JPH09180132A

JPH09180132A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH09180132A
Application number: JP33967095A
Authority: JP
Inventors: Mikiya Kurosu; 実喜也黒須
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-12-26
Filing date: 1995-12-26
Publication date: 1997-07-11

Abstract

(57)【要約】【課題】ＭＲ素子の薄膜化、簡易構造化を図りなが
ら、再生出力のＳ／Ｎを劣化させることなく、感度及び
出力を向上させることができる磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドを提供する。【解決手段】磁気抵抗効果素子５の両側縁に対向して
磁気抵抗効果素子５の磁化容易軸方向Ｆに着磁された強
磁性体膜１１Ａ，１１Ｂを配してなる。そして、強磁性
体膜１１Ａ，１１Ｂが先端電極７Ａから後端電極７Ｂに
至る領域に配してなり、磁気抵抗効果素子５と強磁性体
膜１１Ａ，１１Ｂとの間に一定の間隔Ｓ１，Ｓ２が設け
られるとともに、前記先端電極７Ａの両端部が強磁性体
膜１１Ａ，１１Ｂと磁気的に接続してなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体から
の記録磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果を有
する磁性層が設けられてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッド
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置における小型
大容量化が進行する中で、特にノート型パーソナルコン
ピュータに代表されるような可搬型コンピュータへの適
用が考慮される用途では、例えば２．５インチ程度の小
型ハードディスク装置に対する要求が高まっている。

【０００３】このような小型ハードディスクでは、ディ
スク径に依存して媒体速度が遅くなるため、再生出力が
媒体速度に依存する従来の誘導型磁気ヘッドでは、再生
出力が低下し、大容量化の妨げとなっている。

【０００４】これに対して、磁界によって抵抗率が変化
する磁気抵抗効果を有する磁性膜（以下、単にＭＲ素子
と称する。）の抵抗変化を再生出力電圧として検出する
磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、単にＭＲヘッドと称
する。）は、その再生出力が媒体速度に依存せず、低媒
体速度でも高再生出力が得られるという特徴を有するた
め、小型ハードディスクにおいて大容量化を実現する磁
気ヘッドとして注目されている。

【０００５】このＭＲヘッドは、遷移金属に見られる磁
化の向きとその内部を流れる電流の向きのなす角によっ
て電気抵抗値が変化する、いわゆる磁気抵抗効果現象を
利用した再生用磁気ヘッドである。すなわち、磁気記録
媒体からの漏洩磁束を上記ＭＲ素子が受けると、その磁
束により上記ＭＲ素子の磁化の向きが反転し、上記ＭＲ
素子内部に流れる電流の向きに対して磁性量に応じた角
度をもつようになる。それ故に上記ＭＲ素子の電気抵抗
値が変化し、この変化量に応じた電圧変化が電流が流れ
ているＭＲ素子の両端の電極に現れる。したがって、こ
の電圧変化を電圧信号として磁気記録信号を読みだせる
ことになる。

【０００６】図３，図４に従来のＭＲヘッドの構造を示
す。このＭＲヘッド１０１は、基板１０２上にＭＲ素子
１０５をその長手方向を媒体対向面ａと垂直方向に配し
てなる、いわゆる縦型のＭＲヘッド１０１である、そし
て、ＭＲ素子１０５の両端から電極を取り出すととも
に、該ＭＲ素子１０５の上下に絶縁層１０４ｂを介して
シールド磁性体１０３，１０９を配して構成されてい
る。

【０００７】ところで、この縦型のＭＲヘッド１０１で
は、ＭＲ素子１０５は、図５，図６に示すように、磁壁
が発生しないように、ＭＲ素子膜を磁気的絶縁中間膜１
０５ａを介して２層のＮｉ−Ｆｅからなる磁性体膜１０
５ｂ，１０５ｃで構成されている。これは、従来、Ｍ
Ｒ素子１０５は、単層構造が採用されていたが、ＭＲ素
子１０５が単層構造であると、磁化容易軸をトラック幅
Ｔ方向にとっているために、形状異方性の効果で磁区が
この磁化容易軸に対して９０°方向に向き易くなる。ま
た、磁壁移動によるバルクハウゼンノイズが発生する。
そこで、これらを防止するために２層構造が採用されて
いる。

