、ア
ドレスカウンタ５．６を介してアドレスを指定し、読み
出し信号又は書き込み信号を供給する他、ＲＡＭ２に格
納された、１文字を構成スるパターンブロック（以下単
にブロックと称す）各々について縁縁追跡を行なう機能
を具備している。この縁縁追跡によシ得られたデータ、
たとえば各ブロックの線繊のアドレス、周縁長、高さ等
は図示せぬレジスタに記憶される。

又、制御回路７は、上述した機能およびデータに基づい
て、条件によってａ、ＲＡＭ１より出力されるパターン
信号８を直接文字認識部１０へ送るか、ＲＡＭ２より出
力されるパターン信号９を直接文字認識部ｌＯへ送るか
、又は、前記パ・ターン信号８と、前記パターン信号９
の極性がインバータ１１によシ反転させられた信号１２
とがＡＮＤゲート１３に入力され、該ＡＮＤゲート１３
から出力された信号１４を文字認識部１０へ送るか、を
判断し、夫々の信号を文字認識部１０へ送る機能をも有
している。

一方、ＲＡＭ１．２よシバターン信号８．９が出力され
たとき、該パターン信号８．９は制御回路７に入力され
るようになされている。又、制御回路７は、必要があれ
ば、ＲＡＭ２のパターンの一部のブロックを消し込む為
、白ピット信号１５を出力し、ＯＲゲート４を介してＲ
ＡＭ２に前記白ビツト信号１５を送り、又、必要があれ
ば前記したブロックのうち最大高さを有するブロックの
高さおよび該ブロックの上端、下端の位置のデータ１６
を文字認識部１０へ供給するようになされている。

文字認識部１０は、前記パターン信号８．９と、前記パ
ターン信号８と前記パターン信号９の極性を反転させら
れた信号１２とがＡＮＤゲート１３を通された後の信号
１４と、又は必要があるときはパターン信号９が入力さ
れるのと同時に入力され得る前記最大高さを有するブロ
ックの高さおよび該ブロックの上端、下端の位置のデー
タ１６とによシ、パターン認識を行ない、解答１７を出
力する回路である。なお前記解答１７は制御回路７に入
力され、該制御回路７は入力された前記解答１７の種類
により異なる処理を行なう。

次に第３図のフローチャートを参照して、カタカナの文
字、特に「ガ」を読み取る場合を例にとり、本実施例の
動作を説明する。

１、　ステップ■では、ＲＡＭＩおよびＲＡＭｚ夫々に
、１文字分の文字パターンを書き込む。

すなわち、帳票の１文字枠に記入された文字は光電変換
されて１文字分の文字パターン３として几ＡＭＩおよび
ＲＡＭ２に送られる。制御回路７は、アドレスカウンタ
５．６を制御してＲＡＭ１およびＲＡＭ２のアドレスを
指定し、書き込み信号を送り、ＲＡＭＩおよびＲＡＭ　
２に夫々同一の文字パターン３を書き込む。例えばカタ
カナの文字パターン「ガ」がＲＡＭＩおよび几ＡＭ２に
同じ様に書き込まれる。

２、ステップ■では、ＲＡＭ２に書き込まれた文字パタ
ーンの各ブロックについて銀縁追跡が行なわれる。

すなわち、制御回路７は、アドレスカウンタ５．６を制
御して、ＲＡＭ２の左端から凡ＯＷ方向に走査を開始す
る。そして最初に黒ビットが検出されたアドレスをスタ
ート地点として、例えば第４図に示すブロック「力」の
ように、時計方向に追跡が行なわれる。つまシ、制御回
路７は・″−ト地点７あ６＃Ｎ″″′から・追跡　　　
。

方向左側が白ビットとなるような次の黒ビットを求めて
追跡を行なう。この追跡の過程で、追跡された黒ビット
の数すなわち、ブロックの銀縁の長さは、第５図に示す
ように８方向に分けられた方向コードについて、計数カ
ウントされる。又、スタート地点のアドレス、及び追跡
されたブロックの銀縁のアドレスは、前述した図示せぬ
レジスタに記憶される。追跡箇所がスタート地点に戻っ
たとき、銀縁追跡は終る。１文字が複数個のブロックで
構成されている場合には、夫々のブロックについてもす
べて同様に追跡、記憶が行なわれる。

