JPS5897831A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS5897831A JPS5897831A JP56196567A JP19656781A JPS5897831A JP S5897831 A JPS5897831 A JP S5897831A JP 56196567 A JP56196567 A JP 56196567A JP 19656781 A JP19656781 A JP 19656781A JP S5897831 A JPS5897831 A JP S5897831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- etching
- oxide film
- frequency power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明や技術分野
本発明は、パターン形成方法に係わり、特にシリコン酸
化膜の反応性イオンエツチングに先立つレジストパター
ン形成方法の改良に関する。
化膜の反応性イオンエツチングに先立つレジストパター
ン形成方法の改良に関する。
発明の技術的背景とその間融点
近時、超ＬＳＩ勢を構成する薄膜に微細パターンを正確
に蝕刻するものとして、反応性イオンエツチング法が用
いられている。この反応性イオンエツチング法は、第１
図に示す如く真空チェンバ１内に配置された一対の平行
平板電極２．３の高周波電力印加側の電極ｓ上に試料４
を載置し、チェンバ１内に少なくとも１つのハロゲン原
子を分子内に含んだガスを導入すると共に、電極２．３
間に高周波電力を印加することにより放電プラズマを発
生せしめ、このプラズマを利用して試料４の被エツチン
グ部をエツチングする方法である。エツチング中の電極
２゜３間の直流電位は第一２図に示す如く電極２．３の
各電位ともプラズマ電位Ｐに対し卑となる。
に蝕刻するものとして、反応性イオンエツチング法が用
いられている。この反応性イオンエツチング法は、第１
図に示す如く真空チェンバ１内に配置された一対の平行
平板電極２．３の高周波電力印加側の電極ｓ上に試料４
を載置し、チェンバ１内に少なくとも１つのハロゲン原
子を分子内に含んだガスを導入すると共に、電極２．３
間に高周波電力を印加することにより放電プラズマを発
生せしめ、このプラズマを利用して試料４の被エツチン
グ部をエツチングする方法である。エツチング中の電極
２゜３間の直流電位は第一２図に示す如く電極２．３の
各電位ともプラズマ電位Ｐに対し卑となる。
特に、馬脚電力が印加される備の電極３の電位（嘱極亀
位）Ｑとプラズマ電位Ｐとの差は数１００ ＥＶ）にも
及ぶ。そして、この数１００ （Ｖ）の直流電位差によ
り、プラズマ中の正イオンが電極（電極）３に向かって
加速され被エツチンク物を衝雅してエツチング反応が進
行する。反応性イオンエツチング法はこのイ、オン衝撃
を特徴とするため、特にプラズマエツチング法と区別さ
れている。
位）Ｑとプラズマ電位Ｐとの差は数１００ ＥＶ）にも
及ぶ。そして、この数１００ （Ｖ）の直流電位差によ
り、プラズマ中の正イオンが電極（電極）３に向かって
加速され被エツチンク物を衝雅してエツチング反応が進
行する。反応性イオンエツチング法はこのイ、オン衝撃
を特徴とするため、特にプラズマエツチング法と区別さ
れている。
ところで、反応性イオンエツチング法を用いてＳｉ基板
上の”ｓｊｏ、膜をエツチングする場合等、ｓｉｏ、の
エツチング速度に対してＢｉのエツチング速度を遅くす
る必要があり、ＣＦ、とＨｌとの混合ガス、ＣＨＦ、
、 Ｃ，Ｆ、或いはＣ，Ｆ、等のガスが使用されている
。その結果、Ｓｉのエツチング速度は十分遅いものの、
ａｉｏ、のエツチング速度も遅くなりスループットが低
くなる。ｓｉｏ。
上の”ｓｊｏ、膜をエツチングする場合等、ｓｉｏ、の
エツチング速度に対してＢｉのエツチング速度を遅くす
る必要があり、ＣＦ、とＨｌとの混合ガス、ＣＨＦ、
、 Ｃ，Ｆ、或いはＣ，Ｆ、等のガスが使用されている
。その結果、Ｓｉのエツチング速度は十分遅いものの、
ａｉｏ、のエツチング速度も遅くなりスループットが低
くなる。ｓｉｏ。
のエツチング速度を速めるには印加高周波電力を大きく
すればよいが、高周波電力を増大させるとプラズマ電位
８よびガス温度が上昇するため、レジストが熱的損傷を
受はレジストパターンが荒れる等の問題を招く。この間
噛を解決するものとして、試料を電極板に吸着させ該電