【０００８】この２層構造のＭＲ素子１０５によれば、
２層構造の一方の層に流れるセンス電流によって他方の
層の異方性を揃えることができるとともに、図６に示す
ように、センス電流によらない２層相互のいわゆる静磁
気カップリングによって、互いの異方性を揃えることが
できる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来のいわゆる縦型の
ＭＲヘッド１０１においては、ＭＲ素子１０５の構造
は、上記のような理由により、単層構造から２層構造に
その主流が移行しつつある。しかし、ＭＲ素子１０５
は、薄膜化や構造の簡易さからは、むしろ単層であるこ
との方が良いわけである。また、ＭＲ素子の異方性磁界
Ｈｋがセンス電流に依存しない点でも、単層の方が良
い。

【００１０】さらに、今後の動向として高密度化にとも
なう狭トラック化でＭＲ素子１０５のアスペクト比（素
子長／素子幅）の増加が生じる傾向にある。しかし、上
記２層構造では、かかる傾向に対して不向きである。

【００１１】他方、２層構造のＭＲヘッドにおいて、再
生出力を上げようとセンス電流Ｉｓを増しても、それに
伴って異方性磁界Ｈｋも大きくなるために、ＭＲ素子１
０５の感度もある所を境に低下してきて実質はあまり向
上することができない。

【００１２】すなわち、ＭＲヘッドの出力については、
ＭＲヘッドの構造を別にすれば、ＭＲ素子感度（単位磁
界当たりの抵抗変化率）、センス電流、磁束の引き込み
量をパラメータとすることができる。ＭＲ素子感度は、
図７に示すように、ＭＲカーブで示すことができ、急峻
なほど出力を向上することができる。また、センス電流
Ｉｓとの関係は一般に式にして、Ｉｓ（センス電流）×
ΔＲ（抵抗変化）として表され、センス電流Ｉｓを大き
くすれば出力も向上する傾向がある。

【００１３】しかしながら、上記２層のＭＲ素子１０５
の場合、センス電流Ｉｓを大きくするとセルフバイアス
の効果も大きくなるので、図８に示すように、異方性磁
界Ｈｋも増加しＭＲ素子感度としては、ある電流値を境
に低下することになる。そのため、必然的にＭＲ素子と
しての出力が決定されてしまい、期待される出力が得ら
れない。しかも、従来の２層構造でも、反磁界の影響
で、特に、電極直下の磁区制御は難しく、実際に高出力
が得られない問題を有していた。

【００１４】なお、センス電流Ｉｓを大きくする以外に
ＭＲ素子の厚みを薄くして、電流密度を上げることで出
力を上げることも考えられるが、薄膜化にともない膜質
の問題が絡んでくるので、限界がある。また、磁束の引
き込み量については、ＭＲ素子の透磁率を上げることに
関係し、特に、先端電極側の透磁率を低下させないこと
が必要である。

【００１５】そこで、本発明は、ＭＲ素子の薄膜化、簡
易構造化を図りながら、再生出力のＳ／Ｎを劣化させる
ことなく、ＭＲ素子感度及び出力を向上させることがで
きる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的と
する。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果型
磁気ヘッドは、上記課題を解決するために、磁気記録媒
体との対向面に対して長手方向が垂直となるように配さ
れた磁気抵抗効果素子と、上記磁気記録媒体との対向面
に臨み磁気抵抗効果素子の先端側に積層される先端電極
と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電
極とを備えた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、上記
磁気抵抗効果素子の両側縁に対向して磁気抵抗効果素子
の磁化容易軸方向に着磁された強磁性体膜を配してなる
ことを特徴とする。

【００１７】また、強磁性体膜が少なくとも先端電極か
ら後端電極に至る領域に配してなることを特徴とする。

【００１８】また、強磁性体膜の膜厚が磁気抵抗効果素
子よりも厚く、磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果素子に
積層される先端・後端電極を合わせた厚さよりも薄いこ
とを特徴とする。