３、ステップ■では、制御回路７は、ステップ■におい
て各ブロックについて銀縁追跡を行なった結果得られた
データをもとに、次の２つの場合に分ける。

（１）すべてのブロックの周縁長ｔが夫々一定の長さｎ
よシ長い場合 （２）一部のブロックの周縁長ｔだけが一定の長さｎよ
シ長い場合 上記のように２つの場合に分ける理由は、濁点又は半濁
点を有するカタカナと、濁点又は半濁点を有しないカタ
カナとを区別して認識するためである。したがって、こ
こでいう一定の長さｎは、文字枠に普通に記入される濁
点又は半濁点のブロックのうち最大のブロックと考えら
れるブロックの周縁の長さとしておく。

しかし、上記の分は方で、濁点又は半濁点を有するカタ
カナと、濁点又は半濁点を有しないカタカナとを区別し
た場合、例外が生じる。この例外については後で述べる
。

ａ、上記（１）の場合 制御回路７はＲＡＭ１が格納している文字パターンを読
み出し、パターン信号８として、直接そのまま文字認識
部１０へ送る。そして文字ｇ繊部１０では入力された前
記パターン信号８により、パターン認識が行なわれる。

具体的には、「力」「キ」などのように、１つの大きな
ブロックのみで構成されたカタカナ、「二」「ハ」など
のように１濁点又は半濁点より大きなブロックが複数個
で構成されているカタカナなど、濁点又は半濁点のない
カタカナのほとんどがこの（１）の場合に属し、これら
は文字認識部１０で認識される。

ｂ、（２）の場合 次のステップ■に進む。

具体的に、この（２）の場合に属するカタカナは、「ガ
」「プ」など濁点又は半濁点を有するカタカナである。

しかし、前述したように、ここに例外がある。すなわち
、「シ」「ン」「ツ」「ホ」「ン」は、濁点又は半濁点
を有しなくても、１文字の文字パターンのうち、一部に
周縁長ｔが一定の長さ口よシ短いブロックを含んでいる
。したがって、これらのカタカナはこの（２）の場合に
属することになシ、上記濁点又は半濁点を有するカタカ
ナと共に次のステップ以降で処理される。

４、ステップ■では、ＲＡＭ２に書き込まれている文字
パターンのブロックのうち、一部のブロックの消し込み
が行なわれる。

ここで制御回路７は、ステップ■において各ブロックを
銀縁追跡した結果得たデータをもとに、ＲＡＭ２に書き
込まれているパターンのうち次の３つの条件に夫々あて
はまるブロックを選択し、該ブロックの消し込みを行な
う。

（ａ）　　周縁長ｔが一定の長さｎよシ長い（ｂｌ　　
最大高さを有するブロックよシ左側にある（ｅ）　　文
字枠中心より下にある 以上３つの条件を設けた理由は、ＲＡＭ２に書き込まれ
た文字パターンのうち濁点又は半濁点だけを残し、他の
ブロックを消し込むためである。すなわち、前のステッ
プＩまでにおいて、まだ認識されないカタカナは ■　濁点又は半濁点を有するカタカナ ■　「シ」「ン」「ツ」「ホ」「ン」のように周縁長ｔ
が一定の長さｎより短いブロックを一部に含むカタカナ ・０２種類あり、これらのカタカナから濁点又は半濁点
を抽出するためである。具体的には次の理由による。

（ａ）の条件を設けた理由 ステップＩで述べたように、濁点又は半濁点以外のブロ
ックは、全般に濁点又は半濁点より大きいからである。

（ｂ）の条件を設けた理由 上記■で挙げたカタカナのうち「ン」「ソ」「ツ」「ン
」は（ａ）の条件にこの（ｂ）の条件を加えることによ
ジ、１文字を構成するすべてのブロックを消し込むこと
ができるからである。

（Ｃ）の条件を設けた理由 上記■で挙げたカタカナのうち、（ａ）（ｂ）の条件が
併用されても残る「ホ」は、との（Ｃ）の条件が加えら
れることによシ、「ホ」の１文字を構成するすべてのブ
ロックを消し込むことができるからである。

