JPS59103457U - 薄膜半導体装置用ガラス基板 - Google Patents

薄膜半導体装置用ガラス基板

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JPS59103457U
JPS59103457U JP19833982U JP19833982U JPS59103457U JP S59103457 U JPS59103457 U JP S59103457U JP 19833982 U JP19833982 U JP 19833982U JP 19833982 U JP19833982 U JP 19833982U JP S59103457 U JPS59103457 U JP S59103457U
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JP
Japan
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glass substrate
thin film
film semiconductor
semiconductor devices
semiconductor device
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JP19833982U
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English (en)
Inventor
新保　雅文
Original Assignee
セイコーインスツルメンツ株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図から第３図は、本考案によるガラス基板を用いた
ときのＴＰＴ及びその製造工程を説明するための図であ
る。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・塗布酸化膜
、１０・・・・・・ＴＦＴ、１１．１２・・・・・・基
板表面の凹凸。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 薄膜半導体装置を形成すべきガラス基板において、前記
    ガラス基板の表面に塗布酸化膜を塗布後ベークして形成
    した絶縁膜を有することを特徴とする薄膜半導体装置用
    ガラス基板。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11354445A (ja) * 1997-08-26 1999-12-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2005294859A (ja) * 1997-08-26 2005-10-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2007141945A (ja) * 2005-11-15 2007-06-07 Hitachi Displays Ltd 表示装置の製造方法及び表示装置

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JPS5180183A (en) * 1975-01-08 1976-07-13 Hitachi Ltd Handotaisochino seizohoho
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