JPS59105254A - 螢光表示管 - Google Patents
螢光表示管Info
- Publication number
- JPS59105254A JPS59105254A JP21598082A JP21598082A JPS59105254A JP S59105254 A JPS59105254 A JP S59105254A JP 21598082 A JP21598082 A JP 21598082A JP 21598082 A JP21598082 A JP 21598082A JP S59105254 A JPS59105254 A JP S59105254A
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- JP
- Japan
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- phosphor
- zno
- conductor
- display tube
- anode
- Prior art date
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ている１、また蛍光表示管は、ハンディ電卓、クロック
、キャシュレジスター、オーディオ機器、家雷用 沖載
用、計測機器の表示素子として。
、キャシュレジスター、オーディオ機器、家雷用 沖載
用、計測機器の表示素子として。
輝度が高くかつ鮮明であり、青、緑、黄、橙。
赤等の広範囲の色の表示が得られる。また低電圧で動作
し、かつ消費電力が小さく、応答速度も速いのでＬＳＩ
で直接駆動できる。さらに、薄膜技術によシ表示パター
ンを作製できるため。
し、かつ消費電力が小さく、応答速度も速いのでＬＳＩ
で直接駆動できる。さらに、薄膜技術によシ表示パター
ンを作製できるため。
精密で自由なパターンの表示をすることができる。さら
にまた、端子以外は、真空中に収容されているので信頼
性が高く、長寿命である等の特長を有しているため前述
のような各種電子機器の表示素子として利用されている
。
にまた、端子以外は、真空中に収容されているので信頼
性が高く、長寿命である等の特長を有しているため前述
のような各種電子機器の表示素子として利用されている
。
口）従来技術
低速電子線用蛍光体は、 １９８０年１月１日発行の
エレクトロセラミクス第１１巻のＣ頁から４８頁に示さ
れているように適度の導電性を有していることが必要で
あり、導電性を与える方法により次のように３種類に分
類されている。
エレクトロセラミクス第１１巻のＣ頁から４８頁に示さ
れているように適度の導電性を有していることが必要で
あり、導電性を与える方法により次のように３種類に分
類されている。
（ａ） 低抵抗母体形蛍光体
代表例は、 ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体があり、蛍光体の母
体として導電物質を使用する蛍光体である。
体として導電物質を使用する蛍光体である。
この他に５ｎ０２：Ｅｕ蛍光体や（Ｚｎｌ−ｘＣｄＸ）
Ｓ：Ａｇ蛍光体がある。
Ｓ：Ａｇ蛍光体がある。
（ｂ） 混合形蛍光体
例えば ＺｎＳ ：Ａｇ＋Ｉ ｎ ２０３ 蛍光体が
あり、高抵抗の蛍光体、 ＺｎＳ：Ａｇ 、 ＺｎＳ
：Ｃｕ、ＡＩ 、 Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕなどに５ｎ０２
、 Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯなどの導電物質を混合して全
体として低抵抗化した蛍光体であ（ｃ） ドープ形蛍
光体 例えば ＺｎＳ：Ａｇ、Ｚｎ、ＡＩ 蛍光体がある。
あり、高抵抗の蛍光体、 ＺｎＳ：Ａｇ 、 ＺｎＳ
：Ｃｕ、ＡＩ 、 Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕなどに５ｎ０２
、 Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯなどの導電物質を混合して全
体として低抵抗化した蛍光体であ（ｃ） ドープ形蛍
光体 例えば ＺｎＳ：Ａｇ、Ｚｎ、ＡＩ 蛍光体がある。
このＺｎＳ ＊Ａｇ蛍光体は１通常絶縁体に近いが、こ
の結晶中にＺｎやＡＩなどの不純物をドープしてＺｎ空
孔を埋めて導電性を付与した蛍光体。
の結晶中にＺｎやＡＩなどの不純物をドープしてＺｎ空
孔を埋めて導電性を付与した蛍光体。
本発明のＺｎＯ： Ｚｎに導電物質を被着させた低速電
子線用蛍光体は、前述の分類では（ａ）低抵抗母体形蛍
光体に属するものである。
子線用蛍光体は、前述の分類では（ａ）低抵抗母体形蛍
光体に属するものである。
しかしながら、この低抵抗の蛍光体として知られている
ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体層でも見かけの比抵抗け１×１０４
