JPS5897948A - 集積回路で形成された光スイッチを制御する制御回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特殊な光電装置、即ち特許請求の範囲第１項
および第９項の上位概念に記載の、１つまたは複数の光
スィッチに対する特殊な制御装置に関する。

本発明は殊に、唯一の第１の基板上に集積技術において
製造されかつ殊に、電話交換系における純然たる光学的
リンクを有するスイッチフレームの結合点に用いるべき
多数の光スィッチを制御するために開発された。しかし
本発明は、更に別の技術分野においても、例えば計算技
術およびその他の、信号を伝送乃至処理する系および装
置における光スィッチを制御するために、とりわけ種々
異なった光スィッチそれぞれに個別に、例えば製造偏差
によって生じる異なった大きさの、精確に調整設定され
た振幅の電気料Ｈ電圧を供給しなければならない場合に
、使用可能である。

電気的に制御可能な光スィッチはそれ自体、とりわけ通
し接続の）形式に応じて種々に構成可能である。方向性
結合器として構成されている光スィッチにおいて、電圧
に依存する光速度変化によって１、それに応じて一緒に
変化する、大抵は緊密に隣接しかつ平行に延在する２つ
の先導体路間の漏話結合が、２つの光導体格の直線状ま
たは交差状の通し接続のために利用される。

第２の平行な光導体格は、光吸収体で終わっているので
、この方向性結合器は、外から観察すれば、信号出力側
として唯一の光導体格しか有していない、カーセルに類
似の光スィッチのように作用する。更に例えば、信号を
一万または他方の分岐出力側に切換えるための、方向性
結合器に類似した制−可能な光分岐スイッチがある。こ
の種の光スィッチは、それぞれ、通し接続を制御するた
めの１つまたは複数の導電性の電極を含んでいる。

この補の光スィッチおよび特Ｗｍ１ｔ求の範囲第１項お
よび第９項の上位概念に記載のその制御装置ｔは、既に
多数の文献によって公知で委り、その際公知文献では光
スィッチは有利には、ＧａＡｓ−ベース　またはＴ＋　
ｌＮｂＯ３−ベースに集積技術において製造された方向
性結合器であり、かつ制御筒装置は実質的に、調整可能
な直流電圧−回路装置によってのみ形成されかつそれぞ
れ、唯一の光スィッチのみを制御する。例えば光スィッ
チおよびその制御装置は次の文献に記載されている。

（１）　　エレクトロニクス・レターズ１０　（１９７
４年２月２１日）４４、第４１乃至４３頁（２）　　エ
レクトロニクス・レターズ１２　（１９７７年９月２日
）Ａ１８、第４５９．４６０頁（３）　　エレクトロニ
クス・レターズ１２　（１９７６年１０月２８日）Ａ２
２、第５７５乃至第５７７頁 （４）　　アプリケーション・フィツクス・レターズ２
５（１９７４年１０月１５日）通８、第４５８乃至第４
６０頁 （５）　　アプリケーション・フィツクス・レダーズ２
５　（１９７４年１１月１５日）　Ａ　１０　ｓ第５６
１．５６２頁 （６）　　アプリケーション・フィツクス・レターズ２
７（１９７５年８月１５日）Ａ４、第２０２乃至２０５
頁 （７）　　アプリケーション−フィツクス・レターズ２
７（１９７５年９月１日）屋５、第２８９乃至第２９１
頁 （８）　　アプリケ−２ジヨン・フィツクス・レターズ
２８（１９７６年５月１日）遥９、第５０３乃至５０６
頁 （９）　　アプリケーション・フィツクス・レターズ３
１（１９７７年８月１５日）　Ａ　４　、第２６６．２
６７頁 （１１■ＥＥＥＪ、オブ、クヮント、　Ｂｔ、　ＱＥ−
１２（１９７６年７月）扁７、第３９６乃至４０１頁（
１１）　　インテグレーテド、オゾチクス、Ｓａｌ’ｔ
−Ｌａｋｅ　Ｃ１ｔｙ　Ｕｔａｈ（１９７６年１月１２
日乃至１４日）ＭＡ４−１乃至ＭＡ４−３ 即ちこの種の、１つ乃至複数の基板上に形成された多数
の光スィッチは、電話交換系における純然たる光学的リ
ンクを有するスイッチフレームの結合点として使用する
ことができ、この点については殊に上記の文献（１）お
よび（３）に記載されている。この種の光スィッチは、
純然苑る電気信号に対するスイッチフレームにおける２
×２−スイッチに代わって等測的に光信号に対するスイ
ッチとして使用できることが多い。この種の公−知のス
イッチは例えば次の刊行物に記載されている。

（１２米国特許第３６３８１９３号明細書（１３）米国
特許第３５９３’２９５号明細書０４）　　ドイツ連邦
共和国特許公開第１９２２８９１号公報 （１５）　　ドイツ連邦共和国時計公告第２０−３６１
２８号公報 （１６）　　ドイツ連邦共和国時計公告第２０３６１７
６号公報 Ｑ７）　　ＢＢＬＬ−シスｆムーｆヒ＝−り、Ｊ、１９
６８年、５月−６月、第８１３頁乃至８２２頁その上、
上記の光スィッチを、第１または第２の基板上に設けら
れたトランジスタ乃至ダイオードを含んでいる制御装置
によって制御することは、例えば次の文献から既に公知
である。

