JPS589788B2 - 窒化けい素焼結体の製造法 - Google Patents

窒化けい素焼結体の製造法

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JPS589788B2
JPS589788B2 JP53146812A JP14681278A JPS589788B2 JP S589788 B2 JPS589788 B2 JP S589788B2 JP 53146812 A JP53146812 A JP 53146812A JP 14681278 A JP14681278 A JP 14681278A JP S589788 B2 JPS589788 B2 JP S589788B2
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JP
Japan
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silicon nitride
sintered body
nitride sintered
mixture
pressure
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JP53146812A
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JPS5575968A (en
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長谷川安利
木島弌倫
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KAGAKU GIJUTSUCHO MUKIZAISHITSU KENKYUSHOCHO
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KAGAKU GIJUTSUCHO MUKIZAISHITSU KENKYUSHOCHO
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は窒化けい素焼結体の製造法に関する。
従来、窒化けい素焼結体は、窒化けい素自身では焼結し
ないため、焼結助剤例えばMgO,Al2O3、SiO
2、Y2O3、CO2O3、La2O3等を適宜混合し
、これを焼結することによって製造している。
この方法によって得られる窒化けい素焼結体は、単相と
しての窒化けい素ではなく、微細構造を走査形電子顕微
鏡で観察すると、窒化けい素素粒界面に前記焼結助剤に
よって生成したガラス相または結晶相が存在する。
そのため、窒化けい素の持つ優れた高温耐熱性はその粒
界面に存在するガラス相または結晶相によって著しく劣
化される。
本発明はこの問題点を解決する新規な製造法に関するも
のであり、その目的は、従来のガラス相または結晶相の
存在しない新規な窒化けい素焼結体を製造する方法を提
供せんとするものである。
本発明者らは前記目的を達成すべく鋭意研究の結果、窒
化けい素粉末と、ポリシランまたはSi原子を含むイミ
ド化合物もしくは両化合物との混和物を加圧成形し、窒
素、アンモニアまたはそれらの混合ガス、もしくはN2
+H2の雰囲気中で焼結すると優れた窒化けい素焼結体
が得られることを究明し得た。
この知見に基づいて本発明を完成したものである。
本発明の方法で得られる窒化けい素焼結体は、ポリシラ
ンまたはSi原子を含むイミド化合物が、窒素、アンモ
ニア、両者の混合ガスまたはN2+H2の雰囲気中で焼
結されると、窒化けい素となるので、窒化けい素単相の
ものとなる。
従来の焼結助剤によって焼結したものとは本質的に全く
相違するものである。
即ち本発明の方法で得られる窒化けい素焼結体は、従来
の方法では生成するガラス相または結晶相は全く存在せ
ず、全てが均一な組織を持った窒化けい素焼結体となる
。
このため、本来の窒化けい素の持つ優れた特性を充分に
発揮できる焼結体を得ることができる。
また従来、高密度窒化けい素焼結体を得る一般的な方法
としては、加圧焼結法が採用されているが、本発明の方
法では加圧焼結法を必要とせず、高精度成形体が焼結と
同時に容易に得られる特長を有している。
ポリシランとしては、Si原子20以上の水素化合物が
挙げられる。
Si原子を含むイミド化合物としては、 Si2(NH)N2、Si2N3H2Cl,Si(NH
)2、Si2(NH)3、S120(NH)3、Si4
O2N2H5Cl2、Si8N10H11Cl5等が挙
げられる。
窒化けい素粉末とポリシランまたはSi原子を含むイミ
ド化合物(その混合物でもよい)の混合割合は、窒化け
い素粉末99.9〜50重量%に対し、ポリシランまた
はSi原子を含むイミド化合物0.1〜5.0重量%で
ある。
窒化けい素量の割合が多い場合は高密度の焼結体が得ら
れ、窒化けい素量の割合が少ない場合は低密度の焼結体
が得られる。
即ち窒化けい素焼結体の密度は両者の混合割合によって
制御し得られる。
両者の混合物は約0.1〜10t/cm2で加圧する。
この加圧程度によって窒化けい素焼結体の密度を制御す
ることができる。
例えば、低密度の焼結体を得んとする場合は、0.1〜
1t/cm2、中密度の焼結体を得んとする場合は1〜
5t/cm2、高密度の焼結体を得んとする場合は、5
〜30t/cm2に加圧する。
焼結温度は1000〜2000℃が好ましい。
1000℃より低い温度ではポリシランまたはSi原子
を含むイミド化合物は窒化反応もなく、また2000℃
を超えると窒化けい素が熱分解し、シリコンと窒素に分
離する。
焼結の際の雰囲気としては、N2、NH3、その混合ガ