Ωａｎ〜ｌＸ１０６Ωｑ位の抵抗をもっていることが知
られている。また前記の低速電子線用蛍光体を使用する
蛍光表示管の従来例として特開昭５４−１３３８７４号
公報がある。この蛍光表示管は、透光性を有する基板上
に微小な透光間隙群を有する陽極上に蛍光体を被着し、
陽極と対向して配設された陰極から放出される電子の射
突によ多発光した蛍光体の発光を前記陽極の間隙群を透
過し、基板を通して観察するタイプである。
ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体層でも見かけの比抵抗け１×１０４
Ωａｎ〜ｌＸ１０６Ωｑ位の抵抗をもっていることが知
られている。また前記の低速電子線用蛍光体を使用する
蛍光表示管の従来例として特開昭５４−１３３８７４号
公報がある。この蛍光表示管は、透光性を有する基板上
に微小な透光間隙群を有する陽極上に蛍光体を被着し、
陽極と対向して配設された陰極から放出される電子の射
突によ多発光した蛍光体の発光を前記陽極の間隙群を透
過し、基板を通して観察するタイプである。
この従来例の基板上の陽極導体と蛍光体層の関係を拡大
した断面図で第１図に示す。
した断面図で第１図に示す。
ガラス基板１上にＡＩやＡｇ等の陽極導体２が複数配設
されるとともに陽極導体間に間隙３を゛形成し、この陽
極導体２および間隙３上にＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体層４を被
着配設して陽極基板を構成していた。
されるとともに陽極導体間に間隙３を゛形成し、この陽
極導体２および間隙３上にＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体層４を被
着配設して陽極基板を構成していた。
従って図示してない陰極から放出された電子θが蛍光体
の表面に射突し、前述のようにＩ×１０’ΩｃｒｆＩ〜
ｌＸ１０６Ω（２）の比抵抗をもつ蛍光体を通って陽極
導体に流れる。また陽極電流は、電子ｅの流れと逆方向
に流れるが、途中に蛍光体層による抵抗があるので蛍光
体層表面の電位は。
の表面に射突し、前述のようにＩ×１０’ΩｃｒｆＩ〜
ｌＸ１０６Ω（２）の比抵抗をもつ蛍光体を通って陽極
導体に流れる。また陽極電流は、電子ｅの流れと逆方向
に流れるが、途中に蛍光体層による抵抗があるので蛍光
体層表面の電位は。
陽極導体の電位より蛍光体表面の電位は低下する。すな
わち電圧降下という現象を生じる。蛍光体層の表面電位
の低下する割合は、陽極導体と蛍光体層表面との距離に
よって決まる。すなわち前記距離が大きいほど電圧降下
が大きくなり表面電位が下がることになり、その結果陽
極電流が低下する。この表面電位が所定値以下になると
発光輝度が低下するか、発光しなくなる。
わち電圧降下という現象を生じる。蛍光体層の表面電位
の低下する割合は、陽極導体と蛍光体層表面との距離に
よって決まる。すなわち前記距離が大きいほど電圧降下
が大きくなり表面電位が下がることになり、その結果陽
極電流が低下する。この表面電位が所定値以下になると
発光輝度が低下するか、発光しなくなる。
従って、蛍光体４の発光は陽極導体２の真上が一番よく
光り、陽極導体２から離れた間隙３上では輝度が下るこ
とになる。
光り、陽極導体２から離れた間隙３上では輝度が下るこ
とになる。
しかし、一番輝度の高い陽極導体２の真上の蛍光体４の
発光は、陽極導体２が透明電極でない場合は、基板１を
通して観察できないという矛盾がある。
発光は、陽極導体２が透明電極でない場合は、基板１を
通して観察できないという矛盾がある。
従って均一にかつ優れた輝度で発光させるには間隙幅を
狭くする方がよいが、開孔率が小さくなり基板を通して
見える光量が少なくなるという矛盾を生ずる。
狭くする方がよいが、開孔率が小さくなり基板を通して
見える光量が少なくなるという矛盾を生ずる。
すなわち従来の間隙を有するＩｌ＆導体上に、ＺｎＯ：
Ｚｎ蛍光体を被着し、基板を通して観察するタイプの蛍
光表示管は、前述のような問題点かあル輝度が上らない
という大志や、陽極導体近傍は、輝度が高いが、間隙部
の中間付近は。
Ｚｎ蛍光体を被着し、基板を通して観察するタイプの蛍
光表示管は、前述のような問題点かあル輝度が上らない
という大志や、陽極導体近傍は、輝度が高いが、間隙部
の中間付近は。
輝度が低下していて、セグメントが均一な発光が得られ
ず、表示品位が悪いという問題点かあった。
ず、表示品位が悪いという問題点かあった。
ハ） 発明の目的
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり間
隙を有する陽極杓造であって、基板を通して観察するい
わゆる前面発光形蛍光表示管に使用しても、セグメント
が均一に発光し。
隙を有する陽極杓造であって、基板を通して観察するい
わゆる前面発光形蛍光表示管に使用しても、セグメント
が均一に発光し。