（国　オプチクメ・レターズ２（１９７８年２月）屋２
、第４５頁乃至第４７頁、殊に第４５頁、左欄、第２段
落 （１！Ｊ　　アプリケーション・フィツクス・レターズ
３７（１９８０年７月１５日〜）屋２、第１９５乃至１
９７頁、殊に１９５頁左欄、第３段落および第２図−第
２図において、ダイオードに対する第２のＳｉ−基板上
に部分的に第１の■、ｌＮｂＯ３一基板を有する基板ブ
ロックが図示されている。

（至）ｉ　６　回ＥＯＯＯ（ヨーロピアン・コンフエレ
ンス・オン・オプチカル・コミュニケーション、英国、
ヨーク大学、１９８０年９月１６日乃至１９日）、ＩＥ
Ｅ、ノξプリケーション・ス、ｌＡ１９０、第２５２頁
乃至２５５頁、準に第２５２頁、第１段落および第３図 １２１１　　ＩＥＥＥＪ、オブ・クワント、　Ｅｔ−Ｑ
Ｅ−１６（１９８０年４月）、Ａ４、第３９０／３９］
頁、殊に第１図−この図は、第２鵞のＧａＡｓ二基板上
のＦＥＴを有する基板ブロックおよび第１のＧａＡｓ−
基板におけるレーザ乃至光導体格を示し、その際第１お
よび第２の基板は共通の基板ブロックを形成する。

５ｉ０２一層上に光導体格を有する第１の０ａＡｓ−基
板を形成することも、 （２乃　　エレクトロニクス（’１９８１年６月２日）
第３３頁、第３段落 においで既に公知である。

この種の光電スイッチは、次のような厄介な欠点゛を示
すことが多い。つ、まり制御電圧乃至制御電圧の制御電
位を、最適な作動を行なうために、度々極めて精確に、
例えば１％まで正確に調整設定しなければならない。即
ち制御電圧が十分精確に調整設定されないとき、光スィ
ッチおよび場合に応じて第１の基板全体の種々異なった
光導体間の漏話減衰かまたは先導体路内のその他の減衰
が不部会である。この種の光スィッチを、純然たる光学
的リンクを有する電話交換系の結合点として使用するに
は特に、−万において漏話減衰゛に、また他方において
光導体格の通過減衰に極めて高度な要求を課さなければ
ならない。

しかし集積化製造技術およびそれと関連した比較的大き
な、殊に光導体格に対する製造偏差は、それぞれ最適な
制御のために必要な、制御電圧の精確な値は場合に応じ
て実際に相異している。この種の第１の基板上の光スィ
ッチそれぞれに対する制御電位の実際に最適な値は場合
に応じて、測定によってしか求められず、その際しかも
後からの作動時において、同一の第１の基板上に設けら
れた多数の光スィッチのそれぞれの光スィッチに対して
それぞれ異なった大きさの制御電位が有利、即ち最適で
ある。

発明の課題 本発明の課題は、光スィッチに対する最適な制御電位の
値が種々異なっているにも拘わらず、それぞれ当該の光
スィッチを制御するために作動中細々に極めて精確に調
整設定された制御電位を、技術的使用に対して著しく有
利な方法で得られるようにすることである。従って本発
明は殊に、それ自体生じ得る制御電圧値の広範な範囲内
の固有な値をそれぞれ精確に迅速かつ容易に再生可能に
使用できるようにすることによって、光スィッチの製造
の際の歩留りを著しく太−きくすることができる。その
上本発明による歩留りの増大によってはじめて、この種
の光スィッチおよびその製造装置を、殊に電話交換系の
スイッチフレームにそれらを集中的に使用するために製
造する経済的に現実性のある可能性が得られる。

本発吋はこの課題を、特許請求の範囲第１項の上位概念
に記載の、光スィッチに対する制御回路を、特許請求の
範囲第１項および第９項の要旨に記載の構成によって、
解決する。

特許請求の範囲の実施態様項に記載の付加的な構成によ
り付加的な利点が得られる。

特許請求の範囲第２項に記載の構成によれば、公知のよ
うに制御電極毎に２つの異なった制御電位、即ち直線状
の通し接続のための第１の電位と、交差状の通し接続の
ための第２の電位とを必要とする方向性結合器と、直線
状の通し接続においても、交差状の通し接続においても
それぞれ精確に調整設定された制御電圧で作動できるよ
うになる。

特、ｆＦ請求の範囲第３項に記載の構成によれば、特許
請求の範囲第２項に記載の固有の光スィッチを、殊にス
イッチフレームに対して使用する際自動的に必要に応じ
てそれぞれ、直線状の通し接続または交差状の通１接続
を調整設定できるようになる。

特許請求の範囲第４項に記載の構成によれば、殊に語の
種々異なったディジットを直列に代わって並列に変換器
のデジタル入力側に供給することによって語のアナログ
値の、変換を特別迅速に行なうことができるようになる
。