ス、若しくはN2+H2の混合ガスの存在が必要である
。
この雰囲気ガスによって、ポリシランまたはSi原子を
含むイミド化合物が容易に窒化し、窒化けい素粒子の粒
界面に窒化けい素を生成し、いわゆる単相の均一な窒化
けい素焼結体が得られるのである。
前記雰囲気のガス圧は1〜200気圧が好ましい。
低密度焼結体を得んとする場合は1〜10気圧、中密度
焼結体を得んとする場合は1〜50気圧、高密度焼結体
を得んとする場合は1〜200気圧が適当である。
また、この焼結に際しては、加圧成形した試料の周囲に
、窒化けい素および酸化けい素の混合粉末または窒化け
い素粉末を存在させておくことが好ましい。
これによって試料の加熱と窒化ガスによる窒化が均一に
行われ、且つ試料の内部まで充分な窒化が促進されると
共に、試料支持箱と試料とが直接に接触しないため、支
持箱からの汚染を防止し得られる。
以上のようにして得られた本発明の窒化けい素焼結体は
従来の焼結助剤を混合して焼結した窒化けい素焼結体に
比し、高強度であり、しかも高温時における強度低下が
極めて少い優れた特性を有する。
従来法により得られた窒化けい素焼結体(Mg05%混
合した場合)と本発明の方法で得られた窒化けい素焼結
体との曲げ強度ならびにその温度による変化を示すと次
の通りである。
該結果が示すように、本発明のものは曲げ強度が高く、
しかも、従来のものは1000℃を超えると急激に強度
低下をおこすが、本発明のものは1000℃を超え、1
200℃においても強度低下は僅かである。
また、本発明の方法により得られる焼結体は、高温にお
ける耐酸化性が約3倍と言う極めて優れた特性を有する
。
実施例 1 窒化けい素粉末にポリシラン(Si原子を含むイミド化
合物も同じ)5重量%混合し、1t/cm2で加圧成形
した。
これを窒化けい素粉末中で10atmのN2ガス雰囲気
下で、1750℃、2時間常圧焼結した。
得られた窒化けい素焼結体は単相であり、嵩比重は30
2、1200℃における曲げ強度は115kg/mm2
であった。
実施例 2 窒化けい素粉末にポリシランを20重量%混合し、0.
1t/cm2で加圧成形した。
該成形品を窒化けい素粉末と酸化けい素をモル比で1:
1に混合した粉末中で、1atmのN2+H2の混合ガ
ス雰囲気下で、1800℃、2時間常圧焼結した。
得られた窒化けい素焼結体は単相であり、嵩比重0.8
3、熱伝導率0.07Kcal/m、hr、℃、曲げ強
度1200℃で32kg/mmであった。
これは軽量断熱用構造材料として適しており、クローズ
ドの断面積層を示し、通気率0のものであった。
実施例 3 窒化けい素粉末にポリシランを0.5重量%混合し、2
0t/cm2で加圧成形した。
この成形物を窒化けい素粉末中で、200atmのN2
+H2の混合ガスの雰囲気下で、1750℃、2時間常
圧焼結した。
得られた窒化けい素焼結体は単相のものであり、高比重
3.09、1200℃における曲げ強度は135kg/
mm2であった。
実施例 4 窒化けい素粉末にSi原子を含むイミド化合物を1.0
重量%混合し、10t/cm2で加圧成形した。
この成形物を窒化けい素粉末中で50atmのN2+H
2の混合ガスの雰囲気下で、1750℃、2時間常圧焼
結した。
得られた窒化けい素焼結体は単相のものであり、嵩比重
3.00、1200℃における曲げ強度は129kg/
mm2であった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 窒化けい素粉末と、ポリシランまたはSi原子を含
    むイミド化合物もしくはその混合物とを主成分とする混
    合物を、加圧成形し、窒素、アンモニア、または両者の
    混合ガス若しくはN2+H2の1〜200気圧の雰囲気
    中で焼結することを特徴とする窒化けい素焼結体の製造
    法。 2 窒化けい素粉末に対するポリシランまたはSi原子
    を含むイミド化合物もしくはその混合物の混合量が0.
    1〜50重量%である特許請求の範囲第1項記載の窒化
    けい素焼結体の製造法。 3 前記加圧成形が0.1〜30t/cm2の加圧であ
    る特許請求の範囲第1項または第2項記載の窒化けい素
    焼結体の製造法。 4 焼結温度が1000〜2000℃である特許請求の
    範囲第1項、第2項または第3項記載の窒化けい素焼結
    体の製造法。 5 混合物の焼結時に、加圧成形した混合物の周囲に窒
    化けい素粉末または窒化けい素および酸化けい素の混合
    粉末を存在させる特許請求の範囲第1項、第2項、第3
    項または第4項記載の窒化けい素焼結体の製造法。
JP53146812A 1978-11-28 1978-11-28 窒化けい素焼結体の製造法 Expired JPS589788B2 (ja)

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JPS5575968A JPS5575968A (en) 1980-06-07
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EP0305759A1 (en) * 1987-08-31 1989-03-08 Gte Laboratories Incorporated Si3N4 Process using polysilane or polysilazane as a binder
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JPS5575968A (en) 1980-06-07

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