JPS59107596A - セラミツク多層配線回路板 - Google Patents
セラミツク多層配線回路板Info
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- JPS59107596A JPS59107596A JP21690582A JP21690582A JPS59107596A JP S59107596 A JPS59107596 A JP S59107596A JP 21690582 A JP21690582 A JP 21690582A JP 21690582 A JP21690582 A JP 21690582A JP S59107596 A JPS59107596 A JP S59107596A
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- wiring
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
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- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はセラミック多層配線回路板に係シ、特にセラミ
ック絶縁材料と銅、銀、金又はそれらの合金の導体パタ
ーンが交互に積層された低比誘電率で、かつ導体抵抗の
小さいセラミック多層配置線回路板に関する。
ック絶縁材料と銅、銀、金又はそれらの合金の導体パタ
ーンが交互に積層された低比誘電率で、かつ導体抵抗の
小さいセラミック多層配置線回路板に関する。
従来、この種の回路板に用いられるセラミック板として
ｉｄ熱伝導率、機械的強度、慮気絶縁性などの点からア
ルミナ磁器が採用されている。
ｉｄ熱伝導率、機械的強度、慮気絶縁性などの点からア
ルミナ磁器が採用されている。
しかしながら、高アルミナセラミックスは比誘電率が９
前後と大きく熱そのため、′亀子回路の信号伝達速度が
遅く、回路信号の高速伝送に対して不利になる。また、
高アルミナセラミックスの焼成温度は１５００〜１６５
（Ｉ’と高温であシ、配線回路をセラミックスの焼成と
同時に形成するために適用できる導体はタングステンま
たはモリブデンなどの高融点金属材料に限定される。タ
ングステン及びモリブデンは焼結しがたい材料でちり、
また、室温の抵抗も５．２または５．５μΩ−鋸と大ぎ
い。高密度に回路を形成する場合、配線幅が小さくなる
だめ、単位長さ当シの抵抗が大きくなる。
前後と大きく熱そのため、′亀子回路の信号伝達速度が
遅く、回路信号の高速伝送に対して不利になる。また、
高アルミナセラミックスの焼成温度は１５００〜１６５
（Ｉ’と高温であシ、配線回路をセラミックスの焼成と
同時に形成するために適用できる導体はタングステンま
たはモリブデンなどの高融点金属材料に限定される。タ
ングステン及びモリブデンは焼結しがたい材料でちり、
また、室温の抵抗も５．２または５．５μΩ−鋸と大ぎ
い。高密度に回路を形成する場合、配線幅が小さくなる
だめ、単位長さ当シの抵抗が大きくなる。
このため電圧降下による信号の伝達速度が遅くなる。
このようなタングステン及びモリブデンの導体による問
題点をなくシ、銀、銅、金及びそれらの合金の配線口１
洛をセラミックの焼成と同時に形成するだめにガラス質
耐火材料とその間隙間ガラスよシなるセラミック板が提
案されている（特開昭′５０−１１９８１４号公報）。
題点をなくシ、銀、銅、金及びそれらの合金の配線口１
洛をセラミックの焼成と同時に形成するだめにガラス質
耐火材料とその間隙間ガラスよシなるセラミック板が提
案されている（特開昭′５０−１１９８１４号公報）。
しかしこのセラミック板の組成に基づいてセラミック多
層配線回路板を製造する場合、セラミック板と導体との
熱膨張係数を十分に調整することができな１八ため、焼
成後の冷却過程でセラミックスに亀裂が生じ、或は導体