表示品位が優れ１発光輝度を高くすることが可能な低速
電子線用蛍光体およびこの蛍光体を使用した蛍光表示管
を提供することを目的とするものである。
電子線用蛍光体およびこの蛍光体を使用した蛍光表示管
を提供することを目的とするものである。
二）発明の構成
前記目的を達成するために１本発明の構成は、低速電子
線の射突により励起発光するＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体に導電
性物質を添加し、前Ｈｅ ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体の表面に
導電物質を被着させた低速電子線用蛍光体および、透光
性の絶縁基板の一方の面に設けられた上面に蛍光体層の
被着された陽極に熱陰極から放出された電子を射突させ
て、前記蛍光体層を励起発光させ透光性基板を通して表
示を得る蛍光表示管において、導電性薄膜でメツシュ状
、＜シ歯状、ストライプ状等の間隙を有するように前記
透光性基板上に被着した陽極導体と、低速電子線の射突
により励起発光するＺｎｂ：Ｚｎ蛍光体に導電性物質を
被着させた低速電子線用蛍光体を前記陽極導体および間
隙上に被着形成させた蛍光表示管である。
線の射突により励起発光するＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体に導電
性物質を添加し、前Ｈｅ ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体の表面に
導電物質を被着させた低速電子線用蛍光体および、透光
性の絶縁基板の一方の面に設けられた上面に蛍光体層の
被着された陽極に熱陰極から放出された電子を射突させ
て、前記蛍光体層を励起発光させ透光性基板を通して表
示を得る蛍光表示管において、導電性薄膜でメツシュ状
、＜シ歯状、ストライプ状等の間隙を有するように前記
透光性基板上に被着した陽極導体と、低速電子線の射突
により励起発光するＺｎｂ：Ｚｎ蛍光体に導電性物質を
被着させた低速電子線用蛍光体を前記陽極導体および間
隙上に被着形成させた蛍光表示管である。
ホ）実施例の説明
本発明の実施例を以下図面を参照して詳細に説明する。
第２図は１本発明の低速電子線用蛍光体の拡大図を示す
ものであシ、５は、従来公知のＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体５で
ある。このＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体５の粒径は、０５〜１５
μｍ程度のものが使用できるが。
ものであシ、５は、従来公知のＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体５で
ある。このＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体５の粒径は、０５〜１５
μｍ程度のものが使用できるが。
この実施例では平均粒径が７．２１１ｍ のものを使
用した。このＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体５に導電物質６を添加
混合するのであるが、この導電物質６には。
用した。このＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体５に導電物質６を添加
混合するのであるが、この導電物質６には。
Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３−８ｎ０２（ＩＴＯ） 、 ５
ｎ０２ 、５ｎ０２−８ｂ２０５ 、ＴｉＯ２などが
あるがこの実施例の場合は。
ｎ０２ 、５ｎ０２−８ｂ２０５ 、ＴｉＯ２などが
あるがこの実施例の場合は。
導電物質６としてＩｎ２Ｏ３ｋ使用した。このＩｎ２Ｏ
３導電物質６の粒径は、平均粒径が０．３〜０４μｍで
あり、前記ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体５の粒径に対し非常に小
さく超微粒子であることが望ましい。
３導電物質６の粒径は、平均粒径が０．３〜０４μｍで
あり、前記ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体５の粒径に対し非常に小
さく超微粒子であることが望ましい。
前記ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体５にＩｎ２Ｏ３導電物質６を添
加し、長時間かくはん混合する。Ｉｎ２Ｏ３導電物質６
の添加量は％ ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体５に対し。
加し、長時間かくはん混合する。Ｉｎ２Ｏ３導電物質６
の添加量は％ ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体５に対し。
