JPH02122677A - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
- Publication number
- JPH02122677A JPH02122677A JP63276723A JP27672388A JPH02122677A JP H02122677 A JPH02122677 A JP H02122677A JP 63276723 A JP63276723 A JP 63276723A JP 27672388 A JP27672388 A JP 27672388A JP H02122677 A JPH02122677 A JP H02122677A
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- Japan
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- light
- thin film
- film sheet
- insulating thin
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- Pending
Links
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Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、発光素子と受光素子との間の絶縁耐圧の信頼
性を高めた光結合半導体装置に関するものである。
性を高めた光結合半導体装置に関するものである。
従来の技術
以下に、従来の光結合半導体装置について説明する。
第3図は、従来の光結合半導体装置の断面図で、リード
1に発光素子2が、リード3に受光素子4が、それぞれ
、相対向してマウントされている。発光素子2とリード
1との間にはワイヤー5が、また、受光素子4とリード
3との間にはワイヤー6が、それぞれ、ボンディングさ
れている。
1に発光素子2が、リード3に受光素子4が、それぞれ
、相対向してマウントされている。発光素子2とリード
1との間にはワイヤー5が、また、受光素子4とリード
3との間にはワイヤー6が、それぞれ、ボンディングさ
れている。
そして、発光素子2、受光素子4、ワイヤー5゜6およ
びリード1,3を、透過率の良好な一次モールド樹脂7
により一体化しており、さらに前記一次モールド樹脂7
を外部光を遮断するための黒色の二次モールド樹脂8に
より包囲している。入出方間絶縁耐圧を高めるために、
前記一次モールド樹脂7において、ポリイミドやFEP
(四フッ化エチレンー六フッ化エチレン共重合体)の
絶縁性薄膜シート9を前記、発光素子2と受光素子4と
の間を結ぶ光伝達路の光路を横切るような位置に設けて
いる。但し、前記絶縁性薄膜シート9は透過率が75%
程度とおちるため、光の伝達効率を高めるために光透過
用の開口が設けられている。第4図は絶縁性薄膜シート
9の平面形状を示す図で、絶縁性薄膜シート9には光透
過用の開口10が設けられている。
びリード1,3を、透過率の良好な一次モールド樹脂7
により一体化しており、さらに前記一次モールド樹脂7
を外部光を遮断するための黒色の二次モールド樹脂8に
より包囲している。入出方間絶縁耐圧を高めるために、
前記一次モールド樹脂7において、ポリイミドやFEP
(四フッ化エチレンー六フッ化エチレン共重合体)の
絶縁性薄膜シート9を前記、発光素子2と受光素子4と
の間を結ぶ光伝達路の光路を横切るような位置に設けて
いる。但し、前記絶縁性薄膜シート9は透過率が75%
程度とおちるため、光の伝達効率を高めるために光透過
用の開口が設けられている。第4図は絶縁性薄膜シート
9の平面形状を示す図で、絶縁性薄膜シート9には光透
過用の開口10が設けられている。
発明が解決しようとする課題
上記従来例の構成では、絶縁性薄膜シートに光透過用の
開口を加工するのに手間がかかるという問題があった。
開口を加工するのに手間がかかるという問題があった。
また、絶縁耐圧を高めるためには開口は極力小さ(する
必要があるが、樹脂モールド時の絶縁性薄膜シートのず
れによっては、発光素子と受光素子との間を結ぶ光伝達
路の光路をさえぎってしまうという問題があった。
必要があるが、樹脂モールド時の絶縁性薄膜シートのず
れによっては、発光素子と受光素子との間を結ぶ光伝達
路の光路をさえぎってしまうという問題があった。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、絶縁性
薄膜シートに光透過用の開口を設けることなく、かつ発
光素子と受光素子との間の光伝達の良好な光結合半導体
装置を提供することを目的とする。
薄膜シートに光透過用の開口を設けることなく、かつ発
光素子と受光素子との間の光伝達の良好な光結合半導体
装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の光結合半導体装置に
おいては、透過率が良好で、かつ電気的に絶縁性を有す
る三層構造薄膜シートを発光素子と受光素子間を結ぶ光
伝達路の光路を横切るような位置に設け、かつ三層構造