の断線又はショートを生じる問題が生じる。
層配線回路板を製造する場合、セラミック板と導体との
熱膨張係数を十分に調整することができな１八ため、焼
成後の冷却過程でセラミックスに亀裂が生じ、或は導体
の断線又はショートを生じる問題が生じる。
本発明の目的は、セラミック絶線材料と、銅、銀、金又
献それらの合金の導体パターンが交互に積層されたセラ
ミック多層配線回路板において、セラミック材料の熱膨
張係数を制御することによって配線に用いる導体ペース
トとの適合性を高め、セラミックの亀裂及び導体の断線
又はショートを防止できるセラミック多層配線回路板を
提供することにある。
献それらの合金の導体パターンが交互に積層されたセラ
ミック多層配線回路板において、セラミック材料の熱膨
張係数を制御することによって配線に用いる導体ペース
トとの適合性を高め、セラミックの亀裂及び導体の断線
又はショートを防止できるセラミック多層配線回路板を
提供することにある。
本帛明は、結晶形の異なる酸化ケイ素を少なくとも２種
以上を含み、その間隙に介在するガラスとから、構成さ
れたセラミック材料と、銅、銀、金又はそれらの合金と
からなる配線導体とを組合せることによって、セラミッ
ク材料の熱膨張係数を配線導体の熱膨張係数に近い値に
制御できるようにしたものである。
以上を含み、その間隙に介在するガラスとから、構成さ
れたセラミック材料と、銅、銀、金又はそれらの合金と
からなる配線導体とを組合せることによって、セラミッ
ク材料の熱膨張係数を配線導体の熱膨張係数に近い値に
制御できるようにしたものである。
導電性のすぐれた導体材料として、銀（１，６μΩ・Ｃ
ｒｒｉ）、銅（１，７μΩ・Ｃｒｒｌ）、金（２，２μ
Ω・ｃｒｎ）が知られている。この材料の融点は各々、
９６１ｔｌｌ’、１０８３ｔ：”及び１０６３Ｃである
。セラミック多層配線回路板にこれらの導体を使うため
には、この融点よシ低温度で焼結できるセラミック材料
を選定しなければならない。導体材料の融点よシ高温度
で焼成すると、印刷法により形成された導体は溶解し、
断線まだはショートをおこす恐れがちる。
ｒｒｉ）、銅（１，７μΩ・Ｃｒｒｌ）、金（２，２μ
Ω・ｃｒｎ）が知られている。この材料の融点は各々、
９６１ｔｌｌ’、１０８３ｔ：”及び１０６３Ｃである
。セラミック多層配線回路板にこれらの導体を使うため
には、この融点よシ低温度で焼結できるセラミック材料
を選定しなければならない。導体材料の融点よシ高温度
で焼成すると、印刷法により形成された導体は溶解し、
断線まだはショートをおこす恐れがちる。
また、セラミック材料としては比誘電率の小さい材料が
必要である。比誘電率εｒと成気信号遅れｔｄとの間に
は次式が成り立つことが知られている。
必要である。比誘電率εｒと成気信号遅れｔｄとの間に
は次式が成り立つことが知られている。
ゾｔｒ −Ｌ
ｔｄ二□
に
こでｔｄは実装遅れ、Ｃｒは材料の比誘電率、ｔは信号
の伝送距離、Ｃは光の速度である。したかって、比誘電
率の小さい材料を選ぶことによシ、信号の伝送速度を速
くすることができる。
の伝送距離、Ｃは光の速度である。したかって、比誘電
率の小さい材料を選ぶことによシ、信号の伝送速度を速
くすることができる。
ここで本発明者らは、無機材料の中で比誘に率の小さめ
ものとして酸化ケイ素に着目した。しかし酸化ケイ素の
みでば１４００Ｃ以上でなければ焼、詰しないので低温
焼結材料として低軟化点ガラスを用い、このガラスによ
って酸化ケイ素を・焼結するようにしたものである。
ものとして酸化ケイ素に着目した。しかし酸化ケイ素の
みでば１４００Ｃ以上でなければ焼、詰しないので低温
焼結材料として低軟化点ガラスを用い、このガラスによ
って酸化ケイ素を・焼結するようにしたものである。
即ち、酸化ケイ素は異なる結晶形からなる種々の化合物
に分類される。例えば室温で安定な材料として石英ガラ
ス、α−石英、α−クリストバライト、α−トリジマイ
トなどがある。高温度ではさらにβ−石英、β−クリス
トバライト、β−トリジマイトなどがある。本発明では
