JPS5911204B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPS5911204B2 JPS5911204B2 JP53142027A JP14202778A JPS5911204B2 JP S5911204 B2 JPS5911204 B2 JP S5911204B2 JP 53142027 A JP53142027 A JP 53142027A JP 14202778 A JP14202778 A JP 14202778A JP S5911204 B2 JPS5911204 B2 JP S5911204B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zinc oxide
- piezoelectric film
- surface acoustic
- acoustic wave
- oxide piezoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は弾性表面波装置に関するものであり、特に弾性
表面波装置の構成に関するものである。
表面波装置の構成に関するものである。
本発明の目的は、音速の速い基板材料を、低廉かつ量産
性の良い構成で提供するものであって、高周波領域での
弾性表面波装置の性能の向上を目的とする。
性の良い構成で提供するものであって、高周波領域での
弾性表面波装置の性能の向上を目的とする。
従来から圧電膜を用いた弾性表面波装置として、ガラス
基板上に酸化亜鉛圧電膜を蒸着した層構造基板が広く用
いられてきた。
基板上に酸化亜鉛圧電膜を蒸着した層構造基板が広く用
いられてきた。
しかしながら、この構造での弾性表面波の音速は３ ｂ
ｘ／ ｓ前後であるため、ＵＨＦ帯の弾性表面波装置を
製造する際には櫛形電極の線幅が狭《なって、歩留りの
低下をもたらしていた。
ｘ／ ｓ前後であるため、ＵＨＦ帯の弾性表面波装置を
製造する際には櫛形電極の線幅が狭《なって、歩留りの
低下をもたらしていた。
一方、弾性表面波の音速が速い材料として、窒化アルミ
ニウムなどの圧電材料では音速が６ｋ１ｌ／Ｓと高音速
のため、櫛形電極の加工が容易であるが、窒化アルミニ
ウム膜の形成は製造的に容易ではなかった。
ニウムなどの圧電材料では音速が６ｋ１ｌ／Ｓと高音速
のため、櫛形電極の加工が容易であるが、窒化アルミニ
ウム膜の形成は製造的に容易ではなかった。
また、高速材料としてサファイア基板に酸化亜鉛圧電膜
をエビタキシャル成長させた層構造基板も検討されたが
、単結晶膜は基板温度を５００℃以上にする必要があり
、それ以下の温度では、結晶性が悪かった。
をエビタキシャル成長させた層構造基板も検討されたが
、単結晶膜は基板温度を５００℃以上にする必要があり
、それ以下の温度では、結晶性が悪かった。
第１図はサファイア基板における酸化亜鉛圧電膜の形成
条件を示したグラフで横軸は温度、縦軸は形成速度を示
している。
条件を示したグラフで横軸は温度、縦軸は形成速度を示
している。
第１図において、黒丸の点は酸化亜鉛の圧電膜が得られ
た実験条件を示している。
た実験条件を示している。
第１図からわかるように酸化亜鉛圧電膜の形成速度は遅
く、生産性が低いという欠点があった。
く、生産性が低いという欠点があった。
第２図は従来のサファイア板２１上に酸化亜鉛圧電膜２
２を形成する構造の断面図を示したものであって、（０
００１）のサファイア板にはＣ軸配向の酸化亜鉛圧電膜
が得られ、（１１０２）のサファイア板にはａ軸方向の
酸化亜鉛圧電膜が得られたが、膜の形成速度は高々１０
０人毎分と遅いので、製作に時間がかかるという問題が
あった。
２を形成する構造の断面図を示したものであって、（０
００１）のサファイア板にはＣ軸配向の酸化亜鉛圧電膜
が得られ、（１１０２）のサファイア板にはａ軸方向の
酸化亜鉛圧電膜が得られたが、膜の形成速度は高々１０
０人毎分と遅いので、製作に時間がかかるという問題が
あった。
本発明はこれら問題点を解決するものであり、以下図面
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
第３図は本発明の一実施例の断面図である。
図から明らかなように、この実施例は、サファイア板３
１上に短絡電極３２を選択的に設け、この短絡電極３２
上を含むサファイア板３１上に酸化亜鉛圧電膜３３をス
パツタ蒸着し、さらにこの酸化亜鉛圧電膜３３上に櫛形
電極３４を設けた後、二酸化珪素膜３５を設けたもので
ある。
１上に短絡電極３２を選択的に設け、この短絡電極３２
上を含むサファイア板３１上に酸化亜鉛圧電膜３３をス
パツタ蒸着し、さらにこの酸化亜鉛圧電膜３３上に櫛形
電極３４を設けた後、二酸化珪素膜３５を設けたもので
ある。
この実施例では、短絡電極３２があるために、基板温度
を４００℃以上に高めて酸化亜鉛圧電膜３３を高速で蒸
着しても、いわゆるエビタキシャル成長せずにＣ軸配向
の膜が得られる。
を４００℃以上に高めて酸化亜鉛圧電膜３３を高速で蒸
着しても、いわゆるエビタキシャル成長せずにＣ軸配向
の膜が得られる。
ここで、サファイア板３１０面を（１１０２）面にする
と、短絡電極３２のない表面では酸化亜鉛圧電膜３３は
ａ軸配向になりやす《、このａ軸配向の部分の膜のＣ軸
と直交して弾性表面波が伝搬するように櫛形電極３４を
設けると、短絡電極３２のない所では櫛形電極３４は弾
性表面波と結合せず、不要のスプリアスの影響を少なく
できる。
と、短絡電極３２のない表面では酸化亜鉛圧電膜３３は
ａ軸配向になりやす《、このａ軸配向の部分の膜のＣ軸
と直交して弾性表面波が伝搬するように櫛形電極３４を
設けると、短絡電極３２のない所では櫛形電極３４は弾
性表面波と結合せず、不要のスプリアスの影響を少なく
できる。
そして、酸化亜鉛圧電膜３３を弾性表面波の波長の３０
％以下の波長とすると、弾性表面波の位相速度は４ ｋ
ｍ７’ｓ以上（零次モード）、５〜７ｋｓ／ ｓ （高
