JPS6237932A - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6237932A JPS6237932A JP60177961A JP17796185A JPS6237932A JP S6237932 A JPS6237932 A JP S6237932A JP 60177961 A JP60177961 A JP 60177961A JP 17796185 A JP17796185 A JP 17796185A JP S6237932 A JPS6237932 A JP S6237932A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- resist
- pattern
- etching
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は超微細なレジストパターン形成方法に関するも
のである。
のである。
２／、 。
従来の技術
半導体素子の微細化要請につれて、微細パターンを形成
するフォトリソグラフィ技術が重要となっている。フォ
トリングラフィ技術には、レジストへの光露光、電子ビ
ーム露光、Ｘ線露光々と処理工程がある。この中で、光
露光は、光による回折の影響があるために、普通では、
０．５μｍ以下の微細パターンを形成することができな
い。一方、電子ビーム露光、Ｘ線露光は、０．５μｍ以
下の微細パターンを形成することが可能であるが、装置
価格が高く、しかもスループットが低いという欠点を持
つ。
するフォトリソグラフィ技術が重要となっている。フォ
トリングラフィ技術には、レジストへの光露光、電子ビ
ーム露光、Ｘ線露光々と処理工程がある。この中で、光
露光は、光による回折の影響があるために、普通では、
０．５μｍ以下の微細パターンを形成することができな
い。一方、電子ビーム露光、Ｘ線露光は、０．５μｍ以
下の微細パターンを形成することが可能であるが、装置
価格が高く、しかもスループットが低いという欠点を持
つ。
発明が解決しようとする問題点
以上に述べたように、０．６μｍ以下の微細パターンを
形成する場合、高価で、スループットの低い、電子ビー
ム露光装置やＸ線露光装置を用いなければならなかった
。
形成する場合、高価で、スループットの低い、電子ビー
ム露光装置やＸ線露光装置を用いなければならなかった
。
本発明は上記の問題点を解決し、光露光を用いて０．５
μｍ以下の微細なパターンを形成する方法を提供するも
のである。
μｍ以下の微細なパターンを形成する方法を提供するも
のである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、基板上に所定形状のレジストパターンを形成
し、同レジストパターンにＦ４たはＣｌを含むプラズマ
を等方的に照射した後、０２ガスを用いた反応性イオン
エツチングを用いて前記レジストを異方的に所定の厚み
にエツチングし、その後、有機溶剤中に浸す工程をそな
えたレジストパターン形成方法である。
し、同レジストパターンにＦ４たはＣｌを含むプラズマ
を等方的に照射した後、０２ガスを用いた反応性イオン
エツチングを用いて前記レジストを異方的に所定の厚み
にエツチングし、その後、有機溶剤中に浸す工程をそな
えたレジストパターン形成方法である。
作 用
本発明によると、レジストパターンの表面層が、Ｆ−ｉ
たはＣ４を含むプラズマの照射によって等方性をもって
硬化変質し、その後、反応性イオンエツチングにより、
同表面層を異方性エッチして、前記レジストパターンの
側面の硬化変質部のみを残すことができ、かくして、光
露光により形成したレジストパターンを用いて、上記硬
化変質部の厚み相当の幅、つ寸り、実質的に０．５μｍ
以下の超微細なパターンを形成することができる。
たはＣ４を含むプラズマの照射によって等方性をもって
硬化変質し、その後、反応性イオンエツチングにより、
同表面層を異方性エッチして、前記レジストパターンの
側面の硬化変質部のみを残すことができ、かくして、光
露光により形成したレジストパターンを用いて、上記硬
化変質部の厚み相当の幅、つ寸り、実質的に０．５μｍ
以下の超微細なパターンを形成することができる。
実施例
以下に、図面を参照して、本発明の実施例について説明
する。始めに、半導体基＆１にレジストパターン２を形
成する。レジストパターン２は、たとえば、以下のよう
な工程で形成することができる。基板上に東京応化製ホ
トレジス）ＯＦＰＲ８ｏＯを１．２μｍの厚さに塗布し
、８６°Ｃ２０分間のプリベークを行う。次に、縮小投
影露光手段、いわゆる、ステッパーを用いて１００ｍＪ
７７で露光を行い、東京応化製の専用現像液商品名ＮＭ
Ｄ−３を用いて１分間現像することにより、レジストパ
ターン２を形成することができる。このし、シストパタ
ーン２に、第１図ａに示すように、円筒形プラズマエツ
チング装置を用いて、Ｃ２ＨＣｌ３１５％０２のガスを
用いて、０．４ Ｔｏｒｒで、プラズマ発生用電力１５
Ｗで１分間プラズマ照射を行う。このプラズマ照射はレ
ジスト表面を硬化変質させる目的で行っている。次に、
第２図すに示すように、反応性イオンエツチング装置を
用いて、ｏ２ガスによりエツチングを行い、レジストパ
ターン２の表面を異方的に０．１μｍ以上除去する。
する。始めに、半導体基＆１にレジストパターン２を形
成する。レジストパターン２は、たとえば、以下のよう
な工程で形成することができる。基板上に東京応化製ホ
トレジス）ＯＦＰＲ８ｏＯを１．２μｍの厚さに塗布し
、８６°Ｃ２０分間のプリベークを行う。次に、縮小投
影露光手段、いわゆる、ステッパーを用いて１００ｍＪ
７７で露光を行い、東京応化製の専用現像液商品名ＮＭ
Ｄ−３を用いて１分間現像することにより、レジストパ
ターン２を形成することができる。このし、シストパタ
ーン２に、第１図ａに示すように、円筒形プラズマエツ
チング装置を用いて、Ｃ２ＨＣｌ３１５％０２のガスを
用いて、０．４ Ｔｏｒｒで、プラズマ発生用電力１５
Ｗで１分間プラズマ照射を行う。このプラズマ照射はレ