これらの結晶形の異なる酸化ケイ素の少くとも２種以上
を混合することに特徴がある、混合する）由はセラミッ
ク材料の熱膨張系数を制御することにある。セラも ζ°ラック料はその組成が央まると熱膨張係数はぼへ 決るのが一般的である。本発明では結晶形の異なる酸化
ケイ素を２種類以上混合し、低融点のガラスで焼結した
セラミックスであるだめ、セラミックスの熱膨張係数を
至温から４００Ｃの範囲をとるとＩ Ｘ １ ｏ−”／
ｌｌ；’〜２０ Ｘ １ ｏ−’／Ｃまで任意に制御す
ることが可能である。これは酸化ケイ素の結晶形により
熱膨張係数が異なることによるだめである。例えば、石
英ガラスの熱膨張係数は０、５ Ｘ １ ｏ−’／ｃ、
石英のそれは１２〜１５Ｘ１０−’／ｌ：’クリストバ
ライトのそれは２００Ｃまでは１０ Ｘ １ ｏ−’／
ｃであるが、２００Ｃ付近でα−クリストバライトがβ
−クリストバライトに相転移する際の異常熱膨張を加え
ると室温から４００Ｃまでの熱、彬張系数は２３ Ｘ
１ ｏ−６／ｃにになる。トリジマイトもαとβの転移
を加えると２３ Ｘ １０−６／Ｃの熱膨張係数をもつ
。したがって、これらの酸化ケイ素の熱膨張係数を整理
すると、第１表の如きものとなる。
に分類される。例えば室温で安定な材料として石英ガラ
ス、α−石英、α−クリストバライト、α−トリジマイ
トなどがある。高温度ではさらにβ−石英、β−クリス
トバライト、β−トリジマイトなどがある。本発明では
これらの結晶形の異なる酸化ケイ素の少くとも２種以上
を混合することに特徴がある、混合する）由はセラミッ
ク材料の熱膨張系数を制御することにある。セラも ζ°ラック料はその組成が央まると熱膨張係数はぼへ 決るのが一般的である。本発明では結晶形の異なる酸化
ケイ素を２種類以上混合し、低融点のガラスで焼結した
セラミックスであるだめ、セラミックスの熱膨張係数を
至温から４００Ｃの範囲をとるとＩ Ｘ １ ｏ−”／
ｌｌ；’〜２０ Ｘ １ ｏ−’／Ｃまで任意に制御す
ることが可能である。これは酸化ケイ素の結晶形により
熱膨張係数が異なることによるだめである。例えば、石
英ガラスの熱膨張係数は０、５ Ｘ １ ｏ−’／ｃ、
石英のそれは１２〜１５Ｘ１０−’／ｌ：’クリストバ
ライトのそれは２００Ｃまでは１０ Ｘ １ ｏ−’／
ｃであるが、２００Ｃ付近でα−クリストバライトがβ
−クリストバライトに相転移する際の異常熱膨張を加え
ると室温から４００Ｃまでの熱、彬張系数は２３ Ｘ
１ ｏ−６／ｃにになる。トリジマイトもαとβの転移
を加えると２３ Ｘ １０−６／Ｃの熱膨張係数をもつ
。したがって、これらの酸化ケイ素の熱膨張係数を整理
すると、第１表の如きものとなる。
第 １ 表
このため、結晶形の異なる酸化ケイ素を２種以上混合す
ることによってセラミック材料の熱膨張係数を任意に調
整することができる。
ることによってセラミック材料の熱膨張係数を任意に調
整することができる。
また多層配線回路板を作成するためには絶縁体であるセ
ラミック材料間に配線導体が必要であり、さらにセラミ
ック各層間の配線導体を接続するためのスルホール用導
体が必要である。導体に用いる銀、銅および金の熱膨張
係数は各々１．９１Ｘ１０′″’／Ｃ，１７，ＯＸ ｉ
、 ０−’／Ｕ及び１４．２Ｘ１０−’／ｌ：”である
。セラミックスの熱膨張係数はこれらの導体の熱膨張１
系数と差が大きすぎるなら焼成後の冷却過程でセラミッ
クスに亀裂を生じたシ、あるいは導体の＠線を生じ多層
回路板に不都合である。このだめにも、セラミック材料
の熱膨張系数は任意に選定できることが必要となる。本
発明において、セラミック材料の熱Ｊ彫ノ長係数を導体
の熱膨張係数に近似させることができる。
ラミック材料間に配線導体が必要であり、さらにセラミ
ック各層間の配線導体を接続するためのスルホール用導
体が必要である。導体に用いる銀、銅および金の熱膨張
係数は各々１．９１Ｘ１０′″’／Ｃ，１７，ＯＸ ｉ
、 ０−’／Ｕ及び１４．２Ｘ１０−’／ｌ：”である