【００１９】また、前記強磁性体膜の着磁方向が磁気抵
抗効果素子の磁化容易軸方向であることを特徴とする。

【００２０】さらに、前記磁気抵抗効果素子と強磁性体
膜との間に一定の間隔が設けられるとともに、前記先端
電極の両端部が強磁性体膜と磁気的に接続してなること
を特徴とする前記磁気抵抗効果素子を形成する膜が単層
であることを特徴とする。

【００２１】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁
気抵抗効果素子の両端縁に対向して磁気抵抗効果素子の
磁化容易軸方向に着磁された強磁性体膜を有して構成さ
れている。したがって、センス電流Ｉｓに依存しなくと
も、磁区の制御をいわば強制的に行うことができ、その
ため、単層であっても、磁壁が発生することがなくな
る。

【００２２】その結果、磁区の制御にはセンス電流Ｉｓ
に依存しないものであるから、センス電流Ｉｓを流すこ
とにより出力を増加することができる。

【００２３】また、強磁性体膜の着磁方向が磁気抵抗効
果素子の磁化容易軸方向であることにより、外部信号磁
界の印加方向と磁化容易磁区方向とが一致する場合とほ
ぼ同様に低磁界にて高い感度を示すこととなる。

【００２４】そして、強磁性体膜が少なくとも先端電極
から後端電極に至る領域に配してなるようにすることに
より、磁気抵抗効果素子の両端部に配される強磁性体膜
により、感磁部と同等な磁界を電極の直下にも印加する
ことができる。

【００２５】ここで、ＭＲ素子の薄膜化を図りつつ低磁
界にて高い感度を示すようにするためには、強磁性体膜
の膜厚が磁気抵抗効果素子よりも厚く、磁気抵抗効果素
子と磁気抵抗効果素子に積層される先端・後端電極を合
わせた厚さよりも薄いことが好ましい。

【００２６】また、磁気抵抗効果素子と強磁性体膜との
間に一定の間隔が設けられ、先端電極の両端部のみが強
磁性体膜と磁気的に接続してなることにより、センス電
流の損失を防ぐことができるとともに、先端電極側の透
磁率を低下させないようにすることができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るＭＲヘッドの
実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。

【００２８】本実施の形態のＭＲヘッド１の主要な構成
は、図１及び図２に示すように、絶縁層４ａ上に導電膜
である先端電極７Ａ，後端電極７Ｂと、これらの電極７
Ａ，７Ｂ間で狭持された感磁部１０を有するＭＲ素子５
と、バイアス導体８とが積層されるとともに、上記ＭＲ
素子５の両側縁に配される強磁性体膜１１Ａ，１１Ｂが
配されてなる。

【００２９】すなわち、ＭＲヘッド１は、パーマロイ
（Ｎｉ−Ｆｅ）等からなる下部シールド磁性体３と上部
シールド磁性体９がヘッド摺動面ｙに臨む再生ギャップ
を構成するように対向して配され、これら下部シールド
磁性体３と上部シールド磁性体９との間にＭＲ素子５が
その一端を媒体対向面ｙに臨ませるように配されてい
る。

【００３０】これら下部シールド磁性体３及び上部シー
ルド磁性体９とＭＲ素子５間には、それぞれ絶縁層４
ａ，４ｂが介在され、磁気的に分離されている。

【００３１】また、上部シールド磁性体９は、媒体対向
面ｙ付近で屈曲した形状となされており、該上部シール
ド磁性体９と下部シールド磁性体３間の距離が媒体対向
面ｙ側において狭まるようになされ、上部シールド磁性
体９と下部シールド磁性体３の先端部間に再生用ギャッ
プが形成されている。

【００３２】一方、下部シールド磁性体３は、Ａｌ₂０
₃−ＴｉＣ等の非磁性材料からなるスライダーと称され
る基板２上に配置されている。ＭＲ素子５の媒体対向面
ｙと反対側には、後端電極７ＢがＭＲ素子５上に積層さ
れるように接続されている。