特許請求の範囲第５項に記載の構盛によれば、殊に特許
請求の範囲第４項記載のように特別迅−速に動作するこ
とができる唯一の変換器を用いて最適な制御電位乃至制
御電圧を、多数の光スィッチに供給できるようになる。

特許請求の範囲第６項に記載の構成によれば、光スィッ
チの電極の自己放電による不都合な作用を取除くことが
できるようになる。

特許請求の範囲第７項記載の構成によれば、極めて僅か
なコストで、種々異なった制御電圧の第２の制御電位を
唯一の接続端子を介して特に手間のか＼ら、ないやり万
で供給することができるようになる。

特許請求の範囲第８項記載の構成によれば、光スィッチ
５の第２の制御電極にもそれぞれ固有に、その電極に対
して、最適な劃−電位に対する最適な制御電位を精確に
迅速かつ容易に供給　　−することができるようになる
。

特Ｗ！ｆ請求の範囲第１０項に記載の構成によれば、ろ
う接またはその他の方法で結合すべき接続端子の数を特
別僅かにすることができ、電気制御装置に関しても、光
電信号通し接続に関しても特別迅速な装置を使用できる
ようになる。

特許請求の範囲第・１１項に記載の構成によれば、・比
較的迅速な、純然たる電気制御装置を、特別に減衰の少
ない光電的な先導体路と組合わせることができるように
なる。

特許請求の範囲第１２項に記載の構成によれば、異質の
基板ブロックにおいて制御装置の完成並びに後からの作
動を出来るだけ容易に行なうことができるようになる。

特許請求の範囲第１３項に記載の構成によれば、特に簡
単に製造偏差によって生じる、変換器の特性のばらつき
が殆んど任意の大きさであるにも拘わらず、制御電圧の
精確な調整設定を、相応の予めの、例えば−回の調整に
よって行なうことができるようになる。

実施例の説明 次に本発明を図示の実施例を用いて詳細に説明する。

まず第１図には、方向性結合器として構成されている公
知の、２つの先導体路Ｌ　Ｉ７、即ちＡ−Ａ’およびＢ
　−Ｂ／を有する光スィッチＬＫが図示されている。光
スィッチはこの場合、約３閣の長さにわたって密接して
平行に配設されている先導体路ＬＬ並びに８つの電気制
御可能な電極Ｅｘｌ・・・Ｅ２４を含んでいる。後者は
、対をなして配置されておシ、先導体路ＬＬの平行な部
分をはさんで前後に設けられていて、それぞれ交互に第
１の制御電位Ｖ１および第２の制御電位ｖ２によって制
御される。絶縁層■、は、制御電位ｖ１の導電路と、制
御電′位ｖ２の導電路とを空間的に分離する。これら制
御電位ｖｌ、ｖ２はそれ自体公知の方法において、先導
体路ＬＬにおける光速塵を制御する。制御電位Ｖｌｂｖ
２、即ち制御電圧ｖｉ／ｖ２の固有の値において、Ａか
らＢ′）の信号およびＢからＡ’への信号が交差状に、
直線状方向、即ちＡからＡ′およびＢからＢ′の方向に
おいて高い減衰が生じるように１通し接続される交差結
合が行なわれる。

光スィッチＬＫの製造中、その都度直線方向における高
い減衰を有する交差状の通し接続が生じ、また交差方向
において高い減衰を有する直線方向の通し接続が生じる
精確で最適な、制御電位の値は、所望しない通し接続方
向において高い減衰が生じかつ所望の通し接続方向にお
いて低い減衰が生じるようにしても必ず、光スイツチ毎
に著しく、ランダムに例えば１チ以上も相異する。

即ち第１図に図示されているのは、集積技術において製
造された。少なくとも１つの先導体路ＬＬに導かれる光
信号に対する特殊な方向性結合器ＬＫである。光スィッ
チＬＫは、例えばそれ自体公知の方法においてＧａＡｓ
またはＬｉＮｂＯ３から成る第１の基板上に形成されて
いる。先導体路には、光スィッチＬ　Ｋを制御するため
にそれぞれ、少なくとも１つの電気制御可能な、導電性
の電極（Ｅｌｌ・・・Ｅ２４）が設けられている。制御
電位、こ＼ではｖｌおよびｖ２によって電極が制御され
て、当該の先導体路ＬＬに導かれる光がＡからＡ′へ乃
至ＢからＢ′へ直線状に通し接続されるかまたは先導体
路ＬＬの間で交差状に、即ちＡからＢ′へまたはＢがら
八′へ通し接続される。しかし本発明では、１つの導体
路に導かれる光信号を切換接続するために、１つの制御
°電極を含むそれぞれ別個の光スィッチを使用すること
ができる。