。セラミックスの熱膨張係数はこれらの導体の熱膨張１
系数と差が大きすぎるなら焼成後の冷却過程でセラミッ
クスに亀裂を生じたシ、あるいは導体の＠線を生じ多層
回路板に不都合である。このだめにも、セラミック材料
の熱膨張系数は任意に選定できることが必要となる。本
発明において、セラミック材料の熱Ｊ彫ノ長係数を導体
の熱膨張係数に近似させることができる。
原料の粒度は粒子径が湘い１・１どセラミック基板が密
になシ、表面の凹凸も小さくなる。理想的には粒子径が
１０μｍ以下を用いる。
になシ、表面の凹凸も小さくなる。理想的には粒子径が
１０μｍ以下を用いる。
本発明において、上記のようす酸化ケイ素を比較的低温
度で焼結させるため、の低軟化点ガラスは化学的に安定
であって比誘電率が低く、導体として用いられる銅、銀
、会名はそれらの合金の融点よりも低い温度で軟化する
ものがよい。このようなガラスとして、硼ケイ酸バリウ
ム系ガラス、硼ケイ酸マグネシウム系ガラス等が好適な
例として挙げることができるが、２種以上の低軟化点ガ
ラスを混合して用いることもできる。なお、酸化鉛を含
むガラスも低軟化点ガラスとして用いることもできる。
度で焼結させるため、の低軟化点ガラスは化学的に安定
であって比誘電率が低く、導体として用いられる銅、銀
、会名はそれらの合金の融点よりも低い温度で軟化する
ものがよい。このようなガラスとして、硼ケイ酸バリウ
ム系ガラス、硼ケイ酸マグネシウム系ガラス等が好適な
例として挙げることができるが、２種以上の低軟化点ガ
ラスを混合して用いることもできる。なお、酸化鉛を含
むガラスも低軟化点ガラスとして用いることもできる。
酸化ケイ素とガラスの混合比率は特に制限がない。但し
、ガラスが少量すぎると酸化ケイ素を結合できなくなる
。したがって酸比ケイ素の量は５〜９５重量％、理想的
“ては２０〜８０％が良い。
、ガラスが少量すぎると酸化ケイ素を結合できなくなる
。したがって酸比ケイ素の量は５〜９５重量％、理想的
“ては２０〜８０％が良い。
次に本発明の最終目的であるセラミック多層配線回路板
を作製する工程を説明する。
を作製する工程を説明する。
まず、酸化ケイ素の２種類以上の粉末とガラス粉末を所
定の混合側合で秤取し、結合剤、可塑剤及び溶剤とを混
合してスラリを作製する。結合剤はポリビニルブチラー
ル樹脂、メタアクリル酸樹脂などが用いられ、可塑剤は
フタル酸ジオクチル、溶剤はメタノール、トリクロルエ
チレンなどが用いられる。スラリはポリエステル樹脂フ
ィルムの上にドクターブレード法によシ０，１〜１．
ＯｍｒｎｃＤＮさに流し出される。溶剤を乾燥除去する
ことによシ所定の厚さのグリーンセラミックシートが得
られる。グリーンシートはパンチ法、ドリル法などによ
シ所定の位置に所定の径の穴があけられ、さらに、穴の
部分に銀、銅、金又はそれらの合金の導体ペーストが印
刷され、配線導体の層間接線用のスルーホール導体部（
第１図中２で示す）になる。グリーンシートの表面には
所定の配線による導体（第１図中１で示す）パターンが
印刷される。
定の混合側合で秤取し、結合剤、可塑剤及び溶剤とを混
合してスラリを作製する。結合剤はポリビニルブチラー
ル樹脂、メタアクリル酸樹脂などが用いられ、可塑剤は
フタル酸ジオクチル、溶剤はメタノール、トリクロルエ
チレンなどが用いられる。スラリはポリエステル樹脂フ
ィルムの上にドクターブレード法によシ０，１〜１．
ＯｍｒｎｃＤＮさに流し出される。溶剤を乾燥除去する
ことによシ所定の厚さのグリーンセラミックシートが得
られる。グリーンシートはパンチ法、ドリル法などによ
シ所定の位置に所定の径の穴があけられ、さらに、穴の
部分に銀、銅、金又はそれらの合金の導体ペーストが印
刷され、配線導体の層間接線用のスルーホール導体部（
第１図中２で示す）になる。グリーンシートの表面には
所定の配線による導体（第１図中１で示す）パターンが
印刷される。
スルーホールと導体パターンが形成されたブリー／シー
ｈｖｉ＜セラミックス、第１図中３で示すン多層の積層
さｎた後、焼成される。銅導体が印刷されたグリーンシ
