JPS59100268A - 真空蒸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の４夕ｊ：Ｒｊ分ｑｌＪ′〕 本発明は、真空蒸着装置に門する。

し発１１ｊ１の背（＾的技術〕 半シク体装置は、例えば第１図に示す如く、所定の半導
体鬼子１をリードフし・−ムコ上ｌこ金属層３を介Ｌ７
て一座７看した構造を有して０る。金属層３は、例えば
半導体素子１の裏面側から銅、バナジウム、チタニウム
、アルミニウム、・り１１人、モリブデン等からなる第
１金）・へ層３　ａ　、ニラ／フールからなる第２金属
１ｉ３ｂ、金、ゲルマニウムの合金からなる第３金属ｆ
ｆ４　、Ｖ　Ｃで構成されている。このような金属層３
は、熱源として電子ビ・−１１或は電子ビー１１と抵抗
加熱を採用した真空蒸着装置を用いて、所望の素子を形
成したウェハの裏面に蒸着金属源からこれを蒸発するこ
とにより行っている。而して、金属層３の形成後にパ７
エハをシートに貼着してグイシング処理やクラッキング
処理を施している。

〔背景技術の問題点〕

電−子ビー１−を用いて蒸着金属源を加熱すると、蒸着
金属源の近傍に二次電子が発生する。二次電子は、ウェ
ハの裏面に形成した金属層３に衝突してウェハの実面側
に粒子状のものが溶けた状態の損傷を与える。作業性を
向上させるために電子ビームの出力を大きくすると、こ
れに応じて二次電子のエネルギーも増大し、大きさの不
均一な４’Ｍ　ｆ’ｓが１■尤に多くウーｒ−ハの裏面
ζ（二形成されろ。こ（７）ような状ｙｔ、：＋　（７
）ウ−「ハを・シートに貼γｔし、力゛イシンク処狸苓
’−１−ｉｌｉ　ｍ−と分離された千ッグに欠け、割ね
、クラック、５′へ１・鍔状等の損傷が発生し、不良品
とｆ（ろ。また、々イジング後にシートを引伸しで分割
された一チップを、リードフレームのｌ゛！（實ゴ＼ン
−１：？ｉ：　ｊこ・（・１・５へ４−ど、ためシ・−
トートから採Ｉ」又しよう（！−４−六と、チップ１こ
欠は等の損傷ができているたきノ゛耐Ｊ１・丁ツノとシ
ートとの接着力が低下１７て′デーソゲが百′ｉご（ハ
１〜：Ｉ、’　ｊｉ’ｆに配置さノ１．　ｒ　ｂｓ　ｄ
”、チ・ソ・゛の一パ白ント１′☆作う−・東やかにで
Ａない間ト亀があった。

〔イｒ明の目的１ −１・：発明は欠け、１１１１１等の＜ｔｓ　＜ｑが発
生オろのを直重り、て、パノエハに所定の金属１ｍ　’
２　＠ｉ、時間に容鴇（こＩＦつ成４−ろこ：　ｃ’−
フパできる真空蒸着装置を提供ずろξとをその目的とす
るものである。

〔イ斉１男ｆ）〕左）］、１ザ　−１ 本年、明は　二次１１１．予防＋ｈ壁を設けたことによ
り、人け　ｊｔｉＢｌれトの１１傷が発生するのを直重
して　ウェハに所定の金属層を短時間に形成できる真空
蒸着装置である。

〔発明の実施例〕

以ｔ′、本発明の実施例ζこ一ついて図面を参照して説
明する。

第２図は、本発明の一実施例の概略構成を示す贋、明図
である。図中１０（１、制御台１１上に設置４Ｊされた
ペルジャーである。ペルジャー１０の低部には、蒸着金
属源１２とこイ１．を加熱するための熱・１１λ１，９
が所定間隔を設けて設置されている。％　ｉ原ｉ　ｓは
、フイラメン１へで構［配されている。このフィー）メ
ントは制御ｒ（１１に設けられた蒸発加熱部１４に制御
さね、でおり、熱源１３の上方に設けられたガイＦ板１
５の挿肋孔１．５ａを介して所定エネルギーの屯Ｉ・ビ
ー１１１６を蒸着金属源１２に照射するようになってい
る。蒸着金属１１１ｊ１２の上方には、パノエ／ヘホル
ダー１７がこれに対向ｌ−２て設けられている。ウェハ
ホルダ・−１７には、ウェハの金属層形成面を蒸着金属
源１２に対向し゛Ｃ保持するように保持！’、　１　ｙ
　ａが取イ・１けられている。蒸着金属源１２のｊ１τ
簡に（↓、二次電子防止壁１８が、ウェハ７１；ル々−
７７との間の所定領域を仕切るよう１こしてｔ：ｌ：　
ｐ’ｓ’（され、でいる。二次電子防止壁１８は、ｆｒ
′１１えばづ回ｔ５反てＩｆｆ成さ１１．ており、蒸會
育金属片１２の近傍で発生した二次電子が、ウェハホル
ダー１７に向（Ｊて飛ｔｔｋ−ｄるのを遮断する機能を
有しでいろ。このような二次電子の遮断機能をｆｌずろ
＜）のであれは、′用板の他にも（＋Ｒ界等の電気的手
段により二代雷、子直重壁１８を形成しても良し）。（
１・ＩＩ　ｆｉｌｌ緒１１には、ペルジャー１０内を減
ＬＥ状卯に；設定４−ろための油拡散ポンプ１９及び油
回転ポンプ２０が内機されている。こイ１．らのポンノ
゛１９，２０は、］−＋１気庁２１を介してペルジャー
１０内に連通している。制御１台１ノ上には、これらの
ポンプ１９．２０の動作を制御ずろ排気早開ｊＡＩ１部
２２が設けられており、これらのポンプ１９゜２０等と
で排気機借を構成している。