絶縁性薄膜シートに、エポキシ系樹脂とその両面にポリ
エステル系プラスチックシートを貼り合わせ、厚さを5
0〜200μmに設定したものを使用した構成を有して
いる。
おいては、透過率が良好で、かつ電気的に絶縁性を有す
る三層構造薄膜シートを発光素子と受光素子間を結ぶ光
伝達路の光路を横切るような位置に設け、かつ三層構造
絶縁性薄膜シートに、エポキシ系樹脂とその両面にポリ
エステル系プラスチックシートを貼り合わせ、厚さを5
0〜200μmに設定したものを使用した構成を有して
いる。
作用
この構成によって、絶縁性薄膜シートに開口を加工する
手間もかからな(なる上、発光素子と受光素子との間の
光伝達も良好で、入出力間絶B耐圧も高めることができ
る。
手間もかからな(なる上、発光素子と受光素子との間の
光伝達も良好で、入出力間絶B耐圧も高めることができ
る。
実施例
υ下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第1図は本発明の一実施例における光結合半導体装置の
断面図を示すものである。第1図において、11.12
はリード、13は発光素子、14は受光素子、15.1
6はワイヤー 17は三層構造絶縁性薄膜シート、18
は一次モールド樹脂、19は二次モールド樹脂である。
断面図を示すものである。第1図において、11.12
はリード、13は発光素子、14は受光素子、15.1
6はワイヤー 17は三層構造絶縁性薄膜シート、18
は一次モールド樹脂、19は二次モールド樹脂である。
リード11に発光素子13を、リード12に受光素子1
4を相対向してマウントしである。発光素子13とリー
ド11との間にはワイヤー15が、受光素子14とリー
ド12との間にはワイヤー16が、それぞれボンディン
グされている。そして発光素子13.受光素子14、リ
ード11゜12、ワイヤー15.16、及び三層構造絶
縁性薄膜シート17を、透過率の良好なエポキシ系一次
モールド樹脂18により一体化しである。さらに前記一
次モールド樹脂18への外部光を遮断するための黒色の
二次モールド樹脂19で包囲しである。
4を相対向してマウントしである。発光素子13とリー
ド11との間にはワイヤー15が、受光素子14とリー
ド12との間にはワイヤー16が、それぞれボンディン
グされている。そして発光素子13.受光素子14、リ
ード11゜12、ワイヤー15.16、及び三層構造絶
縁性薄膜シート17を、透過率の良好なエポキシ系一次
モールド樹脂18により一体化しである。さらに前記一
次モールド樹脂18への外部光を遮断するための黒色の
二次モールド樹脂19で包囲しである。
ここで前記三層構造絶縁性薄膜シート17としては、ポ
リエステルシートをエポキシ系の樹脂により張り合わせ
た三層構造シートを使用している。第2図に三層構造絶
縁性薄膜シート17の断面を示す。20.21はポリエ
ステルシート、22はエポキシ系樹脂である。
リエステルシートをエポキシ系の樹脂により張り合わせ
た三層構造シートを使用している。第2図に三層構造絶
縁性薄膜シート17の断面を示す。20.21はポリエ
ステルシート、22はエポキシ系樹脂である。
三層構造でしかも開口等がないため、入出力量絶縁耐圧
は5KV以上と高い。それでいて、厚さも、80μm程
度と薄(、透過率も98%程度(三層構造絶縁性薄膜シ
ートのない状態を100%)あり、前記発光素子13と
受光素子14との間の光伝達は極めて良好である。
は5KV以上と高い。それでいて、厚さも、80μm程
度と薄(、透過率も98%程度(三層構造絶縁性薄膜シ
ートのない状態を100%)あり、前記発光素子13と
受光素子14との間の光伝達は極めて良好である。
また、三層構造絶縁性薄膜シートの透過率の温度(Ta
=150℃、t=500h)に対する経時変化も1%程
度であり問題ない。さらに三層構造の絶縁物としたこと
により、国際安全規格lEC380や各国安全規格(た
とえばVDEO806)をも十分満足する。
=150℃、t=500h)に対する経時変化も1%程
度であり問題ない。さらに三層構造の絶縁物としたこと
により、国際安全規格lEC380や各国安全規格(た
とえばVDEO806)をも十分満足する。
発明の効果
本発明は、゛三層構造絶縁性薄膜シートを、エポキシ系
樹脂とその両面にポリエステル系プラスチックシートを
貼り合わせた三層構造の薄膜シートで構造し、かつその
厚さを50〜200μmに設定したことにより、絶縁性
薄膜シートの加工および、挿入を容易にし、かつ光伝達
も極めて良好で、入出力量絶縁耐圧も高い、優れた光結
合半導体装置を実現できるものである。
樹脂とその両面にポリエステル系プラスチックシートを
貼り合わせた三層構造の薄膜シートで構造し、かつその
厚さを50〜200μmに設定したことにより、絶縁性
薄膜シートの加工および、挿入を容易にし、かつ光伝達
も極めて良好で、入出力量絶縁耐圧も高い、優れた光結
合半導体装置を実現できるものである。
第1図は本発明一実施例の光結合半導体装置のでの絶縁
性薄膜シートの平面図である。 1・・・・・・リード、2・・・・・・発光素子、3・
・・・・・リード、4・・・・・・受光素子、5・・・
・・・ワイヤー、6・・・・・・ワイヤー、7・・・・