ートの焼成には窒素と水素の混合ガスと水蒸気の雰囲気
が用いられる。焼成温度は９００〜１０００ｒの範囲が
望ましい。これは）実用されたガラスの種類、原料の酸
化ケイ素とガラスの混合比率により異なる。時間は最高
温度で１０分間から１時間保持すればよい。また、導体
に銀まだは金が：吏用された場合には焼成に窒素ガスま
たは空気雰囲気を用いることができる。これは銀または
金が酸化されないことによる。焼成温度は銀の場合に８
００〜９００１Ｚ”％金の場合に８００〜１００（Ｉ’
が理想的である。
ｈｖｉ＜セラミックス、第１図中３で示すン多層の積層
さｎた後、焼成される。銅導体が印刷されたグリーンシ
ートの焼成には窒素と水素の混合ガスと水蒸気の雰囲気
が用いられる。焼成温度は９００〜１０００ｒの範囲が
望ましい。これは）実用されたガラスの種類、原料の酸
化ケイ素とガラスの混合比率により異なる。時間は最高
温度で１０分間から１時間保持すればよい。また、導体
に銀まだは金が：吏用された場合には焼成に窒素ガスま
たは空気雰囲気を用いることができる。これは銀または
金が酸化されないことによる。焼成温度は銀の場合に８
００〜９００１Ｚ”％金の場合に８００〜１００（Ｉ’
が理想的である。
以上のような工程を通して、スルーホール導体と層間に
導体配線をもつセラミック多層配線回路板が製造される
。
導体配線をもつセラミック多層配線回路板が製造される
。
以下、本発明の詳細な説明する。各南中、部とあるのは
重−計部を、％とあるのは重量％を意味する。
重−計部を、％とあるのは重量％を意味する。
原料に用いる低軟化点ガラスの組成とその特性を第２表
に示す。
に示す。
セラミック材料の基本となる低軟化点ガラス、酸化ケイ
素の混合比率と焼結温度及び焼結体の特性を第３表に示
す。第４表から明らかなように、得られる焼結体の比誘
電率は４．０〜５．０で大差がないが、熱膨張係数はａ
、 ２ Ｘ １ ｏ−６／ｃから１０．３ Ｘ １０”
’／Ｃ迄ある。酸化ケイ素とガラスとの混合比率、酸化
ケイ素の種類をかえることによシ熱膨張係数を制御する
ことが可能である。
素の混合比率と焼結温度及び焼結体の特性を第３表に示
す。第４表から明らかなように、得られる焼結体の比誘
電率は４．０〜５．０で大差がないが、熱膨張係数はａ
、 ２ Ｘ １ ｏ−６／ｃから１０．３ Ｘ １０”
’／Ｃ迄ある。酸化ケイ素とガラスとの混合比率、酸化
ケイ素の種類をかえることによシ熱膨張係数を制御する
ことが可能である。
Ｊ ｃｄ ｖ５−４ 間 −−−５６−−
−−−−リ リ → リ →０ ０
ｏ Ｏｏ
。
−−−−リ リ → リ →０ ０
ｏ Ｏｏ
。
旧ｋ （：） （：） ＣＨＩ １１
’） ｋ ｋ ｋ Ｅ −（
）Ｑ ｏ ｏ 叩 ０ の ０ ０ ０ ０
０ ０■ ← Ｉ＋Ｆ＋ＬｒＩ 寸 の
べ −へ１へ 朧 ミ ミ ミ ζ ζ 灸 ζ ζ
ミ ミ種 ｏ ｏ ｏ ｏ ｏ ロ
ロ旧 の ト００ ■
寸 棗 ミ ζ 灸 ■−へ ｃｆ５
寸 叩 ０ ト ■ ■ 〇 −へ
へ へ べ へ へ へ へ へ の
■０ζミ）ミ０ミζミ ＣＯω Ｎ −−へ −へ へ 口ｑ ζ ζ ミ 拠 ミ ζ
ミｃｆ′５ の の の の 吟 の
の 呻ｏ 。
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Ｏミ り ミ ミ ζ 凝
ミ■ ω Ｃ’＋ 凶 −因 へ へ 艶
銭囚・１″〉ζミミミ ← （’Ｊ ω 寸 り Ｃト
■寸 寸 寸 寸 寸 寸 廿
寸実施例１ 第３表の混合比率でセラミックス原料を１００部秤取し
、ボールミルに入れて２４時間混合する。
ミ■ ω Ｃ’＋ 凶 −因 へ へ 艶
銭囚・１″〉ζミミミ ← （’Ｊ ω 寸 り Ｃト
■寸 寸 寸 寸 寸 寸 廿
寸実施例１ 第３表の混合比率でセラミックス原料を１００部秤取し
、ボールミルに入れて２４時間混合する。
さらに、ポリビニルブチラール樹脂６，０部、フタル１
俊ジオクチル２．４部、トリクロルエチレン２３、ｏ＠
