JPS59111377A - 光結合素子 - Google Patents
光結合素子Info
- Publication number
- JPS59111377A JPS59111377A JP57221304A JP22130482A JPS59111377A JP S59111377 A JPS59111377 A JP S59111377A JP 57221304 A JP57221304 A JP 57221304A JP 22130482 A JP22130482 A JP 22130482A JP S59111377 A JPS59111377 A JP S59111377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting element
- receiving element
- light emitting
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、発光素子側と受光累子俳jとの間の内部か
面粗#、金長くシ、絶縁性を高めた糸トカグラ等の元頼
合素子に関するものである。
面粗#、金長くシ、絶縁性を高めた糸トカグラ等の元頼
合素子に関するものである。
ホトカブラ(或いはオプトアイソレータ)等の光結合素
子は、結合さ扛るべき2つの(ロ)析シ陽]において相
互に電気的干渉を防止する必愼力iある場合等に両回路
間の信号伝達手段として広く利用さn−Cいる。このホ
トカブラは、発光素子と受光素子と全回−ノくツケージ
内に相対向するように組み込み、電気信号を1光信号に
変換して発光素子側から受元素子側に信号音伝達−1−
るものである。
子は、結合さ扛るべき2つの(ロ)析シ陽]において相
互に電気的干渉を防止する必愼力iある場合等に両回路
間の信号伝達手段として広く利用さn−Cいる。このホ
トカブラは、発光素子と受光素子と全回−ノくツケージ
内に相対向するように組み込み、電気信号を1光信号に
変換して発光素子側から受元素子側に信号音伝達−1−
るものである。
このようなホトカブラでは当然のことな7%ら発光素子
側1と受光素子側との間の絶縁性力S良好なことが重要
であ夛、そのために種々の絶縁対策がなさ牡てき友。
側1と受光素子側との間の絶縁性力S良好なことが重要
であ夛、そのために種々の絶縁対策がなさ牡てき友。
第1図に示すものは、発光素子側と受5を素子側との間
の絶縁対策として、第1の外部導出リード13と電気的
接続さf’した発光素子11と、第2の外部尋出リード
14と電気的桜続さtt文受光紫子12との間に光透過
性樹脂15を用いて例えはガラス材から成る板状の絶縁
フィルム16を挾むようにし、さらにこnc)を光不透
過性樹脂17でモールド封止したものである。
の絶縁対策として、第1の外部導出リード13と電気的
接続さf’した発光素子11と、第2の外部尋出リード
14と電気的桜続さtt文受光紫子12との間に光透過
性樹脂15を用いて例えはガラス材から成る板状の絶縁
フィルム16を挾むようにし、さらにこnc)を光不透
過性樹脂17でモールド封止したものである。
このようなホトカプラにおいて発光素子11から出力し
た元は、絶縁フィルJA16を介し光路となる光透過性
樹脂15内を通過して受光素子12に達する。
た元は、絶縁フィルJA16を介し光路となる光透過性
樹脂15内を通過して受光素子12に達する。
ここで、発光素子11と受光素子12との絶縁耐圧の目
やすとして内部沿面距離が規定さnている。この内部沿
面距離というのは発光素子11と受光素子12との間で
電流のRnる可能性のある面に沿った最も短い距離を示
すもので図において、FF3s沿面距離に相当する部分
全破線Aで示した。
やすとして内部沿面距離が規定さnている。この内部沿
面距離というのは発光素子11と受光素子12との間で
電流のRnる可能性のある面に沿った最も短い距離を示
すもので図において、FF3s沿面距離に相当する部分
全破線Aで示した。
第1図のように発光側と受光側との間に板状の絶縁フィ
ルム16を挾み込むことにより、絶縁フィルム16がな
いものに比らべ内部沿面距#ll:全増加させることが
でき、通常のもので数蒔の絶縁耐圧を持たせることは可
能である。しかし、10KV以上の絶縁耐圧を実現する
ためには、十分ではなく発光側と受光仲間の距離を離す
かまたは板状の絶歎フィルム16の面積を一層大きくす
るかしてざらに沿面路を伸にさなけ扛ばならない。
ルム16を挾み込むことにより、絶縁フィルム16がな
いものに比らべ内部沿面距#ll:全増加させることが
でき、通常のもので数蒔の絶縁耐圧を持たせることは可
能である。しかし、10KV以上の絶縁耐圧を実現する
ためには、十分ではなく発光側と受光仲間の距離を離す
かまたは板状の絶歎フィルム16の面積を一層大きくす
るかしてざらに沿面路を伸にさなけ扛ばならない。
ところが上記のように発光素子と受光素子との距離を離
すことは画素子間の光結合効率(元の伝達率)を低下さ
せ誤動作の原因となるため、制約があり、また、絶縁フ
ィルム160面積を増加させることは、パッケージの大