０．０１重量％〜５重量％が良好であシ第２図に示すよ
うにＺ ｎ Ｏ＊ Ｚ ｎ蛍光体５の表面にＩｎ２Ｏ３
導電物質６が被着される。
うにＺ ｎ Ｏ＊ Ｚ ｎ蛍光体５の表面にＩｎ２Ｏ３
導電物質６が被着される。
前記のとおシに形成したＩｎ２Ｏ３人シのＺｎＯ：Ｚｎ
蛍光体の効果を調べる為に次のような両件で蛍光表示管
を製作し特性を調べた、 ｚｎＯ：Ｚｎ蛍光体に添加する導電物質としてのＩｎ２
Ｏ３量を０重量％、 ０．０５重量％、０．１重量％、
０．５重Ｊｉ ｘ 、１．０３ｉ量％、５．０重量％と
変化はせた蛍光体にセルロース系ビークル（メチルセル
ロース、エチルエルロース等のセルロース系のバインダ
ーに、バインダーの溶剤を加えたもの）を前記蛍光体１
０部に対しセルロース系ビークルを３〜１０部加えた後
よくかくはん混合し、ペースト状の蛍光体を形成する。
蛍光体の効果を調べる為に次のような両件で蛍光表示管
を製作し特性を調べた、 ｚｎＯ：Ｚｎ蛍光体に添加する導電物質としてのＩｎ２
Ｏ３量を０重量％、 ０．０５重量％、０．１重量％、
０．５重Ｊｉ ｘ 、１．０３ｉ量％、５．０重量％と
変化はせた蛍光体にセルロース系ビークル（メチルセル
ロース、エチルエルロース等のセルロース系のバインダ
ーに、バインダーの溶剤を加えたもの）を前記蛍光体１
０部に対しセルロース系ビークルを３〜１０部加えた後
よくかくはん混合し、ペースト状の蛍光体を形成する。
このＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体の平均粒径は、７．２ ｐｍで
あシＩｎ２ＢＯ３の平均粒径は、０３部ｍ である。
あシＩｎ２ＢＯ３の平均粒径は、０３部ｍ である。
１つ極基板は。
ガラス基板１の全面にＡＩの薄膜を蒸着法、スパッタリ
ング法、イオンプレーテング法等の物理的方法で被着し
た後フォトエツチング法により例えば第４図に示すよう
に陽極導体２及び配線導体７のパターンを形成する。陽
極導体２は、縦方向と横方向の線を直交させて方形のメ
ツシュ構造とした。この場合のＡＩの線幅は１０ ｐｍ
であシ、線と腺の間隙幅は、 ９０ ｐｍとした。又比
較するために第３図Ｂに示すようなＡＩの陽極に間隙を
設けないＡＩのベタの陽極導体２を形成した。なお、メ
ツシュの形は方形のほか６角形、８角形など多角形で構
成してもよいことはもちろんである。
ング法、イオンプレーテング法等の物理的方法で被着し
た後フォトエツチング法により例えば第４図に示すよう
に陽極導体２及び配線導体７のパターンを形成する。陽
極導体２は、縦方向と横方向の線を直交させて方形のメ
ツシュ構造とした。この場合のＡＩの線幅は１０ ｐｍ
であシ、線と腺の間隙幅は、 ９０ ｐｍとした。又比
較するために第３図Ｂに示すようなＡＩの陽極に間隙を
設けないＡＩのベタの陽極導体２を形成した。なお、メ
ツシュの形は方形のほか６角形、８角形など多角形で構
成してもよいことはもちろんである。
第３図Ａ−Ｂに示すように各陽極導体にて前記蛍光体ペ
ーストラ厚膜印刷法で被着形成して陽極基板を形成した
。前記陽極導体２と蛍光体層４からなる陽極に対面する
上方に制御電＆８陰極９全配設し、側面板１０と背面板
１１からなる背面容器を前記陽極基板に高真窒状態を保
つように封着し、第５図、第６図に示すような蛍光表示
管全形成し蛍光体の特性をしらべた。
ーストラ厚膜印刷法で被着形成して陽極基板を形成した
。前記陽極導体２と蛍光体層４からなる陽極に対面する
上方に制御電＆８陰極９全配設し、側面板１０と背面板
１１からなる背面容器を前記陽極基板に高真窒状態を保
つように封着し、第５図、第６図に示すような蛍光表示
管全形成し蛍光体の特性をしらべた。
これらの蛍光表示管にアノード電流Ｉｂ（７セグメント
の１けた分の面Ｍ Ｏ，１８ｃｒａ ） ｆ ０．１
ｍＡ流したときのアノード電圧Ｅｂを測定し、Ｅｂ／■
ｂの値を電子の流れ易すさを表わす数として算出した。
の１けた分の面Ｍ Ｏ，１８ｃｒａ ） ｆ ０．１
ｍＡ流したときのアノード電圧Ｅｂを測定し、Ｅｂ／■
ｂの値を電子の流れ易すさを表わす数として算出した。
その結果表−１に示す値を得た。
表−１
この表からもわかるように従来のようなＡＩ陽極ペタの
タイプと同程度の電子の流れ易い状態にするには、
ＡＩ メツシュタイプでは、 Ｉｎ２Ｏ３を０．０５
重景％と０．１重量％の間のある量を加えればよいこと
がわかる。すなわちＩｎ２Ｏ３量を多く加えるほど導電
率は、大きくなるが、発光効率ηは、導電物質のある量
をピークとして下がってくることが第７図に示されてい
る。これはある程度以上導電物質を加えると、導電物質
は電流を流すだけで、発光は、しないので、逆に蛍光体
の励起に寄与する電子が減って発光を阻害することにな
る。第８図は、前述の蛍光表示管を発光させたときのア
ノード電圧Ｅｂ と相対輝度りとの関係を表わしたグラ
フである。
タイプと同程度の電子の流れ易い状態にするには、
ＡＩ メツシュタイプでは、 Ｉｎ２Ｏ３を０．０５