Ｂ５パークロルエチレン９．０部及びブチルアルコール
６、０ ｇｌ（を入れ、再びボールミルで１０時間混合
する。これによシ混合物はスラリーになる。スラリー・
はドクターブレードを用いてポリエステルフィルム上に
連続的に・享さ０．２５ｍに成形する。最高温度１２０
Ｃで加熱して溶媒類を揮散させグリーンシートにする。
俊ジオクチル２．４部、トリクロルエチレン２３、ｏ＠
Ｂ５パークロルエチレン９．０部及びブチルアルコール
６、０ ｇｌ（を入れ、再びボールミルで１０時間混合
する。これによシ混合物はスラリーになる。スラリー・
はドクターブレードを用いてポリエステルフィルム上に
連続的に・享さ０．２５ｍに成形する。最高温度１２０
Ｃで加熱して溶媒類を揮散させグリーンシートにする。
グリーンシートを所定の形状に切断する。パンチ法によ
り所定の位置にスルーホールをあけ、銀の導体ペースト
を印刷法によりスルーホール内に配線の層間接続用の導
体を形成する。また、シートの表面に所定パターンの配
線導体を印刷する。銀の導体が印刷された６枚のグリー
ンシートをガイド穴を用いて積み重ね、１２０Ｃで１０
Ｋｙｌｃｎｉの圧力で接着する。
り所定の位置にスルーホールをあけ、銀の導体ペースト
を印刷法によりスルーホール内に配線の層間接続用の導
体を形成する。また、シートの表面に所定パターンの配
線導体を印刷する。銀の導体が印刷された６枚のグリー
ンシートをガイド穴を用いて積み重ね、１２０Ｃで１０
Ｋｙｌｃｎｉの圧力で接着する。
積層したグリーンシートを炉詰めして、空気雰囲気中で
焼成する。焼成温度は第３表の焼結温度で、約３０分間
保持して焼成する。
焼成する。焼成温度は第３表の焼結温度で、約３０分間
保持して焼成する。
以上の工程により導体層数６層のセラミック配線回路板
を得る。この回路板は導体に銀が用いられているので配
線幅８０μｍ１配線の抵抗は０．４Ω／Ｃｒｎである。
を得る。この回路板は導体に銀が用いられているので配
線幅８０μｍ１配線の抵抗は０．４Ω／Ｃｒｎである。
実施例２
第３表の混合比率でセラミック原料１００部を秤取シ、
ボールミルに入れて２４時間混合する。
ボールミルに入れて２４時間混合する。
さらにメタアクリル竣樹脂５．９部、フタル酸ジオクチ
ル２４部、トリクロルエチレン２３．０部、ノシークロ
ルエチレン９．０部、ブチルアルコール６．０部を入れ
、再びボールミルで１０時間混合する。
ル２４部、トリクロルエチレン２３．０部、ノシークロ
ルエチレン９．０部、ブチルアルコール６．０部を入れ
、再びボールミルで１０時間混合する。
これにより混合物はスラ°ノーになる。スラリーはドク
ターブレードを用いてポリエステルフィルム上に連続的
に厚さ０．２５ｍｍに成形する。シートは最高温度１２
０Ｃで加熱し、溶剤類を揮散させグリーンシートをつく
る。グリーンシートは所定の形状に切断し、パンチ法に
より所定の位置にスルーホールと、ガイド穴を形成する
。銅の導体べ−ストを層間の接続用にスルーホールに埋
め、グリーンシー トの表面に配線パターンを形成する
。銅の導体ペーストが形成された６枚のグリーンシート
はガイド穴を用いて重ね、１２０Ｃで１５Ｋｒ／ａＡの
圧力で接着する。
ターブレードを用いてポリエステルフィルム上に連続的
に厚さ０．２５ｍｍに成形する。シートは最高温度１２
０Ｃで加熱し、溶剤類を揮散させグリーンシートをつく
る。グリーンシートは所定の形状に切断し、パンチ法に
より所定の位置にスルーホールと、ガイド穴を形成する
。銅の導体べ−ストを層間の接続用にスルーホールに埋
め、グリーンシー トの表面に配線パターンを形成する
。銅の導体ペーストが形成された６枚のグリーンシート
はガイド穴を用いて重ね、１２０Ｃで１５Ｋｒ／ａＡの
圧力で接着する。
積層したグリーンシートを炉詰めして、焼成する。焼成
雰囲気は水素を３〜７％含む窒素雰囲気で、ガス中にわ
ずかな水蒸気を導入し、有機結合剤の熱分解を促進させ
る。第３表の焼結温度で焼成し、セラミックスヲ得る。
雰囲気は水素を３〜７％含む窒素雰囲気で、ガス中にわ
