JPS5910928A - コヒ−レント光画像発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈発明の背景〉 本発明は、コヒーレント光画像の発生に関し、電子光学
的信号処理、すなわち、無線周波数スペクトル分析、画
像相関、又は合成開口レーダなどに応用される。

代表的な電子光学的信号処理においては、２又は６以上
の信号か、相関処理によって互に比較されるが、この相
関処理は第１コヒーレント光画像のフーリエ変換の第２
コヒーレント光画像上べの又は導出されたホログラム、
又はモデル、あるいは第２コヒーレント光画像のフーリ
エ変換上への重ね合せ、を伴う。これは、たとえば、テ
レビジョンカメラの視野内の特定の物体の存在と位置を
識別するための画像相関に、使用される。この型式の相
関器は、次の論文、すなわち、表題［コヒーレント光学
処理：もう１つの研究Ｊ　ｂ、Ｄ、ギュンテル（（）ｕ
ｅｎｔｈｅｒ　）他、米国電気電子学会の蓋子電子工学
誌（ＩＥＥＥ　、Ｔｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｑｕａｎｔｕ
ｍＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　）、巻ＱＥ　−１５、号１
２、ページ１３４８〜１３６２（１９７９年１２月）及
び次の論文、すなわち、表題［固体状態源との光学的相
関Ｊ　Ｊ、Ｇデユーシー（Ｄｕｔｈｉｅ　）他、写真−
光学計装学会誌（５ｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏ−
Ｏｐｔｉｃａｌ■ｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ　Ｂｎ
ｇｉｎｅｅｒｓ　）　、巻２ろ１．１９８０年国際光学
計算会犠（１９８０■ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　０ｐ
ｔｉｃａｉ　Ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃ
ｅ　）（１９８０）ページ２８１〜２９０、に記載され
ている。これらの論文に記載された装置においては、コ
ヒーレント光画像の発生は、陰極線管にょる非コヒーレ
ント光画像の発生とこの画像を液晶「光弁」上へ投射す
ることに依存している。この光弁は、レーデからのコヒ
ーレント光で以て照明され、その裏面に投射される非コ
ヒーレント光画像の空間変調に因って反射ビームの空間
偏光変調を与える。次いで、偏光検光子が、この偏光変
調を光度変調に変換する。この既知の装置を使った実験
が示すところによると、陰極線管の使用は、次のような
いくつかの理由で不利である、すなわち、その１つは、
陰極線管による高工不ルヤー放射の発生、また他の１つ
は、画像を得る非直接的方法から結果束じるある種の画
像ひずみである。

〈本発明の要約〉 したがって、本発明の一般目的は、先行技術のこれらの
欠点を解決することである。

とくに、本発明の目的は、このような型式の既知の装置
の欠点を持たないコヒーレント光画像を発生する装置を
提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、本発明の装置を従来よりも
より直接的な画像形成方法を達成するものとじて構成す
ることにある。

上述の型式の装置を、構成上比較的簡単に、製造上安価
に、使用が容易に、しかも動作上信頼できるように設計
することが、本発明の付随的な目的である。

これらの目的等は、さらに後述で明かにされるが、これ
らを達成する上において、本発明の１つの特徴は、次の
ような点にある。すなわち、コヒーレント光画像発生装
置は、コヒーレント光画像発生系統を含み、この系統は
、少くとも１つの反射モード表示セルを含みこのセルは
液晶層を有し、同層は透明前面電極と裏当て板にサンげ
ウィッチ状にぴまれ、裏当て板は半導体層を含み、半導
体層には半導体デートのマ）　ＩＪクスアレイと反射電
極のマトリクスアレイが配設され、後者は液晶層内に置
かれて同液晶層内においてそれぞれの画素を区画し、か
つ前記ケゞ−トに個々に接続されてこれらのゲートによ
って番地指定され、またコヒーレント光画像発生系統は
、このほかにコヒーレント放射を反射モード液晶表示セ
ル上に向ける動作をするレーデを含み、また、発生装置
はさ°らにコヒーレント画像発生系統の駆動系統を含み
、駆動系統の含む駆動回路は／７’−）に接続されかつ
入力映像信号を処理することにより画素のうち選択され
た画素の光学特性をその画素の位置に応じて変調する、
ただしこの変調は入力映像信号にしたがって透明前面電
極と裏当て板上の個々の反射電極との間に選択された電
界を発生させることによって行われる。