重景％と０．１重量％の間のある量を加えればよいこと
がわかる。すなわちＩｎ２Ｏ３量を多く加えるほど導電
率は、大きくなるが、発光効率ηは、導電物質のある量
をピークとして下がってくることが第７図に示されてい
る。これはある程度以上導電物質を加えると、導電物質
は電流を流すだけで、発光は、しないので、逆に蛍光体
の励起に寄与する電子が減って発光を阻害することにな
る。第８図は、前述の蛍光表示管を発光させたときのア
ノード電圧Ｅｂ と相対輝度りとの関係を表わしたグラ
フである。
このグラフにおいて、陽極導体がＡＩ メツシュ電極に
Ｉｎ２Ｏ３をそれぞれ０．０５，０．５．５重量％加え
た蛍光体層のグランＡ−Ｂ・ＣとＩｎ２Ｏ３が０％の蛍
光体層のグラフＤ’に比較してみるとメツシュタイプの
陽極導体にＩｎ２Ｏ３を入れないＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体の
みでは、アノード電圧が高くなるが。
Ｉｎ２Ｏ３をそれぞれ０．０５，０．５．５重量％加え
た蛍光体層のグランＡ−Ｂ・ＣとＩｎ２Ｏ３が０％の蛍
光体層のグラフＤ’に比較してみるとメツシュタイプの
陽極導体にＩｎ２Ｏ３を入れないＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体の
みでは、アノード電圧が高くなるが。
Ｉｎ２Ｏ３を添加することによりしきい値電圧が低くな
るとともに、ある動作電圧゛１例えば１２Ｖにおいてｓ
Ｉｎ２Ｏ３が０％のときには相対輝度りは、４０位
であるが、 Ｉｎ２Ｏ３を添加したものは７０以上と
輝度が高いことがわかる。
るとともに、ある動作電圧゛１例えば１２Ｖにおいてｓ
Ｉｎ２Ｏ３が０％のときには相対輝度りは、４０位
であるが、 Ｉｎ２Ｏ３を添加したものは７０以上と
輝度が高いことがわかる。
第９図は、 ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体に導電物質であるＩ
ｎ２Ｏ３の添加量とＩｎ２Ｏ３添加Ｚｎ２０：Ｚｎ蛍光
体の相対輝度りとの関係のグラフである。Ｉｎ２Ｏ３ｋ
ｏ、０１％位添加すると相対輝度りは、はぼ恥位である
Ｉｎ２Ｏ３が０．０１％以下だと導電性を与える効果が
なく Ｉｎ２Ｏ３の添加ｔｉｔ−増加させるとしだいに
相対輝度りも上り、 Ｉｎ２Ｏ３の添加量が０．５％
前後で相対輝度りのピークがあり、 Ｉｎ２Ｏ３の添
加量が０．５％以上になるとＩｎ２Ｏ３がＺｎＯ：Ｚｎ
蛍光体の発光を阻害して相対輝度りがしだいに落ちてく
る。添加量が５．０％で相対輝度りはほぼ５０位であり
相対輝度りが５０以上あると通常使用に耐える。
ｎ２Ｏ３の添加量とＩｎ２Ｏ３添加Ｚｎ２０：Ｚｎ蛍光
体の相対輝度りとの関係のグラフである。Ｉｎ２Ｏ３ｋ
ｏ、０１％位添加すると相対輝度りは、はぼ恥位である
Ｉｎ２Ｏ３が０．０１％以下だと導電性を与える効果が
なく Ｉｎ２Ｏ３の添加ｔｉｔ−増加させるとしだいに
相対輝度りも上り、 Ｉｎ２Ｏ３の添加量が０．５％
前後で相対輝度りのピークがあり、 Ｉｎ２Ｏ３の添
加量が０．５％以上になるとＩｎ２Ｏ３がＺｎＯ：Ｚｎ
蛍光体の発光を阻害して相対輝度りがしだいに落ちてく
る。添加量が５．０％で相対輝度りはほぼ５０位であり
相対輝度りが５０以上あると通常使用に耐える。
前記実施例では導電物質としてＩｎ２Ｏ３を使用した例
を説明したが、 Ｉｎ２Ｏ３の代わりにＩｎ２０３Ｓ
ｎ０２，５ｎ０２ １５ｎ０２５ｂ２０５ 等の導電
物質を添加した場合でも前記Ｉｎ２Ｏ３の実施例に準じ
、 ｏ、ｏｉ重量％〜５重量％添加することにより同様
の効果があることが実験をとおして知見した。
を説明したが、 Ｉｎ２Ｏ３の代わりにＩｎ２０３Ｓ
ｎ０２，５ｎ０２ １５ｎ０２５ｂ２０５ 等の導電
物質を添加した場合でも前記Ｉｎ２Ｏ３の実施例に準じ
、 ｏ、ｏｉ重量％〜５重量％添加することにより同様
の効果があることが実験をとおして知見した。
前述のようにして形成した蛍光体を使用する本発明の前
面発光形の蛍光表示管の実施例を以下説明する。
面発光形の蛍光表示管の実施例を以下説明する。
基板１は、ガラス、セラミックス等の絶縁性を有すると
ともに透光性を有することが必要である。透光性とは１
例えばガラス基板の例で説明すれば、透明な並板ガラス
はもちろん、一方の面を物理的に凹凸状態を作ったスリ
ガラスや化学的にエツチングで凹凸状態を作ったエツチ
ングガラス等の半透明なガラスも含まれる、本実施例で
はエツチングガラスを使用した場合を説明する。
ともに透光性を有することが必要である。透光性とは１
例えばガラス基板の例で説明すれば、透明な並板ガラス
はもちろん、一方の面を物理的に凹凸状態を作ったスリ
ガラスや化学的にエツチングで凹凸状態を作ったエツチ
ングガラス等の半透明なガラスも含まれる、本実施例で
はエツチングガラスを使用した場合を説明する。
エツチングガラスを長方形にカットして基板１とする。
