JPS59103458U - 薄膜半導体装置用ガラス基板 - Google Patents
薄膜半導体装置用ガラス基板Info
- Publication number
- JPS59103458U JPS59103458U JP19834082U JP19834082U JPS59103458U JP S59103458 U JPS59103458 U JP S59103458U JP 19834082 U JP19834082 U JP 19834082U JP 19834082 U JP19834082 U JP 19834082U JP S59103458 U JPS59103458 U JP S59103458U
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- JP
- Japan
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- glass substrate
- thin film
- film semiconductor
- semiconductor devices
- semiconductor device
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図から第４図は、本考案によるガラス基板を用いた
ときのＴＰＴ及びその製造プロセスを説明するための図
である。 １・・・・・・ガ゛ラス基板、２・・・・・・ｐｓＧ含
有ＳｉＯ２膜、３・・・・・・絶縁膜、１０・・・・・
−ＴＦＴ、１１．１２・・・・・・基板表面の凹凸。
ときのＴＰＴ及びその製造プロセスを説明するための図
である。 １・・・・・・ガ゛ラス基板、２・・・・・・ｐｓＧ含
有ＳｉＯ２膜、３・・・・・・絶縁膜、１０・・・・・
−ＴＦＴ、１１．１２・・・・・・基板表面の凹凸。
Claims (1)
- 薄膜半導体装置が形成さるべきガラス基板において、前
記ガラス基板の表面にリンガラスを２〜１０％含む酸化
膜を堆積後８００°Ｃ以上の温度でアニールすることに
より前記酸化膜を少なく共一部に含む絶縁膜を形成して
なる薄膜半導体装置用ガラス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19834082U JPS59103458U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 薄膜半導体装置用ガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19834082U JPS59103458U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 薄膜半導体装置用ガラス基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59103458U true JPS59103458U (ja) | 1984-07-12 |
Family
ID=30423904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19834082U Pending JPS59103458U (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 薄膜半導体装置用ガラス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59103458U (ja) |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP19834082U patent/JPS59103458U/ja active Pending
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