本発明は、次のような問題を解決するものである。即ち
それぞれの光スィッチに応じて、例えば１ｍＶの精度で
、例えば電話交換系内の極めて高速な作動においても２
選択的に、所望の通し接続方向忙おける低い減衰が保証
されかつ光スイツチ毎の制御電位ｖ１および／またはｖ
２の必要な、例えば１　ｍＶまで精確な値が明らかにそ
れぞれ、例えば数百ミリセルトの差異を有するにも拘わ
らず、とシわけ選択的に所望しない通し接続方向におい
てこの通し接続方向を遮断するだめに高い減衰が生じる
ことが保証されるように、精確な制御電圧乃至制御電位
Ｖｌ、Ｖ２を１つまたは複数の電極Ｅｌｌ・・・Ｂ１４
に供給することである。この種の光スィッチＬＫは即ち
、２つの光信号入力側Ａ、Ｂおよび２つの光信号出力側
Ａ′、Ｂ′を有する。

第２図は、ＤＡ変換器ＤりＡおよびそのＤＡ変換器Ｄり
Ａを作動させる少なくとも１つのメモ’ＪＳＩ／８２／
８３を用いてその都度当該の光スィッチＬＫに対して高
精度で迅速かつ個別に、当該の制御電圧Ｖｌ、Ｖ２を調
整する制御装置の本発明の実施例を示す。

第２図に図示の実施例では、・第１の基板ＫＦ上に、そ
れぞれ２つの光信号入力側および２つの光信号出力側を
有する光スィッチＬＫのみならず、この種の光スィッチ
ＬＫが複数個形成されている。これら光スィッチＬＫは
、一部は直列に、一部は並列に先導体路ＬＬに挿入され
ているので、この実施例では第１の基板ＫＦは交換系の
スイッチフレームの部分とみることができる。従って光
信号が供給されるおよび／または光信号を送出する端子
ＬＡは、このスイッチフレーム部分ＫＦの入力側および
／または出力側である。これらすべての光スィッチＬＫ
はこの実施例では唯一の制御装置によって制御される。

第２の独自の基板Ｉｓ上に、所属の制御装置８１．８２
．８３．ＳＷ、ＺＲ％Ｄ／Ａ、ＳＺ。

１’ＬＺ、’ＴＧが形成されておシーまたは少なくトモ
この制御装置の一部、とシわけＤＡ変換器ＤりＡが形成
され、或いは第１図におけるように例えばｓｗ、ｚＲ，
ｓｚ％ＲＺ％ＴＧも形成されている。しかし制御装置（
の部分）を有するこの第２の基板を、後述するように、
第１の基板ＫＦと同一とすることができ、その結果この
特別な場合には２つの基板ＫＦ／Ｉｓは、外部導体を介
して接続されている２？の別個の基板に代わって唯一の
均質または異質の基板ブロックとすることができる。第
２の基板Ｉ　’Ｓ上には、本発明によれば即ち、そのア
ナログ出力電圧に関して直流電圧源の電圧変動に対して
安定化されだＤＡ変換器ＤりＡが集積技術において形成
されている。即ちこの種の変動に無関係に、変換器Ｄ／
Ａは精確なアナログ制御霊位Ｖｌおよびｖ２を、その都
度制御される光スィッチＬＫの電極に供給する。

変換器Ｄ／Ａのアナログ出力側はこの場合種々異なった
光スィッチＬＫの電極Ｅｌｌ・・・Ｂ２４と、循環的に
切換操作される中間スイッチＳＺを介して導電接続され
ている。このために中間スイッチＳＺは、例えば１００
ＫＨ２で循環的に順次短時間、例えばＩＭＨ２の、ｏル
ス列を発生するクロック発生器ＴＯおよびシフトレジス
タ乃至り／グカウンタＲＺを用いて導通制御される。

このようにしてＤＡ変換器ＤりＡは唯一の光スィッチば
かシでなく、多数の、例えば１０個の光スィッチＬＫに
、制御電位ｖ１−ｚ−よび／または制御電位ｖ２を供給
することができる。

ＤＡ変換器ＤりＡのデジタル入力側は、３こ＼では多数
の光スィッチＬＫを制御するために、少なくとも１つの
メモリを含むノ々イト発生器（こ＼では中間レジスタＺ
Ｒ，クロンク発生器ＴＧおよびリングカウンタ乃至シフ
トレジスタＲＺを有する３つのメモリ）　Ｓ　１／８２
／Ｓ　３に接続されている。このバイト発生器は、作動
中、複数のディジットから形成された語を、ＤＡ変換器
ＤりＡのデジタル入力側に供給する。この種の語から、
ノイズの影響を受けないＤＡ変換器ＤりＡは、その都度
制御される当該の光スィッチＬＫを、そのスイッチに対
して個別に規定されて、相応に高い精度で制御するアナ
ログ制御電位ｖ１および／またはｖ２を精確および迅速
に発生することができる。この場合、これらの語に対し
て、出来るだけ小さなジャンプ変化において電極におけ
る制御電位ｖｌ乃至ｖ２の最適な値を調整設定すること
ができるような符号を使用すると有利で′あシ、その際
こ＼では直線的符号化、即ち均一な量子化（ユニホーム
・クワ／ティティング）が、対数的符号化（ノンユニホ
ーム・〉ワ／テイチング）より有利であることが多い。