前記基板１に、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーテング法等の物理的方法や、化学メッキやＣ−Ｖ・Ｄ
等の方法によって、基板１の一方の面の全体にＡＩ 、
Ａｇ＋Ｃｒ 、Ａｕ ＋Ｎｉ等の導電性薄膜を被着成形
する。そして陽極導体２配線導体７以外の導電性薄膜を
フォトエツチング法によって削除し、例えば第４図に示
すような導電性薄膜によるパターンを形成する。
ーテング法等の物理的方法や、化学メッキやＣ−Ｖ・Ｄ
等の方法によって、基板１の一方の面の全体にＡＩ 、
Ａｇ＋Ｃｒ 、Ａｕ ＋Ｎｉ等の導電性薄膜を被着成形
する。そして陽極導体２配線導体７以外の導電性薄膜を
フォトエツチング法によって削除し、例えば第４図に示
すような導電性薄膜によるパターンを形成する。
このパターンは、 ＡＩで各々のセグメントごとに配
設し７た陽極導体２と、陽＠Ｌ導体２と接続している配
線導体７とを配設する。陽極導体２は、ＡＩ薄膜の細線
（線幅１０ｐｉｍ）を縦横に配設し方形のメツシュの間
隙全多数作るように陽極導体を形成する。またメツシュ
の外周には。
設し７た陽極導体２と、陽＠Ｌ導体２と接続している配
線導体７とを配設する。陽極導体２は、ＡＩ薄膜の細線
（線幅１０ｐｉｍ）を縦横に配設し方形のメツシュの間
隙全多数作るように陽極導体を形成する。またメツシュ
の外周には。
ＡＩ薄膜の枠部が配設される、この陽極導体２の上面に
、厚膜印刷法で導電物質入り蛍光体４を第３図Ａに示す
ように、陽極導体２および間隙部３Ｖｃ被着させる。さ
らに蛍光体層４はメツシュ上より多少はみだして枠部上
［被着されてもよいので、印刷精度が多少悪くても容易
に被着させることができるのである。前記基板１の蛍光
体層４と対面する位置に第５図、第６図に示すように制
御１！極８およびフィラメント状の陰極９が配設される
。基板１上に必要に応じて板ｌＯと背面板１１からなる
背面容器を封着した後排気管１３より排気し封止して内
部を高真空に保持して本発明の蛍光表示管が出来る。
、厚膜印刷法で導電物質入り蛍光体４を第３図Ａに示す
ように、陽極導体２および間隙部３Ｖｃ被着させる。さ
らに蛍光体層４はメツシュ上より多少はみだして枠部上
［被着されてもよいので、印刷精度が多少悪くても容易
に被着させることができるのである。前記基板１の蛍光
体層４と対面する位置に第５図、第６図に示すように制
御１！極８およびフィラメント状の陰極９が配設される
。基板１上に必要に応じて板ｌＯと背面板１１からなる
背面容器を封着した後排気管１３より排気し封止して内
部を高真空に保持して本発明の蛍光表示管が出来る。
なお本発明は、図面に示し、以上説明した実施例に限定
されるものでなく１本発明の要旨を変えない範囲で種々
変更して実施できるものである。例えば実施例ではスタ
テック駆動のパターンを示したが、ダ、イナミック駆動
のパターンでも本発明は実施できるものである。
されるものでなく１本発明の要旨を変えない範囲で種々
変更して実施できるものである。例えば実施例ではスタ
テック駆動のパターンを示したが、ダ、イナミック駆動
のパターンでも本発明は実施できるものである。
へ）発明の作用効果
本発明は１以上説明したように、 ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光
体に導電物ｆｊｌを添加した蛍光体を間隙を有する陽極
セグメントに被着形成したので、陽極に陽極電流を通電
し発光させる場合、間隙部に被着させた蛍光体層でも、
電圧降下が生じないで。
体に導電物ｆｊｌを添加した蛍光体を間隙を有する陽極
セグメントに被着形成したので、陽極に陽極電流を通電
し発光させる場合、間隙部に被着させた蛍光体層でも、
電圧降下が生じないで。
電流が流れるので、陽極導体上の蛍光体層と同等に発光
することが可能である。従って間隙の発光のみを表示す
る前面発光表示管において各間隙部が均一に発光するこ
とが可能であるのでセグメント全体でも均一に発光表示
し、表示品位が優れているという効果がある。また抵抗
が小さいので陽極電流を多く流すことが可能であり、従
来のＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体より高輝度に発光させることが
できる効果もある。
することが可能である。従って間隙の発光のみを表示す
る前面発光表示管において各間隙部が均一に発光するこ
とが可能であるのでセグメント全体でも均一に発光表示
し、表示品位が優れているという効果がある。また抵抗
が小さいので陽極電流を多く流すことが可能であり、従
来のＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体より高輝度に発光させることが
できる効果もある。
また蛍光体の抵抗が小さくなったので間隙幅を大きくし
ても均一に発光できるので前面発光形蛍光表示管の各セ
グメントの陽極導体の開孔率を大きくできる。したがっ
て観察者側への発光ｆが増加し、この点からも高輝度化