型化を招くためやはシ限界がある。
すことは画素子間の光結合効率(元の伝達率)を低下さ
せ誤動作の原因となるため、制約があり、また、絶縁フ
ィルム160面積を増加させることは、パッケージの大
型化を招くためやはシ限界がある。
この発明は上記のような点を鑑みてなさnたもので、光
結合効率の低下やパッケージの大型化を招くことなく発
光素子および受光素子間の内部沿面距離を伸ばすことが
でき、絶縁耐圧の向上を実現できる光結合素子を提供し
ようとするものである。
結合効率の低下やパッケージの大型化を招くことなく発
光素子および受光素子間の内部沿面距離を伸ばすことが
でき、絶縁耐圧の向上を実現できる光結合素子を提供し
ようとするものである。
すなわちこの発明に係る光結合素子では、発光素子と受
光素子との間に設けらnる絶縁フィルムの形状を、上記
画素子に挾まnる平面の周囲に外部導出リードの導出を
阻害しない範囲で環状の側面部を有する立体南造とする
ことによって、画素子に挾まn几平面の投影面積全従来
のものに比べ増力Hさせることなく、内部沿面距離の増
加を図るようにしたものである。
光素子との間に設けらnる絶縁フィルムの形状を、上記
画素子に挾まnる平面の周囲に外部導出リードの導出を
阻害しない範囲で環状の側面部を有する立体南造とする
ことによって、画素子に挾まn几平面の投影面積全従来
のものに比べ増力Hさせることなく、内部沿面距離の増
加を図るようにしたものである。
以下図面を参照してこの発明の一実施例につき説明する
。第2図はその一例を示す断面図で第1図と同一構成部
分には同一符号を付す。図においてガリクムーひ素、ガ
リウム・アルミニウム・ひ累等の発光素子11およびホ
トダイオード、ホトトランジスタ等の受光素子12を。
。第2図はその一例を示す断面図で第1図と同一構成部
分には同一符号を付す。図においてガリクムーひ素、ガ
リウム・アルミニウム・ひ累等の発光素子11およびホ
トダイオード、ホトトランジスタ等の受光素子12を。
そnぞn第1の外部導出リード13および第2の外部導
出リード14の累子基台部に導電性エポキシ等によって
マウントし、各々上記素子と隣接する外部導出リードの
先端部とをワイヤポンディングする。(図では判シ易く
するためにボンディングワイヤは省略さnている。]続
いて例えば発光素子ll上に追明エポキシ等の光透過性
樹脂15に載せその上に第3図に示すような駒形の側面
部2011に有する絶縁フィルム材20を載置する。次
いで受光素子12に光透過性樹脂15を載せてた上で、
上記画素子11.12か相対向するように第1.第2の
外部導出リード13.14を固定し光不透過性樹脂17
で画素子11.12”を封止した後不要となる枠部を切
シ落し、さらに外部導出リード13゜14を曲げること
によシ完成する。
出リード14の累子基台部に導電性エポキシ等によって
マウントし、各々上記素子と隣接する外部導出リードの
先端部とをワイヤポンディングする。(図では判シ易く
するためにボンディングワイヤは省略さnている。]続
いて例えば発光素子ll上に追明エポキシ等の光透過性
樹脂15に載せその上に第3図に示すような駒形の側面
部2011に有する絶縁フィルム材20を載置する。次
いで受光素子12に光透過性樹脂15を載せてた上で、
上記画素子11.12か相対向するように第1.第2の
外部導出リード13.14を固定し光不透過性樹脂17
で画素子11.12”を封止した後不要となる枠部を切
シ落し、さらに外部導出リード13゜14を曲げること
によシ完成する。
上記のようなホトカプラにおいて第2図の破線Bに示す
部分の沿面路が従来のものに比らべ長くなっている。す
なわちこのように絶縁フィルム材20の形状を、光路と
なシ元が通過する絶縁フィルム材20の面の周囲に環状
の側面部20mが設けらnたものとすnば平面投影面積
を従来のものよりも拡大させることなくリードフレーム
配設方向の沿面路を増加させることができる。
部分の沿面路が従来のものに比らべ長くなっている。す
なわちこのように絶縁フィルム材20の形状を、光路と
なシ元が通過する絶縁フィルム材20の面の周囲に環状
の側面部20mが設けらnたものとすnば平面投影面積
を従来のものよりも拡大させることなくリードフレーム
配設方向の沿面路を増加させることができる。
この絶縁フィルムIv20の形状は第3図に示丁ものの
他に第4図に示すような形状にしても良い。これは発光
素子および受光素子を囲むように側面部2011を設け
たもので発光素子と電気的接続さnfc外部導出リード
と受光素子と電気的接続さnた外部樽出リードとが存在
する方向をそnぞn矢印11.12で示した。このよう
な形状にした場合には絶縁フィルム20の光が湧過する
面に対しあらゆる方向に側面部20aが設けらnている
ためより効果的である。勿論過度に板状の側面部20a
を高くしない限9ホトカブラのパッケージは従来のもの
と同一のもので済む。
他に第4図に示すような形状にしても良い。これは発光
素子および受光素子を囲むように側面部2011を設け
たもので発光素子と電気的接続さnfc外部導出リード