その場合ＤＡ変換器Ｄ／Ａのこのアナログ出力電圧はそ
の都度、光スイン≠Ｌ　Ｋの１つにその都度固有に、そ
の必要に応じて供給される制御電圧乃至制御電位ｖ１お
よび／またはｖ２である。ノ々イト発生器のメモリにお
いて、こ＼ではメモリ８１／８２において、図示の実施
例においては順次読出されて中間レジスタＺｌ’Ｌに一
時記憶される多数のこの種の語が記憶され、その結果特
別時間が節約されるように、中間レジスタＺＲに中間記
憶されていて、最後に読出された語が、ＤＡ変換器Ｄり
Ａのアナログ出力側において相応のアナログ電圧を発生
するためにまだ比較的長い時間があるにも拘わらず、メ
モリ８１／Ｓ　２内の次の読出しサイクルを始めること
が↑きる。それぞれの光スィッチＬ　Ｋには、この場合
それぞれ第１のメモＩＪ　Ｓ　１に１語および第２のメ
モＩＪＳ２に１語が対応して配属されている。この場合
第１のメモリＳｌに記憶されている語は、多数の光スィ
ッチから固有の光スィッチＬＫを直線方向に通し接続す
るための制御電圧乃至制御電位、例えばＶｌに相応する
、例えば２連符号語である。この場合第１のメモリＳ１
には、同一のＤＡ変換器ＤりＡによって循環的に順次中
間スイッチＳＺを介して制御される光スィッチＬＫの数
を有する多数の、例えば２連符号化された、直線方向の
通し接続に対する語が記憶されている。との場合別の第
２のメモリＳ２に相応の方法において、当該の光スィッ
チＬＫの同一の電極に、交差状の通し接続のために供給
されるその都度別の制御電位、この場合もｖｌに相応す
る例えば２連符号語が記憶されている。その都度中間ス
イッチＳＺの１つを介して制御される当該の光スィッチ
ＬＫの同一の電極、例えばＥｌｌに、変換器Ｄ／Ａから
その都度、直線状の通し接続方向、即ち第１のメモリＳ
１に記憶されている語または交差状の通し接続方向、即
ち第２のメモリＳ２に記憶されている語に相ｉする制御
電位、この場合はＶ　１　ｄｉ、ｒおよびＶ　１　ｋｒ
ｅｕが、−必ずそのうち一方が導通じていて、他方が遮
断状態にある２つの切換スイッチのいづれがその時導通
しているかに依存して一供給される。

切換スイッチＳＷは、例えば交換系の中央制御装置に設
けられている第３のメモリＳ３を用いて自動的に制御す
ることもできる。その際第３のメモリは、その都度制御
される光スィッチＬ　Ｋの切換設定状態が直線方向であ
るかまたは交差方向であるかを記憶する。第３のメモリ
Ｓ３に記憶されたこの切換設定状態信号に依存して、中
間スイッチＳＺを介してその都度制御される光スィッチ
ＬＫは、第１のメモリＳ１からのそのスイッチに固有に
対応する語によって直線状に通し接続されるかまたは第
２のメモＩＪ　Ｓ　２からのそのスイッチに固有に対応
する語によって交差状に通し接続される。

２つのスイッチ８１，８２またはこの種の別のメモリは
、光スィッチＬＫの別の電極（例えばＥ２１）における
第２の制御電位ｖ２に相応しかつそれ自体、同一のＤＡ
変換器ＤりＡまたはこの種の別ＯＤＡ変換器Ｄ／Ａを介
してこの種の別の語から発生することができる、付加的
に更に同じ数の別の符号語を含むことができる。

即ちその場合この第２の制御電位ｖ２を発生するために
、独自の第２の変換器Ｄ／Ａを設けるかまたは変換器Ｄ
　／　Ａの２心線出力側の第２の心線に生じる可変の電
位を利用することができる。

しかし基本的には、上述のように、語を直線状の通゛し
接続に対してメモリＳ１に記憶しかつ交差状の通し接続
に対してメモＩＪ　Ｓ　２に記憶する代わシに、メモリ
の異なった領域における語の記憶を別の方法で行なうこ
ともできる。本発明の重要な点は、記憶がどのように行
なわれるようになっているかには係わらない。重要なこ
とは、少なくとも１つの往号化されて記憶されている語
が少なくとも１つＯＤＡ変換器Ｄ／Ａ−を介して、少な
くとも１つの光スィッチＬＫを制御するため′に用いら
れる少なくと゛も１つのアナログ制御電位ｖ１および／
またはｖ２を発生することである。

即ち５例えばＳｌまたはＧａＡｓから成る第２の基板上
に、そのアナログ出力電圧が直流電圧源の変動に対して
安定化されたＤＡ変換器を集積技術において形成し、か
つ変換器のアナログ出力側を光スィッチの少なくとも１
つの電極に接続し、かつ光ス０インチを制御するための
変換器のデジタル入力側を、作動中ディジットから形成
された語を供給するノ々イト発生器に接続すること妃よ
って、どんな形式の特別な光スィッチが使用されている
かに無関係に、当該の光スィッチの精確な最適な調整設
定が可能になる。