ジスト表面を硬化変質させる目的で行っている。次に、
第２図すに示すように、反応性イオンエツチング装置を
用いて、ｏ２ガスによりエツチングを行い、レジストパ
ターン２の表面を異方的に０．１μｍ以上除去する。
この過程として、圧力１５ｍＴｏｒｒ 、 ＲＦ電力５
ハ・−／ １７５Ｗ、０２ガス流量４０ ｓｃｃＭの条件で１分間
エツチングを行った。最後に、酢酸インアミルに１０秒
間浸漬することにより、第１図Ｃに示すハターン幅が０
．１μｍの微細レジストパターン４を形成することがで
きる。
ハ・−／ １７５Ｗ、０２ガス流量４０ ｓｃｃＭの条件で１分間
エツチングを行った。最後に、酢酸インアミルに１０秒
間浸漬することにより、第１図Ｃに示すハターン幅が０
．１μｍの微細レジストパターン４を形成することがで
きる。
なお、以上の実施例では、東京応化社製商品名０ＦＰＲ
８００として周知のジアゾ系ノボラック樹脂からなるポ
ジ形ホトレジストについて説明を行ったが、他のレジス
トについても同じようにし・ てパターンを形成で
きる。捷た、Ｃ２ＨＣｌ３１０２にかえて、ＣＦ４１５
係０２を用いても同じ効果かえられる。
８００として周知のジアゾ系ノボラック樹脂からなるポ
ジ形ホトレジストについて説明を行ったが、他のレジス
トについても同じようにし・ てパターンを形成で
きる。捷た、Ｃ２ＨＣｌ３１０２にかえて、ＣＦ４１５
係０２を用いても同じ効果かえられる。
発明の効果
以上に詳述したように、本発明を用いることにより、光
露光と簡単なプラズマプロセスを用いて、たとえば、０
．５μｍ以下の線幅という超微細なレジストパターンを
も容易に形成することができる。
露光と簡単なプラズマプロセスを用いて、たとえば、０
．５μｍ以下の線幅という超微細なレジストパターンを
も容易に形成することができる。
明するだめの断面図である。
６へ−
Claims (3)
- （１）基板上に所定形状のレジストパターンを形成し、
同レジストパターンにＦまたはＣｌを含むプラズマを等
方的に照射した後、Ｏ＿２ガスを用いた反応性イオンエ
ッチングによって前記レジストを異方的に所定の厚みに
エッチングし、その後、有機溶剤中に浸す工程をそなえ
たことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - （２）所定形状を形成するレジストがジアゾ系ノボラッ
ク樹脂である特許請求の範囲第１項記載のレジストパタ
ーン形成方法。 - （３）有機溶剤が酢酸イソアミルである、特許請求の範
囲第１項記載のレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60177961A JPH0644551B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | レジストパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60177961A JPH0644551B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | レジストパタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6237932A true JPS6237932A (ja) | 1987-02-18 |
| JPH0644551B2 JPH0644551B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=16040104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60177961A Expired - Lifetime JPH0644551B2 (ja) | 1985-08-13 | 1985-08-13 | レジストパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644551B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544894B1 (en) | 1999-01-26 | 2003-04-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of producing chromium mask |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5897831A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-10 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS5957432A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1985
- 1985-08-13 JP JP60177961A patent/JPH0644551B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5897831A (ja) * | 1981-12-07 | 1983-06-10 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS5957432A (ja) * | 1982-09-28 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6544894B1 (en) | 1999-01-26 | 2003-04-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of producing chromium mask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0644551B2 (ja) | 1994-06-08 |
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