本発明は、したがって、液晶層が陰極線管による後方か
らの投射を必要としない方法によってコヒーレント光画
像を生成する代替的なかつより直接的な方法に関する。

液晶層によって行われる変調は、上に掲げた変調と同種
であって、ここでは、初屈折効果が採用されることによ
り偏光変調を生じる、若しくは代替的に、液晶層が多色
性染料を含むことによって振幅変調が直接的に行われる
。

本発明は、なおまた、上に定義された画像発生装置を含
む電子光学信号処理装置を提供し、この処理装置は、こ
れに加えられた映像信号のコヒーレント光画像を形成し
、かつこの画（ａのフーリエ変換をホログラフィックフ
ィルタ上に、又は第２コヒーレント光画像のフーリエ変
換に重ね合わすのに適合している。

本発明は、さらに、コヒーレント光相関器を提供するが
、この相関器の中では、テレビジョンカメラの視野内の
特定の「標的」物体の存在と位置が上に定義された画像
発生系統によって識別される結果、この視野のコヒーレ
ント光画像を形成しかつその画像のフーリエ変換をその
特定の「標的」物体のホログラム又はそのモデル、若し
くはその物体又はモデルのコヒーレント光画像のフーリ
エ変換のいずれかの上に重ね合せる。

ホログラムを第２コヒーレント光画像発生系統の出力の
フーリエ変換と置換することによって、単に第２コヒー
レント画像発生系統に印加される映像信号を変化させる
だけで、１つの標的テンプレートを他のものと非機械的
に取り換えることが可能になる。

本発明の上述した及びその他の特徴と目的は、付図を引
用した以下の説明により、さらに明かにされる。

〈好適実施例の詳細な説明〉 以下、付図を参照して詳しく説明する。まず、第１図を
参照すると、同図に示されたコヒーレント光発生装置は
、その基本構成要素として、レーず１、ビームスプリッ
タ２、液晶表示セル３、及び電子駆動回路４を含み、回
路４は入力端子５に入った映像信号を液晶表示セル３に
印加されるのに適した形に処理する。

液晶表示セルは、反射モードにおいて動作しかつ能動半
導体裏当て板１４を経由してマ）　ＩＪガラス基板上番
地指定される。裏当て根１４は、各マトリクス点ごとに
、少（とも１つのトランジスタを含む。このようなトラ
ンジスタの適当なマトリクスは、たとえば、ガラス基板
上に薄膜トランジスタを形成する（ＴＰＴ）技術、サフ
ァイア基板上にシリコンを基材にしたトランジスタを形
成する（ＳＯＳ）技術、又は標準単結晶シリコンウエノ
・上にシリコントランジスタを形成する（ＳＣＳ）技術
を用いて、作られ、る。これらの技術の現在の状態と、
マトリクスに要求されるデバイスの太き槍な数とに照し
、単結晶シリコン（ＳＣＳ）技術を使用することが好ま
しい。同様の理由から、Ｎチャネル酸化金属皮膜半導体
、（ＮＭＯ８）技術も結末的に選択される。

この応用にとっての液晶表示モードの二股的好適型式は
、ゲスト・ホスト相互作用の成る形において二色性染料
を使用することを伴うものである。

ゲスト・ホスト相互作用を使用することの利点は、振幅
変調を直接発生することができることにある。

しかしながら、状況によっては、これに代えて、複屈折
動作モードに依存する方が好適であり、この動作は偏光
変調を生じ、偏光変調は、事後に振幅変調に変換され、
この変換は、これに適した偏光検光子、たとえば、前述
の「光弁」に使用されたようなもの、によって行われる
。確かに、ある状況によっては、染料を避け、その結果
、代わりに複屈折効果に頼る必要があるが、これだと、
多重レベル・ダレイスケールの正確な作成を容易にする
ことができる。