光スィッチが、平行に配置された光導体格を有する方向
性結合器である場合、ノ々イト発生器は２つのメモリを
格納することができ、そのうち第１のメモリは、−光ス
ィッチの当該の光導体格の直線状の通し接続に相応する
語を記憶しかつ第２のメモリはこの光スィッチの別の光
導体格への交差状通し接続に相応する語を記憶する。

従って同一の変換器を用いて、当該の電極に、直線状の
通し接続に対しても、交差状の通し接続に対しても最適
な制御電位を供給することは容易に可能である。この場
合付加的にノ々イト発生器が更に、第１のメモリまたは
第２のメモリのどちらが変換器のデジタル入力側に語を
供給すべきであるかが例えば２進記憶されている第３の
メモリを格納していて、かつ付加的にこの第３のメモリ
の出力側がそれぞれ、一方において第１のメモリおよび
第２のメモリと他方において変換器のデジタル入力側と
の間に挿入されている少なくとも１つの切換スイッチの
制御入力側に接続されている場合、自動的に必要に応じ
て例えば交換系の中央制御装置によって直接、その都度
の接続路探索結果に相応して、直線状および交差状の通
し接続を調整設定することができる。その際更にそれぞ
れ第１のメモリ゛および第２のメモリと変換器との間で
並列に伝送されるディジット毎にそれぞれ１つの切換ス
イッチが設けられているとき、当該の光スィッチの特別
迅速な新たな調整設定が可能であシ、シかも切換スイッ
チと変換器のデジタル入力側との間にそれぞれ、作動中
光スィッチを制御する語を一時記憶する中間レジスタの
記憶セルを挿入し、その結果変換器はまだその前に印加
された語によって制御とれているにも拘わらず第１およ
び第２のメモリにおいて既に次の読出しが行なわれるよ
うにすれば更に一層迅速になる。

変換器は、そのアナログ出力側が循環的に順次切換操作
される中間スイッチを介して、これにより同様循環的に
順次制御され、有利には同一の第１の基板に形成されて
いる種々異なった光スィッチの電極に接続されていれば
、多数の光スィッチに、それぞれ固有に対応している最
適で精確な値の制御電位・を供給する−ことができる。

このように制御される自己放電自体は大抵僅かであるが
、中間スイッチを用いて行なわれる光スィッチの循環的
な制御が、最後の制御後生じた、電極の自己放電を取除
くリフレッシュサイクルであるようにすれば完全に補償
することができる。

第１の基板上に多数の光スィッチを有する本発明の制御
装置において、光スィッチをその都度制御する制御電圧
の第２の電位ｖ２（第２図参照）が、この第１の基板上
のすべてのスイッチに対して、唯一の共通な制御入力側
を介して供給される場合、この第２の制御電位Ｖ２に対
するコストは特別に僅かである。しかし光スィッチＬＫ
の減衰値に対しては更に１第２の制御電位ｖ２を、原理
的には第１の制御電位Ｖｌと同様に、ＤＡ変換器におい
て変換される語を用いてその都度付加的に、（別ＯＤＡ
変換器において発生するか、或いはまた原理的には、殊
に変換器が同時に、２つのアナログ出力側を成す出力端
子を有する場合）第１の制御電位を発生するだめに用い
られるのと同じＤＡ変換器において発生するようにすれ
ば、一層有利である。

第１の基板ＫＰおよび第２の基板Ｉｓが共通　−の唯一
の基板オロックを形成するようにすれば、差込み乃至ろ
う付けまたは溶着すべき線の数は特に僅かですみ、その
際従って制御装置−または少なくとも制御装置の一部は
一層スイッチの先導体路Ｌ　Ｉ、／光スイッチと同じ基
板ブロックＩｓ／ＫＦ上に設けられている。基板ブロッ
クＩｓ／ＫＦをそれ自体原理的には公知の方法で実質的
に均質の、例えばＧａＡｓをペースとして製造された基
板とすれば、特別高速な制御装置が得られしかも容易に
製造することができる。しかし基板ブロックＩｓ／ＫＦ
が、第２の、例えばＳｉまたは０ａＡｓから成る基板Ｉ
ｓが薄膜技術において、第１の、例えば０ａＡｓまたは
とりわけＬｉＮｂＯ３から形成された基板ＫＦ上に蒸着
されている実質的に異質な基板であれば、先導体路およ
び光スィッチの減衰値の点で特に有利であってかつ高速
な制御装置が得られる。この種の異質の基板ブロックの
製造並びに基板ブロックの２つの基板間の不可欠な場合
が多い電気絶縁は、基板ブロックＩｓ／ＫＦにおける第
１の基板Ｔ８と第２の基板ＫＶとを、例えばＳ’　ｉ　
０２から形成されている絶縁性中間層によって分離する
ことによって容易に行なえる。