・・一次モールド樹脂、8・・・・・・二次モールド樹
脂、9・・・・・・絶縁性薄膜シート、10・・・・・
・開口、11・・・・・・リード、12・・・・・・リ
ード、13・・・・・・発光素子、14・・・・・・受
光素子、15・・・・・・ワイヤー、16・・・・・・
ワイヤー、17・・・・・・三層構造絶縁性薄膜シート
、18・・・・・・一次モールド樹脂、1つ・・・・・
・二次モールド樹脂、20・・・・・・ポリエステルシ
ート、21・・・・・・ポリエステルシート、22・・
・・・・エポキシ系樹脂。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名第 図 第 図
性薄膜シートの平面図である。 1・・・・・・リード、2・・・・・・発光素子、3・
・・・・・リード、4・・・・・・受光素子、5・・・
・・・ワイヤー、6・・・・・・ワイヤー、7・・・・
・・一次モールド樹脂、8・・・・・・二次モールド樹
脂、9・・・・・・絶縁性薄膜シート、10・・・・・
・開口、11・・・・・・リード、12・・・・・・リ
ード、13・・・・・・発光素子、14・・・・・・受
光素子、15・・・・・・ワイヤー、16・・・・・・
ワイヤー、17・・・・・・三層構造絶縁性薄膜シート
、18・・・・・・一次モールド樹脂、1つ・・・・・
・二次モールド樹脂、20・・・・・・ポリエステルシ
ート、21・・・・・・ポリエステルシート、22・・
・・・・エポキシ系樹脂。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名第 図 第 図
Claims (1)
- 発光素子とこれに対向して設けられた受光素子と、前
記発光素子と受光素子とを共に包囲し、一体化した透過
率の良好な一次モールド樹脂と、前記一次モールド樹脂
を包囲して外部光を遮断するための黒色の二次モールド
樹脂と、前記発光素子と受光素子間を結ぶ光伝達路の光
路を横切るような位置に設けた三層構造絶縁性薄膜シー
トとを備え、前記三層構造絶縁性薄膜シートを、エポキ
シ系樹脂とその両面にポリエステル系プラスチックシー
トを貼り合わせた三層構造の薄膜シートで構成し、かつ
、その厚さを50〜200μmに設定したことを特徴と
する光結合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63276723A JPH02122677A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63276723A JPH02122677A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 光結合半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02122677A true JPH02122677A (ja) | 1990-05-10 |
Family
ID=17573439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63276723A Pending JPH02122677A (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02122677A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021333A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Nec Electronics Corp | 光結合装置の製造方法及び光結合装置 |
| US10400375B2 (en) | 2015-11-26 | 2019-09-03 | Bernina International Ag | Accessories box for a sewing machine |
| WO2023068149A1 (ja) * | 2021-10-20 | 2023-04-27 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP63276723A patent/JPH02122677A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009021333A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Nec Electronics Corp | 光結合装置の製造方法及び光結合装置 |
| US10400375B2 (en) | 2015-11-26 | 2019-09-03 | Bernina International Ag | Accessories box for a sewing machine |
| WO2023068149A1 (ja) * | 2021-10-20 | 2023-04-27 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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