極板を冷却することにより試料を冷却する方法が考えら
れるが、この場合上記吸着のため初静電チャック機構を
必要とし、エツチング装置構成の複雑化を招（。さらに
、直接レジストを冷却するのではないため、十分なる冷
却を行うことは困−であった。
すればよいが、高周波電力を増大させるとプラズマ電位
８よびガス温度が上昇するため、レジストが熱的損傷を
受はレジストパターンが荒れる等の問題を招く。この間
噛を解決するものとして、試料を電極板に吸着させ該電
極板を冷却することにより試料を冷却する方法が考えら
れるが、この場合上記吸着のため初静電チャック機構を
必要とし、エツチング装置構成の複雑化を招（。さらに
、直接レジストを冷却するのではないため、十分なる冷
却を行うことは困−であった。
発明の目的
本発明の目的は、レジストの耐熱性向上をはかることに
より大きな高周波電力印加を可能とし、スループットの
向上および加工精度の向上をはかり得るパターン形成方
法を提供することにある。
より大きな高周波電力印加を可能とし、スループットの
向上および加工精度の向上をはかり得るパターン形成方
法を提供することにある。
発明の概要
本発明者等は、ポジ型レジストの熱的損傷に関して鋭意
研究を重ねた結果、レジストのポストベーキング温度が
高い程レジストは熱的損傷を受け―いと云う事実を見出
した。しかし、ポストベーキング温度がある一定温度（
通常１４０Ｃ程度）を越λるとレジスト自体が軟化し、
レジストプロファイルが悪化すると云う問題がある。そ
れゆえ、レジストを固めることを目的としてさらｌこ本
発明者等が鋭意研究を重ねた結果、弗素ラジカルを用い
てレジスト表面を弗素化すると核表面が硬化し、１６０
Ｅ’）以上の温度でホストベーキングを行ってもレジス
トプロファイルが悪化しないと云う事実が判明した。
研究を重ねた結果、レジストのポストベーキング温度が
高い程レジストは熱的損傷を受け―いと云う事実を見出
した。しかし、ポストベーキング温度がある一定温度（
通常１４０Ｃ程度）を越λるとレジスト自体が軟化し、
レジストプロファイルが悪化すると云う問題がある。そ
れゆえ、レジストを固めることを目的としてさらｌこ本
発明者等が鋭意研究を重ねた結果、弗素ラジカルを用い
てレジスト表面を弗素化すると核表面が硬化し、１６０
Ｅ’）以上の温度でホストベーキングを行ってもレジス
トプロファイルが悪化しないと云う事実が判明した。
本発明はこのような点に着目し、被加工膜上に塗布され
たレジストを所望パターンに露光したのち該レジストを
現偉してレジストパターンを形成し、次いで上記残った
レジストを弗素ラジカルで弗素化処理、例λばＣＦ４と
Ｈ，との混合ガスプラズマで処理し、その後上記レジス
トを１６０ （Ｃ）以上の温度でポストベーキングし、
しかる肋ち反応性イオンエツチング法を用い上記レジス
トをマスクとして前記被加工膜を選択エツチングするよ
うにした方法である。
たレジストを所望パターンに露光したのち該レジストを
現偉してレジストパターンを形成し、次いで上記残った
レジストを弗素ラジカルで弗素化処理、例λばＣＦ４と
Ｈ，との混合ガスプラズマで処理し、その後上記レジス
トを１６０ （Ｃ）以上の温度でポストベーキングし、
しかる肋ち反応性イオンエツチング法を用い上記レジス
トをマスクとして前記被加工膜を選択エツチングするよ
うにした方法である。
発明の効果
本発明によれば、レジストを弗素ラジカルで弗素化処理
したことにより、レジストを１６０（ｒ）以上の温度で
ポストベーキングしてもレジストの軟化によるレジスト
プロファイルを貼止することができ、さらに上記レジス
トを用いることにより印加高周波電力を大きくしても該
レジストの熱的損傷を極めて小さくすることができる。
したことにより、レジストを１６０（ｒ）以上の温度で
ポストベーキングしてもレジストの軟化によるレジスト
プロファイルを貼止することができ、さらに上記レジス
トを用いることにより印加高周波電力を大きくしても該
レジストの熱的損傷を極めて小さくすることができる。
したがって、誉加工膜のエツチング速度を速くすること
ができスループットの向上をはかり得る。さらに、エツ
チングｌｉ！ｌど受けるレジストの熱的損傷を少なくで
きるので、加工精屓の向上をはかり得る等の効果を奏す
る。
ができスループットの向上をはかり得る。さらに、エツ
チングｌｉ！ｌど受けるレジストの熱的損傷を少なくで
きるので、加工精屓の向上をはかり得る等の効果を奏す
る。
発明の実施例