なお、上述した３つの条件に夫々該当するブロックをＲ
ＡＭ２において消し込むには次の様にする。

すなわち、制御回路７は、ステップ■で銀縁追跡した結
果得られた各ブロックの線繊のアト１／スに基づき、カ
ウンタ５．６を介して、ＲＡＭ２のアドレスを指定し、
書き込み信号を出力し、ＲＡＭ２に黒ビットとして書き
込まれたパターンの中で該当するブロックに白ビットを
書き込むのである。濁点又は半濁点を有するカタカナ、
たとえば、第６図（ａ）に示す「ガ」については、条件
にあてはまるブロックはここでは「力」であるから、「
力」が消し込まれ、残り゛は（ｂ）に示すように「°」
だけとなる。又、「シ」「ソ」など周縁長ｔが一定の長
さｎよシ短いブロックを一部に含む濁点又は半濁点のな
いカタカナの場合にはブロックの全くない「」となる。

５、　ステップ■では、ＲＡＭ２のパターンが文字認識
部１０に送られる。

すなわち、制御回路７は、ステップ■で条件にあてはま
るブロックが消し込まれた状態にあるＲＡＭ２のパター
ンを読み出しパターン信号９として直接文字認識部１０
へ送る。それと同時に、もとの文字パターンを構成して
いるブロックのうち、最大高さを有するブロックの高さ
と該ブロックの上端および下端の位置のデータ１６も文
字認識部１０へ入力させる。これは、文字認識部１０で
濁点又は半濁点を認識させやすくするためである。

例えば、第６図（ａｌに示す「ガ」の場合には（ｂ）に
示す「°」が文字認識部１０へ送られる。又、「シ」「
ソ」など周縁長ｔが一足の長さｎよシ短いブロックを一
部に含む濁点又は半濁点のないカタカナの場合には、ブ
ロックの全くなイー」が文字認識部１０へ送られる。

なお、文字認識部１０は、このとき送られてきたパター
ン信号９と、核パターン信号９と同時に入力される前記
最大高さを有するブロックの高さと該ブロックの上端お
よび下端の位置のデータ１６とにより、パターン認識を
行ない、次の３通シの解答１７を制御回路に渚る。

（１）濁点　（ｉｔ）半濁点　（曲濁点および半濁点以
外例えば前述した「ガ」の場合は、［”」が文字認識部
１０において、濁点であるとの解答１７が出され、「シ
」の場合はブロックの全くない「」が文字認識部１０に
おいて、濁点又は半濁点でないとの解答１７が出される
。

６、ステップ■では、制御回路７は、文字認識部１０か
ら送られてきた前に記した３通プの解答１７を次の２つ
の場合に分ける。

（１）　　前記解答１７が濁点又は半濁点でない場合（
２）前記解答１７が濁点又は半濁点である場合ａ、（１
）の場合 制御回路７は、ＲＡＭＩのパターンをパターン信号９に
よシ文字認識部１０に送る。

例えば、ここで文字認識部１０に送られてくルハターン
は、前述したカタカナ「シ」「ソ」等、夫々一部に周縁
長が一定の長さよル短いブロックを含む濁点又は半濁点
のないカタカナである。そして、このとき、文字Ｉｌ！
識部１０は、「シ」「ソＪなどのカタカナを認識する。

ｂ、（２）の場合 次のステップに進む。

なお、ここまでのステップで、まだＷＩｔＲされないカ
タカナは、濁点又は半濁点を有するカタカナだけとなる
。

７、　ステップ■では、パターン信号８と、パターン信
号９の極性が反転させられた信号１２とがＡＮＤゲート
１３を介されて、文字認識部１ｏへ入力される。

すなわち、制御回路７は、濁点又は半濁点を有するカタ
カナの１文字のうち濁点又は半濁点をとシ除いたブロッ
クを認識するため、ＲＡＭ１のパターンそのままと、濁
点又は半濁点のみであるＲＡＭ２のパターンの白黒を反
転させたものとを重ね合わせる。