ずかな水蒸気を導入し、有機結合剤の熱分解を促進させ
る。第３表の焼結温度で焼成し、セラミックスヲ得る。
以上の工程により、導体層数６・研の配線回路板を得た
。この回路板には配線に銅が用いられているので線幅８
０μｍの配線抵抗は０．４Ω／ｃｒｎでちる。
。この回路板には配線に銅が用いられているので線幅８
０μｍの配線抵抗は０．４Ω／ｃｒｎでちる。
実施例３
実施例１と同様にグリーンシートを作製し、導体に全ペ
ーストを採用した。央怖列１と同様に空気雰囲気中で焼
成した。
ーストを採用した。央怖列１と同様に空気雰囲気中で焼
成した。
導体層数６層の配線回路板の配線抵抗は線幅８０μｍで
０．４５Ω／Ｃｍである。
０．４５Ω／Ｃｍである。
本発明によれば、比誘電率が低く、焼結温度力丈銀、銅
、金又はそれらの合金の融点以下とすることができるの
で配線抵抗の小さい導体を用いることができ、また熱膨
張係数を３ Ｘ １ ｏ−６／ｃ〜１０×１０′″６／
Ｕ程度の範囲内で調整できるので、信号の伝達速度が速
く、かつ亀裂や導体の断線及びショートのないセラミッ
クス多層配線回路板を得ることができる。
、金又はそれらの合金の融点以下とすることができるの
で配線抵抗の小さい導体を用いることができ、また熱膨
張係数を３ Ｘ １ ｏ−６／ｃ〜１０×１０′″６／
Ｕ程度の範囲内で調整できるので、信号の伝達速度が速
く、かつ亀裂や導体の断線及びショートのないセラミッ
クス多層配線回路板を得ることができる。
第１図は本発明に係るセラミツ、り多層配線回路板の断
面図である。
面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、セラミック絶縁材料と、銅、銀、金又はこれらの合
金の導体パターンが交互に積層されたセラミック多層配
線回路板に２いて、セラミック絶縁材料は結晶形の異な
る酸化ケイ素を少なくとも２種以上含み、それらの酸化
ケイ素の間隙にガラスが介在していることを特徴とする
セラミック多層配線回路板。 ２゜前記酸化ケイ素が、石英ガラス、石英、クリストバ
ライト又はトリシマライトであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のセラミック多層配線回路板。 ３、前記セラミック材料は、比誘電率が６以下であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のセラミック
多層配線回路板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21690582A JPS59107596A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | セラミツク多層配線回路板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21690582A JPS59107596A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | セラミツク多層配線回路板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59107596A true JPS59107596A (ja) | 1984-06-21 |
| JPH0412639B2 JPH0412639B2 (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16695747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21690582A Granted JPS59107596A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | セラミツク多層配線回路板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59107596A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61158423U (ja) * | 1985-03-22 | 1986-10-01 | ||