製造偏差によっても規定される、変換器の特性の大きな
ばらつきにも拘わらず、次のようにして特別簡単に、そ
れぞれの光スィッチをしばしば一回だけの試験で制御電
位の精確な最適な調整設定を行なうことができる。即ち
漏話および／または当該の光スィッチＬＫの減衰が最適
である、制御電圧Ｖｌ／Ｖ２のそれぞれ最適な電位Ｖｌ
、Ｖ２をＤＡ変換器Ｄ　／　Ａのグジタル入力側に供給
される語を変えることによって検出しかつ引続いて最適
値に相応する語をノ々イト発生器Ｓ１％　Ｂ２に記憶す
る。その場合光スィッチおよび変換器の製造偏差とは無
関係に、光スィッチおよび制御装置に対するそれぞれ最
適な作動１が極めて迅、速に再生可能に調整設定されて
おシ、その場合その上に集積された光スィッチおよび制
御装置を有する基板の製造に対する歩留りは相対的に非
常に高い。減衰および製造コストに対する要求が極めて
高いにも拘わらず、集積技術において形成された光スィ
ッチを経済的に使用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、方向性結合器として構成されている、公知の
光スィッチの１実施例の略図、第２図は、殊に電話交換
系のスイッチフレームにおける複数の光スィッチを制御
するために使用される、本発明の制御装置の１実施例の
ブロック線図である。 Ｌ　Ｋ・・・光スィッチ℃きへ九亀島合、篠＞、ＬＬ、
Ａ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’・・・先導体路（オゾチツクファイ
ノ々）、　　Ｅｌｌ−Ｂ１４、Ｅ２１〜Ｅ２４・・・電
極、Ｉｓ・・・絶縁層、ｖｌ、ｖ２・・・制御電位（乃
至制御電圧）、ＬＡ・・・接続端子、ＫＦ、Ｉｓ・・・
基板（ＫＦ’・・・スイッチフレーム）、ＳＺ・・・中
間スイッチ、ＴＧ・・・クロック発生器、Ｒ，Ｚ・・・
シフトレジスタ（リングカウンタ）、８１．８２．８３
・・・メモリ、ＳＷ・・・切換スイッチ、ＴＧ・・・ク
ロック発生器