第３図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の一実施□例に係わ
るパターン形成工程−を示す断面■である。まず、第１
図（ａ）に示す如くＰ型Ｂ ｉ ＩＩＩ＠ Ｊ Ｊ ヲ
１０１１１９８し、これらの基１１１１上に１０００
（ｔ？）の湿式酸化によりｌ〔μｍ〕の熱酸化膜（被加
工膜）１２を編成し、続いて熱酸化ＪＩＩＪＪ上にノボ
ラック系ポジ型レジスト１３（商品名ＯＦＰＲ−８００
東京応化製）をスピンコードした。次に、１：１投影縛
光機を用いて上記レジストに所望パターンを露光したの
ち、アルカリ現俸液にて現像を９０秒間行い、第３ ［
！ｌ （ｂ）に示す如きレジストパターン１４を形成し
た。
るパターン形成工程−を示す断面■である。まず、第１
図（ａ）に示す如くＰ型Ｂ ｉ ＩＩＩ＠ Ｊ Ｊ ヲ
１０１１１９８し、これらの基１１１１上に１０００
（ｔ？）の湿式酸化によりｌ〔μｍ〕の熱酸化膜（被加
工膜）１２を編成し、続いて熱酸化ＪＩＩＪＪ上にノボ
ラック系ポジ型レジスト１３（商品名ＯＦＰＲ−８００
東京応化製）をスピンコードした。次に、１：１投影縛
光機を用いて上記レジストに所望パターンを露光したの
ち、アルカリ現俸液にて現像を９０秒間行い、第３ ［
！ｌ （ｂ）に示す如きレジストパターン１４を形成し
た。
かくして得られた試料を５枚づつ２組に分け、一方をケ
ミカルドライエツチング装置（曲品名ＣＤＥ−１１．徳
田製作所製）内に設置し、ＣＦ４ｆｌｔ、ｔ１２０〔Ｔ
ＩＪＺ分〕、０．流量１２０（ｄ／分〕、圧力０．２
（Ｔｏｒｒ ）の条件下で弗素化処理を行った。次に、
これら５枚の試料をオーブンに入れ２２０ ＬＣ）で３
０分間ポストベーキングした。
ミカルドライエツチング装置（曲品名ＣＤＥ−１１．徳
田製作所製）内に設置し、ＣＦ４ｆｌｔ、ｔ１２０〔Ｔ
ＩＪＺ分〕、０．流量１２０（ｄ／分〕、圧力０．２
（Ｔｏｒｒ ）の条件下で弗素化処理を行った。次に、
これら５枚の試料をオーブンに入れ２２０ ＬＣ）で３
０分間ポストベーキングした。
また、残りの５枚の試料については、前記レジストパタ
ーン１４のプロファイルを保持し得る上限のｆｌＡｋ−
１４０（ｔ）で３０分間のベーキング処理を行った。
ーン１４のプロファイルを保持し得る上限のｆｌＡｋ−
１４０（ｔ）で３０分間のベーキング処理を行った。
上述の２種類の方法で得られた試料を前記第１図に示し
た反応性イオンエツチング装置内の電極（下部電極）３
上に載置し、ＣＦ、流量２０Ｌｓ＃／分〕、Ｈ鴛流量３
０（ｄ／分〕、圧力０．１ （Ｔｏｒｒ ）の条件下で
、印加高周波電力を変えて熱酸化膜１２のエツチング速
度を測？したところ第４図に示す結果が得られた。すな
わち、いずれの試料にあっても印加高周波電力の増大に
伴ってエツチング速度が速くなった。そしてこの場合、
通常の工程により作成された試料では、高周波電力６０
０ ［Ｗ）でレジスト１３が損傷を受けしわが目立って
くるのが判明した。
た反応性イオンエツチング装置内の電極（下部電極）３
上に載置し、ＣＦ、流量２０Ｌｓ＃／分〕、Ｈ鴛流量３
０（ｄ／分〕、圧力０．１ （Ｔｏｒｒ ）の条件下で
、印加高周波電力を変えて熱酸化膜１２のエツチング速
度を測？したところ第４図に示す結果が得られた。すな
わち、いずれの試料にあっても印加高周波電力の増大に
伴ってエツチング速度が速くなった。そしてこの場合、
通常の工程により作成された試料では、高周波電力６０
０ ［Ｗ）でレジスト１３が損傷を受けしわが目立って
くるのが判明した。
これに対し、前記弗素化処理および２２０ Ｅ’）のベ
ーキング処理を施された試料では、高周波電力１〔し〕
でもレジスト１３は全く損傷を受けておらず、良好なエ
ツチングパターンを得ることができた。したがって、実
用し得る熱酸化膜（ｓｉｏ霊）１２のエツチング速度を
１５００（Ａ／分分根程度ら３０００［Ａ／分〕程度才
で速めることが可能となった。
ーキング処理を施された試料では、高周波電力１〔し〕
でもレジスト１３は全く損傷を受けておらず、良好なエ
ツチングパターンを得ることができた。したがって、実
用し得る熱酸化膜（ｓｉｏ霊）１２のエツチング速度を
１５００（Ａ／分分根程度ら３０００［Ａ／分〕程度才
で速めることが可能となった。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記弗素化処理におけるガス流量や圧力等
の条件、また前記ポストベーキング処理における温度条
件（１６０ｒ以上）は、仕様番こ応じて適宜足めればよ
い。さらに、弗素化処理に使用したガスはＣＦｓと０．