制御′１台１１の前面には、排気機措及び蒸発加熱部１
４の操作パネル２３が設けられている。

このように構成された真空蒸着装置罎−９−（こよね５
ば、ウェハをウニ／’％ホルダー１７σ）１呆１′キ具
１７ａに取付け、ペルジャー１０内を排気系市制御部２
２にて油拡散ポンプ１９．油量ｋ　７Ｉ？ンフ。

２０の動作を制御して所定の減［Ｅ状態ζこ設定４−る
。次いで、蒸発加熱部１４により熱源１３力１ら蒸着金
属源１２に照射する電子ビ゛　ｂ　１６σ）エネルギー
を制御する。このようにして金やその合金等からなる蒸
着金属源１２から蒸着金属を蒸発せしめ、ウエノ＼の露
出面（こ所定σ）１フさの金属層を形成する。このとき
、蒸発金属σ）蒸−に伴って蒸着金属源１２の近傍の領
域”で二次電子が発生する。しかし、こσ）二次Ｎ　’
Ｔ−１゛よ、二次電子防止壁１８によって遮断されるの
てウニ）Ｓの露出面に到達できない。その結果、金８層
σ）表面を損傷のない平坦なものに仕上げると八番こ、
ウェハの露出面及びその内部に欠陥等が発生するのを阻
市することができる。また、二次電子は、二次電子防止
壁１８によってウエノ１の露出面には到達できないので
、熱源１３かＣ＝・放出さイア、る宙１ｆ−ビ・−ム１
６のエネハだＮ−゛・−を増大シて、蒸；゛１金（５−
茗の一力＼゛毫速［現を高めて作業１土を向Ｉ−させろ
こ古が４゛１Ｎる。このようにし°ｃｌｉｊ傷の発生を
１＋、Ｉｊ市しで所″＄１の会Ｍ　Ｉ→を高い留歩てウ
ェハの裏面に形ｒ戊し、このウェハをシートに貼着して
ダイシング処理を施ずごとができる。その結果、金（−
へ層及びり−しハには１ｒｔ　を鳩がないので、パノエ
ハ２・シ・−トドの所定Ｃ＼′Ｔ′、１１１Ｃに設置Ｐ
イでき、分割された千ッグ（１）採取ｊ１■作を円滑に
行うことができると共に、千ツブに欠け、割れが発生し
て不良品となるのを防止でＡる。

なお、実線ドｌの真空蒸着装置グー０で形成した金￥へ
層の表面ｊ・顕微鏡にて観察したところ第３図に７１才
如く、（・恒めで緻密になっていることが’Ｉ’ｌｌ、
ｒつ。これに比べて二次電子防止貸１８を設けていない
従来の−ＰＬ墾蒸着装置、にて同様に形成した金Ｆぺ層
の表面全顕微鏡にて観察したところ第４図に示ずｂ［１
＜、１・仮めて荒い凹凸状をなして欠陥や割れが発生し
易い状態であることが回った。

〔発明の効果〕

以上説明した如く、本発明に係る真空蒸着装置によれば
、欠け、割れ等の損傷が発生するのを・防止して、ウェ
ハに所定の金属層を短時間に容易に形成できる等顕著な
効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、半導体装置の断面図、第２図は、本発明の一
実施例の概略構成を示す説明図、第３図は、同実施例の
真空蒸着装置にて形成した金属層の表面を拡大して示す
顕微鏡写真図、第４図は、従来の真空蒸着装置にて形成
された金ｊｆ、ｆΔの表面を拡大して示す顕微鏡写真図
である。 １０・・・ペルジャー、１１・・・制御台、１２・・・
蒸着金属源、１３・・・熱源、１４・・・蒸発加熱部、
１５・・・ガイド板、１５ａ・・・挿通孔、１６・・・
電子ビーム、１７・・・ウェハホルダー、１８・・・二
次電子防止壁、１９・・・油拡散ポンプ、２ｏ・・・油
回転ポンプ。２ノ・・・排気管、２２・・・排気系制御
部、３０・・・真空蒸着装置。 第１図 パ　４図 筑　３　喫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ベルジＶ・−白に設けられた蒸着金４源と、該蒸着金１
   １源の近ｆ膚に設けられた該蒸着金属源の熱源、Ｌ−、
   Ｆ、！＜　Ｘへ石金に源の上方にウニ／’％の蒸着面・
   ２対向し−Ｃｔｉｅ　＋’ｙエノ１を保持するように設
   けられプ、す゛フ玉ハホル々−＆、該ウニ／Ｓホルタ（
   ！ｌ：　前記俵１ン−＜　ｆ弓７児間の領＋Ｆ交に所定
   の高さ〜ご、；ツ（１らイ１．た二次電子防屯壁と、　
   ｇｉｌ記ペルジャー（こ４妾続さ才ｔたｔＩｌ−気ｔｔ
   ％　ｔ’Ａ吉を−［４，佛することを）特徴とする真空
   蒸着装置。