多色性染料を含むいくつかの異なる電子光学的液晶効果
は反射モーｒで動作する表示セルの場合可能である。こ
れらは、前面偏光子のない染色ネマチック、及び前面偏
光子のある染色ネマチック、染色コレステリック・ネマ
チック相変化動作モードを含む。もし表示セルが偏光に
よって照明されるならば、染色コレステリック・ネマチ
ック相変化動作モードの方が染色ネマチックモーげより
好適であり、その理由は、前者は理論的に高輝度及び理
論的に良コントラストを与え、一方、染色ネマチックは
、前面偏光子なしで使用された場合、高輝度であるがコ
ントラストが不良で、また前面偏光子付きで使用された
場合、コントラストは良いが、輝度が低い、からである
。偏光子がないときに不良コントラストが起こるのは、
液晶を通る偏光の２つの主平面の１つのみが染料による
吸収を受け、したがって、その光の約半分の不偏光が変
化１−ることなく液晶層を透過するからである。

偏光子が使用されると、この問題は、染料で以って減衰
されない偏光分をフィルタで除くことによつて解決され
ろ。これは、良いコントラストを与えるが、しかし、偏
光子内での光の吸収のために輝度を犠牲にするという高
い代償を伴う。

状況は、現在少し異なってきている、それは、はとんど
のレーデが平面偏光を発射てるからである。したがって
、代表的な相変化セルはグレイスケール表現を禁止する
顕著なヒステリシスを示す光学的過渡特性（光学応答対
電圧曲線）を持つという事実を考慮に入れて、染色ネマ
チックモードをコヒーレント光画像発生に対して使用す
るのが一般に好ましい。このような染色ネマチックセル
は、小量のキラル（ｃｈｉｒａｌ　）添加剤を含むが、
これは、スイッチングオフ時間を短縮するためと、おそ
らくまた逆撚りの問題を解決するために加えられる。レ
ーデ照明がさほど高輝度ではなくかつ偏光されない応用
においてのみ、染色相変化モーＶの方が染色坏マチック
モー「よりも好適らしいと考えられるが、後者の場合、
キラル添加剤の製置を減少することによってヒステリシ
スの問題を小さくすることが可能である。限界までこの
濃度を減少し続けると、この減少によってセルは染色ネ
マチックに変換されるが、しかしこれに達する前に妥協
点があって、この点ではコントラストのさほど甚しく低
下を起こすことな（ヒステリシスが許容量だけ低減され
る。典型的に、これは、キラル添加剤の減少がコレステ
リック・ピッチを液晶層の厚さの怪と皆の間相当から層
の厚よりやや大きくなるように増大させたときに生じる
。

第１図を参照すると、液晶表示セル３は、ＮＭＯ８（Ｎ
チャネル酸化金属皮膜抵抗半導体）処理活性単結晶シリ
コン上の染色ネマチックセルであり、かつ側縁封止１２
、ガラス板３及び裏当て板であるシリコンウェハ１１４
を一緒に封止処理することによって液晶層１１に対する
容器を形成した構成であり、ウェハ１４は好ましくは直
径１ｏ、２ｃＴＬ（４ｉｎ　）の単結晶シリコンウェハ
である。側縁封止１２は、プラスチック封止であり、こ
れによって、溶解ガラスフリット側縁封止の準備の際に
使用される高温に関連する液晶分子整列問題をある程度
解決てる。がラス板１３の内面には透明前面電接１５が
取り付けられこの電極は透明絶縁層１６で覆われ、後者
は直流電流の通路がセル３を通り抜けるのを防止する。

シリコンウェハ１４には、反射電極である離散金属電極
パラｒ１７のマトリクスアレイが取り付けられ、これら
のパラｒは、表示セルの個々の画素（ｐθ１）を区画し
ている。

パッド１７０寸法を肌２５　ｍｍ２とすると、表示面部
を２４０Ｘ２４０マトリクスで作ることが可能である。

パッドが小さくなるほど高い解ｆ象度が得られる。（こ
れに課せられる他の制約については、後述で取りあげら
れる。）パッド１７のマトリクスアレイは、同様に、透
明絶縁層１８で穆われる。