との混合ガスに限るものではなく、弗素ラジカルを生じ
せしめるｔ）のであればよい。また、前記レジストとし
てはポジ型の代りにネガ型にも適用することができる。
い。例えば、前記弗素化処理におけるガス流量や圧力等
の条件、また前記ポストベーキング処理における温度条
件（１６０ｒ以上）は、仕様番こ応じて適宜足めればよ
い。さらに、弗素化処理に使用したガスはＣＦｓと０．
との混合ガスに限るものではなく、弗素ラジカルを生じ
せしめるｔ）のであればよい。また、前記レジストとし
てはポジ型の代りにネガ型にも適用することができる。
さらに、弗素ラジカルを発生せしめるプラズマ装置は、
平行平板型に限らず円筒型でも可能である。また、被加
工膜としては＃酸化＃（ＳｉＯｌ）に限らず、各種のも
のに適用できるのも勿論のことである。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。
平行平板型に限らず円筒型でも可能である。また、被加
工膜としては＃酸化＃（ＳｉＯｌ）に限らず、各種のも
のに適用できるのも勿論のことである。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。
第１図は反応性イオンエツチング装置の概略構成を示す
模式図、第２図は上記装置内での直Ｒ１１Ｌ位分布を示
す模式図、第３図（Ｊｌ） 、 （ｂ）は本発明の一実
施例に係わるパターン形成工程を示す断面図、第４図は
印加高周波電力とエツチング速度との関・１）を示す特
性図である。 １・・・真空チェンバ、２，３・・・電極、４・・・試
料、５・・・高局波電漁、６・・・マツチングボックス
、１１・・・８１基板、１２・・・熱酸化膜（被加工＠
）、１３・・・レジスト、１４・・・レジストパターン
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 高川儂飽力□□□〕
模式図、第２図は上記装置内での直Ｒ１１Ｌ位分布を示
す模式図、第３図（Ｊｌ） 、 （ｂ）は本発明の一実
施例に係わるパターン形成工程を示す断面図、第４図は
印加高周波電力とエツチング速度との関・１）を示す特
性図である。 １・・・真空チェンバ、２，３・・・電極、４・・・試
料、５・・・高局波電漁、６・・・マツチングボックス
、１１・・・８１基板、１２・・・熱酸化膜（被加工＠
）、１３・・・レジスト、１４・・・レジストパターン
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 高川儂飽力□□□〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＜１１ 被加工膜上に塗布されたレジストを所望パタ
ーンに■光したのち該レジストを現偉してレジストパタ
ーンを形成し、次いで弗素ラジカルにより上記レジスト
表面を弗素化処理し、次いで上記レジストを１６０ （
Ｃ）以上の温度でポストベーキングし、しかるのち反応
性イオンエツチング法を用い上記レジストをマスクとし
て前記被加工膜を選択エツチングすることを％惨とする
パターン形成方法。 （２） 前記被〃ロエ膜として、８ｔＯ，膜を用いた
ことを特徴とする特１Ｆｆｌｉ！求の範囲第１項記載の
パターン形成方法。 （３）前記弗素化処理する手段として、前記レジストを
ＣＦ、と０意との混合ガスプラズマで処理することを特
徴とする％ＦＦ請求の範囲第１項６ピ載のパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56196567A JPS5897831A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56196567A JPS5897831A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897831A true JPS5897831A (ja) | 1983-06-10 |
Family
ID=16359879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56196567A Pending JPS5897831A (ja) | 1981-12-07 | 1981-12-07 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897831A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083332A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-11 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 重合体パタ−ンの形成方法 |
