JPS59107528A - 半導体装置のダイボンデイング材料 - Google Patents

半導体装置のダイボンデイング材料

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JPS59107528A
JPS59107528A JP57216924A JP21692482A JPS59107528A JP S59107528 A JPS59107528 A JP S59107528A JP 57216924 A JP57216924 A JP 57216924A JP 21692482 A JP21692482 A JP 21692482A JP S59107528 A JPS59107528 A JP S59107528A
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JP
Japan
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bonding material
die
semiconductor device
die bonding
pellet
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JP57216924A
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English (en)
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Akira Suzuki
明 鈴木
Kazunari Suzuki
一成 鈴木
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置のダイボンディング材料に関するも
のである。
一般に半導体装置では、半導体素子ペレットをリードフ
レームやその他のペース部材に固着するためにダイボン
ディング材料を用いているが、従来のこの棟の材料とし
て次のようなものが提案されている。
＋１１　　エポキシ樹脂十Ａｇ粉 （２）エポキシ樹脂十Ａｇ粉＋溶媒 （３）ボリイミｈ′樹脂＋Ａｇ粉＋溶媒しかしながら、
これらの材料はいずれも熱硬化性樹脂であるため、ダイ
ボンディング後にペレットとベース部材との間の接着強
度確保のためにキー７が必狭とされる。これらのキュア
条件は拐料により異なるが一般には１５０〜２００Ｃ，
１ｈｒ又は３００〜４００Ｃ，３ｍ１ｎの時間を要し、
かつベーク炉又は連続炉で行なっている。このために、
次のような欠点を有している。
（１１ベーク炉キーアでは工程が不連続となり自動化が
困難になる。
（２）連続炉キュアでは工程の連続は可能であるがキュ
ア時間が長く装置が大型になる。
したがって本発明の目的は自動化によるダイボンディン
グ工数の低減を図り、合わせて設備費の低減、ダイボン
ディング後の再生を容易にするダイボンディング材料を
提供することにある、このような目的を達成するために
本発明は熱可塑性樹脂にＡｇ粉又は他の無機充填剤を混
合してその軟化温度を２２０Ｃ以上としたものである。
即ち、−例として熱可塑性樹脂にポリフェニレンサルフ
ァイドを用い、これにＡｇ粉又は他の無機充填剤を混合
したものが掲げられる。これは、一般式が次のように表
わされ、その軟化温度が又、他の例としては、熱可塑性
樹脂に芳香族ポリエヌテル系樹脂を用い、これにＡｇ粉
又は他の無機充填剤を混合したものが掲げられる。なお
、これら両者を商品化したものにはいずれもＳｉｎ。
等の無機充填剤が入っている。
このようなダイポンディング材料を使用した半導体装置
を第１図に示す。本例は樹脂封止型半導体装置の例であ
シ、先ず第２図（Ａ）のように、部分又は全面にＡｇ又
はＡｕめっき２を、或いはタブ１ａだけめっきの施され
ていないリードフレーム１を用意する、次に、リードフ
レーム１全体又はタブ１ａの温度が２２０Ｃ以上になる
ようにヒートブロック、発熱体入りのホントジェット等
にて加熱する。
その上で、例えばペレット状に成形した前記ダイポンデ
ィング材料３を同図（Ｂｌのようにタブｌａ上に置き、
しかる上で同図（Ｃ）のように半導体素子ペレット４を
ダイボンディング材料３上に載せる。
これによシ、ダイボンディング材料３は溶融されてペレ
ット４をタブ１ａに固着する。このとき。
ダイボンディング材料３の濡れ広がりを向上させるため
に適描な荷重およびスクライプを加える。
このようにしてダイボンディングされたペレット４およ
びリードフレーム１は、２２０Ｃ以下のステージに移す
ことによシ完全に固着される。
その後、ペレット４とリードフレーム１のリードとをＡ
ｕ線５にてワイヤボンディングしく同図［Ｆ］）、更に
樹脂封止６を施すことによって第１図の半導体装置が完
成される。なお、ワイヤボンディングに際しては、ダイ
ポンディング材料３の軟化温度（２２０Ｃ）以上に昇温
させないことが肝要である。
ここで、夕”イボンディング材料３を溶融させた上でペ
レットを載せるようにしてもよい。
更に、ダイポンディング材料の前記ペレット状、　の構
成は、メツシュ状ｒ（形成したグラスファイバーに材料
を含浸してペレット状としたものであり。
場合によってはリボン状にしてもよい。
因みに、本例のダイポンディング材料と従来材料との信
頼性の比較を次表に示す。
このように、信頼性は従来の拐料に劣ることはない。
以上のように本発明によればダイポンディング材料のキ
ュアが不必要とされるので、従来月料と同等以上の信頼
性を確保する一方でダイボンディングの自動化を図り、
かつその工数の低減、設備費の低減を達成すると共に、
ダイボンディング後の再生を容易にできるという効果を
秦する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明を適用した半導体装置の断面図、第２図
囚〜［Ｆ］はその組立工程の断面図である。 １　・リードフレーム、１ａ・・・タブ、３・・・ダイ
ポンディング材料、４・・・ペレット、５・・・Ａｕ、
ｗ、６・・・樹脂。 代理人　弁理士　　薄　１）利　幸１１７１、。 つ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、熱可塑性樹脂にＡｇ粉又は他の無機充填剤を混合し
    てその軟化温度を２２０υ以上としたことを特徴とする
    半導体装置のダイボンディング材料。 ２、　メツシュ状に形成したグラス７アイノく−に含浸
    してリボン状又はペレット状に構成してなる特許請求の
    範囲第１項記載の半導体装置のダイボンディング材料。
JP57216924A 1982-12-13 1982-12-13 半導体装置のダイボンデイング材料 Pending JPS59107528A (ja)

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JP57216924A JPS59107528A (ja) 1982-12-13 1982-12-13 半導体装置のダイボンデイング材料

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JP57216924A JPS59107528A (ja) 1982-12-13 1982-12-13 半導体装置のダイボンデイング材料

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JPS59107528A true JPS59107528A (ja) 1984-06-21

Family

ID=16696057

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JP57216924A Pending JPS59107528A (ja) 1982-12-13 1982-12-13 半導体装置のダイボンデイング材料

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JP (1) JPS59107528A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0730294A2 (en) 1995-02-28 1996-09-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device fabricating method of semiconductor device, and die-bonding method of semiconductor device
JP2004186651A (ja) * 2002-12-06 2004-07-02 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0730294A2 (en) 1995-02-28 1996-09-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device fabricating method of semiconductor device, and die-bonding method of semiconductor device
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