２つの電気絶縁層１６と１８の露出面は、じょう乱印加
電界のない場合に、これに隣接する液晶層の分子の平行
かつ均一な整列を助長するように処理される。この処理
は、−酸化ケイ素の傾斜蒸発によって達成される。側縁
封止１２によって区画される領域内において、シリコン
ウェハ１４は、２つの隣り合う面と面との間に捕えられ
た短いガラスファイバ（図には示されていない）によっ
てがラス板１３から正確な間隔をとって保持され、この
結果、液晶層１１を代表的に１５μｍ±１μｍの均一な
厚さ５に保つ。この均一性を達成するために、シリコン
又はガラス又はこれら双方は、それら境界面の１つの表
面輪郭を他のそれに一致させることができるように十分
に柔軟であることが一般に必要である。裏当てのないシ
リコンウェハ飄１４を使用するときには、少くとも、上
記の一致の大部分を果すのはこのウエノ飄１４であり、
また、これは、次の条件が満たされれば、比較的容易に
達成される、すなわち、無応力シリコンウェハ１４が外
１則よりも内側へたわむ（ファイバスペーサを捕えるた
めに）傾向を持つこと、及び側縁封止１２が作られてい
る間にこの集合体を保持するのに使用される締付治具が
ファイバを押圧してこれを潰さないことをそれぞれ保証
する処置がとられること。側縁封止１２の境界を超えた
ところで、シリコンウェハ１４に少数のパッド１９が取
り付けられ、これは、ウェハ１４内に含まれる電気回路
の外部電気回路への接続を構成する。

特定の画素が、そのパンＦ１７に前面電極１５に印加さ
れている電位と漬６なる箱；位を印加するごとによって
、部分的又は全面的に「オン」状態へ駆動される。

各パッド１７は、１クエハ１４内に形成されたＭｏ５Ｆ
ＥＴ（酸化金属皮膜折抗市界効果トランジスタ、以下Ｆ
ＩＴ　）を使ったスイッチに接続され、したがって、こ
のＦ’ＥＴが導通すると、パッド１７が前面電極１５の
電位に相対して適当な電位に充電させられる結果、液晶
画素を必要な程度まで活性化する。マトリクスの１本の
線上の全画素は同時に番地指定され、次いで、これらの
画素に関連するＦＥＴがターンオフされる結果、これら
のパッド１７を絶縁し、この間にアレイの他の線上の画
素が＠雄指足される。最初に述べた線上のパッド１７ｉ
：１完全周期後に再充電されるが、この場合、薊後の光
電と充電の間隔中にパッド１７から漏れ電荷がそのパン
ｐ１７に関連する静電容量に照して決して過剰にならな
いことを保証する必要がある。この電荷の漏れの１部は
液晶層１１を通り、他の部分はターンオフされたＦＥＴ
を通り、７＊。

の静電容量はパッド１７の寸法に順相間する。

ＮＥＴの配置がえの関連するパンげ１７とアクセス線と
共に第２図に線図的に示されている。各浦１ｇ　ノｙ？
ツ２１７は関連するＦＥＴ　２１１のドレインに接続さ
れ、俗のＦＦ、Ｔ　２０の７７”−）とソースは表示マ
）　ＩＪクス内のその画素のパッド１７０位置に適した
関連の行、列アクセス線２１．２２にそれぞれ接続され
ている。表示面部は線から純にしたがって書き込まれ、
これと共に各線に適当なデータが列アクセス線（ソース
線）２２に印加され、一方行アクセス線（ｒ″′−電線
）２１はストローブされる。

アクセス線２１及び２２をいカリて作ＦＭ、ｆるかを選
択するに当って、電気的立上り時間、電力消費、製造歩
どまりを勘案することが重要である。３つの型式の導体
がこの特種な実施例に対し考１さ７１だ。これらは、す
なわち、金属、重合シリコン、又は拡散である。金属線
は最短立上り時間（代表的抵抗は０．０３Ω／ｍ２、ま
た静電容量は約２ｘ１０−ＩＪｐ／ｍ２　）、これに続
いて重合シリコン電線は（抵抗２０〜５ｏΩ／　ｍ　２
、静電容量約５×１Ｏ−６ｙ／ｍ　２　）。拡散線は低
抵抗（約１ｏΩ／ｍ２）、しかし大静電容量（約３．２
　Ｘ　１０−’Ｆ”７７１りを有する。ソース線２２は
、一般に、短い立上り時間を要求し、とくに次の場合、
このことがいえる、すなわち、表示番地指定モーＦが全
ての画素を同時に帰線消去するように呼び出し、それゆ
え、これらを全面的に金属で作成し、及びゲート線２１
を拡散が使用される交さ点を除いて金属で作成するのが
好ましい場合。