| JPS62287658A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Hitachi Ltd | セラミックス多層回路板 |
| JPH02119164A (ja) * | 1989-09-20 | 1990-05-07 | Hitachi Ltd | 半導体モジユール |
| JP2002057248A (ja) * | 1995-02-09 | 2002-02-22 | Kyocera Corp | パッケージおよびその実装構造 |
| JP2002100704A (ja) * | 1995-02-09 | 2002-04-05 | Kyocera Corp | パッケージおよびその実装構造 |
| US7144618B2 (en) | 2002-10-09 | 2006-12-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer composite and method for preparing the same |
| CN1331375C (zh) * | 2002-10-09 | 2007-08-08 | 株式会社村田制作所 | 多层结构部件及其制造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4569000B2 (ja) * | 2000-12-20 | 2010-10-27 | 日本電気硝子株式会社 | 高周波用低温焼結誘電体材料およびその焼結体 |
| JP5786878B2 (ja) | 2013-02-06 | 2015-09-30 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物、電子部品および複合電子部品 |
-
1982
- 1982-12-13 JP JP21690582A patent/JPS59107596A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61158423U (ja) * | 1985-03-22 | 1986-10-01 | ||
| JPS62287658A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-14 | Hitachi Ltd | セラミックス多層回路板 |
| JPH02119164A (ja) * | 1989-09-20 | 1990-05-07 | Hitachi Ltd | 半導体モジユール |
| JP2002057248A (ja) * | 1995-02-09 | 2002-02-22 | Kyocera Corp | パッケージおよびその実装構造 |
| JP2002100704A (ja) * | 1995-02-09 | 2002-04-05 | Kyocera Corp | パッケージおよびその実装構造 |
| US7144618B2 (en) | 2002-10-09 | 2006-12-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer composite and method for preparing the same |
| CN1331375C (zh) * | 2002-10-09 | 2007-08-08 | 株式会社村田制作所 | 多层结构部件及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0412639B2 (ja) | 1992-03-05 |
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