と受光素子と電気的接続さnた外部樽出リードとが存在
する方向をそnぞn矢印11.12で示した。このよう
な形状にした場合には絶縁フィルム20の光が湧過する
面に対しあらゆる方向に側面部20aが設けらnている
ためより効果的である。勿論過度に板状の側面部20a
を高くしない限9ホトカブラのパッケージは従来のもの
と同一のもので済む。
第5図に従来の平面状絶縁フィルム材を発元累子受元素
子間に設置したホトカプラと、第3図で示すような鉤状
の絶縁フィルム材20に第2図で示すように設置したも
のとにつき限界絶縁耐圧の測定結果を示す。尚、絶縁フ
ィルムおよび絶縁体はいずnも厚さ80μmのガラス材
から成るもので絶縁体の形状の他は同一条件で設計さn
たものである。この分布図から明らかなように受光素子
と発光素子との間の絶縁フィルム材沿面路金伸ばすこと
によシ、絶縁耐圧?向上させることができる。
子間に設置したホトカプラと、第3図で示すような鉤状
の絶縁フィルム材20に第2図で示すように設置したも
のとにつき限界絶縁耐圧の測定結果を示す。尚、絶縁フ
ィルムおよび絶縁体はいずnも厚さ80μmのガラス材
から成るもので絶縁体の形状の他は同一条件で設計さn
たものである。この分布図から明らかなように受光素子
と発光素子との間の絶縁フィルム材沿面路金伸ばすこと
によシ、絶縁耐圧?向上させることができる。
以上のようにこの発明によfLはパッケージの大型化や
発光素子および受光素子間の距離の増加を招くことなく
ホトカプラ等の内部沿血路を増加させることができるた
め絶縁耐圧の向上さTL1′c元結合素子結合素子きる
。
発光素子および受光素子間の距離の増加を招くことなく
ホトカプラ等の内部沿血路を増加させることができるた
め絶縁耐圧の向上さTL1′c元結合素子結合素子きる
。
第1図は従来の光結合素子を示す断面図、第2図はこの
発明の一実施例に係る光結合素子を示す断面図、第3図
および第4図はこの発明で用いる絶縁体を示す斜視図、
第5図は本発明による光結合素子の限界絶縁耐圧の測定
結果を従来のものと対比させ示す図である。 11・・・発光素子、12・・・受光素子、13・・・
第1の外部導出リード、14・・・第2の外部導出リー
ド、15・・・元透過性樹脂、17・・・元年透過性樹
脂、20・・・杷鍬フィルム材、2θa・・・1ll1
面部。 第1図 第2図 第3図
発明の一実施例に係る光結合素子を示す断面図、第3図
および第4図はこの発明で用いる絶縁体を示す斜視図、
第5図は本発明による光結合素子の限界絶縁耐圧の測定
結果を従来のものと対比させ示す図である。 11・・・発光素子、12・・・受光素子、13・・・
第1の外部導出リード、14・・・第2の外部導出リー
ド、15・・・元透過性樹脂、17・・・元年透過性樹
脂、20・・・杷鍬フィルム材、2θa・・・1ll1
面部。 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 相対向するように配設さn且つそnぞ扛第1および第2
の外部導出リードに電気的接続さt”tた発光素子およ
び受光素子と、この発光素子および受光素子との間に設
けらf′した光透過性絶縁フィルム材と、上記発光素子
および受−yt、素子との間に設けらn光路全形成する
光透過性樹脂および光不透過性樹脂から成るパッケージ
とを具備し、上記絶縁フィルム材の形状が上記発光素子
および受光素子に挾まnた位置にある平面部分の周辺部
に前記平面に対し角度を有する側面部を有しているもの
でおることt%徴とする元結会素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57221304A JPS59111377A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 光結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57221304A JPS59111377A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 光結合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59111377A true JPS59111377A (ja) | 1984-06-27 |
Family
ID=16764690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57221304A Pending JPS59111377A (ja) | 1982-12-17 | 1982-12-17 | 光結合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59111377A (ja) |
-
1982
- 1982-12-17 JP JP57221304A patent/JPS59111377A/ja active Pending
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