【００３３】また、バイアス導体８は、検出信号の直線
性を高める為に、バイアス磁界を与えるもので、ＭＲ素
子５と直交させて配置されている。

【００３４】ＭＲ素子５は、その長手方向が磁気記録媒
体、例えば磁気ディスクＤとの対向する媒体対向面ｙに
対し垂直となるように形成されている。そして、このＭ
Ｒ素子５の先端部５ｄ上と後端部５ｅ上には電極７Ａ，
７Ｂが形成されている。

【００３５】ここで、ＭＲ素子５は、単層構造のもので
ある。すなわち、このＭＲ素子５は、パーマロイ（Ｎｉ
−Ｆｅ）等からなる磁性体のみで形成されたもので、従
来のＭＲ素子膜を磁気的絶縁中間膜を介して２層の磁性
体膜構成される、いわゆる２層化のものではない。本実
施の形態のＭＲ素子５の膜厚は、１５ｎｍ〜２０ｎｍと
いう薄い膜として蒸着やスパッタリング等によって形成
されている。また、このＭＲ素子５の大きさは、縦方向
の長さが４μｍであり、幅が０．５μｍ〜２．５μｍで
ある。

【００３６】そして、本実施の形態のＭＲヘッド１は、
上記ＭＲ素子５をその長手方向が磁気記録媒体との対向
面、すなわち記録媒体摺動面ｙと垂直になるように配置
し、その一方の端面を記録媒体摺動面ｙに露出させたか
たちになっている。このＭＲ素子５の記録媒体摺動面側
端（前端側）部分と、その前端部分から所定距離隔てた
箇所に、そのぞれ軟磁性膜による先端電極７Ａ、後端電
極７Ｂが形成されている。

【００３７】この先端電極７Ａと後端電極７Ｂは、ＭＲ
素子５の長手方向に沿って（すなわち、記録媒体摺動面
ｙと直交する方向に）センス電流を流す目的で形成され
ている。これら先端電極７Ａ、後端電極７Ｂを構成する
材料としては、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ等の如き電
導性を有し且つ非磁性の金属材料を用いることが好まし
い。これら先端電極７Ａと後端電極７Ｂは、ＭＲ素子５
の各端部と接続するように成膜されている。

【００３８】そして、これら先端電極７Ａと後端７Ｂ間
の感磁部領域１０が磁気抵抗効果を奏する。この感磁部
１０は、例えばインダクティブヘッドの記録用磁気ギャ
ップのトラック幅よりも若干幅狭の長方形パターンとし
て形成されている。

【００３９】そして特に、図２に示すように、ＭＲ素子
５の両側縁に対向してＭＲ素子５の磁化容易軸方向Ｆに
着磁された強磁性体膜１１Ａ，１１Ｂを配されてなる。

【００４０】この強磁性体膜１１Ａ，１１Ｂは、ＭＲ素
子５の磁区の制御を強制的に行うものであり、Ｃｏ−Ｐ
ｔを材料として構成されている。ただし、この強磁性体
膜１１Ａ，１１Ｂは、ＭＲ素子５の磁化容易軸方向Ｆに
着磁された強磁性体膜（一般にハード膜と呼ばれてい
る。）であれば、これに限定されるものではない。

【００４１】ここで、強磁性体膜１１Ａ，１１Ｂの着磁
方向（図２中、Ｎ，Ｓで示す。）は、図２に示すよう
に、ＭＲ素子の磁化容易軸方向（図中符号Ｆで示す。）
とされている。磁化容易軸とは磁気異方性エネルギーが
極大となって自発磁化が安定に向く方向である。

【００４２】この強磁性体膜１１Ａ，１１Ｂの大きさ
は、各々の幅間隔Ｈ２が０．１〜１．５μｍである。ま
た、各強磁性体膜１１Ａ，１１Ｂの幅間隔Ｈ２と直交す
る方向の間隔Ｈ１は、その方向の長さが４μｍであるＭ
Ｒ素子５とほぼ同じ長さである。実際には、ＭＲ素子５
の長さ４μｍよりも、各々±３．０μｍであるように形
成されている。すなわち、強磁性体膜１１Ａ，１１Ｂ
は、各々少なくとも先端電極７Ａから後端電極７Ｂに至
る領域に配してなることが好ましい。