先に説明したように、電気絶縁層１６及び１８は液晶層
１１の電解効果による劣化を防止するために配設されて
おり、したがって、画素は交流電界で駆動されなければ
ならない。現在の技術の状態では、　　ＮＭＯＳシリコ
ンウェハから得られる餉圧揺動は、従来の相変化モール
液晶層を駆動するに必要な方形波電圧せん頭領より小さ
く、従来の相変化モーＶ液晶層においてはキラル添加剤
の濃度はきわめて十分であるので液晶層の厚さより有音
な程度に短いコレステリックピッチを与える。このこと
は、この型式の電気光学効果の場合は交流電圧を前面電
極１５にパンｖ１７に印加する電圧と逆位相をとって印
加することが必要であることを意味する。このことは、
さらに、正規に「オフ」にあるこれらの画素における残
留「オンＪ電圧の存在を最少化するためにマトリクスが
走査されなければならない通路に限定を課する。この問
題、並びにこれを克服する方法は、英国特許出願Ｎ０８
８１１７９２７及び８２００２１７　［Ｗ、Ａ、　　ク
ロスランド（ｃｒｏｓｓｌａｎｄ　）他３０ｘ及びＰ、
Ｗ、ロス（Ｒｏｓｓ　）　５　〕の明細書中で論じられ
ており、これに注目しながら、さらに詳しく説明する。

液晶層の厚さに等しいか又はこれより大きいピンチを与
える最少のキラル添加剤を含む染色ネマチックセル及び
染色相変化セルは、似い電圧で駆動されることができ、
したがって前面電極１５が定電位に保たれる番地指定構
成が可能になるという利点を有する。このことは、比較
的簡単な番地指定構成を可能とし、この番地指定構成に
おいてはパラＰ１７は、入力データ映像信号の１フイ一
ルド期間中に前面電極１５に対し、て正へ、また、次の
フィールド期間中、負へ駆動される。これは、漏れ効果
が各画像の前後する番地指定と番地指定の間において過
剰な電圧降下を招くほどに立上らないならば、満足され
る。

電圧降下から起こる問題は、第３図を調べれば容易に理
解することができる、すなわち、この図がモうル化して
いる駆動系統において前面電極１５は電圧Ｖに維持され
、一方、全面的に「オン」状態にあるパッド１７に印加
される電圧は２ポルトから０ポルトの間で交番する。こ
れらの電圧は、短持続幅パルス３０によってパッド１７
に印加され、これらのパルスは関連するＦＥＴ　２０の
ゲートを瞬間的に導通する。これらのパルスの繰返し周
波数は、映像信号によって設定され、代表的には５０１
１ｚである。第６図は、電荷の漏れが前後するパルス３
０の間隔に比較して短い時定数を与える場合の状況を示
している。「オン」状態にあるパッド１７の電圧波形３
１は前面電極電位に関して非対称性であり、それゆえ、
電気絶縁層１６と１８との完全性が重要と考えられる。

「オフ」状態にあるパッド１７の電圧波形３２も前面電
極電位に関し非対称性であり、それゆえ「オフ」状態に
ある画素には、欲しない残留駆動波形が覗れる。

もし表示セル全体を横断する全画素を通じて時定数が同
一であるならば、この問題を、適当な残留偏差電圧を選
択することによって、簡単に解決できる。しかしながら
、実際には、ＦＩＴの電荷の漏れはウェハ表面にわたっ
て有意な程度に変化することが一般的に判っており、し
たがって、この問題の上述のような単純な解決策が、Ｆ
ＥＴ　（７）　電荷の漏れが時定数を決定する支配的因
子である状況の下にあっては、所望の結果を達成する見
込みはな（）。

画素の時定数は、パラげ１７とウェハ１４との間の静電
容量、及びパッド１７と前面電極１５との間の静電容量
によって支配される。関連する漏れ抵抗は、液晶層１１
の厚さを通しての抵抗とＦＥＴ　２０の漏れ抵抗とから
なっている。画素寸法を小さくてるにしたがって、最初
はほとんど時定数への影響がないが、これは全漏れが液
晶漏れによって支配されるからであるということが判っ
ており、またこの漏れは静電容量の減少と同じ割合でバ
ンド１７０寸法と共に減少する。しかしながら、結局は
、ＦＫＴの電荷の漏れは液晶層の電荷の漏れとの関係で
有意となるに至り、ある画素寸法、代表的に１００μｍ
２未満において、マトリクスの性能はＦＥＴ　２０の漏
れ抵抗に決定的に依存し始める。この理由から、一般に
、セル３の設計の対象である特定の応用によって課せら
れる解像度要求と調和をとりながら、パッド１７が少く
ともできる限り大きいマトリクスを使用するのが望まし
い。