| JPS6237932A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-18 | Matsushita Electronics Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
-
1981
- 1981-12-07 JP JP56196567A patent/JPS5897831A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083332A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-11 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 重合体パタ−ンの形成方法 |
| JPS6237932A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-18 | Matsushita Electronics Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10438797B2 (en) | Method of quasi atomic layer etching | |
| JP3879027B2 (ja) | イオン注入後にフォトレジストを除去するための処理方法 | |
| CN106348246B (zh) | 一种改善波导侧壁的icp刻蚀方法 | |
| JPH06177089A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW474983B (en) | Solutions and processes for removal of sidewall residue after dry etching | |
| CN103280403B (zh) | 双栅氧器件的制造方法 | |
| KR102310841B1 (ko) | 레지스트 리플로우 온도 향상을 위한 직류 중첩 경화 | |
| JPS5897831A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH03174724A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0343777B2 (ja) | ||
| JPH0143451B2 (ja) | ||
| JP2001027799A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| KR100645835B1 (ko) | 반도체 소자의 감광막패턴 형성 방법 | |
| TW201729285A (zh) | 蝕刻方法 | |
| JP2604573B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| KR100528266B1 (ko) | 건식에칭후측벽잔류물제거용용액및제거방법 | |
| JPH07106310A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH05160078A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| TW527640B (en) | Method of preventing generation of photoresist scum | |
| JPS5965435A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| CN119517742A (zh) | 一种光刻胶形貌修饰的刻蚀方法、装置及半导体器件 | |
| JPS6155663B2 (ja) | ||
| JPH03203235A (ja) | エッチング方法 | |
| JPH05109614A (ja) | フオトレジスト膜の除去方法 | |
| JPS5941835A (ja) | レジスト剥離方法 |