例えば几ＡＭＩのパターンは第６図（ａ）に示す「ガ」
であ、り、ＲＡＭ２のパターンはこのとき第６図（ｂ）
に示す「°」である。したがって「ガ」のパターン信号
８と、「１」のパターン信号９の極性がインバータ１１
により反転させられた信号１２とがＡＮＤゲート１３に
入力され、該ＡＮＤゲート１３から出力された信号１４
が文字認識部１０へ入力される。そして、文字認識部１
０では、第６図（Ｃ）に示−すパターン「力」を認識す
る。すなわち、ここで「ガ」のうちの「力」が分離され
て認識されるわけである。

なお、文字認識部１０へ送られるパターンのうち濁点又
は半濁点の前のブロックが力、す、ハ、りの各打身外の
場合には、該パターンはリジェクトされるように文字認
識部１０をセットしておけば、更に読取精度が上がる。

このようにして、１文字枠に記入された濁点又は半濁点
を有するカタカナは、濁点又は半濁点のブロックと、濁
点又は半濁点がとシ除かれたブロックとに分離されて認
識されることができる。

本実施例ではカタカナの文字の場合を例にとって説明し
たが、ひらがなの文字の場合も同様にして読み取ること
が可能となる。

以上説明したように、本発明によれば、濁点又は半濁点
を有するカタカナ又はひらがなの１文字を帳票に記入す
る際、濁点又は半濁点を１文字として別の文字枠に記入
する必要がなくなる。

すなわち、濁点又は半濁点を有するカタカナ又はひらが
なの１文字が帳票の１文字枠に記入された場合でも、本
発明によるＯＣＲは、従来の文字認識部に何らハードウ
ェア的な変更、改造を加えることなく読み取ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は帳票の文字枠に文字を記入する例を示した図、
第２図は本発明のＯＣＲのブロック図、第３図は本発明
の動作を示すフローチャート、第４図は線繊追跡の例を
示す図であり、第５図はブロックの周縁を追跡す・るた
めの８方向の図、第６図は本発明による文字認識の為の
パターン生成を示した図である。 １・・・ＲＡＭＩ　　　　　　　　　２・・・ＲＡＭ２
５・・・Ｌｉｎｅアドレスカウンタ ６・・・Ｒｏｗアドレスカウンタ ７・・・制御回路　　　　　　１ｏ・・・文字認識部代
理人　弁理士　　則　　近　　憲　　佑（他１名） 第３図 第４図　　　　第５図 第６図 （ａ）　　　　（ｂ）　　　　（Ｃ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 光学的文字読取装置において、 光電変換された１文字分の文字パターンを夫々格納する
   第１および第２のメモリと、 この第２のメモリに格納された文字パターンを構成する
   各パターンブロックについて線繊を追跡して各パターン
   ブロックの周縁長、高さを求める手段と、 前記各パターンブロックの周縁長がすべて一定の長さよ
   シ長い場合、前記第１のメモリに格納されている文字パ
   ターンを文字認識部へ転送する手段と、 前記パターンブロックのうち一部のパターンブロックが
   一定の長さよシ短い周縁長を有する場合、前記第２のメ
   モリにおいて周縁長が一定の長さより長いパターンブロ
   ック、文字枠中心よシ下にあるパターンブロックおよび
   最大高さを有するパターンブロックより左側にあるパタ
   ーンブロックとを消去したのち、前記第２のメモリに格
   納されている文字パターンと、前記最大高さを有するパ
   ターンブロックの上端、下端の位置情報とを文字認識部
   へ転送する手段と、 前記文字゛認識部において前記第２のメモリから転送さ
   れた文字パターンの認識の結果、それが濁点又は半濁点
   であると判断されたとき、前記第１のメモリに格納され
   ている文字パターンと、前記第２のメモリに格納されて
   いる文字パターンを反転させた文字パターンとを論理積
   回路を介して文字認識部へ転送する手段と、 前記文字認識部において前記第２のメモリから転送され
   た文字パターンの認識の結果、それが濁点又は半濁点で
   ないと判断されたとき、前記第１のメモリに格納されて
   いる文字パターンを文字認識部へ転送する手段とを具備
   することを特徴とする光学的文字読取装置、