が可能であるという効果がある。
ても均一に発光できるので前面発光形蛍光表示管の各セ
グメントの陽極導体の開孔率を大きくできる。したがっ
て観察者側への発光ｆが増加し、この点からも高輝度化
が可能であるという効果がある。
第１図は、従来の前面発光形の陽極基板の要部拡大縦断
面図、第２図は１本発明の低速重子線用蛍光体の拡大図
、第３図（Ａ）は、本発明の蛍光表示管に用いられる陽
極基板の説明図、第３図（Ｂ）は。 比較するために陽極導体を全面に設けた陽極基板の例の
説明図、第４図は１本発明の陽極基板の要部平面図、第
５図は１本発明の蛍光表示管の一部を破断した平面図、
第６図は、第５図のＸ−Ｘ線での縦断面図、第７図は１
本発明の蛍光体の導電物質と導電率および発光効率の関
係を示すグラフ％第８図は１本発明の蛍光体のアノード
電圧と相対輝度の関係を示すグラフ、第９図は、本発明
の蛍光体のＩｎ２Ｏ３量と相対輝度の関係を示すグラフ
である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・陽極導体 ３・・
・・・・間隙部４・・・・・・蛍光体層 ５・・・・・
・ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体６・・・・・・導電物質 特許出願人 双ｉｔ子工業株式会社第 １
図 第 ２ 図 第 ３ 図 （Ａ） 第４図 第 ３ 図 （Ｒ） ｌ。 第 ５ 図 入 第 ６ 図 第 ７ 図 導電物質’！ｊｌ−一− 第 ８ 図 アノード電Ｆ１三 Ｅｂ−→− 第 ９ 図 Ｉｎ２Ｏ３を−〉
面図、第２図は１本発明の低速重子線用蛍光体の拡大図
、第３図（Ａ）は、本発明の蛍光表示管に用いられる陽
極基板の説明図、第３図（Ｂ）は。 比較するために陽極導体を全面に設けた陽極基板の例の
説明図、第４図は１本発明の陽極基板の要部平面図、第
５図は１本発明の蛍光表示管の一部を破断した平面図、
第６図は、第５図のＸ−Ｘ線での縦断面図、第７図は１
本発明の蛍光体の導電物質と導電率および発光効率の関
係を示すグラフ％第８図は１本発明の蛍光体のアノード
電圧と相対輝度の関係を示すグラフ、第９図は、本発明
の蛍光体のＩｎ２Ｏ３量と相対輝度の関係を示すグラフ
である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・陽極導体 ３・・
・・・・間隙部４・・・・・・蛍光体層 ５・・・・・
・ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体６・・・・・・導電物質 特許出願人 双ｉｔ子工業株式会社第 １
図 第 ２ 図 第 ３ 図 （Ａ） 第４図 第 ３ 図 （Ｒ） ｌ。 第 ５ 図 入 第 ６ 図 第 ７ 図 導電物質’！ｊｌ−一− 第 ８ 図 アノード電Ｆ１三 Ｅｂ−→− 第 ９ 図 Ｉｎ２Ｏ３を−〉
Claims (4)
- （１）低速電子線９射突により励起発光するＺｎＯ：Ｚ
ｎ蛍光体に４電性物質を添加し、前記ＺｎＯ＊Ｚｎ蛍光
体の表面に導電性物質を被着させたことを特徴とする低
速電子線用蛍光体。 - （２）第１項における導電性物質の添加量がＺｎＯ：Ｚ
ｎ蛍光体に対して０．０１重量％〜５重：滑％である特
許請求の範囲第１項記載の低速電子線用蛍光体。 - （３）透光性の絶縁基板の一方の面に設けられた上面に
蛍光体層の被着された陽極に熱陰極から放出された電子
を射突きせて、前記蛍光体層を励起発光させ透光性基板
を通して表示を得る蛍光表示管において、導電性薄膜で
メツシー状、くし歯状、ストライプ状等の間隙を有する
ように前記透光性基板上に被着した陽極導体と、低速電
子線の射突によシ励起発光するＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体に導
電性物質を添加し、前記ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体の表面に導
電性物質を被着させた低速電子線用蛍光体を前記陽極導
体および間隙上に被着形成させたことを特徴とする蛍光
表示管。 - （４）第３項における導電性物質の添加量がＺｎＯ：Ｚ
ｎ蛍光体に対して０．０１重量％〜５重量％である特許
請求の範囲第３項記載の低速電子線用蛍光表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21598082A JPS59105254A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 螢光表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21598082A JPS59105254A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 螢光表示管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59105254A true JPS59105254A (ja) | 1984-06-18 |