小さい画像を持つ表示セル内のＮＥＴの電荷の漏れの変
化の有意性を減少させる１つの方法は、第４図に示すよ
うな駆動系統を採択でることである。

ここでは、第６図の駆動系統に関連して記載されたのと
同じ電圧が使用されるが、この場合はパッド１７に関連
するＦＩＴ　２０のゲートに印加される波形は、データ
パルス４００列とこのパルスの間にそう入された連続す
る帰線消去パルス４１とからなる。

典型的に、最初の帰線消去パルスは、データパルスに約
／３フレーム遅れて起こる。この結果の「オン」及び「
゛オフ」電圧波形は、波形４２及び４３としてそれぞれ
描かれている。このようにして、全面的に「オン」状態
にある画素によって生じる電圧降下が減少させられて、
とくに、高漏れ画素と低漏れ画素との間に生じる実効電
圧の比例差が減少させられる。同様に、「オフ」状態に
ある画素によって生じる電圧も減少させられる。この駆
動系統の欠点は、これが「オン」状態にある画素により
生じる実効電圧の減少を招くということであるが、しか
し、このことは、正規には均等に影響を受けるはずの「
オン」状態にある画素に現れる不均等性の減少よりは、
有意性に乏しい。

番地指定と最初の帰線消去との間の時間間隔は、電圧降
下間両に有意の影響を与える帰線消去用の前後する番地
指定の時間間隔の半分よりも短く、これによって、実効
電圧を少（とも係数２だけ減少させる。

「オフＪ状態にある画素に生じる残留電圧は、第５図に
描かれている駆動系統を選択することによって全面的に
除去される。この場合、前面電極は０ボルトに維持され
る。データパルスはＦＲＴ２０を導通させ、また、全面
的に「オン」状態の画素の場合にあっては、パッド１７
は全電圧２ｆルトを受ける。典型的に、フレーム期間の
隆又はこれ未満の時間期間の後、帰線消去パルス５１が
パッド１７を０ボルトに回復して、波形５２を発生させ
る。この場合、ただ１つの帰線消去パルスが前後する各
１対のデータパルス曲に必要とされる。全面的に「オフ
」状態にある画素に対するデータパルスは、パッド１７
の電圧を０ボルトに維持し、また帰線消去パルスはその
電圧を変化させないままでいる。この系統の利点は、「
オフ」状態にある画素に生じる実効電圧が、いかなる漏
れ状況であっても、真東ゼロであることである。

欠点は、「オン」状態にある画素に印加される駆動電圧
に対して常に有意な直流成分が存在１′るということで
あり、それゆえ、直流成分を阻止する役を果て絶縁層１
６及び１８（・ま、高い完全性のものでなければならな
い。

液晶層１１を裏当てするためにシリコンウェハ１４を使
用する特徴の１つは、表示領域の境界を超えたウェハ１
４の縁部は、これと共に作られる必要のある外部接続の
数を減らすために設計されるアクセス回路の製作に、便
利に利用されるということである。第６図は、これらの
接続を管理可能な数に減少させるのに使用されるウェハ
上回路の略図である。マトリクスのソース線及びデート
線は、それぞれ、１端のみから回路によってアクセスさ
れており、それゆえ、アレイの２つの使用され側に沿っ
て錬滓設計法を用いて、アクセス回路を重複して取り付
けることが可能である。この表示セルが、ウェハ１４内
のきわめて多数の能動デバイスの正確な機能を要求し、
また、この重複が許容可能のウェハ１４の製造歩どまり
を向上する冗長附策を与えることは、明かである。この
冗長性を伴ったウェハ１４は、アクセス回路のどの部分
を使用丁べきか、どの部分が欠陥しているかを選択する
ために、組立て前に試験される。

この特定の応用に対して、表示セルは、好ましくは、正
反射することに序章し、たい。この反射は、画素に関連
するパッド１７の材料によって都合よく行われ、また檜
準ＭＯ８技術に使用される従来型の金属化によって許容
可能の反射が得られ、それゆえ、全面的標準ＭＯ８製造
処理が、ウエノ・１４の製造から、液晶層１１の隣接面
における液晶分子に必要な整列を遂げさせるために要求
される分子整列処理の準備に至るまでに、使用される。