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　光スィッチ（ＬＫ）を制御するために、先導体路
   （Ｌ　Ｌ　）にそれぞれ少なくとも１つの電気的に制御
   可能な、光スィッチ（ＬＫ）の導電性の電極（Ｅｌｌ・
   ・・Ｅ１４）が設けられており、かつ前記電極における
   電気的な制御電位（Ｖｌ、Ｖ２）によって制御されて、
   当該の先導体路（ＬＬ。 Ａ　−Ａ’　）に導かれる光が切換えられるようにした
   、第１の基板（ＫＦ　）に設けられた先導体路（ＬＬ　
   、　Ａ−Ａ’、　Ｂ−Ｂ’）に導かれる光信号に対して
   、集積技術において形成された光スィッチ（ＬＫ）を制
   御する制御装置において、第２の基板（Ｉｓ）上に、直
   流電圧源の変動に対して安定化されたアナログ出力電圧
   を送出するＤＡ変換器（Ｄ／Ａ　）が集積技術において
   形成されており、 前記ＤＡ変換器（Ｄ／Ａ　）のアナログ出力側は、前記
   光スィッチ（ＬＫ）の少なくとも１つの電極（Ｖｌを介
   してＥｌｌ　、Ｅ２２．Ｅ１３゜Ｅ２４）に接続されて
   おりかつ前記ＤＡ変変器器　Ｄ／Ａ　）のデジタル入力
   側は、前記光スィッチ（ＬＫ）を制御するために、少な
   くとも１つのメモリ（８１，８２，８３）を有していて
   、作動中複数ディジットから形成された語を供給す乞・
   々イト発生器（８１，８２，ＺＦＬ）に接続きれている
   ことを特徴とする集積技術において形成された光スィッ
   チを制御する制御装置。 ２　光スィッチ（ＬＫ）は、平行に配置された先導体路
   （Ａ−Ａ’、　Ｂ−Ｂ’）を備えた方向性結付器であり
   、かつノぐイト発生器が２つのメモリ（，８１，８２）
   を有しており、その際該メモリのうち、−万のメモＩＪ
   （８１）が、光スィッチ（ＬＫ）の当該の先導体路の直
   線状の通し接続（ＡからＡ′へ）に相応する語を記憶し
   、また第２のメモＩＪ（８２）が、前記光スィッチ（Ｌ
   Ｋ）の別の先導体路を交差状に通し接続する（ＡからＢ
   ′へ）のに相応する語を記憶する特許請求の範囲第１項
   記載の制御装置。 ３　ノ々イト発生器が第３のメモリ（Ｓ３）も含んでお
   り、該メモリにおいて、第１０メモリ（Ｓｌ）または第
   ２のメモリ（ＳＺ）のいづれがＤＡ変換器（Ｉ）／Ａ）
   のデジタル入力側に語を供給するべきかが記憶されてお
   り、かつ該第３のメモＩＪ（８３）の出力側はそれぞれ
   、一方において第１のメモリ（Ｓｌ）および第２のメモ
   ＩＪ（８２）と他方においてＤＡ変換器のデジタル入力
   側との間に挿入された、少なくとも１つの切換スイッチ
   （ＳＷ）の制御入力側に接続されている特許請求の範囲
   第２項記載の制−装置。 ４　第１のメモＩＪ（８１）および／または第２のメモ
   ＩＪ（８２）からそれぞれ供給される語の並列に伝送さ
   れるディジット毎に、それぞれ１つの切換スイッチ（Ｓ
   Ｗ）が設けられており、かつ該切換スイッチ（ｓｗ）と
   ＤＡ変換器（Ｄ／Ａ）のデジタル入力側との間にそれぞ
   れ、中間レジスタ（ＺＲ）の記憶セルが挿入されており
   、その際該中間レジスタは作動中、光スィッチ（ＬＫ）
   を制御する語を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
   制御装置。 ５、　変換器（Ｄ／Ａ　）のアナログ出力側は、多数の
   、循環的に（１００ＫＨｚで）順次切換操作サレる中間
   スイッチ（ＳＺ）を介して、これにより同様に循環的に
   （１００ＫＨｚで）順次制御される、種々異なった光ス
   ィッチ（ＬＫ）の電極に接続されている特許請求の範囲
   第１項乃至第４項のいづれか１つに記載の制御装置。 ６　光スィッチ（ＬＫ）の循環的な制御は通例、最後の
   制御以降中ずる、電極（Ｅｌｌ・・・Ｅ２４）の自己放
   電を取除くリフレッシュ・サイクルを形成する特許請求
   の範囲第５項記載の制御装置。 ７、　第１の基板（ＫＦ　）上に多数の光スィッチ（Ｌ
   Ｋ）が設けられており、その際光スィッチ（ＬＫ）をそ
   の都度側ばする、前記第１の基板（ＫＦ　）上のすべて
   の光スィッチ（ＬＫ）に対する制御電圧（Ｖｌ／Ｖ２）
   の第２の制御電位（ｖ２）は、唯一の、共通の制御入力
   側を介して供給される直流電位（■２）である特許請求
   の範囲第１項乃至第６項のいづれか１つに記載の制御装
   置。 ８１つまたは複数の光スィッチ（ＬＫ）をその都度制御
   する制御電圧（Ｖｌ／Ｖ２）の第２の制＠電位（ｖ２）
   は該制御電圧の第１の制御電位（■１）と同様、ＤＡ変
   換器（Ｄ／Ａ　）において変換される語を用いて発生さ
   れる特許請求の範囲第１項乃至第６項のいづれか１つに
   記載の制御装置。 ９　光スィッチ（Ｔ、　Ｋ　）を制御するために、先導
   体路（ＬＬ）にそれぞれ少々くとも１つの電気的に制御
   可能なζ光スィッチ（ＬＫ）の導電性の電極（Ｅｌｌ・
   ・・Ｅ１４）が設けられており、かつ前記電極における
   電気的な制御電位（Ｖｌ、Ｖ２）によって制御されて、
   当該の先導体路（Ｌ　Ｌ　。 Ａ−Ａ’）に導かれる光が切換えられるようにした、１
   つの基板ブロックに設けられた先導体路（Ｌ　Ｌ　、　
   Ａ−Ａ’、　Ｂ−Ｂ’）に導かれる光信号に対して、集
   積技術において形成された光スィッチ（ＬＫ）を制御す
   る制御装置において、前記１つの基板ブロック上に、直
   流電圧源の変動に対して安定化されたアナログ出力電圧
   を送出するＤＡ変換器（Ｄ／Ａ　）が集積技術において
   形成されており、 前記ＤＡ変換器（Ｄ／Ａ　）のアナログ出力側は、前記
   光スィッチ（Ｔ、　Ｋ　）の少なくとも１つの電極（ｖ
   ｉを介してＥｌｌ、Ｅ２２．Ｅ１３．Ｅ２４）に接続さ
   れておりかつ前記ＤＡ変換器（Ｄ／Ａ）のデジタル入力
   側は、前記光スィッチ（ＬＫ）を制御するために、少な
   くとも１つのメモリ（８１，Ｓ：２．８３）を有してい
   て、作動中複数ディジットから形成された語を供給する
   バイト発生器（８１，８２，ＺＲ）に接続されているこ
   とを特徴とする集積技術において形成された光スィッチ
   を制御装置。 １０　基板ブロック（Ｉ　Ｓ／Ｋ　Ｆ　）は、実質的に
   均質の基体である特許請求の範囲第９項記載の制御装置
   。 １１．基板ブロック（Ｉｓ／ＫＦ）は、第１の基板（Ｋ
   Ｆ　）上に第２の基板（Ｉｓ）が薄膜技術において設け
   られている実質的に不均質の基体である特許請求の範囲
   第９項記載の制御装置。 １２　第１の基板（Ｉｓ）は、第２の基板（ＫＦ）とは
   、薄い絶縁性の中間層によって分離されている特許請求
   の範囲第１１項記載の制御装置。 １３　光スィッチ（ＬＫ　）における漏話および／また
   は減衰が最適である制ｍ電圧（Ｖｌ／Ｖ２）のそれぞれ
   最適の電位（Ｖｌ、Ｖ２）を、Ｄへ凌換６　（Ｄ／Ａ　
   ）のデジタル入力側に供給きれる語を変化することによ
   って求めかつ最適値に相応する語をノ々イト発生器（８
   １，８２）に記憶するようにした特許請求の範囲第°９
   項記載の制御装置。