次モード）となり、高周波領域の弾性表面波装置の電極
加工が容易になる。
％以下の波長とすると、弾性表面波の位相速度は４ ｋ
ｍ７’ｓ以上（零次モード）、５〜７ｋｓ／ ｓ （高
次モード）となり、高周波領域の弾性表面波装置の電極
加工が容易になる。
また、波長が長いために櫛形電極３４の電極指の凹凸に
よる影響や負荷効果が軽減され、ニオブ酸リチウムの場
合の約半分となった。
よる影響や負荷効果が軽減され、ニオブ酸リチウムの場
合の約半分となった。
また、二酸化珪素はサファイアや酸化亜鉛と遅延時間温
度特性力繍であるため、温度特性が向上するという効果
もある。
度特性力繍であるため、温度特性が向上するという効果
もある。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる表面弾
性波装置は、（１１０２）面を有するサファイア板と、
このサファイア板の（１１０２）面上に設けられた酸化
亜鉛圧電膜と、これらサファイア板と酸化亜鉛圧電膜と
の間に選択的に設けられた短絡電極とを有し、酸化亜鉛
圧電膜が短絡電極上ではＣ軸配向し、短絡電極上以外の
部分ではａ軸配向していることを特徴とするもので、ス
プリアスの影響が少な《、また電極加工の面で製造を容
易にするとともに、酸化亜鉛圧電膜を形成する時間を短
縮できるものである。
性波装置は、（１１０２）面を有するサファイア板と、
このサファイア板の（１１０２）面上に設けられた酸化
亜鉛圧電膜と、これらサファイア板と酸化亜鉛圧電膜と
の間に選択的に設けられた短絡電極とを有し、酸化亜鉛
圧電膜が短絡電極上ではＣ軸配向し、短絡電極上以外の
部分ではａ軸配向していることを特徴とするもので、ス
プリアスの影響が少な《、また電極加工の面で製造を容
易にするとともに、酸化亜鉛圧電膜を形成する時間を短
縮できるものである。
第１図は酸化亜鉛膜の単結晶膜が得られた基板温度と形
成速度の条件を示すグラフ、第２図は従来の構造を示す
断面略図、第３図は本発明に係る弾性表面波装置の一実
施例の構造を示す断面図である。 ３１・・・・・・サファイア板、３２・・・・・・短絡
電極、３３・・・・・・酸化亜鉛圧電膜、３４・・・・
・・櫛形電極、３５・・・・・・二酸化珪素膜。
成速度の条件を示すグラフ、第２図は従来の構造を示す
断面略図、第３図は本発明に係る弾性表面波装置の一実
施例の構造を示す断面図である。 ３１・・・・・・サファイア板、３２・・・・・・短絡
電極、３３・・・・・・酸化亜鉛圧電膜、３４・・・・
・・櫛形電極、３５・・・・・・二酸化珪素膜。
Claims (1)
- １ （１〒０２）面を有するサファイア板と、このサフ
ァイア板の（１１０２）面上に設けられた酸化亜鉛圧電
膜と、前記サファイア板と前記酸化亜鉛圧電膜との間に
選択的に設けられた短絡電極とを有し、前記酸化亜鉛圧
電膜が前記短絡電極上ではＣ軸配向し、前記短絡電極上
以外の部分ではａ軸配向していることを特徴とする弾性
表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53142027A JPS5911204B2 (ja) | 1978-11-16 | 1978-11-16 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53142027A JPS5911204B2 (ja) | 1978-11-16 | 1978-11-16 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5568723A JPS5568723A (en) | 1980-05-23 |
| JPS5911204B2 true JPS5911204B2 (ja) | 1984-03-14 |
Family
ID=15305656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53142027A Expired JPS5911204B2 (ja) | 1978-11-16 | 1978-11-16 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911204B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2206257B (en) * | 1987-05-26 | 1991-08-14 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave device |
| US8674790B2 (en) | 2009-12-28 | 2014-03-18 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, oscillator, module apparatus |
| US8624690B2 (en) * | 2009-12-28 | 2014-01-07 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device, oscillator, module apparatus |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5292452A (en) * | 1976-01-29 | 1977-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Surface elastic wave device |
-
1978
- 1978-11-16 JP JP53142027A patent/JPS5911204B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5568723A (en) | 1980-05-23 |
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