セル３が組み立てを終ったとき、セルは側縁１２内の割
れ目によって形成された開口を通して其空充てんされる
。その容器内が−たん満たされると、開口は、適当な栓
で封止切られる。

適当な液晶光てん物の例は、ＢＤＨ社によってＤ８６（
黒色染料）インホスト（ｉｎ　ｈｏｓｔ　）　Ｅ　６３
の名で市販されているネマチック・ｒスト−ホスト混合
物である。これに、小量のキラル添加剤、代表的にはＢ
ＤＨ社によって０Ｂ１５の名の下に市販されているシア
ン・ビフェニル、が添加される。

普通、この混合物は、混合物の光学的過渡特性に過剰ヒ
ステリシスが導入されるのを回避するようにコレステリ
ックピッチを液晶層の厚さより大きく保つ比率で、添加
される。

以上、本発明の原理を、特定の配習に関連して記述して
きたが、本記述は単なる例を示したに過ぎず、本発明の
目的と特許請求の範囲に示された本発明の範囲の限定す
るものではないことは、きわめて、明白である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、コヒーレント光画像発生装置の路線図、 第２図は、コヒーレント光画像発生装置の液晶セルの基
本的画素回路図、 第６図、第４図、及び第５図は、液晶表示セル用交流駆
動系統のそれぞれ波形図、 第６図は、液晶表示セルのウエノ・上回路の略図である
。 １ニレ−ず ３：液晶セル ４：重子駆動回路 １１：液晶層 １２：側縁封止 １４：シリコンウェハ １５：透明前面電極 １６：透明絶縁層 １７：電極パッド １８：透明絶縁層 ２０　：　ｙＥＴ ２１：アクセス線（ｒ″−トａ） ２２：アクセス線（ソース線） 代理人　浅　村　　　皓 外４名 牙２図 牙３図 第４図 ＼ 牙５図 牙６図 第１頁の続き ０発　明　者　ピータ−・ウィリアム・ロスイギリス国
ハートフォードシャ ー・ビショップス・ストートフ オード・トライフォード・ガー デンゾ１５ ０発　明　者　ピータ−・ジョン・エイリフイギリス国
ハートフォードシャ ー・ビショップス・ストートフ オード・ヒース・ロウ１５０ 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和５８　年特許願第　５６８０５　　　　号３、補正
をする者 事件との関係　特３４出願人 ４、代理人 ５、補正命令の日イ」 図面・Ｉ、浄６１）（内容に変更なしン　　　訊波、ハ
（及（］そ５・・１Ｊ（交各１通。 ８、補正の内容　　別紙のとおり １５１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）液晶層であって電極化透明前面板と裏当て板との
   間にサンドウィッチ状に挾まれており該裏当て板は半導
   体テートのマトリクスアレイと反射電極のマトリクスア
   レイを具備した半導体層を含み該反射電極は前記液晶層
   内にそれぞれの画素を区画するために前記液晶層内に配
   置されかつ前記ゲートによって番地指定されるように前
   記ゲートに個々に接続されていることを伴う前記液晶層
   を有する少くとも１つの反射モード液晶表示セルと、前
   記反射モーＶ液晶表示セル上にコヒーレント放射を向け
   るように動作するレーずと、を含むコヒーレント光画像
   発生系統と、前記ｒ−トに接続されかつ入力映像信号の
   情報内容にしたがって前記電極化透明板と前記裏当て板
   の前記側々の反射電極との間に選択された電界を発生さ
   せることによって前記画素のうちの選択された画素の光
   学的特性を該選択された画素の位置にしたがって変調す
   るように前記入力映像信号を処理する動作をする駆動回
   路 を含む前記コヒーレント光画像発生系統の駆動系統とを
   包含することを特徴とするコヒーレント光画像発生装置
   。 （２、特許請求の範囲第１項記載のコヒーレント光画像
   発生装置において、前記表示セルは染色ネマチックセル
   であることを特徴とする前記発生装置。 （３）特許請求の範囲第１項記載のコヒーレント光画像
   発生装置において、前記表示セルは染色相変化セルであ
   ることを特徴とする前記発生装置。 （４）特許請求の範囲第６項記載のコヒーレント光画像