【００４３】これは、先端電極７Ａと後端電極７Ｂで狭
持される感磁部１０のみならず、これら先端電極７Ａと
後端電極７Ｂの直下にも磁区の制御が効果的に行えるよ
うにするためである。したがって、ＭＲ素子５の少なく
とも感磁部１０では、磁区の制御が確実に行える。

【００４４】また、各強磁性体膜１１Ａ，１１Ｂの膜厚
Ｈ３は、ＭＲ素子５よりも厚く、ＭＲ素子５と先端・後
端電極７Ａ，７Ｂを合わせた厚さよりも薄いことが好ま
しい。ＭＲ素子５よりも厚くするのは、ＭＲ素子５の磁
区の制御を効果的に行えるようにするためであり、他
方、ＭＲ素子５と先端・後端電極７Ａ，７Ｂを合わせた
厚さよりも薄くするのは、いわゆる従来の２層構造のも
のよりも薄くするためである。本実施の形態では、各強
磁性体膜１１Ａ，１１Ｂの膜厚Ｈ３は、２５〜３００ｎ
ｍである。

【００４５】さらに、ＭＲ素子５と強磁性体膜１１Ａ，
１１Ｂとの間には、各々一定の間隔Ｓ１，Ｓ２が設けら
れて形成されている。この間隔Ｓ１，Ｓ２は、０．１〜
０．５μｍである。

【００４６】ここで、先端電極７Ａの両端部は、強磁性
体膜１１Ａ，１１Ｂと磁気的に接続してなる。

【００４７】これは、磁束の引き込み量、ＭＲ素子５の
透磁率を上げることに関係するために、先端電極７Ａ側
の透磁率を低下させないようにするためである。

【００４８】すなわち、図２に示すように、ＭＲ素子５
と強磁性体膜１１Ａ，１１Ｂとの間に一定の間隔Ｓ１，
Ｓ２が設けられているが、先端電極７Ａの部分では、こ
の部分Ｓ１，Ｓ２も先端電極７Ａの一部として形成さ
れ、両側縁の強磁性体膜１１Ａ，１１Ｂ上に磁気記録媒
体との対向面ｙに沿うようにして延ばされて略々Ｔ字状
に設けられている。

【００４９】次に、ＭＲ素子５の感磁部上には、図１に
示すように、ＭＲ素子５と直交して横切るように設けら
れ該ＭＲ素子５に所定の向きのバイアス磁界を与えるバ
イアス導体８が設けられている。このＭＲ素子５とバイ
アス導体８との間には、やはりこれらの間の絶縁性を回
避するための絶縁膜４ｃが介在されている。なお、この
バイアス導体８には、例えば、電導性の良いＡｕ，Ｃｕ
等を用いる。

【００５０】したがって、本実施の形態に係るＭＲヘッ
ド１によって情報の再生を行う場合には、図１に示すよ
うに、アンプ部１５内の定電流源１６によってＭＲ素子
５の電気抵抗変化を先端電極７Ａと後端電極７Ｂとの間
の電圧変化に変換し、この電圧変化をアンプ部１５内の
増幅器１７を介して出力部１８より薄膜ヘッド１の出力
信号として取り出す。

【００５１】すなわち、ＭＲ素子５が磁気記録媒体から
の漏洩磁束を受けると、その磁束によってＭＲ素子５の
磁化の向きが回転し、ＭＲ素子５内部に流れるセンス電
流Ｉｓの向きに対して磁束量に応じた角度をもつように
なる。そのため、ＭＲ素子５の電気抵抗値が変化し、こ
の変化量に応じた電圧変化がＭＲ素子５の両端の電極７
Ａ，７Ｂで生じる。この電圧変化をアンプ部１５内の増
幅器１７を介して出力部１８より薄膜ヘッド１の出力信
号として取り出すようになす。