| JPS6145347B2 JPS6145347B2 (ja) | 1986-10-07 |
Family
ID=16681415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21598082A Granted JPS59105254A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | 螢光表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59105254A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262885A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-19 | Matsushita Electronics Corp | 受像管 |
| JPS62126528A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-08 | Ise Electronics Corp | 螢光表示管 |
| JPS62161881A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-17 | Kasei Optonix Co Ltd | 陰極線管用表面処理螢光体 |
| JPH02178386A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-11 | Futaba Corp | 青色発光蛍光体 |
| JPH0963518A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-07 | Nec Kagoshima Ltd | 蛍光表示管 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55131083A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-11 | Nec Corp | Luminescent material |
| JPS55145788A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-13 | Toshiba Corp | Luminescent composition |
-
1982
- 1982-12-08 JP JP21598082A patent/JPS59105254A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55131083A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-11 | Nec Corp | Luminescent material |
| JPS55145788A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-13 | Toshiba Corp | Luminescent composition |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262885A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-19 | Matsushita Electronics Corp | 受像管 |
| JPS62126528A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-08 | Ise Electronics Corp | 螢光表示管 |
| JPS62161881A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-17 | Kasei Optonix Co Ltd | 陰極線管用表面処理螢光体 |
| JPH02178386A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-11 | Futaba Corp | 青色発光蛍光体 |
| JPH0963518A (ja) * | 1995-08-30 | 1997-03-07 | Nec Kagoshima Ltd | 蛍光表示管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6145347B2 (ja) | 1986-10-07 |
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