   発生装置において、前記セルの前記コレステリンク液晶
   層のｅツチは前記液晶層の厚さより大きいことを特徴と
   する前記発生装置。 （５）特許請求の範囲第１項記載のコヒーレント光・画
   像発生装置において、前記表示セルは無染料可変複屈折
   効果液晶セルであることを特徴とする前記発生装置。 （６）特許請求の範囲第１項記載のコヒーレント光画像
   発生装置において、前記半導体層は単結晶シリコンウェ
   ハであることを特徴とする前記発生装置。 （７）特許請求の範囲第６項記載のコヒーレント光画像
   発生装置において、前記ウェハはＮチャネル酸化金属皮
   膜抵抗半導体（ＮＭＯ８）ウェハであることを特徴とす
   る前記発生装置。 （８）特許請求の範囲第１項記載のコヒーレント光画像
   発生装置において、前記駆動回路は前記マトリクスアレ
   イの反射電極を該電極の各々に関連するデートを経由し
   て繰り返し番地指定し、かつ各番地指定の後に所定期間
   中前記デートをしゃ断し、次いで前記反射電極を放電さ
   せるために少くとも１回前記ゲートを再導通させかつ前
   記反射電極をデータによる次の番地指定でリフレッシュ
   する前に前記ｙ＋　　）を再しゃ断するように動作する
   ことを特徴とする前記発生装置。 （９）特許請求の範囲第８項記載のコヒーレント光画像
   発生装置において、前記駆動回路は各反射電極が番地指
   定された後前記各反射電極を所定期間にわたり放電さぜ
   るのに適合するものであって該所定期間は前記同じ反射
   電極の前後の番地指定の時間間隔の半分よりも短いこと
   を特徴とする前記発生装置。 （１０）特許請求の範囲第１項記載のコヒーレント光画
   像発生装置であって、さらに、ホログラフィックフィル
   タを含みかつ入力映像信号のコヒーレント光画像を形成
   して該画像のフーリエ変換を前記ホログラフィックフィ
   ルタに重ねる動作をする電気光学的信号処理装置を包含
   することを特徴とする前記発生装置。 （１１）特許請求の範囲第１項記載のコヒーレント光画
   像発生装置において、該装置は限定された視野を持つテ
   レビジョンカメラと共に使用されるものであって、さら
   に、前記発生装置に前記視野のコヒーレント光画像を形
   成させるためにテレビジョンカメラから前記駆動系統へ
   映像信号を供給する系統と、前記画像のフーリエ変換を
   前記視野内の特定の物体のホログラム表現に重ね合せる
   動作をする相互相関系統とを含む前記視野内における前
   記特定の物体の存在と位置を識別する系統を包含するこ
   とを特徴とする前記発生装置。 （１２１特許請求の範囲第１項記載のコヒーレント光画
   像発生装置であって、さらに、前記発生系統及び前記駆
   動系統と同じ型式の追加の発生系統と追加の駆動系統と
   を包含する前記発生装置において、前記発生系統と前記
   追加の駆動系統が異なるコヒーレント光画像を表示する
   ように前記駆動系統の各々が異なる入力映像信号を処理
   し及び前記発生装置であってさらに前記具なるコヒーレ
   ント光画像のフーリエ変換を形成しかつ前記フーリエ変
   換を互に重ね合す動作なてる信号処理装置を包含するこ
   とを特徴とする前記発生装置。 （１３）特許請求の範囲第１項記載のコヒーレント光画
   像発生装置において、該装置は限定された視野ヲ持つテ
   レビジョンカメラと共に使用されるものであって、さら
   に、前記発生系統及び前記駆動系統と同じ型式の追加の
   発生系統と追加の駆動系統とを包含する前記発生装置に
   おいて、前記発生系統と前記追加の、駆動系統が１つは
   前記視野の画像でありまた他の１つは前記視野中におけ
   る存在と位置とを確定しようとする特定の標的物体を表
   す画像に相当する異なる画像を表示するように前記駆動
   系統の各々が異なる入力映像信号を処理し、及び前記発
   生装置であって、さらに、前記コヒーレント光画像のフ
   ーリエ変換形成系統と前記フーリエ変換の１つを他の１
   つの上に重ね合せる系統とを含むコヒーレント画像相互
   相関装置を包含することを特徴とする前記発生装置。