【００５２】ここで、本実施の形態は、ＭＲ素子５の両
端縁に対向してＭＲ素子５の磁化容易軸方向Ｆに着磁さ
れた強磁性体膜１１Ａ，１１Ｂを配してなるために、セ
ンス電流Ｉｓに依存しなくとも、磁区の制御をいわば強
制的に行うことができる。したがって、単層であって
も、磁壁が発生することがなくなり、バルクハウゼンノ
イズの発生を回避することができる。

【００５３】また、磁区の制御にはセンス電流Ｉｓに依
存しないものであるが、センス電流Ｉｓを流すことによ
り出力を増加することができる。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、磁気抵抗効果素子の両
側縁に対向して磁気抵抗効果素子の磁化容易軸方向に着
磁された強磁性体膜を配してなることから、センス電流
Ｉｓに依存しなくとも、磁区の制御をいわば強制的に行
うこととなる。したがって、単層であっても、バルクハ
ウゼンノイズの発生を回避することができる。

【００５５】また、強磁性体膜の着磁方向が磁気抵抗効
果素子の磁化容易軸方向であることにより、外部信号磁
界の印加方向と磁化容易磁区方向とが一致する場合とほ
ぼ同様に低磁界にて高い感度を示すこととなる。

【００５６】そして、強磁性体膜が少なくとも先端電極
から後端電極に至る領域に配してなることにより、感磁
部と同等な磁界を電極の直下にも印加することができ、
従来の２層の静磁気カップリングよりも効果的な磁区の
制御が行われる。

【００５７】したがって、本発明の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、ＭＲ素子の薄膜化、簡易構造化を図りなが
ら、再生出力のＳ／Ｎを劣化させることなく、ＭＲ素子
感度及び出力を向上させることができると言う理想的な
磁気抵抗効果型磁気ヘッドである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＭＲヘッドの一実施例の概略構成
を示す断面図である。

【図２】上記ＭＲヘッドのＭＲ素子膜、電極、及び強磁
性体膜を示す要部斜視図である。

【図３】従来のＭＲヘッドを示す断面図である。

【図４】上記ＭＲヘッドのＭＲ素子及び電極を示す要部
斜視図である。

【図５】上記ＭＲヘッドのＭＲ素子膜を示す拡大断面図
である。

【図６】上記ＭＲヘッドのＭＲ素子のセルフバイアスを
示す模式図である。

【図７】上記ＭＲヘッドのＭＲ素子の抵抗変化を示すＭ
Ｒ特性図である。

【図８】上記ＭＲ特性図において、異方性磁界Ｈｋを示
すものである。

【符号の説明】

１ＭＲヘッド５磁気抵抗効果素子（ＭＲ膜）７Ａ先端電極７Ｂ後端電極８バイアス導体１０感磁部１１Ａ，１１Ｂ強磁性体膜Ｓ１，Ｓ２ＭＲ素子と強磁性体膜との間の間隔ＦＭＲ素子の磁化容易軸方向Ｎ，Ｓ強磁性体膜の着磁方向ｙ媒体対向面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体との対向面に対して長手方
向が垂直となるように配された磁気抵抗効果素子と、上
記磁気記録媒体との対向面に臨み磁気抵抗効果素子の先
端側に積層される先端電極と、上記磁気抵抗効果素子の
後端側に積層される後端電極とを備えた磁気抵抗効果型
磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子の両側縁に対向して磁気抵抗効果
素子の磁化容易軸方向に着磁された強磁性体膜を配して
なることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２】強磁性体膜が少なくとも先端電極から後
端電極に至る領域に配してなることを特徴とする請求項
１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項３】強磁性体膜の膜厚が磁気抵抗効果素子よ
りも厚く、磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果素子に積層
される先端・後端電極を合わせた厚さよりも薄いことを
特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項４】磁気抵抗効果素子と強磁性体膜との間に
一定の間隔が設けられるとともに、前記先端電極の両端
部が強磁性体膜と磁気的に接続してなることを特徴とす
る請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。